JPH03217047A - 半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法Info
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- JPH03217047A JPH03217047A JP2013091A JP1309190A JPH03217047A JP H03217047 A JPH03217047 A JP H03217047A JP 2013091 A JP2013091 A JP 2013091A JP 1309190 A JP1309190 A JP 1309190A JP H03217047 A JPH03217047 A JP H03217047A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は一般に半導体収納用ハウジングに関するもの
であり、特に加熱時の変形を起こさないように改良され
た半導体収納用ハウジングに関するものである。
であり、特に加熱時の変形を起こさないように改良され
た半導体収納用ハウジングに関するものである。
[従来の技術]
航空機、人工衛星、ミサイル等の飛翔体に搭載する電子
装置には、軽量化が強く求められる。特に近年、これら
飛翔体各個に搭載される電子機器の種類や点数が増加し
ており、電子機器に組込む電子部品を収納するためのハ
ウジング(容器)の軽量化が求められている。
装置には、軽量化が強く求められる。特に近年、これら
飛翔体各個に搭載される電子機器の種類や点数が増加し
ており、電子機器に組込む電子部品を収納するためのハ
ウジング(容器)の軽量化が求められている。
従来、この種の用途にはアルミニウムが用いられてきた
が、アルミニウムは軽量(比重約2.7g/cc)では
あるが、熱膨張率が大きく(24×10−6/℃)、電
子部品を組付けたセラミック基板(膨張率6〜7X10
−’/’C)を半田(鉛錫、金錫等の半田材)等により
接合する場合、熱膨張率の差が大きいため、接合時に接
合部のソリやセラミック基板に亀裂が発生する等の問題
点があった。また、近時、発熱量の大きなFETやIC
を搭載する基板が増加しており、セラミック基板をハウ
ジングに半田等により固定し、発生する熱を冷却したハ
ウジングを通し、外部へ逃がす必要のある事例が増えて
いるが、アルミニウムをハウジングの材料として使用で
きず、軽さと熱伝導を犠牲にしたFe−Ni−Co材(
比重10〜1 1 g / c C %熱伝導度0.0
3caQ/cm・sec.’C)等の材料が使用されて
いるのが現状である。
が、アルミニウムは軽量(比重約2.7g/cc)では
あるが、熱膨張率が大きく(24×10−6/℃)、電
子部品を組付けたセラミック基板(膨張率6〜7X10
−’/’C)を半田(鉛錫、金錫等の半田材)等により
接合する場合、熱膨張率の差が大きいため、接合時に接
合部のソリやセラミック基板に亀裂が発生する等の問題
点があった。また、近時、発熱量の大きなFETやIC
を搭載する基板が増加しており、セラミック基板をハウ
ジングに半田等により固定し、発生する熱を冷却したハ
ウジングを通し、外部へ逃がす必要のある事例が増えて
いるが、アルミニウムをハウジングの材料として使用で
きず、軽さと熱伝導を犠牲にしたFe−Ni−Co材(
比重10〜1 1 g / c C %熱伝導度0.0
3caQ/cm・sec.’C)等の材料が使用されて
いるのが現状である。
ところで、従来より半導体搭載用の基板材料および放熱
フィン用の材料として使用されている、急冷法により製
造されたAll−Si複合材料(Si35〜45%:A
店65〜54%以上,重量比)は比重(約2.5g/c
c)がアルミニウムよりも小さく、熱伝導度(0.3c
alj/Cm−seC・℃)も比較的高く、ハウジング
には適した材料であると思われる。
フィン用の材料として使用されている、急冷法により製
造されたAll−Si複合材料(Si35〜45%:A
店65〜54%以上,重量比)は比重(約2.5g/c
c)がアルミニウムよりも小さく、熱伝導度(0.3c
alj/Cm−seC・℃)も比較的高く、ハウジング
には適した材料であると思われる。
[発明が解決しようとする課題コ
しかしながら、このAl−Si複合材はハウジングに適
用すると、次のごとき問題点を有している。
用すると、次のごとき問題点を有している。
第一点は、ハウジングの加工時の歪に関するものである
。すなわち、この種のハウジングは、通常、使用時に冷
却を必要とするため、ハウジングを冷却装置に密着させ
る必要がある。そのため、ハウジングの背面のソリを最
小限に抑えておかなければならない。このソリを熱処理
により修正するわけてあるが、急冷粉末を熱開成形(押
出し、ホッ1・プレス等)した索祠を9ノ削加工して得
たノ−ウジングを加熱すると、素材内部に含まれる吸蔵
ガス(N2、H20等)の影響で、ハウジングが大きく
変形する。この場合、加熱を真空中またはアルゴン等の
不活性ガス中で行なっても、吸蔵ガスの放出により、上
述の変形が起こる。以上が、第一の問題点である。
。すなわち、この種のハウジングは、通常、使用時に冷
却を必要とするため、ハウジングを冷却装置に密着させ
る必要がある。そのため、ハウジングの背面のソリを最
小限に抑えておかなければならない。このソリを熱処理
により修正するわけてあるが、急冷粉末を熱開成形(押
出し、ホッ1・プレス等)した索祠を9ノ削加工して得
たノ−ウジングを加熱すると、素材内部に含まれる吸蔵
ガス(N2、H20等)の影響で、ハウジングが大きく
変形する。この場合、加熱を真空中またはアルゴン等の
不活性ガス中で行なっても、吸蔵ガスの放出により、上
述の変形が起こる。以上が、第一の問題点である。
第二点は、半田付け時またはめつき時の加熱による変形
問題である。すなわち、ハウジングに良好な半田付け性
および耐食性を付与するため、NiSNi+Au等でめ
っきをする必要がある場合が多い。このめっき時の加熱
によって、ハウジングが変形する。また、ハウジング内
にセラミック基板等を半田付けする際の加熱時に、ハウ
ジングの変形が起こる。この場合、めっき面に発生する
めっき層の膨れも問題である。以上が、第2の問題点で
ある。
問題である。すなわち、ハウジングに良好な半田付け性
および耐食性を付与するため、NiSNi+Au等でめ
っきをする必要がある場合が多い。このめっき時の加熱
によって、ハウジングが変形する。また、ハウジング内
にセラミック基板等を半田付けする際の加熱時に、ハウ
ジングの変形が起こる。この場合、めっき面に発生する
めっき層の膨れも問題である。以上が、第2の問題点で
ある。
第三点は、ハウジングにAu合金製の蓋をレーザ溶接で
取付ける際に起こる、溶接部分に発生する気泡およびS
i粒子の粗大化の問題である。、二れらの現象は、と
に、ハウジングと蓋を接合した後の、気密性と強度に対
する信頼性を著しく阻害する。気泡発生の主な要因は、
溶接部の溶融時に、第一点て述べた吸蔵ガスの放出にあ
るが、次に述べる81粒子の粗大化も一因となる。すな
わち、急冷法により製造されたAI−Si複合材は、急
冷凝固させることにより、、Siを微粒子状でAα内に
分散させたことを特徴とした材料であり、溶接時に溶解
された部分が徐冷されると、Si粒子が凝固時に粗大化
し、かつSi粒子周辺のAfl内に空洞が発生する。こ
れらは、溶接部の脆化を招来し、問題である。
取付ける際に起こる、溶接部分に発生する気泡およびS
i粒子の粗大化の問題である。、二れらの現象は、と
に、ハウジングと蓋を接合した後の、気密性と強度に対
する信頼性を著しく阻害する。気泡発生の主な要因は、
溶接部の溶融時に、第一点て述べた吸蔵ガスの放出にあ
るが、次に述べる81粒子の粗大化も一因となる。すな
わち、急冷法により製造されたAI−Si複合材は、急
冷凝固させることにより、、Siを微粒子状でAα内に
分散させたことを特徴とした材料であり、溶接時に溶解
された部分が徐冷されると、Si粒子が凝固時に粗大化
し、かつSi粒子周辺のAfl内に空洞が発生する。こ
れらは、溶接部の脆化を招来し、問題である。
それゆえに、この発明は、急冷粉末を熱間加工(押出し
、ホットプレス等)によって成形した素材を、真空中で
加熱脱ガス処理を行なうことにより、上記の問題点を解
決することを目的とする。
、ホットプレス等)によって成形した素材を、真空中で
加熱脱ガス処理を行なうことにより、上記の問題点を解
決することを目的とする。
[課題を解決するための手段コ
この発明は、Ap−−Si複合材で形成されてな5
る半導体収納用ハウジングに係るものである。そして、
上記問題点を解決するために、上記AuS L複合材の
素材内部から、N2,H20等の吸蔵ガスが除去されて
いることを特徴とする。
上記問題点を解決するために、上記AuS L複合材の
素材内部から、N2,H20等の吸蔵ガスが除去されて
いることを特徴とする。
吸蔵ガスの除去処理は、真空度10−”Torr以下、
加熱温度300〜500℃の条件下で行なわれるのが好
ましい。真空度が10−3Torr以上では、脱ガスの
効果が少なく、素材が酸化されるという弊害が生ずる。
加熱温度300〜500℃の条件下で行なわれるのが好
ましい。真空度が10−3Torr以上では、脱ガスの
効果が少なく、素材が酸化されるという弊害が生ずる。
加熱温度については、300℃以下では効果が少ない。
加熱温度の上限は、SiとAmの共晶点570℃より低
く、かつできるだけ高い温度が望ましい。
く、かつできるだけ高い温度が望ましい。
この発明の好ましい実施例によれば、当該半導体収納用
ハウジングの蓋取付部には、アルミ層が形成されている
。
ハウジングの蓋取付部には、アルミ層が形成されている
。
[作用]
本発明によれば、Al−Si複合材の素材内部から、N
2,H20等の吸蔵ガスが除去されているので、ハウジ
ングの加工を行なった後の、熱処理時において、ガス放
出がなくなる。そのため、6 吸蔵ガスの影響による、加熱時の熱変形が防止される。
2,H20等の吸蔵ガスが除去されているので、ハウジ
ングの加工を行なった後の、熱処理時において、ガス放
出がなくなる。そのため、6 吸蔵ガスの影響による、加熱時の熱変形が防止される。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
実施例1
まず、Ai−Si複合材を、第1図に示す製造方法によ
って作製した。すなわち、第1図を参照して、A麩(6
0重量%)およびSi(40重量%)を溶解し、アトマ
イズドとし、急冷し、AlSi複合粉末(A迂60,S
i40重量%)とする。続いて、この急冷粉末を熱開成
形(押出しまたはホッ1・プレス)して素材を作る。次
に、図示しないが、素利を真空度10−3torr以下
、4 5 0 ’Cで、30分間加熱処理を行なった(
これを以下、加熱脱ガス処理という。)。これによって
、Ai−Si複合材の素材内部から、N2、H20等の
吸蔵ガスが除去される。
って作製した。すなわち、第1図を参照して、A麩(6
0重量%)およびSi(40重量%)を溶解し、アトマ
イズドとし、急冷し、AlSi複合粉末(A迂60,S
i40重量%)とする。続いて、この急冷粉末を熱開成
形(押出しまたはホッ1・プレス)して素材を作る。次
に、図示しないが、素利を真空度10−3torr以下
、4 5 0 ’Cで、30分間加熱処理を行なった(
これを以下、加熱脱ガス処理という。)。これによって
、Ai−Si複合材の素材内部から、N2、H20等の
吸蔵ガスが除去される。
次に、加熱脱ガス処理を行なった上記素材より、形状3
mmX10mmX100mmの試片を全面切削にて切出
し、該試片を第2図に示すソリ直し治具を用いて、その
ソリ直し処理を行なった。第2図を参照して、試片1(
A,l−Si複合材)のソリ直し処理は、試片1を上部
鋼材定盤2と下部鋼祠定盤3との間に挾み、両端を鋼祠
ボルト4と鋼祠ナット5で締付け、治具ごと真空度10
torr以下、450℃にて30分間加熱することによ
って行なわれた。
mmX10mmX100mmの試片を全面切削にて切出
し、該試片を第2図に示すソリ直し治具を用いて、その
ソリ直し処理を行なった。第2図を参照して、試片1(
A,l−Si複合材)のソリ直し処理は、試片1を上部
鋼材定盤2と下部鋼祠定盤3との間に挾み、両端を鋼祠
ボルト4と鋼祠ナット5で締付け、治具ごと真空度10
torr以下、450℃にて30分間加熱することによ
って行なわれた。
このとき、比較例1として、上記加熱脱ガス処理を行な
わなかった試片を用いて、同様の条件下で、ソリ直し処
理を行なった。以上の結果を、表1に示す。
わなかった試片を用いて、同様の条件下で、ソリ直し処
理を行なった。以上の結果を、表1に示す。
(以下余白)
表1
単位=μm/100mm
ソリ測定箇所: 100mmX10mm面の長手方向(
中央部と箸)間のソリ 実施例2 実施例1と同様の条件で製造した押出体より切出した、
生の試片(比較例2)と、該押出体の上記加熱脱ガス処
理を行なったものから切出した試片(実施例2)とにニ
ッケルめっき(ジンケート下地処理0.3μm,電解ワ
ット浴Ni2μm)を施した後、水素中にて350℃に
て、10分間、9 加熱し、表面めっき層の膨れを調べた。試料はそれぞれ
10ケ準備し、試験に供した。結果を表2に示す。
中央部と箸)間のソリ 実施例2 実施例1と同様の条件で製造した押出体より切出した、
生の試片(比較例2)と、該押出体の上記加熱脱ガス処
理を行なったものから切出した試片(実施例2)とにニ
ッケルめっき(ジンケート下地処理0.3μm,電解ワ
ット浴Ni2μm)を施した後、水素中にて350℃に
て、10分間、9 加熱し、表面めっき層の膨れを調べた。試料はそれぞれ
10ケ準備し、試験に供した。結果を表2に示す。
表2
実施例3
実施例1と同様の条件で製造した押出体より切出した、
生の試片と、該押出体の上記加熱脱ガス処理を行なった
ものから切出した試片を準備した。
生の試片と、該押出体の上記加熱脱ガス処理を行なった
ものから切出した試片を準備した。
そして、それぞれの試片の表面をYAGレーザにて加熱
溶融した後、凝固させ、溶融部の断面組織を比較した。
溶融した後、凝固させ、溶融部の断面組織を比較した。
その結果、押出体より切出した生の試片には空孔の発生
が認められたが、加熱脱ガス処理を行なったものの溶融
部には、空孔の発生が少ないことが確認された。なお、
レーザの照射条件はYAG:20pulse/see,
パルス幅=7msec,Au溶解容量:300watt
,移動速度:500mm/minであった。
が認められたが、加熱脱ガス処理を行なったものの溶融
部には、空孔の発生が少ないことが確認された。なお、
レーザの照射条件はYAG:20pulse/see,
パルス幅=7msec,Au溶解容量:300watt
,移動速度:500mm/minであった。
10
以上のような、押出素材を用いて、ハウジングを形成す
ると、加熱時に変形を起こさない半導体収納用ハウジン
グが得られる。
ると、加熱時に変形を起こさない半導体収納用ハウジン
グが得られる。
実施例4
以下の実施例は、上述の、溶接部の粒子の粗大化問題の
抜本的解決策として、なされたものである。
抜本的解決策として、なされたものである。
第3図(A)を参照して、A旦60/Si40重量%の
組成を持つAm−Si複合粉末圧粉体6を外径190m
m,高さ300mmの円柱状に静圧成形し、これを外径
200mm,肉厚5mm,長さ300mmのAm間の一
端に外径200mm,肉厚5mmのAi円板を溶接して
なるシース管7に入れた。得られたシース管入りAl−
Si粉末圧粉体を押出機のコンテナに装填し、外径10
0mmX20mmの押出ダイスより、押出し、A,IS
i複合材9の外周部にAm層8を備える素材10を得た
。
組成を持つAm−Si複合粉末圧粉体6を外径190m
m,高さ300mmの円柱状に静圧成形し、これを外径
200mm,肉厚5mm,長さ300mmのAm間の一
端に外径200mm,肉厚5mmのAi円板を溶接して
なるシース管7に入れた。得られたシース管入りAl−
Si粉末圧粉体を押出機のコンテナに装填し、外径10
0mmX20mmの押出ダイスより、押出し、A,IS
i複合材9の外周部にAm層8を備える素材10を得た
。
この素材10より、第4A図を参照して、ハウジング用
切出素材11を切出し、その後、第4B11 図を参照して、中央部に開口部を有するハウジング12
を切削加工にて切出し、製作した。次に、第5図を参照
して、このハウジング12のAll合金(AA−403
2)のA鉦蓋13をレーザにて溶接した。この方法によ
ると、第6図(第5図におけるA部分の拡大図)を参照
して、Ai蓋13とAη層8との溶接であるので、信頼
性ある溶接状態で、両者を接合できる。
切出素材11を切出し、その後、第4B11 図を参照して、中央部に開口部を有するハウジング12
を切削加工にて切出し、製作した。次に、第5図を参照
して、このハウジング12のAll合金(AA−403
2)のA鉦蓋13をレーザにて溶接した。この方法によ
ると、第6図(第5図におけるA部分の拡大図)を参照
して、Ai蓋13とAη層8との溶接であるので、信頼
性ある溶接状態で、両者を接合できる。
なお、上記実施例では、第3図(A)を参照して、Am
層付素材を押出方にて形成する場合を述べたが、第3図
(B)を参照して、Ai−Si圧粉体の型押し時に、A
fl−Si複合粉末14とA止粉末15とを層状に成形
し、それを熱開成形することにより、All−Si複合
材9とAm層8とが交互に積層され、最上層部にAu層
8を有する素材16が得られる。
層付素材を押出方にて形成する場合を述べたが、第3図
(B)を参照して、Ai−Si圧粉体の型押し時に、A
fl−Si複合粉末14とA止粉末15とを層状に成形
し、それを熱開成形することにより、All−Si複合
材9とAm層8とが交互に積層され、最上層部にAu層
8を有する素材16が得られる。
このような素材16を用いても、ハウジング用切出素材
を切出し、溶接部にAm層を持つハウジングを製造する
ことができる。
を切出し、溶接部にAm層を持つハウジングを製造する
ことができる。
以上、本発明を要約すると次のとおりである。
12
(1) 特許請求の範囲第1項に記載の半導体収納用ハ
ウジングにおいて、前記吸蔵ガスの除去処理は、真空度
10−3torr以下一加熱温度300〜570℃の条
件下で行なわれる。
ウジングにおいて、前記吸蔵ガスの除去処理は、真空度
10−3torr以下一加熱温度300〜570℃の条
件下で行なわれる。
(2) 特許請求の範囲第1項の記載の半導体収納用ハ
ウジングにおいて、前記Am−Si複合材のSi含有量
は、30〜45重量%である。
ウジングにおいて、前記Am−Si複合材のSi含有量
は、30〜45重量%である。
[発明の効果]
以上説明したとおり、この発明によれば、AlSi複合
材の素材内部から、N2、H20等の吸蔵ガスが除去さ
れているので、ハウジングの加工を行なった後の熱処理
時において、ガス放出がなくなる。そのため、吸蔵ガス
の影響による、加熱時の熱変形か防止される。その結果
、信頼性のある半導体収納用ハウジングが得られるとい
う効果を奏する。
材の素材内部から、N2、H20等の吸蔵ガスが除去さ
れているので、ハウジングの加工を行なった後の熱処理
時において、ガス放出がなくなる。そのため、吸蔵ガス
の影響による、加熱時の熱変形か防止される。その結果
、信頼性のある半導体収納用ハウジングが得られるとい
う効果を奏する。
また、半導体収納用ハウジングの蓋取付部にアルミニウ
ム層を形成した場合には、このハウジングにA〔蓋を信
頼性ある溶接状態にて、レーザ溶接できるという効果を
奏する。
ム層を形成した場合には、このハウジングにA〔蓋を信
頼性ある溶接状態にて、レーザ溶接できるという効果を
奏する。
13
第1図は、この発明に係る半導体収納用ハウジングに用
いられるAll 一Si複合材を製造する工程を示した
図である。第2図は、ソリ直し用治具を用いて、試片の
ソリ直しを行なっている様子を示した断面図である。第
3図(A)および(B)は、Al層付きA,l−Si複
合材の製造方法を図示したものである。第4A図は、A
i層付きAllSi複合材の斜視図である。第4B図は
、Ai層付きハウジングの斜視図である。第5図は、A
E層付きハウジングにAm蓋を取付けたものの断面図で
ある。第6図は、第5図におけるA部分の拡大図である
。 図において、9はAm−Si複合材である。 なお、各図中、同一符号は同一または等々部分を示す。 14
いられるAll 一Si複合材を製造する工程を示した
図である。第2図は、ソリ直し用治具を用いて、試片の
ソリ直しを行なっている様子を示した断面図である。第
3図(A)および(B)は、Al層付きA,l−Si複
合材の製造方法を図示したものである。第4A図は、A
i層付きAllSi複合材の斜視図である。第4B図は
、Ai層付きハウジングの斜視図である。第5図は、A
E層付きハウジングにAm蓋を取付けたものの断面図で
ある。第6図は、第5図におけるA部分の拡大図である
。 図において、9はAm−Si複合材である。 なお、各図中、同一符号は同一または等々部分を示す。 14
Claims (2)
- (1)Al−Si複合材で形成されてなる半導体収納用
ハウジングにおいて、 前記Al−Si複合材の素材内部から、N_2、H_2
O等の吸蔵ガスが除去されていることを特徴とする、半
導体収納用ハウジング。 - (2)当該半導体収納用ハウジングの蓋取付部には、ア
ルミニウム層が形成されている、特許請求の範囲第1項
記載の半導体収納用ハウジング。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013091A JP2748629B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法 |
US07/641,499 US5132779A (en) | 1990-01-22 | 1991-01-15 | Housing for semiconductor device with occlusion gas removed |
DE69118720T DE69118720T2 (de) | 1990-01-22 | 1991-01-22 | Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
EP91100780A EP0439128B1 (en) | 1990-01-22 | 1991-01-22 | Housing for semiconductor device and method of manufacturing |
US07/712,253 US5275782A (en) | 1990-01-22 | 1991-06-07 | Housing for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013091A JP2748629B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03217047A true JPH03217047A (ja) | 1991-09-24 |
JP2748629B2 JP2748629B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=11823493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013091A Expired - Lifetime JP2748629B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5132779A (ja) |
EP (1) | EP0439128B1 (ja) |
JP (1) | JP2748629B2 (ja) |
DE (1) | DE69118720T2 (ja) |
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US6309971B1 (en) | 1996-08-01 | 2001-10-30 | Cypress Semiconductor Corporation | Hot metallization process |
US6156645A (en) * | 1996-10-25 | 2000-12-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of forming a metal layer on a substrate, including formation of wetting layer at a high temperature |
US7407083B2 (en) * | 2004-08-19 | 2008-08-05 | Thermal Corp. | Bonded silicon, components and a method of fabricating the same |
DE102012006121A1 (de) * | 2012-03-26 | 2013-09-26 | Erbslöh Aluminium Gmbh | Lotpulver |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4460541A (en) * | 1980-01-16 | 1984-07-17 | Reynolds Metals Company | Aluminum powder metallurgy |
US4402905A (en) * | 1982-03-05 | 1983-09-06 | Westinghouse Electric Corp. | Production of a polycrystalline silicon aluminum alloy by a hot pressing technique |
EP0144898B1 (en) * | 1983-12-02 | 1990-02-07 | Sumitomo Electric Industries Limited | Aluminum alloy and method for producing same |
DE3573137D1 (en) * | 1984-10-03 | 1989-10-26 | Sumitomo Electric Industries | Material for a semiconductor device and process for its manufacture |
JPS629649A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-17 | Nec Corp | 半導体用パツケ−ジ |
DE3817350A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-22 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur herstellung von spiralfoermigen teilen sowie verfahren zur herstellung einer aluminiumpulverschmiedelegierung |
US4898612A (en) * | 1988-08-31 | 1990-02-06 | Allied-Signal Inc. | Friction-actuated extrusion of rapidly solidified high temperature Al-base alloys and product |
US5039476A (en) * | 1989-07-28 | 1991-08-13 | Ube Industries, Ltd. | Method for production of powder metallurgy alloy |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP2013091A patent/JP2748629B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-15 US US07/641,499 patent/US5132779A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-22 EP EP91100780A patent/EP0439128B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-22 DE DE69118720T patent/DE69118720T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-07 US US07/712,253 patent/US5275782A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0439128A3 (en) | 1993-12-01 |
JP2748629B2 (ja) | 1998-05-13 |
US5275782A (en) | 1994-01-04 |
DE69118720T2 (de) | 1996-12-12 |
US5132779A (en) | 1992-07-21 |
EP0439128B1 (en) | 1996-04-17 |
DE69118720D1 (de) | 1996-05-23 |
EP0439128A2 (en) | 1991-07-31 |
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