JPH0320803B2 - - Google Patents

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JPH0320803B2
JPH0320803B2 JP58161308A JP16130883A JPH0320803B2 JP H0320803 B2 JPH0320803 B2 JP H0320803B2 JP 58161308 A JP58161308 A JP 58161308A JP 16130883 A JP16130883 A JP 16130883A JP H0320803 B2 JPH0320803 B2 JP H0320803B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
permeability
thin film
layer
main
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58161308A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6052907A (ja
Inventor
Nobuaki Furuya
Yasuhiko Nakayama
Yoshio Watanabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP16130883A priority Critical patent/JPS6052907A/ja
Priority to US06/640,595 priority patent/US4672494A/en
Publication of JPS6052907A publication Critical patent/JPS6052907A/ja
Publication of JPH0320803B2 publication Critical patent/JPH0320803B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は記録媒体に垂直方向に記録または再生
を行う磁気ヘツドに関するものである。
従来例の構成とその問題点 高密度に磁気記録を行う方式として垂直磁化記
録方式が提案されている(たとえば特開昭52−
134706号公報、特開昭53−3209号公報参照)。こ
の方式は記録された磁化の反磁界が少く、高密度
に磁気記録できる特徴があるが、垂直異方性を有
する記録媒体を必要とすると共に垂直方向の磁界
の強い垂直磁気記録用ヘツドを必要とする。第1
図は従来提案されている垂直磁気記録用ヘツドの
一例である。垂直磁気異方性を有する磁化層1の
下層に媒体高透磁率層2を有する磁気記録媒体3
の磁化層1に近接して、高透磁率薄膜4を非磁性
体5で挟込んだ主磁極6を設け、この主磁極6の
回りにコイル7を巻き電気的入力または出力とし
て垂直磁気記録または再生を行う。本構成の従来
ヘツドは記録体はコイル7を流れる電流により形
成された磁気回路8を通る磁束により、磁化層1
の高透磁率薄膜4に近接した部分を磁化して記録
する。また逆に再生時は、磁化層1の高透磁率薄
膜4に近接した部分の磁化による磁束が磁気回路
8を通つて流れ、コイル7を鎖交することにより
コイル7より電気信号として出力される。ここで
従来の磁気ヘツドは磁気回路8の磁気抵抗が大き
いために、記録時および再生時とも効率の悪い欠
点があつた。磁気抵抗が大きくなる原因には3つ
あり、その第1は高透磁率薄膜4が一般に厚みが
1μm程度で薄い反面数mmの長さがあるためパー
マロイ等の高透磁率材料で形成しても磁気抵抗が
大きくなつてしまうためである。また第2の原因
は高透磁率薄膜4から媒体高透磁率層2には透磁
率が小さい空気中を通つて磁気回路8が形成され
るため磁気抵抗が大きくなることである。
さらに媒体高透磁率層2の厚みが1μm以下で
磁気回路8の一部となる部分の長さが数mmと大き
いことにより磁気抵抗が大きくなつてしまうこと
が第3の原因である。
以上述べたように従来の垂直磁気記録用ヘツド
は磁気抵抗が大きい欠点のため、記録または再生
の効率が悪い欠点があつた。
発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、記
録または再生効率を大幅に改善した磁気ヘツドを
提供することを目的とするものである。
発明の構成 本発明は上記目的を達成するもので、垂直磁気
異方性を有する磁化層の下層に高透磁率層を有す
る磁気記録媒体に近接して高透磁率磁性薄膜を設
け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記磁化層に近接
する部が少なくとも非磁性体により挟持されてお
り、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的に接続された
第1の高透磁率体を少なくとも有する構造の主磁
極と、前記主磁極に近接または接続して設けられ
た第2の高透磁率体と、前記磁気記録媒体を挟ん
で、前記主磁極と反対側に設けられた第3の高透
磁率体とを具備し、前記主磁極が前記磁化層に近
接する部分における前記高透磁率磁性薄膜と前記
第2の高透磁率体との間の距離lを、前記高透磁
率層と前記第3の高透磁率体との間の距離tより
も大きくしたことを特徴とする磁気ヘツドであ
る。
実施例の説明 以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
第2図は本発明の一実施例による磁気ヘツドの
断面図を示すもので、第1図と同一部分には同一
番号を付して示した。
本実施例は、磁化層1と媒体高透磁率層2より
なる磁気記録媒体3に近接して高透磁率薄膜4を
設け、その一部に接続して第1の高透磁率ブロツ
ク10を設け、上記高透磁率薄膜4の磁気記録媒
体3に近い部分を非磁性体5で挟込んだ先端部分
17を含む主磁極6を設ける。主磁極6に近接し
て第2の高透磁率ブロツク11を磁気記録媒体3
の主磁極6側に設ける。さらに磁気記録媒体3の
主磁極6の反対側に第3の高透磁率ブロツク12
を設ける。主磁極6のまわりにはコイル7が巻か
れている。
第3図は第2図に示した磁気ヘツドの主磁極先
端部17の部分拡大図である。第3図において、
第2の高透磁率ブロツク11と高透磁率薄膜4と
の距離lは、第3の高透磁率ブロツク12と高透
磁率層2との距離tより大きくしている。
かかる構成による本実施例の効果を述べる。第
1の高透磁率ブロツク10を高透磁率薄膜4に磁
気的に接続して設けたことにより、高透磁率薄膜
4の磁気抵抗を大幅に低下させることができる。
また第2の高透磁率ブロツク11を主磁極6に近
接または接続して磁気記録媒体3の主磁極6側に
設けたことにより、磁気回路13が形成され、磁
気回路13が磁気抵抗の大きな空気中を通ること
がなく、磁気抵抗を大幅に減少させることができ
た。またさらに第3の高透磁率ブロツク12を磁
気記録媒体3の主磁極6の反対側に設けたことに
より、磁気回路13が媒体高透磁率層2を通る距
離を短かくでき、媒体高透磁率層2の磁気抵抗を
大幅に低下させる効果が得られる。
ここで、この第3の高透磁率ブロツク12の効
果を大きくするためには第3図に示した磁気記録
媒体3の高透磁率層2を磁気が通る磁気回路18
に比較して、第3の高透磁率ブロツク12を通る
磁気回路19の磁気抵抗を低下させて多くの磁束
を磁気回路19に通す必要がある。これにより第
3の高透磁率ブロツク12を設ける積極的な効
果、すなわち第2図に示した磁気回路13による
磁気抵抗の大幅減少により主磁極6を通る磁束が
増大し、磁気記録媒体3への記録または再生の効
率の向上が図られる。また、第3図に示した磁気
回路18に比較して磁気回路19の磁気抵抗を低
下させるためには薄膜である磁気抵抗の大きな磁
気記録媒体3の高透磁率層2を磁気が通過する距
離lに比較して、高透磁率層2と第3の高透磁率
ブロツク12との距離tが短くなるような関係を
もたせて配置することにより、磁気回路19では
磁気抵抗の大きな高透磁率層2を長く通らずに第
2の高透磁率ブロツク11までの大部分の距離を
磁気抵抗の非常に小さい第3の高透磁率ブロツク
12を通過させることができ、その結果大幅な磁
気抵抗の低下が図られる。
なお、第2の高透磁率ブロツク11は主磁極6
の少なくとも片側にあれば良く、非磁性体5は磁
気記録媒体3に近接した、高透磁率薄膜4の先端
部分を少くとも挟込む構造であれば良い。
以上述べた、磁気抵抗を減少させる構成により
全体の磁気抵抗を大幅に減少させることが可能と
なり、ヘツドの効率が記録再生とも大きく改善さ
れる。具体的には高透磁率薄膜4は従来よく使用
されるパーマロイの他にさらに飽和磁化が高く透
磁率も大きいCoとZnを主成分とするアモルフア
ス材料、例えばCoZrNb又はCoFeZrNbなどのア
モルフアス材料を1μm程度スパツタリングで形
成し、主磁極先端部分17の長さを100μm程度
とする。第1の高透磁率ブロツク10はフエライ
ト材料などで形成し、厚み100μm長さ5mm程度
である。第2の高透磁率ブロツク11はフエライ
ト材料などからなり、第1の高透磁率ブロツク1
0より十分大きく構成し、空間の磁気抵抗を減少
させる。媒体裏面の第3の高透磁率ブロツク12
も第2の高透磁率ブロツク11と対向する面を大
きくとつて磁気抵抗を減少させ、フエライト材料
などを使用する。
発明の効果 以上要するに本発明は垂直磁気異方性を有する
磁化層の下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体
に近接して高透磁率磁性薄膜を設け、前記透磁率
磁性薄膜の、前記磁化層に近接する部が少なくと
も非磁性体により挟持されており、前記高透磁率
磁性薄膜と磁気的に接続された第1の高透磁率体
を少なくとも有する構造の主磁極と、前記主磁極
に近接または接続して設けられた第2の高透磁率
体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前記主磁極と
反対側に設けられた第3の高透磁率とを具備した
ことを特徴とする磁気ヘツドを提供するもので、
磁気ヘツドの磁気回路の抵抗を低下させ、記録ま
たは再生の効率を大幅に高くする利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の垂直磁気記録用ヘツドの断面
図、第2図、および第3図は本発明の一実施例に
おける垂直磁気ヘツドのそれぞれの断面図、およ
び主磁極先端部の部分拡大図である。 1……磁化層、2……高透磁率層、3……磁気
記録媒体、4……高透磁率薄膜、5……非磁性
体、6……主磁極、7……コイル、8,13,1
9……磁気回路、10……高透磁率ブロツク、1
1……高透磁率ブロツク、12……高透磁率ブロ
ツク、17……主磁極先端部分。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 垂直磁気異方性を有する磁化層の下層に高透
    磁率層を有する磁気記録媒体に近接して高透磁率
    磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記
    磁化層に近接する部が少なくとも非磁性体により
    挟持されており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的
    に接続された第1の高透率率体を少なくとも有す
    る構造の主磁極と、前記主磁極に近接または接続
    して設けられた第2の高透磁率体と、前記磁気記
    録媒体を挟んで、前記主磁極と反対側に設けられ
    た第3の高透磁率体とを具備し前記主磁極が前記
    磁化層に近接する部分における前記高透磁率磁性
    薄膜と前記第2の高透磁率体との間の距離lを、
    前記高透磁率層と前記第3の高透磁率体との間の
    距離tよりも大きくしたことを特徴とする磁気ヘ
    ツド。 2 高透磁率磁性薄膜が、Co、Zrを主成分とす
    るアモルフアス材料よりなることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の磁気ヘツド。 3 高透磁率磁性薄膜が、Co、Fe、Zr、Nbを含
    むアモルフアス材料よりなることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の磁気ヘツド。
JP16130883A 1983-09-01 1983-09-01 磁気ヘッド Granted JPS6052907A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16130883A JPS6052907A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 磁気ヘッド
US06/640,595 US4672494A (en) 1983-09-01 1984-08-14 Magnetic head for effecting perpendicular magnetic recording

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JP16130883A JPS6052907A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 磁気ヘッド

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JP33712689A Division JPH02198010A (ja) 1989-12-26 1989-12-26 磁気ヘッド
JP33712789A Division JPH02198011A (ja) 1989-12-26 1989-12-26 磁気ヘッド

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Publication Number Publication Date
JPS6052907A JPS6052907A (ja) 1985-03-26
JPH0320803B2 true JPH0320803B2 (ja) 1991-03-20

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JP16130883A Granted JPS6052907A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 磁気ヘッド

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5611612A (en) * 1979-07-02 1981-02-05 Toshiba Corp Magnetic head of vertical magnetizing type

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5611612A (en) * 1979-07-02 1981-02-05 Toshiba Corp Magnetic head of vertical magnetizing type

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JPS6052907A (ja) 1985-03-26

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