JPH0320645A - 膜質評価方法 - Google Patents
膜質評価方法Info
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- JPH0320645A JPH0320645A JP15544689A JP15544689A JPH0320645A JP H0320645 A JPH0320645 A JP H0320645A JP 15544689 A JP15544689 A JP 15544689A JP 15544689 A JP15544689 A JP 15544689A JP H0320645 A JPH0320645 A JP H0320645A
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Links
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Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ラマンスベクトルを用いた膜質評価方法に関
する。
する。
従来の技術
ごれ１で、薄膜の熱処理による膜質変化は、あらかじめ
、種々の温度・時間等の条件で処理した薄膜試料を多数
準備しＸ線回折法，レーザーラマン分光法や透過電子顕
微鏡法などの各種方法を用いて評価していた。その際、
薄膜試料は、所定の温度時間で加熱処理後、室温１で冷
却し、上記の各種装置で膜質を評価していた。
、種々の温度・時間等の条件で処理した薄膜試料を多数
準備しＸ線回折法，レーザーラマン分光法や透過電子顕
微鏡法などの各種方法を用いて評価していた。その際、
薄膜試料は、所定の温度時間で加熱処理後、室温１で冷
却し、上記の各種装置で膜質を評価していた。
発明が解決しようとする課題
従来の方法では、当初予定した温度・時間等の条件で、
所定の膜質の薄膜が得られなかった場合、再度、各種条
件の異なる薄膜試料を作製する必要がある。又、場合に
よっては、数度の繰り返しが避けられないこともある。
所定の膜質の薄膜が得られなかった場合、再度、各種条
件の異なる薄膜試料を作製する必要がある。又、場合に
よっては、数度の繰り返しが避けられないこともある。
したがって、その薄膜作製条件の確立あるいは、連続し
て同一膜質の薄膜を多数作製する場合に、又は、装置等
のトラブルのために、所定の膜質の薄膜が作製できなか
った場合に、多大の経費増と時間のロメが発生した。
て同一膜質の薄膜を多数作製する場合に、又は、装置等
のトラブルのために、所定の膜質の薄膜が作製できなか
った場合に、多大の経費増と時間のロメが発生した。
課題を解決するための手段
本発明は、薄膜が、レーザー等の入射光を全部反射せず
、少な〈とも、一部は、膜内部に侵入し、非弾性散乱を
起こす性質をもっている場合、薄膜の加熱（又は冷却）
処理により、温度，時間等の条件と共に変化する膜質の
状態を、ラマンスベクトルの変化により逐一、観察でき
る機能を持つようにする。
、少な〈とも、一部は、膜内部に侵入し、非弾性散乱を
起こす性質をもっている場合、薄膜の加熱（又は冷却）
処理により、温度，時間等の条件と共に変化する膜質の
状態を、ラマンスベクトルの変化により逐一、観察でき
る機能を持つようにする。
作 用
ラマンスベクトノレの変化により、薄膜の加熱（又は、
冷却）温度，時間等の条件と共に変化する膜質の状４熊
が逐一観察できるため、所定の膜質の薄膜作製条件確立
が迅速になる。又、常に同一膜質の薄膜作製が可能とな
る。さらに、評価装置等のトラブルが従来よりも、数段
に早い時点で発見出来る。
冷却）温度，時間等の条件と共に変化する膜質の状４熊
が逐一観察できるため、所定の膜質の薄膜作製条件確立
が迅速になる。又、常に同一膜質の薄膜作製が可能とな
る。さらに、評価装置等のトラブルが従来よりも、数段
に早い時点で発見出来る。
実施例
第１図は、膜質評価装置の概略を示す。試料３にＡｒレ
ーザー（波長＝５１４．ｔｓ ｗｚ ） ４を照射する
ことにより得られたラマン散乱光ｅをスリソト５と集光
レンズ７で集光し、分光器８で所定のスペクトルを取り
出し、検出器９によって強度を測定し、表示器１ｏで観
察又は記録する。以下に、実際に使用する際の手順を示
す。
ーザー（波長＝５１４．ｔｓ ｗｚ ） ４を照射する
ことにより得られたラマン散乱光ｅをスリソト５と集光
レンズ７で集光し、分光器８で所定のスペクトルを取り
出し、検出器９によって強度を測定し、表示器１ｏで観
察又は記録する。以下に、実際に使用する際の手順を示
す。
（１）第１図の試料台２をスライドし、Ａｒレーザー光
が照射される位置に、標準試料１１を移動し固定する。
が照射される位置に、標準試料１１を移動し固定する。
（２）標準試料としては、ポリシリコン膜を評価する場
合を例にとると，Ｓｉ単結晶基板を用いる。
合を例にとると，Ｓｉ単結晶基板を用いる。
（３）ｓｉ単結晶のラマンシフトは、５２２ｃ７ｎに最
犬のスペクトル強度が得られる。分光器を５ ０ ０
ｆｆｉ− ’から５４０ｆｆｉ−’の範囲で走査できる
ように設定する。
犬のスペクトル強度が得られる。分光器を５ ０ ０
ｆｆｉ− ’から５４０ｆｆｉ−’の範囲で走査できる
ように設定する。
（４）次に、再び試料台２をスライドさせて、目的の試
料３を、レーザー光の下に固定する。
料３を、レーザー光の下に固定する。
（５）冷熱源１を操作し、試料（ポリシリコン膜）３を
加熱する。
加熱する。
（６）ポリシリコン膜は、Ｓ１単結晶基板上に、化学蒸
着法（ＣＶＤ法）で或長させた。このポリシリコン膜の
膜或長直後のラマンヌベクトノレを第２図（ａ）に示す
。
着法（ＣＶＤ法）で或長させた。このポリシリコン膜の
膜或長直後のラマンヌベクトノレを第２図（ａ）に示す
。
（７） 冷熱源１を操作して加熱を始め、逐次、ラマ
ンスベクト／レを観察・記録スル。
ンスベクト／レを観察・記録スル。
（８） 第２図（ｂ）は、１ｏｏｏ”Ｃで３０分保持
後に得られたヲマンヌベクトルを示す。このスベクトノ
レ形状が所定の膜質を示すものである。
後に得られたヲマンヌベクトルを示す。このスベクトノ
レ形状が所定の膜質を示すものである。
発明の効果
以上、本発明によれば、ラマンスベクトノレの変化によ
り、薄膜の加熱（又は、冷却）温度，時１？ｆｌ等の条
件と共に変化する膜質の状態が逐一観察できるため、所
定の膜質の薄膜作製条件確立が迅速になった。又、半導
体素子製造工程に釦いて、常に同一膜質の薄膜作製が可
能となった。さらに、評価装置等のトラブルで所定の膜
質が得られなかった場合も、かなり早い時点で発見でき
るため、早期に対策がとれ、損失も少なくて済む。従っ
て、開発時間の短縮．製造コストの低減．品質の向上等
、多方面にわたって効果が顕著であった。
り、薄膜の加熱（又は、冷却）温度，時１？ｆｌ等の条
件と共に変化する膜質の状態が逐一観察できるため、所
定の膜質の薄膜作製条件確立が迅速になった。又、半導
体素子製造工程に釦いて、常に同一膜質の薄膜作製が可
能となった。さらに、評価装置等のトラブルで所定の膜
質が得られなかった場合も、かなり早い時点で発見でき
るため、早期に対策がとれ、損失も少なくて済む。従っ
て、開発時間の短縮．製造コストの低減．品質の向上等
、多方面にわたって効果が顕著であった。
第１図は膜質評価装置の概略図、第２図はシリコン基板
上にＣＶＤ法で或長させたポリシリコン膜のラマンヌペ
ク｝／レを示し、同図（ａ）は膜或長直後のヌベクｌ−
／レ図、同図（ｂ）は１０ｏＯ゜Ｃ３０分間保持後のス
ベクトノレ図である。 １・・・・・・冷熱源、２・・・・・・試料台、３・・
・・・・評価する試料、４・・・・・・レーザー光、５
・・・・・スリソト、６・・・・・・ラマン散乱光、７
・・・・・・集光レンズ、８・・・・・・分光器、９・
・・・・・検出器、１ｏ・・・・・・表示器（記録計）
、１１・・・・・・標準試料。 ／ −一一寿熱涜、
上にＣＶＤ法で或長させたポリシリコン膜のラマンヌペ
ク｝／レを示し、同図（ａ）は膜或長直後のヌベクｌ−
／レ図、同図（ｂ）は１０ｏＯ゜Ｃ３０分間保持後のス
ベクトノレ図である。 １・・・・・・冷熱源、２・・・・・・試料台、３・・
・・・・評価する試料、４・・・・・・レーザー光、５
・・・・・スリソト、６・・・・・・ラマン散乱光、７
・・・・・・集光レンズ、８・・・・・・分光器、９・
・・・・・検出器、１ｏ・・・・・・表示器（記録計）
、１１・・・・・・標準試料。 ／ −一一寿熱涜、
Claims (1)
- レーザー等の入射光を全部反射せず、少なくとも一部は
膜内部に侵入し、非弾性散乱を起こす性質の薄膜の加熱
又は冷却処理により、温度・時間等の条件と共に変化す
る膜質の状態を、ラマンスベクトルの変化により、観察
する膜質評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15544689A JPH0320645A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 膜質評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15544689A JPH0320645A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 膜質評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320645A true JPH0320645A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15606218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15544689A Pending JPH0320645A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 膜質評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320645A (ja) |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15544689A patent/JPH0320645A/ja active Pending
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