JPH03218057A - 気密封止体 - Google Patents
気密封止体Info
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- JPH03218057A JPH03218057A JP2012482A JP1248290A JPH03218057A JP H03218057 A JPH03218057 A JP H03218057A JP 2012482 A JP2012482 A JP 2012482A JP 1248290 A JP1248290 A JP 1248290A JP H03218057 A JPH03218057 A JP H03218057A
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- H01L2924/161—Cap
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、気密封止構造体に係り、特に、ＬＳｉ等の電
子部品の動作時の発熱を外部に放熱するため、熱伝導率
のよいガスを、高い信頼性を持って気密封止することを
可能とした気密封上体に関する。
子部品の動作時の発熱を外部に放熱するため、熱伝導率
のよいガスを、高い信頼性を持って気密封止することを
可能とした気密封上体に関する。
［従来の技術コ
電子計算機をはじめとする電子機器には、多数のＬＳｉ
等の電子部品が使用されているが、処理の高速化、装置
の小型化に対するニーズを達成するためには、ＬＳｉ等
の電子部品から発生する熱を効率的に放熱することが非
常に重要になってきている。
等の電子部品が使用されているが、処理の高速化、装置
の小型化に対するニーズを達成するためには、ＬＳｉ等
の電子部品から発生する熱を効率的に放熱することが非
常に重要になってきている。
このような電子部品の放熱を効率よく行い得る気密封止
体の従来技術は、セラミックプリント基板上に実装され
た複数個のＬＳｉ全体を、好熱伝導の材料で構成される
キャップで覆い、このキャップとＬＳｉとの空間に、ヘ
リウムガス等の熱伝導率の高いガスを充填して、ＬＳｉ
等の電子部品からの熱をキャップ表面に伝え、該キャッ
プ表面を冷却するすることにより、ＬＳｉ等から発生す
る熱を除去するものである。
体の従来技術は、セラミックプリント基板上に実装され
た複数個のＬＳｉ全体を、好熱伝導の材料で構成される
キャップで覆い、このキャップとＬＳｉとの空間に、ヘ
リウムガス等の熱伝導率の高いガスを充填して、ＬＳｉ
等の電子部品からの熱をキャップ表面に伝え、該キャッ
プ表面を冷却するすることにより、ＬＳｉ等から発生す
る熱を除去するものである。
なお、前述のような気密封止体に関する従来技術として
、例えば、 「日経エレクトロニクス、１９８４．３．
２６Ｊ （第１７８頁〜第１８４頁）等に記載された
技術が知られている， ［発明が解決しようとする課題］ 前述したような従来技術は、キャップ内に充填されるガ
スの濃度が冷却特性に大きく影響するものとなるが、ヘ
リウムガスに代表されるこの種冷却用ガスの分子径が小
さく、気密性を損なうことなくセラミック基板とキャッ
プとを気密封止することが非常に困難であった。
、例えば、 「日経エレクトロニクス、１９８４．３．
２６Ｊ （第１７８頁〜第１８４頁）等に記載された
技術が知られている， ［発明が解決しようとする課題］ 前述したような従来技術は、キャップ内に充填されるガ
スの濃度が冷却特性に大きく影響するものとなるが、ヘ
リウムガスに代表されるこの種冷却用ガスの分子径が小
さく、気密性を損なうことなくセラミック基板とキャッ
プとを気密封止することが非常に困難であった。
また、前記従来技術は、基板とキャップとの間の封止材
料として、ＬＳｉ等の電子部品の交換性を考慮して、比
校的低温で溶融するはんだが等が使用されているが、こ
のはんだに微小な欠陥があると、稼働中に徐々にガスが
漏れて、当初の冷却性能を維持できなくなるという間雇
点を有している。
料として、ＬＳｉ等の電子部品の交換性を考慮して、比
校的低温で溶融するはんだが等が使用されているが、こ
のはんだに微小な欠陥があると、稼働中に徐々にガスが
漏れて、当初の冷却性能を維持できなくなるという間雇
点を有している。
さらに、近年、機器の高性能化に伴い、電子部品の前述
のような気密封止体は、大型化の傾向にあり、このため
、前記従来技術は、次のような問題点を有している。
のような気密封止体は、大型化の傾向にあり、このため
、前記従来技術は、次のような問題点を有している。
■気密封止体を構成する構造体の熱容量が大きくなり、
封止用のはんだ材が、溶融後凝固するまでの速度が遅く
なり、緻密なはんだ組織を得ることができず、はんだ材
の耐熱疲労寿命が短くなってしまう。
封止用のはんだ材が、溶融後凝固するまでの速度が遅く
なり、緻密なはんだ組織を得ることができず、はんだ材
の耐熱疲労寿命が短くなってしまう。
■キャップとセラミック基板の接合時に、はんだ中にボ
イド（空洞）ができ、気密寿命の劣化を生じる。
イド（空洞）ができ、気密寿命の劣化を生じる。
■封止接合部の形状検査等を行おうとする場合、Ｘ線に
よる検査は、ＸａｔがＬＳｉを破壊するため使用できず
、気密封止体を構成する構造体の封止部内部のはんだ付
けの状態（良否）を判定することができない。
よる検査は、ＸａｔがＬＳｉを破壊するため使用できず
、気密封止体を構成する構造体の封止部内部のはんだ付
けの状態（良否）を判定することができない。
■気密封止体を構成する構造体の封止部外部にはんだ付
け欠陥があって、この欠陥を修正しようとする場合、構
造体の熱容量が大きいため、はんだが溶けにくく、大気
中ではんだを完全に溶かすと、キャップ内部の熱伝導ガ
スに空気が混入してしまう等の理由により、その修正が
非常に困難である６ 本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を解決し、
完全な気密封止技術を提供し、気密寿命の長い、信頼性
の高い電子部品に対する気密封止体を提供することにあ
り、さらに、封止接合部の欠陥修正方法及び気密封止体
の良否検査方法を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 本発明によれば前記目的は、封止接合部にレーザ光等の
高密度エネルギー光を照射し、接合材料であるはんだ材
を、瞬時にかつ局部的に溶融させ、その後凝固させるこ
とにより達成される．［作 用］ レーザ光は、エネルギー密度が高いため、熱容量の大き
い気密封止体でも，気密接合部にレーザ光を照射するこ
とにより、レーザ光の照射位置のはんだのみを、局部的
に瞬時に溶融させることができる。このレーザ光の照射
をＯＦＦとすることにより、照射部の熱は、急速に熱伝
導により他の部分に放熱され、はんだは急速に凝固する
．これにより、緻密なはんだ組織を得ることができる。
け欠陥があって、この欠陥を修正しようとする場合、構
造体の熱容量が大きいため、はんだが溶けにくく、大気
中ではんだを完全に溶かすと、キャップ内部の熱伝導ガ
スに空気が混入してしまう等の理由により、その修正が
非常に困難である６ 本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を解決し、
完全な気密封止技術を提供し、気密寿命の長い、信頼性
の高い電子部品に対する気密封止体を提供することにあ
り、さらに、封止接合部の欠陥修正方法及び気密封止体
の良否検査方法を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 本発明によれば前記目的は、封止接合部にレーザ光等の
高密度エネルギー光を照射し、接合材料であるはんだ材
を、瞬時にかつ局部的に溶融させ、その後凝固させるこ
とにより達成される．［作 用］ レーザ光は、エネルギー密度が高いため、熱容量の大き
い気密封止体でも，気密接合部にレーザ光を照射するこ
とにより、レーザ光の照射位置のはんだのみを、局部的
に瞬時に溶融させることができる。このレーザ光の照射
をＯＦＦとすることにより、照射部の熱は、急速に熱伝
導により他の部分に放熱され、はんだは急速に凝固する
．これにより、緻密なはんだ組織を得ることができる。
また、レーザ光のエネルギー量、時間は、高精度にコン
トロールすることができるため、このコントロールによ
り、接合部のはんだを表裏貫通させることなく、はんだ
の溶ける深さを制御することができるため、キャップ内
に封入されている熱伝導性封止ガスに大気が混入するこ
とがない。
トロールすることができるため、このコントロールによ
り、接合部のはんだを表裏貫通させることなく、はんだ
の溶ける深さを制御することができるため、キャップ内
に封入されている熱伝導性封止ガスに大気が混入するこ
とがない。
また、前述のレーザ光の照射処理を行うことにより、封
止接合部の外側に近い部分にあるボイドの修正を行うこ
とができ、さらに、内側に封止欠陥がある場合、気密封
止体の内部と外部とを貫通させ、これにより、気密封止
体の不良検査を行うことができる。
止接合部の外側に近い部分にあるボイドの修正を行うこ
とができ、さらに、内側に封止欠陥がある場合、気密封
止体の内部と外部とを貫通させ、これにより、気密封止
体の不良検査を行うことができる。
［実施例］
以下、本発明による気密封止体の実施例を図面により詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す断面図、第２図
は本発明の一実施例による処理を説明する斜視図、第３
図〜第６図は本発明の処理による封止接合部内の様子を
説明する断面図である。第１図〜第６図において、１は
セラミック基板、２は封止キャップ、３は封止ガス、４
は封止接合部、５は電子部品、６は部品接合部、７は冷
却水通路、８はレーザ光、９はレンズ、１０はガラスフ
ァイバ、１１はＹテーブル、１２はｘテーブル、ｌ３は
はんだ箔、１４はボイド、１５は貫通穴である。
は本発明の一実施例による処理を説明する斜視図、第３
図〜第６図は本発明の処理による封止接合部内の様子を
説明する断面図である。第１図〜第６図において、１は
セラミック基板、２は封止キャップ、３は封止ガス、４
は封止接合部、５は電子部品、６は部品接合部、７は冷
却水通路、８はレーザ光、９はレンズ、１０はガラスフ
ァイバ、１１はＹテーブル、１２はｘテーブル、ｌ３は
はんだ箔、１４はボイド、１５は貫通穴である。
本発明の一実施例による気密封止体は、第１図に示すよ
うに、セラミック基板１上に、ＬＳｉ等の複数の電子部
品５を部品接合部６を介して実装し、前記複数の電子部
品５全体を覆うように封止キャップ２が、セラミック基
板１にはんだ等による封止接合部４により気密に接合さ
れて構成されている。封止キャップ２は、熱伝導性がよ
く、セラミック基板ｌとその熱膨張率が近い、窒化アル
ミニウム等の材料で形成され、その内部に冷却水通路７
を備えている。そして、封止キャップ２とセラミック基
板１との間の、封止接合部４により気密封止される空間
には、熱伝導性のよいヘリウム等の封止ガス３が封入さ
れている。
うに、セラミック基板１上に、ＬＳｉ等の複数の電子部
品５を部品接合部６を介して実装し、前記複数の電子部
品５全体を覆うように封止キャップ２が、セラミック基
板１にはんだ等による封止接合部４により気密に接合さ
れて構成されている。封止キャップ２は、熱伝導性がよ
く、セラミック基板ｌとその熱膨張率が近い、窒化アル
ミニウム等の材料で形成され、その内部に冷却水通路７
を備えている。そして、封止キャップ２とセラミック基
板１との間の、封止接合部４により気密封止される空間
には、熱伝導性のよいヘリウム等の封止ガス３が封入さ
れている。
封止キャップ２内への封止ガス３の気密封止は、所定の
圧力のヘリウムガス等の封止ガス３の雰囲気中で、セラ
ミック基板１と封止キャップ２を加熱し、はんだ等を溶
融して、封止キャップ２とセラミック基板ｌとの間に封
止接合部４を形成し、これにより、封止キャップ２内部
を気密封止することにより行われる。このような気密封
止の方法は、従来技術の場合と同様である。
圧力のヘリウムガス等の封止ガス３の雰囲気中で、セラ
ミック基板１と封止キャップ２を加熱し、はんだ等を溶
融して、封止キャップ２とセラミック基板ｌとの間に封
止接合部４を形成し、これにより、封止キャップ２内部
を気密封止することにより行われる。このような気密封
止の方法は、従来技術の場合と同様である。
本発明の実施例は、前述の方法で気密に封止された気密
封止体の封止接合部４を、本発明に従って処理するもの
で、以下、第２図によりその方法を説明する。
封止体の封止接合部４を、本発明に従って処理するもの
で、以下、第２図によりその方法を説明する。
第２図において、前述の方法で作成された気密封止体は
、セラミック基板ｌが下側となるようにＹテーブル１１
、Ｘテーブル１２上にセットされており、封止接合部４
が高エネルギー密度のレーザ光８により仕上げ処理され
る。レーザ光８は、図示しないレーザ発振機により発振
され、石英ガラスファイバ１０により対物レンズ９に導
かれ、気密封止体の封止接合部４を照射するようにセッ
トされている。
、セラミック基板ｌが下側となるようにＹテーブル１１
、Ｘテーブル１２上にセットされており、封止接合部４
が高エネルギー密度のレーザ光８により仕上げ処理され
る。レーザ光８は、図示しないレーザ発振機により発振
され、石英ガラスファイバ１０により対物レンズ９に導
かれ、気密封止体の封止接合部４を照射するようにセッ
トされている。
レーザ光８の照射と同時に、気密封止体を載せたＹテー
ブル１１、Ｘテーブル１２は、図示しない駆動機構によ
り、一定の速度で駆動制御され、封止接合部４に一定エ
ネルギー量のレーザ光が照射されるようにする。
ブル１１、Ｘテーブル１２は、図示しない駆動機構によ
り、一定の速度で駆動制御され、封止接合部４に一定エ
ネルギー量のレーザ光が照射されるようにする。
次に、前述によりレーザ光８を照射した場合の封止接合
部４の内部の様子を説明する。
部４の内部の様子を説明する。
第３図は通常の状態における、レーザ光８の照射処理前
後の封止接合部４の内部の様子を説明する図である。
後の封止接合部４の内部の様子を説明する図である。
前述したように、気密封止体の気密接合は、ヘリウムガ
ス等の封入ガス雰囲気中で、その全体を加熱して実施さ
れるため、熱容量の大きい気密封止体の冷却速度が遅く
なり、この結果、封止接合部４は、最初に析出した初晶
が成長し、第３図（ａ）に示すように、大きな結晶４ａ
、４ｂを有するはんだ組織により構成される。
ス等の封入ガス雰囲気中で、その全体を加熱して実施さ
れるため、熱容量の大きい気密封止体の冷却速度が遅く
なり、この結果、封止接合部４は、最初に析出した初晶
が成長し、第３図（ａ）に示すように、大きな結晶４ａ
、４ｂを有するはんだ組織により構成される。
このようなはんだ組織による封止接合部４に第３図（ｂ
）に示すように、レーザ光８を所定のエネルギー量とな
るよう照射する、第２図に示す方法による照射処理を行
うと、レーザ光８が照射された部分のはんだが、一旦溶
融した後、急速に冷却され、過冷却状態ではんだが固化
するため、第３図（Ｃ）に示すような緻密なはんだ組織
が、レーザ光８の照射側に得られる。
）に示すように、レーザ光８を所定のエネルギー量とな
るよう照射する、第２図に示す方法による照射処理を行
うと、レーザ光８が照射された部分のはんだが、一旦溶
融した後、急速に冷却され、過冷却状態ではんだが固化
するため、第３図（Ｃ）に示すような緻密なはんだ組織
が、レーザ光８の照射側に得られる。
これにより、気密寿命の長い封止接合部を得ることがで
きる。
きる。
この場合、レーザ光８のエネルギー密度と、Ｙテーブル
１１、Ｘテーブル１２の制御による気密封止体の移動速
度との制御により、緻密となるはんだ組織の深さを謂整
することができる。
１１、Ｘテーブル１２の制御による気密封止体の移動速
度との制御により、緻密となるはんだ組織の深さを謂整
することができる。
本発明の実施例の場合、このレーザ条件は、例えば、Ｙ
ＡＧレーザを用い、パワー８０Ｗ、ビーム径３■φ、気
密封止体の移動速度Ｌｏａｎ／ｓであり、はんだ材とし
て、Ｓｎ−３７Ｐｂはんだを用いた。また、封止キャッ
プ２の材料は、４２７ロイを使用し、セラミック基板１
の材料は、アルミナを使用した． 第４図は、曲述したと同一の条件で、封止接合部４のは
んだ形状の窪んでいるものに対する仕上げ処理を説明す
る図である。
ＡＧレーザを用い、パワー８０Ｗ、ビーム径３■φ、気
密封止体の移動速度Ｌｏａｎ／ｓであり、はんだ材とし
て、Ｓｎ−３７Ｐｂはんだを用いた。また、封止キャッ
プ２の材料は、４２７ロイを使用し、セラミック基板１
の材料は、アルミナを使用した． 第４図は、曲述したと同一の条件で、封止接合部４のは
んだ形状の窪んでいるものに対する仕上げ処理を説明す
る図である。
第４図（ａ）に示すように、封止接合部４に窪みがある
場合、第４図（ｂ）に示すように、Ｓｎ−３７Ｐｂのは
んだ箔１３を、フラックスを塗布した後に供給し、レー
ザ光８の照射処理を実施する。
場合、第４図（ｂ）に示すように、Ｓｎ−３７Ｐｂのは
んだ箔１３を、フラックスを塗布した後に供給し、レー
ザ光８の照射処理を実施する。
これにより、はんだ箔１３と封止接合部４のはんだの一
部が局所的に溶融し、第４図（Ｃ）に示すように、フィ
レットの形状を正規の形状に修正することができ、かつ
、第３図で説明したと同様に、レーザ光８の照射側に緻
密なはんだ組織を形成することができる。
部が局所的に溶融し、第４図（Ｃ）に示すように、フィ
レットの形状を正規の形状に修正することができ、かつ
、第３図で説明したと同様に、レーザ光８の照射側に緻
密なはんだ組織を形成することができる。
第５図は、ボイドの修正方法を説明する図であり、前述
したと同一の条件で、封止接合部４を構成するはんだの
内部にボイド１４が発生している部分に、仕上げ処理を
行った場合を説明する図である。
したと同一の条件で、封止接合部４を構成するはんだの
内部にボイド１４が発生している部分に、仕上げ処理を
行った場合を説明する図である。
気密封止体に対して、封止接合部４による気密封止を行
う場合、第５図（ａ）に示すように、封止接合部４内部
にボイドＩ４が生じている場合がある。このようなボイ
ドは、通常外部からは見つけることができない。
う場合、第５図（ａ）に示すように、封止接合部４内部
にボイドＩ４が生じている場合がある。このようなボイ
ドは、通常外部からは見つけることができない。
一般に，ボイド１４内の気体の圧力は、はんだが溶融点
以上の温度で溶融しているときに、封じ込められた気体
が、そのままの状態で温度が下げられたものであるので
、常温では体気圧に比較して減圧の状態になっている。
以上の温度で溶融しているときに、封じ込められた気体
が、そのままの状態で温度が下げられたものであるので
、常温では体気圧に比較して減圧の状態になっている。
このような場合、前述と同様にこの部分に対してレーザ
光８の照射処理を行うと、瞬時の加熱ではんだが溶融す
るが、ボイド１４の内部の気体は充分に加熱されないた
め、ボイド１４の内部は依然として減圧状態にあり、は
んだが溶融したとき大気圧により押しつぶされ、第５図
（ｂ）に示すようにボイドのない封止接合部とすること
ができ、かつ、第３図、第４図の場合と同様に、緻密な
はんだ間織を形成することができる。
光８の照射処理を行うと、瞬時の加熱ではんだが溶融す
るが、ボイド１４の内部の気体は充分に加熱されないた
め、ボイド１４の内部は依然として減圧状態にあり、は
んだが溶融したとき大気圧により押しつぶされ、第５図
（ｂ）に示すようにボイドのない封止接合部とすること
ができ、かつ、第３図、第４図の場合と同様に、緻密な
はんだ間織を形成することができる。
ちなみに、１気圧の雰囲気ではんだ温度が２００℃のと
きに発生したボイドは、室温３０℃において、約０．５
気圧となっている。
きに発生したボイドは、室温３０℃において、約０．５
気圧となっている。
第６図は、封止キャップ２の内側に充分なはんだフィレ
ットが形成されなかった部分が生じている場合の仕上げ
処理、すなわち、気密封止体の良否検査方法を説明する
図である。
ットが形成されなかった部分が生じている場合の仕上げ
処理、すなわち、気密封止体の良否検査方法を説明する
図である。
気密封止体に対して、封止接合部４による気密封止を行
う場合、第６図（ａ）に示すように、封止キャップ２の
内側に充分なはんだフイレットが形成されない場合が生
じる。通常、封止キャップ２内部の封止ガスの圧力Ｐ１
は、約０．８気圧になるように設定されており、大気圧
Ｐ２より減圧に設定されている。
う場合、第６図（ａ）に示すように、封止キャップ２の
内側に充分なはんだフイレットが形成されない場合が生
じる。通常、封止キャップ２内部の封止ガスの圧力Ｐ１
は、約０．８気圧になるように設定されており、大気圧
Ｐ２より減圧に設定されている。
前述と同様にレーザ光８の照射処理を行うと、レーザ光
８の照射側のはんだが溶融するが、この場合、封止キャ
ップ２の内側に充分な量のはんだがないため、レーザ光
８の照射部において，封止キャップ２の内側と外側とを
貫通してはんだが溶融し、前述した封止ガスの圧力Ｐ１
と大気圧Ｐｚとの差により、大気が封止キャップ２内に
流入し、第６図（ｂ）に示すような貫通穴１５を形成す
る。
８の照射側のはんだが溶融するが、この場合、封止キャ
ップ２の内側に充分な量のはんだがないため、レーザ光
８の照射部において，封止キャップ２の内側と外側とを
貫通してはんだが溶融し、前述した封止ガスの圧力Ｐ１
と大気圧Ｐｚとの差により、大気が封止キャップ２内に
流入し、第６図（ｂ）に示すような貫通穴１５を形成す
る。
このような貫通穴１５が形成された気密封止体は、その
後、通常実施されているヘリウムリークテスターまたは
バブルリークテスター等を用いて検査することにより、
欠陥として検出して排除することができる。このため、
このような不良な気密封止体を製品として出荷すること
を防止することができる． 前述した本発明の実施例によれば、封止キャップ２とセ
ラミック基板ｌとを気密封止する封止接合部４のはんだ
組織を緻密なものとすることができ、封止接合部のはん
だフィレットの形状の修正を行うことができ、はんだ中
のボイドを除去することができるので、気密寿命の長い
、気密信頼性の高い気密封止体を得ることができる。
後、通常実施されているヘリウムリークテスターまたは
バブルリークテスター等を用いて検査することにより、
欠陥として検出して排除することができる。このため、
このような不良な気密封止体を製品として出荷すること
を防止することができる． 前述した本発明の実施例によれば、封止キャップ２とセ
ラミック基板ｌとを気密封止する封止接合部４のはんだ
組織を緻密なものとすることができ、封止接合部のはん
だフィレットの形状の修正を行うことができ、はんだ中
のボイドを除去することができるので、気密寿命の長い
、気密信頼性の高い気密封止体を得ることができる。
また、封止体内部にはんだ異常がある場合、貫通穴を形
成するため、予め不良を検出することが可能となり、出
荷後のトラブルの発生を未然に防止することができる。
成するため、予め不良を検出することが可能となり、出
荷後のトラブルの発生を未然に防止することができる。
前述した本発明の実施例は、セラミック基板と封止キャ
ップとによる気密封止体に本発明を適用したものである
が、本発明は、少なくとも２個の部品を接合して得られ
る他の形状の気密封止体に適用することができる。
ップとによる気密封止体に本発明を適用したものである
が、本発明は、少なくとも２個の部品を接合して得られ
る他の形状の気密封止体に適用することができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ＬＳｉ等の電子部
品に対する気密封止体の気密性、信頼性の向上を図るこ
とができる。
品に対する気密封止体の気密性、信頼性の向上を図るこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す断面図、第２図
は本発明の一実施例による処理を説明する斜視図、第３
図、第４図、第５図及び第６図は本発明の処理による封
止接合部内の様子を説明する断面図である。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・封止キ
ャップ、３・・・・・封止ガス、４・・・・・・封止接
合部、５・・・・・・電子部品、６・・・・・・部品接
合部、７・・・・・・冷却水通路、８・・・・・・レー
ザ光、９・・・・・・レンズ、１０・・・・・・ガラス
ファイバ、１１・・・・・・Ｙテーブル、ｌ２・・・・
・・Ｘテーブル、 １３・・・・・・・・・・・・んだ箔、ｌ４・・・・・
・ボイド、 １５ ・・・・・・貫通穴。 第 ｒ 図 ６：ｇ品捧合軒 ７：冷却７Ｋ遁舒 第２図 ＩＯ （Ｑ） （ａ） 第３図 （ｂ） 第４図 （ｂ） （Ｃ） （Ｃ） 第５図 （０） （ｂ） 第６図 （ａ） （ｂ）
は本発明の一実施例による処理を説明する斜視図、第３
図、第４図、第５図及び第６図は本発明の処理による封
止接合部内の様子を説明する断面図である。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・封止キ
ャップ、３・・・・・封止ガス、４・・・・・・封止接
合部、５・・・・・・電子部品、６・・・・・・部品接
合部、７・・・・・・冷却水通路、８・・・・・・レー
ザ光、９・・・・・・レンズ、１０・・・・・・ガラス
ファイバ、１１・・・・・・Ｙテーブル、ｌ２・・・・
・・Ｘテーブル、 １３・・・・・・・・・・・・んだ箔、ｌ４・・・・・
・ボイド、 １５ ・・・・・・貫通穴。 第 ｒ 図 ６：ｇ品捧合軒 ７：冷却７Ｋ遁舒 第２図 ＩＯ （Ｑ） （ａ） 第３図 （ｂ） 第４図 （ｂ） （Ｃ） （Ｃ） 第５図 （０） （ｂ） 第６図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも２個の部品を、はんだ等の低融点の封止
ろう材で接合した構造を有する気密封止体において、前
記封止ろう材で接合した封止接合部は、該接合部の外側
の部分で、緻密な構造のろう材で形成され、内側の部分
で大きい結晶を持ったろう材で形成されていることを特
徴とする気密封止体。 ２、少なくとも２個の部品を、はんだ等の低融点の封止
ろう材で接合した構造を有する気密封止体において、前
記封止ろう材により接合した封止接合部に、高密度エネ
ルギー光を照射することにより、前記封止ろう材の一部
を局部的に再溶融させた後凝固させる処理を施したこと
を特徴とする気密封止体。 ３、前記気密封止体は、電子部品からの熱を放熱するた
めのものであり、内部に熱伝導性の高い封止ガスが封入
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の気密封止体。 ４、少なくとも２個の部品を、はんだ等の低融点の封止
ろう材で接合した構造を有する気密封止体において、前
記封止ろう材により接合した封止接合部に、高密度エネ
ルギー光を照射し、前記封止ろう材の一部を局部的に再
溶融させた後凝固させる処理を行うことにより、封止ろ
う材内部のボイドを除去することを特徴とする気密封止
体の封止接合部内のボード修正方法。 ５、少なくとも２個の部品を、はんだ等の低融点の封止
ろう材で接合した構造を有し、内部に熱伝導性の高い封
止ガスが封入されている気密封止体の検査方法において
、前記封止ろう材により接合した封止接合部に、高密度
エネルギー光を照射し、前記封止ろう材の一部を表面よ
り所定の深さまで溶融し、その際、封止体内外の圧力差
により貫通穴が生じるか否かにより、封止ろう材の形状
の良否を検査することを特徴とする気密封止体の検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012482A JP2502778B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 気密封止体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012482A JP2502778B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 気密封止体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218057A true JPH03218057A (ja) | 1991-09-25 |
| JP2502778B2 JP2502778B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=11806615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012482A Expired - Fee Related JP2502778B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 気密封止体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502778B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006151726A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
| JP2006205216A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Pioneer Electronic Corp | レーザ溶接装置、及びレーザ溶接方法 |
| JP2008036708A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | United Technol Corp <Utc> | ろう付方法 |
| JP2018062005A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 構成要素に画定された内部チャネルを密封するためのシステムおよび方法 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2012482A patent/JP2502778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006151726A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
| JP2006205216A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Pioneer Electronic Corp | レーザ溶接装置、及びレーザ溶接方法 |
| JP2008036708A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | United Technol Corp <Utc> | ろう付方法 |
| JP2018062005A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 構成要素に画定された内部チャネルを密封するためのシステムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502778B2 (ja) | 1996-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |