JP2013117495A - 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、一組の結晶粒(G1,...Gi,...,Gn)を含む多結晶材料の試料中に含まれる結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法であって、一系列のラウエパターンを記録する工程と、前記ラウエパターンをインターレース解除する演算であって、結晶粒の空間的広がりをさらに特定するようにトモグラフィ演算と組み合わせられると有利であるインターレース解除演算と、を含む方法を提供する。
【選択図】 図3b
【解決手段】 本発明は、一組の結晶粒(G1,...Gi,...,Gn)を含む多結晶材料の試料中に含まれる結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法であって、一系列のラウエパターンを記録する工程と、前記ラウエパターンをインターレース解除する演算であって、結晶粒の空間的広がりをさらに特定するようにトモグラフィ演算と組み合わせられると有利であるインターレース解除演算と、を含む方法を提供する。
【選択図】 図3b
Description
本発明はX線回折による多結晶材料内の構造および機械場の特徴付け(characterization)に関する。
大抵の材料(マイクロエレクトロニクス、再生可能エネルギー、合金、セラミックおよび無機材料の分野における)は、その配向および歪の測定が重要である異なる大きさ、形状および構造の結晶からなる。
従来の分類としては次のものがある。
−単結晶材料:単一の大きな結晶が研究される。
−多結晶材料:数十の結晶が研究される。
−粉末:数千の微結晶が研究される。
−単結晶材料:単一の大きな結晶が研究される。
−多結晶材料:数十の結晶が研究される。
−粉末:数千の微結晶が研究される。
本発明はより正確には上記第2の場合に関する。
X線回折は、結晶を特徴付けるために今日使用されている技術である。多結晶の場合、通常の方法というのは高エネルギーの多色X線ビーム(「白色」ビームと呼ばれる)で試料を照射することにその本質がある。したがって多くの回析斑点を含むラウエパターンと呼ばれる像が2D検出器上で測定され、これら斑点間の間隔により、結晶粒の空間群、配向および偏差弾性歪(結晶格子の形状変化)を特徴付けることができる。完全な弾性歪テンソルを実験的に得るためには、変形テンソルの静水圧成分(hydrostatic component)(結晶粒の膨張度)を得るように単色ビームを使用する必要がある。
図1に、「白色」ビームS0により照射される試料Echの概略図を示す。このビームは、複数の波長(特に波長λ1、波長λ2)のX線を含むので「白色である」と言われ、2つの波長λ1とλ2を含む同じビームS0に晒された2つの結晶面P1とP2により回折される。CCD検出器Cを使用した回折ビームSλ1、Sλ2の測定により、結晶粒および結晶構造の配向を決定することができる。
具体的には、「白色」ビームは結晶粒を照射して2D検出器上に一組の回析斑点を生成する。各斑点は結晶面による入射ビームの波長のうちの1つの回析に対応する。回析斑点は、本出願では概してディジタル像粒子(digital image particle)と呼ばれる粒子に対応する。実際、多くの波長λ1、λ2、...λNが多くの結晶面を回折条件下に置くので、ブラッグの法則λ=2dhklsinθB(ここでθBはブラッグ角)が多数回成立する。
差ベクトルSλ1−S0は方向n1に対し垂直である。ここでSλ1は面P1がラウエ斑点TLaue1を形成する方向である。差ベクトルSλ2−S0は方向n2に対し垂直である。ここでSλ2は面P2がラウエ斑点TLaue2を形成する方向である。
より正確には、ラウエ法というのは多色X線ビームを使用して結晶から回折パターンを収集することにその本質がある放射線結晶学的方法である。所与の波長については、入射ビームは、ビームの伝搬方向に向けられた大きさ2π/λのその波動ベクトル
より記述される。多色ビームは、2つの値、最小値λminと最大値λmaxの間の波長をすべて含むと考えられる。回折ビームは同様に、その波動ベクトル
により記述される。2つのベクトル
により、
としばしば表される散乱ベクトルを定義することができる。
このとき、散乱ビーム同士が積極的に干渉する方向がラウエ条件により与えられる。散乱ベクトルの端は逆格子ノードに一致しなければならない。結晶は静止しているので、このベクトルの端の位置を描くことによりラウエ法を幾何学的に示すことは有用である。
弾性散乱(すなわち、入射ビームと同じエネルギーで散乱された波)だけに興味があるので、所与の波長については、入射ビームの波動ベクトルと同じ波長を有する散乱ベクトルだけを考慮することになる。散乱ビームがすべての可能な配向を記述する場合、散乱ベクトルの端はエバルト球と呼ばれる半径2π/λの球を記述する。入射ビーム内に存在するすべての波長を考慮すると一群の球が得られる。この領域内にあるすべてのノードは回折するので、検出器上に回析斑点を生成すると考えられる。
通常、ラウエパターンは逆格子の歪んだ像である。パターン上の円錐曲線(楕円または双曲線分岐)上に位置する斑点は逆格子内の整列点(aligned points)に対応する。さらに、反射の様々な高調波がすべて同じ斑点で一致する。
物理的実験を結晶に行なう前に、結晶を正確な結晶学的方向に沿って整列させることがしばしば必要である。ラウエ法はこれを容易に行えるようにする。結晶はゴニオメーターヘッド上に置かれる。得られたパターンは、逆空間内のすべての方向を表す一組の斑点からなる図である。このとき、このレベルで、回析斑点に指標を付けること、すなわち回析を引き起こした逆格子空間内の方向のミラー指標の[hkl]値を見出しそれらに名前を付けることが必要である。
第2の工程では、次に、例えばパターンの中心に持ってくることにより補正される点の関数(hkl方向)として誤配向を計算することが可能であり、補正角は既に、結晶/膜距離の関数として参照されるグレニガー図を使用して計算されている。現時点では、理論的および実験的なパターンの重ね合せを介し指標付けを可能にする複数のソフトウェアプログラムが開発されており、これらはまた、ゴニオメーターヘッドまたは再配向システム(reorientation system)に供給される角度補正を自動的に計算できるようにする。
この方法は現在、実験室とシンクロトロン装置で使用される。その難しさは像の処理にあり、ピークが求められ指標付けされ、かつピーク間の距離と角度が計算されなければならない。
電子線回折法を使用することが既に提案されており、特に電子顕微鏡における歪みを測定するための多くの変形、CBED(収束電子線回折:convergent beam electron diffraction)、暗視野ホログラフィおよびNBED(ナノビーム電子回折:nanobeam electron diffraction)について説明されている。NBEDの場合、試料は並列電子ビームにより照射され、多くの斑点からなる回折パターンが記録され、標準との比較により局部応力を決定できるようにする。
それにもかかわらず、単結晶試料、またはいくつかの結晶(調査対象容積領域内に1〜3個の結晶)を含む試料の場合、斑点の指標付け(すなわち、各斑点へのミラー指標の割り当て)が可能である。
通常、ゲルマニウム単結晶により、容易に指標が付けられる約10個の斑点を含む回析像が得られる。
同時に回折する約10または20個の結晶粒を含む正しい多結晶の試料の場合、斑点が多い(数百個)ことにより単一解法が存在しなくむしろ複数の解法が存在するので指標付けは不可能である。
したがって、6個以上の結晶粒がビームにより同時に照射されるケースを処理することは通常は可能ではない。この制限はX線回折および電子線回折に対し妥当である。
結晶方向と歪場を決定するために、試料は、その幅が結晶粒の大きさとほぼ同じであるビームの前で掃引される。集束レンズLfが試料上に多色ビームの焦点を合わせ、試料により回折されたビームは検出器上に結像され、パターンまたは像を形成する。
試料と検出器間にワイヤを摺動させせることにより結晶粒を局所化する方法が既に文献、特に、B.C.Larson,Wenge Yang,G.E.Ice,J.D.Budai and J.Z.Tischler,“Three−dimensional X−ray structural microscopy with submicrometre resolution”Nature 415,887−890(21 February 2002)doi:10.1038/415887aに示唆されている。この方法は、三角測量を介し結晶粒を局所化できるようにするが、それらが結像されるようにはしない。その原理は、試料と検出器間にワイヤを摺動させることにより回析斑点を連続的に遮断し、これによりラウエパターンの個々の帰納的再構築を可能にすることにある。
しかしながら、この方法は摺動ワイヤを使用する必要があるという点で厄介である。
このためおよびこの情況において、本発明の主題は、ラウエパターンを幾何学的にインターレース解除する(deinterlace)演算を使用して多結晶材料中の結晶粒の配向および偏差弾性歪を測定する新規な方法である。
より正確には、本発明の主題は、一組の結晶粒を含む多結晶材料の試料中に含まれる結晶粒の配向および偏差弾性歪を測定する方法である。本方法は、
−結晶粒により回折可能な多色放射線ビームにより第1の方向において試料を照射する工程と、
−第1の方向および第2の方向により定義された第1の面内に像を撮影する平面検出器により第1の系列の第1の数の像を記録する工程であって、像は結晶粒のそれぞれに固有のディジタル像粒子に対応する回析斑点を含むラウエパターンであり、像は試料を移動させながら連続して撮影され、移動は面に対し垂直な第3の方向である、工程と、
−その三次元が平面検出器のものと移動のものである容積領域内に第1の系列の像を連結する工程と、
−容積領域内の粒子を個別化できるようにする3D接続解析を利用して容積領域内の粒子を探す工程(仏国特許第2909205号明細書に記載されたように)と、
−結晶粒毎に粒子のそれぞれの質量中心を計算し、面内および第3の方向における粒子に対する座標を定義できるようにする工程と、
−結晶粒のそれぞれに対する基本ラウエパターンを形成するように、質量中心の位置を起点とする第1と第2の方向の第1の面内に一組の座標を定義する工程と、
−結晶粒の結晶格子の配向および歪を定義するように結晶粒のそれぞれに対する基本ラウエパターンに指標を付ける工程と、を含む。
−結晶粒により回折可能な多色放射線ビームにより第1の方向において試料を照射する工程と、
−第1の方向および第2の方向により定義された第1の面内に像を撮影する平面検出器により第1の系列の第1の数の像を記録する工程であって、像は結晶粒のそれぞれに固有のディジタル像粒子に対応する回析斑点を含むラウエパターンであり、像は試料を移動させながら連続して撮影され、移動は面に対し垂直な第3の方向である、工程と、
−その三次元が平面検出器のものと移動のものである容積領域内に第1の系列の像を連結する工程と、
−容積領域内の粒子を個別化できるようにする3D接続解析を利用して容積領域内の粒子を探す工程(仏国特許第2909205号明細書に記載されたように)と、
−結晶粒毎に粒子のそれぞれの質量中心を計算し、面内および第3の方向における粒子に対する座標を定義できるようにする工程と、
−結晶粒のそれぞれに対する基本ラウエパターンを形成するように、質量中心の位置を起点とする第1と第2の方向の第1の面内に一組の座標を定義する工程と、
−結晶粒の結晶格子の配向および歪を定義するように結晶粒のそれぞれに対する基本ラウエパターンに指標を付ける工程と、を含む。
本発明の一変形実施形態によると、本方法は、接続解析を利用することにより第3の方向に沿ってディジタル像粒子の大きさを測定することにより第3の方向の各結晶粒の空間的広がりを定義する工程をさらに含む。
2D像の連結は、3D像を形成できるようにし、かつ斑点を個別化する(すなわち、様々な結晶粒の斑点を分離する)ために3D像処理(3D接続)を使用できるようにする。この連結は数学的再構築を介した被写体の投影のディジタル処理に基づく。したがって本発明の方法は、連結された2Dラウエパターンの3Dディジタル処理を提供する。
本発明の利点は特にトモグラフィの応用にあり、特にはAvinash C.Kak and Malcolm Slanet“Principles of Computerized Tomographic Imaging”IEEEに記載のトモグラフィの応用にある。
本発明の一変形実施形態によると、本方法は、第1の組の2つ以上の系列の像を記録する工程であって、第1の方向の結晶粒の広がりを定義するように第1と第3の方向により定義された面を回転させるように、各系列の像は第2の方向に平行な軸を中心に一定角度ステップだけ試料を回転させながら撮影される、工程を含む。
本発明の別の変形によると、本方法は、第2の組の2つ以上の系列の像を記録する工程であって、各系列の像は、第2の方向の結晶粒の広がりを定義するように第2の方向に一定角度ステップだけ試料を移動させながら撮影される、工程をさらに含む。
本発明の別の変形によると、解析ビームの直径は約1マイクロメートルであり、移動ステップは約2分の1マイクロメートルである。
本発明の別の変形によると、検出器は、検出器上の斑点のうちの1つのエネルギー値を直接測定することにより完全な変形テンソルを得られるようにするエネルギー分解能検出器であり、この値は、完全なテンソルを計算するための標準的なXMAS(X線マイクロアナリシスソフトウェア:X−ray microanalysis software)プログラムの入力パラメータである。
本発明の別の変形によると、本方法は、得られたラウエパターンを処理する工程をさらに含み、結晶粒のそれぞれの膨張状態を判断できるようにしている。
本発明の別の変形によると、本方法は、結晶粒のそれぞれの圧縮状態を定義できるようにする、2つの隣接する結晶粒間の機械的平衡式と大局的および局部的応力間の数学的関係式とを使用する数学的計算工程をさらに含む。
本発明の別の変形によると、エネルギービームはX線ビームである。
本発明の別の変形によると、エネルギービームは電子ビームである。
本発明の別の変形によると、エネルギービームは中性子ビームである。
本発明は、非限定的例として与えられる以下の説明を読むことにより、そして添付図面により、さらに良く理解され他の利点が明らかになる。
本発明の方法は通常、多くの結晶粒タイプを含む多結晶試料から一系列の回折パターンまたは像を記録する工程を含み、様々なパターンは試料を照射ビームに対し直角に動かすことにより生成される。回析斑点は、本明細書ではディジタル像粒子と呼ばれる粒子に対応する。本発明の方法は、解析対象の多結晶試料中に存在する結晶粒のそれぞれに固有の結晶学的情報を決定するように完全にラウエパターンのインターレースを解除するためにこれらのディジタル粒子を処理することに関する。
以下の説明は、X線ビームを使用した試料の照射に関する。それにもかかわらず本発明は電子または中性子ビーム関連において等しく適用されてよい。
通常、約数マイクロメートルの粒径を有する結晶粒の場合、そして直径約1マイクロメートルのX線ビームを使用する場合、検出器の2つの位置Zl間の移動ステップは約2分の1マイクロメートルであってよい。しかしながら上記大きさの比が尊重されるという条件で、本方法は任意の寸法に一般化されてもよい。通常、試料は検出器に対しM個の位置に移動される。
本発明の原理は、連続した多くの像に共通の斑点またはディジタル像粒子を検出することに、したがって同一の結晶粒に由来することにある。
本明細書の残りの部分では、その位置PijGkが軸X、Yを有する像面に位置するディジタル粒子を記録像内にX線回折により生成するために、一組k個の結晶粒Gkを考慮する。図2は、本発明の方法を実施するための可能な構成を示す。X線ビームFXは、レンズLfにより方向Xの解析対象の試料Ech上に焦点を合わせられる。検出器Dは、方向X、Yにより定義される面P内に像を記録できるようにビームに対し直角に置かれる。試料をX軸とY軸に対し直角なZ軸に沿って移動できるようにする手段(不図示)が設けられる。検出器はラウエ像またはラウエパターンIZLを記録する。
本発明によると、Z軸に沿ったそれぞれの位置ZLに一系列の回折パターンを記録すること(本発明の方法の第1の工程に対応する)を提案する。
k個の結晶粒Gkを含む多結晶試料について、粒子PijGkは、数NPijGkと位置XPijGk、YPijGkとにより像上に特徴付けられる。
本方法の第1の工程は、ビームに対する試料のM個の動きに関連するM回の記録を連続して行なうことと試料の位置ZLを定義することとにある。
次に、一組の2D像を連結する演算が行なわれ、3Dデータ容積領域(ZL,XPijGk,YPijGk)が構築される。
次に、重なり領域を有する粒子を個別化することができる3D接続解析を利用して、この容積領域内の3D粒子が求められる。
この考えを説明するために、図3aと3bに2つの結晶粒タイプG1とG2だけを含む例示的な単純化試料を示す。
したがって図3aはM=8を有する試料の一連のM個の位置を示し、したがって単純化された一組2個の結晶粒の8個の像を生成し、一組の粒子PijG1、PijG2をそれぞれ生成する。像は、試料をZ方向に沿ってΔzのステップでビームに対しシフトすることにより取り込まれる。
したがって、次のことが分かる。
−位置Z1では:像IZ0内に結晶粒の粒子は観察されない。
−位置Z2では:粒子PijG1が像IZ2内の特徴となる。
−位置Z3では:粒子PijG1とPijG2が像IZ3内の特徴となる。
−位置Z4では:粒子PijG1とPijG2が像IZ4内の特徴となる。
−位置Z5では:粒子PijG2が像IZ5内の特徴となる。
−位置Z6では:粒子PijG2が像IZ6内の特徴となる。
−位置Z7では:粒子PijG2が像IZ7内の特徴となる。
−位置Z8では:像IZ8内に結晶粒子は観察されない。
−位置Z1では:像IZ0内に結晶粒の粒子は観察されない。
−位置Z2では:粒子PijG1が像IZ2内の特徴となる。
−位置Z3では:粒子PijG1とPijG2が像IZ3内の特徴となる。
−位置Z4では:粒子PijG1とPijG2が像IZ4内の特徴となる。
−位置Z5では:粒子PijG2が像IZ5内の特徴となる。
−位置Z6では:粒子PijG2が像IZ6内の特徴となる。
−位置Z7では:粒子PijG2が像IZ7内の特徴となる。
−位置Z8では:像IZ8内に結晶粒子は観察されない。
本発明の方法の第2の工程では、その次元が平面検出器のものとZ軸に沿って記録された像の数(本例では8)とに対応する3次元の組を生成するように、一組の記録像が連結される。
次に、この体積領域内の3D粒子を求める演算は、図3bに示すように、3方向の粒子PijG1、PijG2の位置(ZL,XPijGk,YPijGk)に固有のデータセットを定義するように接続解析を利用して行なわれる。
この演算に基づき、各粒子の質量中心が計算される。これによりサブボクセル(subvoxel)分解能を有するすべての粒子の質量中心の表を構築することができる。
このようにして、単純化された例では、座標(XPijG1,YPijG1)を有する第1の相対的な一組の像(IZ2,IZ3,IZ4)と座標(XPijG2,YPijG2)を有する第2の相対的な一組の像(IZ3,IZ4,IZ5,IZ6,IZ7)とが分離される。図3cはこれら2つの組を示す。
各粒子の質量中心が計算される。これによりサブボクセル分解能を有するすべての粒子の質量中心の表を構築することができる。
同じ質量中心ZL座標を有するすべての粒子は、質量中心が回折強度の最大値に対応しておりかつ2つの結晶粒がZ軸方向の同じ位置に配置されないので、必然的に同じ結晶粒に属する。2つの結晶粒が互いに背合わせ(X軸方向で)状態である場合、3D体積領域内のZ軸方向のそれらの質量中心は同じかもしれなく、それらを区別することは可能ではないだろう。
通常、結晶粒G1の質量中心は座標Z3を有し、結晶粒G2の相対的な質量中心は座標Z5を有する。
このようにして見出された質量中心のすべての座標ZMに対し、対応座標XPijG1、YPijG1が読み取られ、各斑点を中心とする関心領域に基づく新しい微調整されたラウエパターンがディジタル的に再形成される。
質量中心の計算がサブボクセルである限りでは、Z軸においてオーバーサンプリングすることしたがって中間ラウエパターンを生成することが可能であり、これにより結晶粒同士の分離を増長する。図3dは、2つの結晶粒を有する単純化された試料の場合の方法のこの工程を示す。
すべての微調整されたラウエパターンには、標準的な従来技術方法を使用して指標が付けられる。
各像に指標を付けると、粒子を求めるために使用された、接続解析演算中に見出された3D粒子の大きさを検査することにより結晶粒のZ軸に沿った空間的広がりを決定することが可能である。この工程はすべての結晶粒に対し行うことが可能であり、したがってすべての結晶粒に指標を付けることが可能である。
通常、単純化された例の場合、Z軸方向の結晶粒G1の大きさは、位置Z2、Z3、Z4に対応する3つの像内の粒子PijG1の存在から導出される。Z2とZ4における試料の位置間の差を計算することにより、Z軸に沿った結晶粒G1の大きさが与えられる。
結晶粒G2については、この結晶粒に関係する粒子は5つの像内に存在し、したがって結晶粒は2.5マイクロメートルのZ軸に沿った空間的広がりを有する。
結晶粒の配置を完全に解決しかつX方向の結晶粒の空間的広がりもまた知るために、Z軸に沿った各直線運動後に試料を回転させて、新しい掃引を再開することが可能である。この二重掃引(直線運動/回転)は、360度の回転がカバーされるまで適用される。
X方向の結晶粒の広がりを決定するために第1のX方向と第3のZ方向により定義された面を回転させるように、各系列の像がY軸を中心として角度ステップφだけ試料を回転させることにより撮影された一組2個以上の像の系列IpNZ,φが生成される。
角度毎に、各結晶粒の「投影」が得られる。これは本発明の状況においてはラウエ回析を利用したトモグラフィ撮像操作である。このようにして得られた各結晶粒の分布(z,φ)により、医療スキャナにおいて使用されるアルゴリズムに似た数学的再構築アルゴリズムを使用することにより前記第1と第3の方向の結晶粒の2D形状を決定することができるようになる。形状に加えて、指標付け工程は、結晶粒の結晶方向と、未変形結晶の対称性からの偏差による結晶格子の歪みと、を与える。
最後に、Y方向の結晶粒の空間的広がりを決定し、したがって結晶粒の3D像を得るために、本発明の方法はまた、有利には、前記第2の方向Yの前記結晶粒の広がりを決定するように第2の組の2個以上の系列の像IpNZ,Yを記録する工程であって、各系列の像が前記第2の方向Yに試料をステップΔYだけ移動することにより生成される、工程を含んでもよい。
上記演算をすべて組み合わせることにより、Z、X、Y方向の三次元における結晶粒のそれぞれの広がりを定義することが可能となる。指標付け工程は、3D形状に加えて、XMASまたはOrientExpress等の標準的ソフトウェアプログラムを使用することにより配向と偏差歪テンソルを与える。
本発明の方法を実施するために必要な記録を実行するためには、多色および単色測定の両方を行なわねばならないことを避けるように十分なエネルギー分解能を有する2D検出器を使用することが非常に有利と考えられる。
ラウエ回析では、多色または「白色」ビーム(すなわち、複数の波長(すなわちエネルギー)を含むビーム)と呼ばれるものを使用する。この白色ビームは結晶粒を照射し、2D検出器上に、各斑点が入射ビームの波長の1つによる結晶面からの回析に対応する一組の回析斑点を生成する。
上記図1では、同一の結晶粒内の2つの結晶面P1、P2は、2つの波長λ1、λ2を含むビームに晒されるので、それらが回折するのがわかる。CCDカメラを使用する測定により、結晶粒の結晶方向(CCD上の斑点TLaueの位置と結晶粒の結晶方向との間にはある関係がある。これはブラッグの法則である)と、この結晶粒の結晶格子の角度弾性歪(結晶格子の大きさの変化ではない)と、を決定することができるようになる。したがって、結晶構造が歪んだかどうかを知ることは可能であるがその流体静力学的歪またはその膨張度を知ることはできない。
これを行うために、回折ビームのエネルギー(すなわち波長)に関する情報を提供しないCCDカメラが使用されているので可能ではない回折ビームの波長を知ることが必要である。現在のところ、当業者は2つの解析:多色解析に続いて単色ビーム(1つの共通エネルギーを有する)を使用する解析を利用し、これにより斑点のうちの1つのエネルギーを知ることが可能になる。この解析は、位置合わせ(alignment)問題と、統計的に小さなデータセットと、多色および単色照射の下で同一の斑点を見つける困難さと、により難しくなる。
このため、3D検出器(すなわち、空間分解能(2D)およびエネルギー分解能検出器)を使用することが有利である。このタイプの検出器は市場に出始めている。
このタイプの検出器により、各斑点のエネルギーは単一の多色検査だけを使用することにより得られる。したがって、3D検出器によりこのように測定された斑点の波長のおかげで、結晶粒の結晶方向、それらの角度弾性歪、およびとりわけそれらの大きさの変化を迅速に決定することが可能である。
エネルギー分解能検出器の代替としては、同情報を計算することが可能である。通常、ラウエトモグラフィにより、結晶粒の形状および偏差弾性歪状態の空間位置を決定することができるようになる。次に、偏差応力を決定するためにフックの法則が適用される(弾性係数は知られている)。機械的考察により、等方性応力状態および最終的には「完全な」応力状態を決定することが可能となる(完全な応力テンソルが得られる)。
これらの機械的考察は、
−材料内の局所機械的平衡の式、
−局部的応力と、既知であるかあるいは実験的に測定可能であるマクロ的応力、すなわち材料内の平均応力(これは材料に荷重が加えられていない場合は零である)との関係、である。
−材料内の局所機械的平衡の式、
−局部的応力と、既知であるかあるいは実験的に測定可能であるマクロ的応力、すなわち材料内の平均応力(これは材料に荷重が加えられていない場合は零である)との関係、である。
「完全な」(偏差成分+静水圧成分)応力状態を偏差応力が既知である各点に関連付けることが可能である。このようにして、すべての情報:結晶粒形状、結晶粒の結晶方向および結晶粒の完全な応力テンソルを得てもよい。
応力状態をそれらの偏差成分Sおよびそれらの静水圧成分
に分解することにより、式(1)は次のようになる。
すなわち、
(流体静力学テンソル)という理由で式(2)となる。ここで、
は単位行列であり、式を展開することにより
局部応力とマクロ的応力との関係は、等方性応力状態σh 1とσh 2の個々の値を決定できるようにする付加的関係を提供する。それは次のように表される。
ここでVは考慮対象の試料の体積、
は試料上の所与の位置における応力状態、そして
はマクロ的応力状態(機械的特性が求められない(not mechanically solicited)試料については
)である。
例えば、法線
の境界により分離された同じ体積を有する2つの結晶粒からなる双結晶の場合、関係式(7)は次のようになる。
したがって式(8)の静水圧成分だけを考慮することによりそして基本操作後、次式を得る。
ここでΣhは
の静水圧成分である。
X線蛍光したがって化学成分を測定できるようにするために、試料の近傍にエネルギー分解能検出器を置くことが有利となり得るということに注意されたい。したがって、たとえラウエ回析が化学成分ではなく空間群に基づいて結晶粒を区別するだけだとしても、同一の空間群の2つの結晶粒を区別することが可能である。例えば、金結晶粒と銅結晶粒は同じ空間群を有するがそれらの蛍光エネルギーは異なる。
C:CCD検出器
D:検出器
Ech:試料
Fx:X線ビーム
G1,G2:結晶粒
n:法線
PijG1:粒子
PijG2:粒子
IZ0−IZ8,IZL:ラウエ像
Lf:レンズ
P1、P2:結晶面
PijGk:ディジタル粒子の位置
S0:「白色」ビーム
Sλ1、Sλ2:回折ビーム
XPijG1,YPijG1:座標
Z1−Z8、ZM:位置
ZL:質量中心
Zn:位置
λ1,λ2,...,λn:波長
λmin:最小波長
λmax:最大波長
θB:ブラッグ角
TLaue1、TLaue2:斑点
D:検出器
Ech:試料
Fx:X線ビーム
G1,G2:結晶粒
n:法線
PijG1:粒子
PijG2:粒子
IZ0−IZ8,IZL:ラウエ像
Lf:レンズ
P1、P2:結晶面
PijGk:ディジタル粒子の位置
S0:「白色」ビーム
Sλ1、Sλ2:回折ビーム
XPijG1,YPijG1:座標
Z1−Z8、ZM:位置
ZL:質量中心
Zn:位置
λ1,λ2,...,λn:波長
λmin:最小波長
λmax:最大波長
θB:ブラッグ角
TLaue1、TLaue2:斑点
Claims (10)
- 一組の結晶粒(G1,...Gi,...,Gn)を含む多結晶材料の試料中に含まれる結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法であって、
−前記結晶粒により回折され得る多色放射線ビームにより第1の方向Xにおいて前記試料を照射する工程と、
−前記第1の方向(X)および第2の方向(Y)により定義された第1の面(Pz,Py)内に像を撮影する平面検出器により第1の数(M)の像の第1の系列(I1NZ)を記録する工程であって、前記像は前記結晶粒のそれぞれに固有のディジタル像粒子に対応する回析斑点を含むラウエパターンであり、前記像は前記面に直角な第3の方向(Z)に前記試料を移動しながら連続して撮影され、前記試料の移動はΔzのステップで行なわれる、工程と、
−その三次元が平面検出器のもの(NX,NY)と前記移動のもの(NZ)である体積領域内で前記第1の系列の像を連結する工程と、
−前記容積領域内の前記粒子を個別化できるようにする3D接続解析を利用して前記容積領域内の粒子を探す工程と、
−前記結晶粒毎に前記粒子のそれぞれの質量中心を計算し、前記面内および前記第3の方向における前記粒子に対する座標(XPijGk,YPijGk,ZL)を定義できるようにする工程と、
−前記結晶粒のそれぞれに対する基本ラウエパターンを形成するように、前記質量中心の位置(Z3,Z5,ZL)を起点とする前記第1と第2の方向(X,Y)の前記第1の面内に一組の座標(XPijGk,YPijGk)を定義する工程と、
−前記結晶粒の結晶格子の配向および偏差弾性歪を定義するように前記結晶粒のそれぞれに対する基本ラウエパターンに指標を付ける工程と、を含む方法。 - 前記第3の方向(Z)に沿って前記ディジタル像粒子の大きさを測定することにより前記第3の方向(Z)の各結晶粒の空間的広がりを定義する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 第1の組の2つ以上の系列の像(IpNZ,φ)を記録する工程であって、前記第1の方向(X)の前記結晶粒の広がりを定義するように前記第1の方向と第3の方向(X,Z)により定義された前記面を回転させるように、各系列の像は、前記第2の方向に平行な軸を中心に一定角度ステップ(φ)だけ前記試料を回転させながら撮影される、工程をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 第2の組の2つ以上の系列の像(IpNZ,Y)を記録する工程であって、各系列の像は、前記第2の方向(Y)の前記結晶粒の広がりを定義するように前記第2の方向(Y)にステップΔYだけ前記試料を移動させながら撮影される、工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 前記解析ビームは約1マイクロメートルの直径を有し、前記移動ステップは約2分の1マイクロメートルであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 前記検出器はエネルギー分解能検出器であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 前記結晶粒のそれぞれの圧縮状態を定義できるようにする、2つの隣接する結晶粒間の機械的平衡式と大局的および局部的応力間の数学的関係式とを使用する数学的計算工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 前記エネルギービームはX線ビームであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 前記エネルギービームは電子ビームであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
- 前記エネルギービームは中性子ビームであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011266207A JP2013117495A (ja) | 2011-12-05 | 2011-12-05 | 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 |
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JP2013117495A true JP2013117495A (ja) | 2013-06-13 |
Family
ID=48712147
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011266207A Pending JP2013117495A (ja) | 2011-12-05 | 2011-12-05 | 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 |
Country Status (1)
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