JPH03206420A - Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造装置およびそのディバイスの製造方法 - Google Patents
Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造装置およびそのディバイスの製造方法Info
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- JPH03206420A JPH03206420A JP26708789A JP26708789A JPH03206420A JP H03206420 A JPH03206420 A JP H03206420A JP 26708789 A JP26708789 A JP 26708789A JP 26708789 A JP26708789 A JP 26708789A JP H03206420 A JPH03206420 A JP H03206420A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 46
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は透明なＰＬＺＴの複屈折を利用し，光シャッ
タやディスプレイディバイスとして用いられるＰＬＺＴ
表示ディバイスの製造装置およびぞのディバイスの製造
方法に関するものである．［従 来 例コ 近年、ＰｚＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰＬ
ＺＴ（ＰｂＯ， Ｌａｄ， ＺｒＯ，， Ｔｉｅ）が光
シャッタやディプレイディバイスに用いられようとして
いる．このＰＬＺＴを表示ディバイスに利用する例とし
ては、例えば特願昭６３−１０８６４８号があり、ＰＬ
ＺＴの表示ディバイスおよびその製造工程、さらにはそ
の利用（ライトバルブ型プロジェクタ）が説明されてい
る．ここで、上記特願昭６３−１０８６４８号の内容を
第５図乃至第７図を参照して簡単に説明すると、ＰＬＺ
Ｔ表示ディバイスに用いるＰＬＺＴプレートを得るに際
し． ＰＬＺＴの生シート（９／６５／３５：Ｌａ／Ｚ
ｒ／Ｔｉ ｒａｔ′ｉｏ；グリーンシ一ト）を出発原料
とし、その生シートを所定サイズの切断して垂直走査／
水平走査内部電極を形成し、これら生シ一ト１，２の積
層ブロックを脱バインダし、かつ、雰囲気焼威して積層
型ＰＬＺＴ ３とし、この積層型ＰＬＺＴ ３を所定厚
さ（例えば１ ． Ｏ ｎａ ）に切断するとともに、
この切断両面を研磨して上記ＰＬＺＴプレート４を得て
いる．すなわち、ＰＬＺＴプレート４の出発原料が生シ
一ト１，２であるため、ＰＬＺＴの透過率の向上を図る
ことができ、安価な炉や装置でよくなった。また、ＰＬ
ＺＴプレート４が積層型内部電極構造になっていること
から、駆動電圧を低くすることが可能にもなっている。
タやディスプレイディバイスとして用いられるＰＬＺＴ
表示ディバイスの製造装置およびぞのディバイスの製造
方法に関するものである．［従 来 例コ 近年、ＰｚＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰＬ
ＺＴ（ＰｂＯ， Ｌａｄ， ＺｒＯ，， Ｔｉｅ）が光
シャッタやディプレイディバイスに用いられようとして
いる．このＰＬＺＴを表示ディバイスに利用する例とし
ては、例えば特願昭６３−１０８６４８号があり、ＰＬ
ＺＴの表示ディバイスおよびその製造工程、さらにはそ
の利用（ライトバルブ型プロジェクタ）が説明されてい
る．ここで、上記特願昭６３−１０８６４８号の内容を
第５図乃至第７図を参照して簡単に説明すると、ＰＬＺ
Ｔ表示ディバイスに用いるＰＬＺＴプレートを得るに際
し． ＰＬＺＴの生シート（９／６５／３５：Ｌａ／Ｚ
ｒ／Ｔｉ ｒａｔ′ｉｏ；グリーンシ一ト）を出発原料
とし、その生シートを所定サイズの切断して垂直走査／
水平走査内部電極を形成し、これら生シ一ト１，２の積
層ブロックを脱バインダし、かつ、雰囲気焼威して積層
型ＰＬＺＴ ３とし、この積層型ＰＬＺＴ ３を所定厚
さ（例えば１ ． Ｏ ｎａ ）に切断するとともに、
この切断両面を研磨して上記ＰＬＺＴプレート４を得て
いる．すなわち、ＰＬＺＴプレート４の出発原料が生シ
一ト１，２であるため、ＰＬＺＴの透過率の向上を図る
ことができ、安価な炉や装置でよくなった。また、ＰＬ
ＺＴプレート４が積層型内部電極構造になっていること
から、駆動電圧を低くすることが可能にもなっている。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記ＰＬＺＴ表示ディバイスおよびそのディ
バイスの製造方法においては，上記上記積層ブロックを
脱パインダし、かつ、雰囲気焼威しているが、そのバイ
ンダ抜けが均一に行われないことがある．すなわち、ガ
ス気体化したバインダを均一に抜くことが難しく、さら
に表面に近い所はバインダの抜けが良いが、その表面よ
り遠い程、そのバインダの抜けが悪いからである。この
ように、バインダの抜けが均一でないと、雰囲気焼結し
た積層型ＰＬＺＴ ３に欠陥が生じることになり，例え
ば第８図および第９図に示されているように、積層型Ｐ
ＬＺＴ ３を構成する生シ一ト１と生シ一ト２（第５図
に示す）との積層部分が剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏ
ｎ）シたり、またその積層型ＰＬＺＴ ３の形状が大き
いため，収縮が大きく、亀裂（ｃｒａｃｋ）を生じたり
、さらにその亀裂により反り（ｂｅｎｄｉｎｇ；第１１
図の矢印ａに示す）が生じることになる。
バイスの製造方法においては，上記上記積層ブロックを
脱パインダし、かつ、雰囲気焼威しているが、そのバイ
ンダ抜けが均一に行われないことがある．すなわち、ガ
ス気体化したバインダを均一に抜くことが難しく、さら
に表面に近い所はバインダの抜けが良いが、その表面よ
り遠い程、そのバインダの抜けが悪いからである。この
ように、バインダの抜けが均一でないと、雰囲気焼結し
た積層型ＰＬＺＴ ３に欠陥が生じることになり，例え
ば第８図および第９図に示されているように、積層型Ｐ
ＬＺＴ ３を構成する生シ一ト１と生シ一ト２（第５図
に示す）との積層部分が剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏ
ｎ）シたり、またその積層型ＰＬＺＴ ３の形状が大き
いため，収縮が大きく、亀裂（ｃｒａｃｋ）を生じたり
、さらにその亀裂により反り（ｂｅｎｄｉｎｇ；第１１
図の矢印ａに示す）が生じることになる。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は脱バインダし、雰囲気焼威してＰＬＺＴプレートを
得るに際し、欠陥の発生を抑え、ＰＬＺＴ表示ディバイ
スの歩留まりをよくすることがきるようにしたＰＬＺＴ
表示ディバイスの作製治具およびそのディバイスの製造
方法を提供することにある。
的は脱バインダし、雰囲気焼威してＰＬＺＴプレートを
得るに際し、欠陥の発生を抑え、ＰＬＺＴ表示ディバイ
スの歩留まりをよくすることがきるようにしたＰＬＺＴ
表示ディバイスの作製治具およびそのディバイスの製造
方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達或するために、この発明のＰＬＺＴ表示デ
ィバイスの製造装置は、電極を形威したＰＬＺＴ生シー
トの積層ブロックから所定厚さに切断された複数枚のウ
ェハがその切断面を垂直として並設される治具と、この
ウェハの間に配置される多孔質サポート板と、その両端
に設けられる端抑え板とを備えたことを要旨とする． また、この発明のＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法は
、電極を形威したＰＬＺＴ生シートを積層し、この積層
ブロックを所定厚さに切断し、このウェハを脱バインダ
し、かつ，雰囲気焼或してＰＬＺＴプレートとし、この
ＰＬＺＴプレートによりＰＬＺＴ表示ディバイスを得る
ようにしたことを要旨とする。
ィバイスの製造装置は、電極を形威したＰＬＺＴ生シー
トの積層ブロックから所定厚さに切断された複数枚のウ
ェハがその切断面を垂直として並設される治具と、この
ウェハの間に配置される多孔質サポート板と、その両端
に設けられる端抑え板とを備えたことを要旨とする． また、この発明のＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法は
、電極を形威したＰＬＺＴ生シートを積層し、この積層
ブロックを所定厚さに切断し、このウェハを脱バインダ
し、かつ，雰囲気焼或してＰＬＺＴプレートとし、この
ＰＬＺＴプレートによりＰＬＺＴ表示ディバイスを得る
ようにしたことを要旨とする。
［作 用］
上記構成としたので、上記治具には複数枚のウェハと多
孔質サポート板とが交互に配置され，かつ、その両端が
端抑え板で抑えられている．すなわち，それらウェハは
変形、つまり反りが生じないように、多孔質サポート板
および端抑え板で保持される．このように，載置したウ
ェハを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成すると、ガス気
体化したバインダが多孔質サポート板を介して抜かれる
．また、上記方法としたので、ＰＬＺＴ表示ディバイス
として用いるＰＬＺＴプレートを得る場合、積層ブロッ
クを所定厚さに切断したウェハ（小さい積層ブロック）
を上記治具に載置したままで、脱バインダし、かつ、雰
囲気焼或することになる。すなわち、ウェハの形状が小
さくなるため、ガス気体化したバインダが抜け易く、つ
まりバインダ抜きが均一に行われる． ［実 施 例］ 以下、この発明の実施例を第ｌ図乃至第４図に基づいて
説明する。
孔質サポート板とが交互に配置され，かつ、その両端が
端抑え板で抑えられている．すなわち，それらウェハは
変形、つまり反りが生じないように、多孔質サポート板
および端抑え板で保持される．このように，載置したウ
ェハを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成すると、ガス気
体化したバインダが多孔質サポート板を介して抜かれる
．また、上記方法としたので、ＰＬＺＴ表示ディバイス
として用いるＰＬＺＴプレートを得る場合、積層ブロッ
クを所定厚さに切断したウェハ（小さい積層ブロック）
を上記治具に載置したままで、脱バインダし、かつ、雰
囲気焼或することになる。すなわち、ウェハの形状が小
さくなるため、ガス気体化したバインダが抜け易く、つ
まりバインダ抜きが均一に行われる． ［実 施 例］ 以下、この発明の実施例を第ｌ図乃至第４図に基づいて
説明する。
第ｌ図乃至第３図において、この発明のＰＬＺＴ表示デ
ィバイスの製造装置は、積層ブロック（内部電極を形成
した生シートを複数枚積層したもの）から所定厚さに切
断してなるウェハ５を複数枚載置する治具６と、それら
ウェハ５の間に配置する多孔質サポート板７とを備えて
いる．また、上記治具６はセラミックであり、この治具
６には上記ウェハ５の形状に合せたＶ溝６ａおよび端抑
え板６ｂが設けられている。さらに、上記多孔質サポー
ト板７も同じくセラミックであるが、そのウェハ５より
大きい形状となっており、上記端抑え板６ｂとともにウ
ェハ５の反り（ｂｅｎｄｉｎｇ）を防止する機能も有し
ている。なお、多孔質サポート板７に代えてウェハ５間
にセラミックのパウダを充填してもよい。
ィバイスの製造装置は、積層ブロック（内部電極を形成
した生シートを複数枚積層したもの）から所定厚さに切
断してなるウェハ５を複数枚載置する治具６と、それら
ウェハ５の間に配置する多孔質サポート板７とを備えて
いる．また、上記治具６はセラミックであり、この治具
６には上記ウェハ５の形状に合せたＶ溝６ａおよび端抑
え板６ｂが設けられている。さらに、上記多孔質サポー
ト板７も同じくセラミックであるが、そのウェハ５より
大きい形状となっており、上記端抑え板６ｂとともにウ
ェハ５の反り（ｂｅｎｄｉｎｇ）を防止する機能も有し
ている。なお、多孔質サポート板７に代えてウェハ５間
にセラミックのパウダを充填してもよい。
次に、上記ＰＬＺＴ表示ディバイスの製造装置の作用お
よびそのディバイスの製造方法を説明する。
よびそのディバイスの製造方法を説明する。
まず、従来同様にしてＰＬＺＴの生シート（例えば９／
６５／３５；Ｌａ／Ｚｒ／Ｔｉ ｒａｔｉｏ；グリーン
シ一ト）が得られ、この生シートが所定サイズに切断さ
れ、かつ、この切断ウェハに内部電極が形威されるとも
に、複数枚積層されて積層ブロック８が得られているも
のとする（第４図に示す）。この積層ブロック８を積層
方向に対して垂直に切断してウェハ（小さい積層ブロッ
ク）５を得、脱バインダし、かつ、雰囲気焼成するが、
そのウェハ５を上記治具６のＶ溝６ａに載置して行なう
ことなる．なお、ウェハ５の厚さや形は、例えば最終ペ
レットの形状、つまりＰＬＺＴ表示ディバイスの形状と
してもよい．このとき、第ｌ図および第２図に示されて
いるように、複数のウェハ５をＶ溝６ａに立てがけるが
、端抑え板６ｂ，６ｂの間に多孔質サポート板７を介し
、かつ、それらの間に隙間が生じないように行われる。
６５／３５；Ｌａ／Ｚｒ／Ｔｉ ｒａｔｉｏ；グリーン
シ一ト）が得られ、この生シートが所定サイズに切断さ
れ、かつ、この切断ウェハに内部電極が形威されるとも
に、複数枚積層されて積層ブロック８が得られているも
のとする（第４図に示す）。この積層ブロック８を積層
方向に対して垂直に切断してウェハ（小さい積層ブロッ
ク）５を得、脱バインダし、かつ、雰囲気焼成するが、
そのウェハ５を上記治具６のＶ溝６ａに載置して行なう
ことなる．なお、ウェハ５の厚さや形は、例えば最終ペ
レットの形状、つまりＰＬＺＴ表示ディバイスの形状と
してもよい．このとき、第ｌ図および第２図に示されて
いるように、複数のウェハ５をＶ溝６ａに立てがけるが
、端抑え板６ｂ，６ｂの間に多孔質サポート板７を介し
、かつ、それらの間に隙間が生じないように行われる。
続いて、上記ウェハ５を治具６に載置したまま、従来同
様にして、例えば数時間の加熱によりバインダを除去し
、かつ、雰囲気焼成を行なうことになる。この脱バンイ
ダに際し、ウェハ５が板状であることから、またそれら
ウェハ５を多孔質サポート板７ではさんでいることから
、バインダが抜け易く、そのバインダ抜きが均一に行わ
れる。そのため、上記脱バインダ、雰囲気焼成に際し、
生シートの積層部分で剥離が生じることもなく、またウ
ェハ５の形状を小さくしたことから、収縮率が小さく、
亀裂が生じたリせず、しがもその亀裂による反りもなく
なる。さらに、それらウェハ５が板状であるため、反り
が生じることもあることから、端抑え板６ｂおよび多孔
質サポート板７により抑え、その反りを防止している． ［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ表示ディバイ
スの作製治具およびそのディバイスの製造方法↓こよれ
ば、内部電極を形成した生シートを積層し、この積層ブ
ロックを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成して積層型Ｐ
ＬＺＴを得るに際し、その積層ブロックを所定厚さに切
断してウェハとし、これらウェハを治具（セラミック）
のＶ溝に載置するとともに、それらウェハを端抑え板お
よび多孔質サポート板（セラミック）で抑え、かつ、そ
の多孔質サポートを各ウェハ間に隙間なく設け、この状
態でウェハを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成するよう
にしたので、ＰＬＺＴ表示ディバイスに用いるＰＬＺＴ
プレートの欠陥、積層部分の剥離、亀裂や反りを防止す
ることができ、ＰＬＺＴ表示ディバイスの歩留まりを向
上させることができる。
様にして、例えば数時間の加熱によりバインダを除去し
、かつ、雰囲気焼成を行なうことになる。この脱バンイ
ダに際し、ウェハ５が板状であることから、またそれら
ウェハ５を多孔質サポート板７ではさんでいることから
、バインダが抜け易く、そのバインダ抜きが均一に行わ
れる。そのため、上記脱バインダ、雰囲気焼成に際し、
生シートの積層部分で剥離が生じることもなく、またウ
ェハ５の形状を小さくしたことから、収縮率が小さく、
亀裂が生じたリせず、しがもその亀裂による反りもなく
なる。さらに、それらウェハ５が板状であるため、反り
が生じることもあることから、端抑え板６ｂおよび多孔
質サポート板７により抑え、その反りを防止している． ［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ表示ディバイ
スの作製治具およびそのディバイスの製造方法↓こよれ
ば、内部電極を形成した生シートを積層し、この積層ブ
ロックを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成して積層型Ｐ
ＬＺＴを得るに際し、その積層ブロックを所定厚さに切
断してウェハとし、これらウェハを治具（セラミック）
のＶ溝に載置するとともに、それらウェハを端抑え板お
よび多孔質サポート板（セラミック）で抑え、かつ、そ
の多孔質サポートを各ウェハ間に隙間なく設け、この状
態でウェハを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成するよう
にしたので、ＰＬＺＴ表示ディバイスに用いるＰＬＺＴ
プレートの欠陥、積層部分の剥離、亀裂や反りを防止す
ることができ、ＰＬＺＴ表示ディバイスの歩留まりを向
上させることができる。
第１図および第３図はこの発明の一実施例を示すＰＬＺ
Ｔ表示ディバイスの製造装置の概略的斜視図正面図およ
び断面図、第４図は上記ＰＬＺＴ表示ディバイスの製造
方法を説明するための図、第５図乃至第７図は上記ＬＰ
ＺＴ表示ディバイスの製造方法を説明するための概略的
製造工程図、第８図および第９図は従来のＰＬＺＴ表示
ディバイスの製造方法にける欠陥を説明する図である。 図中、５はウェハ、６は治具（セラミック）、６ａは■
溝、６ｂは端抑え板（セラミック）、７は多孔質サポー
ト板（セラミック）、８は積層ブロックである。
Ｔ表示ディバイスの製造装置の概略的斜視図正面図およ
び断面図、第４図は上記ＰＬＺＴ表示ディバイスの製造
方法を説明するための図、第５図乃至第７図は上記ＬＰ
ＺＴ表示ディバイスの製造方法を説明するための概略的
製造工程図、第８図および第９図は従来のＰＬＺＴ表示
ディバイスの製造方法にける欠陥を説明する図である。 図中、５はウェハ、６は治具（セラミック）、６ａは■
溝、６ｂは端抑え板（セラミック）、７は多孔質サポー
ト板（セラミック）、８は積層ブロックである。
Claims (4)
- （１）電極を形成したＰＬＺＴ生シートの積層ブロック
から所定厚さに切断された複数枚のウェハがその切断面
を垂直として並設される治具と、該ウェハの間に配置さ
れる多孔質サポート板と、その両端に設けられる端抑え
板とを備えたことを特徴とするＰＬＺＴ表示ディバイス
の製造装置。 - （２）前記治具、多孔質サポート板および端抑え板はセ
ラミックである請求項（１）記載のＰＬＺＴ表示ディバ
イスの製造装置。 - （３）前記治具には前記ウェハの形状に適合する溝を設
けた請求項（１）記載のＰＬＺＴ表示ディバイスの製造
装置。 - （４）電極を形成したＰＬＺＴ生シートを積層し、該積
層ブロックを所定厚さに切断し、該切断ウェハを脱バイ
ンダし、かつ、雰囲気焼成してＰＬＺＴプレートとし、
該ＰＬＺＴプレートによりＰＬＺＴ表示ディバイスを得
るようにしたことを特徴とするＰＬＺＴ表示ディバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267087A JPH0734073B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造装置およびそのディバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267087A JPH0734073B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造装置およびそのディバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206420A true JPH03206420A (ja) | 1991-09-09 |
| JPH0734073B2 JPH0734073B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=17439863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1267087A Expired - Lifetime JPH0734073B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造装置およびそのディバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734073B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101934558A (zh) * | 2010-08-13 | 2011-01-05 | 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 | 硅棒切片方法 |
| US9699370B2 (en) | 2006-12-15 | 2017-07-04 | Hand Held Products, Inc. | Apparatus and method comprising deformable lens element |
| US9739911B2 (en) | 2006-12-15 | 2017-08-22 | Hand Held Products, Inc. | Focus module and components with actuator |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235921A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シヤツタ素子 |
| JPS63256921A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-24 | Mitsubishi Kasei Corp | 電気光学素子 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1267087A patent/JPH0734073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235921A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シヤツタ素子 |
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| CN101934558A (zh) * | 2010-08-13 | 2011-01-05 | 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 | 硅棒切片方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734073B2 (ja) | 1995-04-12 |
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