JPH0320651A - Ｘ線回折計によるインライン膜質監視装置 - Google Patents
Ｘ線回折計によるインライン膜質監視装置Info
- Publication number
- JPH0320651A JPH0320651A JP1155412A JP15541289A JPH0320651A JP H0320651 A JPH0320651 A JP H0320651A JP 1155412 A JP1155412 A JP 1155412A JP 15541289 A JP15541289 A JP 15541289A JP H0320651 A JPH0320651 A JP H0320651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- rays
- films
- line
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｘ線回折計を組み込んだインフィン膜質監視
装置に関する。
装置に関する。
従来の技術
これ１で、薄膜の熱処理等による膜質変化は、あらかじ
め、種々の温度・時間等の条件で処理した薄膜試料を多
数準備し、Ｘ線回折法，レーザーラマン分光法や透過電
子顕微法などの各種方法で評価していた。その際、各種
、薄膜試料は、所定の温度・時間で加熱・冷却処理後、
室温にし、加熱・冷却等の処理装置から取シ出し、改め
て、上記の測定装置で測定可能なように試料を加工して
いた。
め、種々の温度・時間等の条件で処理した薄膜試料を多
数準備し、Ｘ線回折法，レーザーラマン分光法や透過電
子顕微法などの各種方法で評価していた。その際、各種
、薄膜試料は、所定の温度・時間で加熱・冷却処理後、
室温にし、加熱・冷却等の処理装置から取シ出し、改め
て、上記の測定装置で測定可能なように試料を加工して
いた。
発明が解決しようとする課題
従来の方法では、当初予定した温度・時間等の条件で、
所定の膜質が得られなかった場合、再度、条件の異なる
試料を作製する必要があった。又、場合によっては、数
度の繰り返しが避けられなｂこともあった。したがって
、所定の膜質の試料作製条件を確立する場合、又、連続
して同質の膜を多量に作製する場合、さらに、装置等の
トラブルのために、所定の膜質の膜が作製できなかった
場合に、多大の経費増と時間のリスが発生した。
所定の膜質が得られなかった場合、再度、条件の異なる
試料を作製する必要があった。又、場合によっては、数
度の繰り返しが避けられなｂこともあった。したがって
、所定の膜質の試料作製条件を確立する場合、又、連続
して同質の膜を多量に作製する場合、さらに、装置等の
トラブルのために、所定の膜質の膜が作製できなかった
場合に、多大の経費増と時間のリスが発生した。
課題を解決するための手段
本発明は、膜を加熱・冷却する各種装置において、膜に
、ＣｕあるいはＭｏなどの特性Ｘ線を入射し、回折した
ｘ線回折線の回折角，強度，半値幅などの情報を、迅速
に処理・解析し、ＣＲＴなどの情報伝達機器上で即座に
観察、さらには、記録・再生することにより、インライ
ンで膜質を評価できる機能をもたせたものである。
、ＣｕあるいはＭｏなどの特性Ｘ線を入射し、回折した
ｘ線回折線の回折角，強度，半値幅などの情報を、迅速
に処理・解析し、ＣＲＴなどの情報伝達機器上で即座に
観察、さらには、記録・再生することにより、インライ
ンで膜質を評価できる機能をもたせたものである。
作 用
Ｘ線回折線の回折角，強度，半値幅などの情報を、迅速
に処理・解析し、ＣＲＴ等の機器上で即座に観察記録で
きることによシ、膜試料の加熱・冷却温度，時間等の条
件と共に変化する膜質の状態が逐一監視することが出来
るため、所定の膜質の膜試料作製条件確立が迅速になる
。１た、多量の同質の膜作製が容易になる。さらに、装
置等のトラブルが、従来よりも早く発見できるようにな
る。
に処理・解析し、ＣＲＴ等の機器上で即座に観察記録で
きることによシ、膜試料の加熱・冷却温度，時間等の条
件と共に変化する膜質の状態が逐一監視することが出来
るため、所定の膜質の膜試料作製条件確立が迅速になる
。１た、多量の同質の膜作製が容易になる。さらに、装
置等のトラブルが、従来よりも早く発見できるようにな
る。
実施例
第１図で装置の概要説明をする。冷熱器１で加熱又は冷
却した試料３は、試料の法線を軸６として、所定のスピ
ードで常に回転させる。この回転している試料３にＸ線
を入射４させ、得られた回折Ｘ線５は、検出器７−１で
検出される。検出器は、複数個、同一円周上に配置して
かき、固定した入射Ｘ線４を試料３に照射することによ
り、ブラッグの回折条件を満足した回折Ｘ線は、すべて
、複数個の検出器のうち、条件を満した検出器で捕えら
れ、信号処理器８で処理した後、表示器９に表示される
。この方式では、即座に、膜の状態を監視することがで
きる。
却した試料３は、試料の法線を軸６として、所定のスピ
ードで常に回転させる。この回転している試料３にＸ線
を入射４させ、得られた回折Ｘ線５は、検出器７−１で
検出される。検出器は、複数個、同一円周上に配置して
かき、固定した入射Ｘ線４を試料３に照射することによ
り、ブラッグの回折条件を満足した回折Ｘ線は、すべて
、複数個の検出器のうち、条件を満した検出器で捕えら
れ、信号処理器８で処理した後、表示器９に表示される
。この方式では、即座に、膜の状態を監視することがで
きる。
第２図は、このようにして得られた測定例を示す。シリ
コン基板上に戎長させたアノレミニュウム膜の、膜或長
直後（ａ）と加熱処理後（ｂ）のＸ線回折線の回折角（
２θ０・・・・・・複数個の検出器の位置と回折角を１
：１に対応してある）と回折強度の関係を示す。加熱処
理条件は、４５０℃，３０分で使用したＸ線は、ＣｕＫ
ｄｏ線（波長＝０．１５４２ｎｍ）である。第２図（ｂ
）から、加熱処理後のアノレミニュウム膜は、〔１１１
〕軸方向に優先配向して釦り粒径も太き〈たっているこ
とを示している。
コン基板上に戎長させたアノレミニュウム膜の、膜或長
直後（ａ）と加熱処理後（ｂ）のＸ線回折線の回折角（
２θ０・・・・・・複数個の検出器の位置と回折角を１
：１に対応してある）と回折強度の関係を示す。加熱処
理条件は、４５０℃，３０分で使用したＸ線は、ＣｕＫ
ｄｏ線（波長＝０．１５４２ｎｍ）である。第２図（ｂ
）から、加熱処理後のアノレミニュウム膜は、〔１１１
〕軸方向に優先配向して釦り粒径も太き〈たっているこ
とを示している。
発明の効果
本発明の方法によれば、Ｘ線回折線の回折角，強度，半
値幅などから、膜の加熱・冷却温度，時間等の条件と共
に変化する膜質の状態が逐一観察できるため、所定の嘆
質の膜作製条件確立が迅速になった。昔た半導体素子な
どの製造工程において、同質の膜作製が容易になった。
値幅などから、膜の加熱・冷却温度，時間等の条件と共
に変化する膜質の状態が逐一観察できるため、所定の嘆
質の膜作製条件確立が迅速になった。昔た半導体素子な
どの製造工程において、同質の膜作製が容易になった。
さらに、装置等のトラブ）ｖ （例えば、熱源の不調な
ど）は、表示器を監視することによって、かなり早い時
点で発見できるようになった。従って、新材料・プロセ
ス要素技術等の開発時間の短縮，製造コストの低減，品
質・歩留の向上等多方面にわたって効果がＲ著であった
。
ど）は、表示器を監視することによって、かなり早い時
点で発見できるようになった。従って、新材料・プロセ
ス要素技術等の開発時間の短縮，製造コストの低減，品
質・歩留の向上等多方面にわたって効果がＲ著であった
。
第１図は本発明の一実施例にかけるＸ線回折計によるイ
ンライン膜質監視装置の概略図、第２図は同装置の測定
例を示す図である。 １・・・・・・冷熱源、２・・・・・・試料保持台、３
・・・・・・試料、４・・・・・・入射Ｘ線、５・・・
・・・回折Ｘ線、６・・・・・・試料回転軸、７−１〜
Ｎ・・・・・・Ｘ線検出器（Ｎ個、同一円周上に並べて
固定）、８・・・・・・信号処理器、９・・・・・・表
示器（ＣＲＴ，記録計など）、１０・・・・・・Ｘ線保
護カバー
ンライン膜質監視装置の概略図、第２図は同装置の測定
例を示す図である。 １・・・・・・冷熱源、２・・・・・・試料保持台、３
・・・・・・試料、４・・・・・・入射Ｘ線、５・・・
・・・回折Ｘ線、６・・・・・・試料回転軸、７−１〜
Ｎ・・・・・・Ｘ線検出器（Ｎ個、同一円周上に並べて
固定）、８・・・・・・信号処理器、９・・・・・・表
示器（ＣＲＴ，記録計など）、１０・・・・・・Ｘ線保
護カバー
Claims (1)
- 金属膜、シリコン膜などの単層膜、あるいは、種々の金
属膜、シリコン膜などを組合わせた多層構造膜において
、これら各種膜の加熱、冷却等の熱処理条件、又は、雰
囲気条件、あるいは、処理時間など種々の条件の変化に
よる、それぞれの膜質変化を、特性Ｘ線を上記各種膜に
入射し得られたＸ線回折線の回折角、強度、半値幅など
の情報を処理・解析することによって、ＣＲＴなどの情
報伝達機器上で観察、記載するＸ線回折計によるインラ
イン膜質監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155412A JPH0320651A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Ｘ線回折計によるインライン膜質監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155412A JPH0320651A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Ｘ線回折計によるインライン膜質監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320651A true JPH0320651A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155412A Pending JPH0320651A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Ｘ線回折計によるインライン膜質監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013190829A1 (ja) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155412A patent/JPH0320651A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013190829A1 (ja) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法 |
| CN104395740A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-03-04 | 信越化学工业株式会社 | 多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 |
| US9274069B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for evaluating degree of crystalline orientation of polycrystalline silicon, method for selecting polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon ingot, and method for manufacturing monocrystalline silicon |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5017007A (en) | Apparatus and microbase for surface-enhanced raman spectroscopy system and method for producing same | |
| Owen et al. | A low-temperature X-ray camera | |
| JPS60131900A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| Rickert et al. | Assessing UO2 sample quality with μ-Raman spectroscopy | |
| CN107843614B (zh) | 晶体材料熔化-凝固过程中进行热量和结构的高通量表征方法及装置 | |
| JPH0320651A (ja) | Ｘ線回折計によるインライン膜質監視装置 | |
| DE4315386C2 (de) | Hochtemperatur-Thermoelement-Kalibrierung | |
| DE3512046C2 (ja) | ||
| JP2012083349A (ja) | 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 | |
| JP3252933B2 (ja) | クリープ寿命予測方法 | |
| JPH11237225A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| FR2692988A1 (fr) | Procédé et dispositif de détermination de la limite de fatigue d'un matériau. | |
| TW499724B (en) | System for dynamically monitoring the stability of machine process | |
| JPH0636729A (ja) | 収束電子線回折図形を用いた歪み評価装置およびその評価方法 | |
| JP3736361B2 (ja) | 異物特定方法、異物特定装置、および発塵源特定方法 | |
| JPH04259807A (ja) | 線状物検査用画像入力装置 | |
| Gur’yanov et al. | System for recording and analysis of reflection high-energy electron diffraction patterns | |
| JPH09330966A (ja) | シリコン基板中炭素の検出方法 | |
| JPH0320645A (ja) | 膜質評価方法 | |
| JP2732311B2 (ja) | Ｘ線トポグラフィ装置 | |
| JP2013117495A (ja) | 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 | |
| JPH10135293A (ja) | 半導体結晶評価方法 | |
| JPH06109667A (ja) | 単結晶インゴットの結晶方位判別方法 | |
| Hess et al. | Atomic force microscopy of laser-conditioned and laser-damaged amorphous TiO2 sol-gel thin films | |
| JPH04239742A (ja) | 半導体装置製造における膜厚測定方法 |