JPH03127021A - Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はＰＬＺＴ　（透明なセラミック）の複屈折を
利用し、光シャッタやデイスプレィとして用いられるＰ
ＬＺＴ表示ディバイスの製造方法に係り、更に詳しくは
生シートを積層したブロックを脱バインダし、かつ、雰
囲気焼成するに際し、その積層ブロックを亀裂（ｃｒａ
ｃｋ）や剥離（ｄａｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）等の発生を
抑制するＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法に関するも
のである。

［従　来　例］ 近年、　ＰＺＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰ
ＬＺＴ（ＰｂＯ，Ｌａｄ、　ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シ
ャッタやデイプレイに用いられようとしている。このＰ
ＬＺＴを表示ディバイスに利用する例としては、例えば
特願昭６３−１０８６４８号があり、ＰＬＺＴ表示ディ
バイスおよびその製造工程、さらにはその利用（ライト
パルプ型プロジェクタ〉が説明されている。

ここで、上記特願昭６３−１０８６４８号の内容を第５
図乃至第７図を参照して簡単に説明すると、　ＰＬＺＴ
表示ディバイスに用いるＰＬＺＴプレートを得るに際し
、ＰＬＺＴの生シート（９／６５／３５：Ｌａ／Ｚｒ／
Ｔｉ　ｒａｔｉｏ　；グリーンシート）を出発原料とし
、その生シートに内部電極（例えば垂直走査内部電極ｌ
、水平走査内部電極２）を形成し、これら垂直走査内部
電極１を形成した生シート３とを水平走査内部電極２を
形成した生シート３とを交互に積層し、この積層ブロッ
クを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成して積層型ＰＬＺ
Ｔ　４と−し、この積層型ＰＬＺＴ　４を所定厚さ（例
えば１．０ｍ）に切断するとともに、この切断ウェハの
両面を研磨して上記ＰＬＺＴプレート５を得ている。す
なわち、ＰＬＺＴプレート５の出発原料が生シート５で
あるため、ＰＬＺＴの透過率の向上を図ることができ、
安価な炉や装置でよくなった。

また、　ＰＬＺＴプレート５が積層型内部電極構造にな
っていることから、駆動電圧を低くすることが可能にも
なっている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記ＰＬＺＴ表示ディバイスおよびそのディ
バイスの製造方法においては、上記積層ブロックを脱バ
インダし、かつ、雰囲気焼成しているが、そのバインダ
抜きが均一に行われないこともある。すなわち、ガス気
体化したバインダを抜くに際し、積層ブロックの表面に
近い程バインダの抜けが良いが、その表面より遠いバイ
ンダは抜けにくいからである。このように、バインダ抜
けが均一でないと、雰囲気焼成して得た積層型ＰＬＺＴ
　４に欠陥を生じることにもなる。すなわち、第８図お
よび第９図に示されているように、積層型ＰＬＺＴ４に
亀裂（ｃｒａｃｋ）を生じたり、またその積層ブロック
を構成する生シート３の積層部分が剥離（ｄｅ−Ｌａｍ
ｉｎａｔｉｏｎ）することもあり、これら欠陥を有する
積層型ＰＬＺＴ　４からはＰＬＺＴ表示ディバイスとす
るＰＬＺＴプレート５を得ることができない。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は積層ブロックを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成し
て積層型ＰＬＺＴを得るに際し、欠陥の発生を抑え、Ｐ
ＬＺＴ表示ディバイスの歩留まりの向上を図ることがで
きるようにしたＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法を提
供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ表示デ
ィバイスの製造方法は、電極を形成したＰＬＺＴの生シ
ートを積層し、この積層ブロックを脱バインダし、かつ
、雰囲気焼成してＰＬＺＴプレートを得るに際し、上記
積層ブロックに貫通孔をその積層方向に形成し、かつ、
この積層ブロックを所定温度プロフィールにしたがって
脱バインダするようにしたことを要旨とする。

［作　　用］ 上記方法としたので、　ＰＬＺτ表示ディバイスの積層
型ＰＬＺＴを得るに際し、積層方向に複数個の貫通孔を
形成した積層ブロックを脱バインダし、力２つ、雰囲気
焼成する。すると、ガス気体化したバインダは上記積層
ブロックの表面からだけなく、上記複数の貫通孔からも
抜け、しかもそのバインダ抜けが均一に行われる。また
、上記脱バインダおよび雰囲気焼成が炉内で行われるが
、その炉内の温度がバインダの種類に応じたプロフィー
ルにしたカ、ってコントロールされるため、積層ブロッ
クのバインダ抜きが確実に行われる。

このように、脱バインダおよび雰囲気焼成に際し、バイ
ンダが均一に抜かれ、かつ、残ることもないため、焼結
する積層型ＰＬＯＴの欠陥、亀裂や剥離を抑制すること
が可能になる。

〔実　施　例］ 以下、この発明の実施例を第１図乃至第４図に基づいて
説明する。

第１図および第２図において、電極６を形成したＰＬＺ
Ｔの生シート（例えば９／６５／３５　：、　Ｌａ、　
Ｚｒ／Ｔｉｒａｔｉｏ；グリーンシート）７を複数枚積
層した積層ブロック８には貫通孔９がその積層方向に複
数個形成されている。なお、貫通孔９は積層方向に複数
個が好ましいが、この方向に限らなくともよく、また一
つであってもよい、また１貫通孔９は焼成前であること
から４例えばボール盤等にて形成することができ、さら
にその貫通孔９の形成に際し、ペレットとなる部分（電
極６が形成されている部分Ｈａｃｔ−ｉｖａ　ａｒｅａ
）１０を避けて設けられている。

次に、上記積層ブロック８によるＰＬＺＴ表示ディバイ
スの製造方法を第Ｓ図の断面図および第４図の温度プロ
フィールに基づいて説明する。

まず、従来同様にして、電極６を形成した生シート７を
複数枚積層し１例えば寸法６０Ｘ２０Ｘ５０の積層ブロ
ック８を得、この積層ブロック８をにボール盤等を用い
てその積層方向に貫通孔９を形成する。

この場合、ペレットとなる部分１０以外の領域にその貫
通孔９を複数個形成し、この積層ブロック８の脱バイン
ダを行なうことになるが、この脱バインダに際し、バイ
ンダをガス気体化して抜くため、炉内が所定温度プロフ
ィールでコントロールされる。この実施例では、第４図
に示す温度プロフィールにより、炉内温度を０．０５℃
／ｗｉｎ、で１６０℃まで上げ、この１６０℃を２０ｈ
ｒ、保ち、この後０．０５℃／ｗｉｎ、で２５０℃まで
上げ、この２５０℃を２０ｈｒ、保ち。

さらにこの後０．０５℃／ｗｉｎ、で４５０℃まで上げ
、この４５０℃を２０ｈｒ、保ってバインダを抜いてい
る。そして、その４５０℃を２０ｈｒ、保った後、つま
りバインダを抜いた後、炉内温度を１℃／■ｉｎ、で下
げて積層ブロック８を冷却している。この温度プロフィ
ールにしたがって、上記貫通孔９を有する積層ブロック
８および従来の積層ブロックの脱バインダを行なったと
き、積層ブロック８の焼結時に亀裂（ｃｒａｋ）や剥１
ｉ　（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生せず、従来の
積層ブロックの焼結時に第８図および第９図に示す亀裂
や剥離が発生するという結果が得られた。

これら結果から、積層ブロック８の積層高さが２５旧以
上になる程、上記貫通孔９が効果的に作用することが判
り、焼結する積層型ＰＬＺＴの欠陥を有効に抑えること
ができる。

ここで、上記積層ブロック８の脱バインダを第３図を参
照してさらに詳しく説明すると、ガス気体化したバイン
ダは最も近い表面から抜けるが、同図の矢印に示される
ように、例えば表面から遠い領域のガス気体化したバイ
ンダが積層方向から抜ける割合が大きいことから、貫通
孔９を積層方向に形成することにより、バインダが抜は
易くなっている。

なお、従来同様に、上記脱バインダとともに、上記積層
ブロック８は同炉内で雰囲気焼成が行われ、積層型ＰＬ
ＺＴとされる。そして、その積層型ＰＬＺＴを所定厚さ
に切断してＰＬＺＴプレートを得、かつ、このＰＬＺＴ
プレートの両面を研磨することにより、ＰＺＴ表示ディ
バイスの原形を得ることができる。

また、上記実施例の貫通孔９に代え、例えば貫通しない
穴を複数個形成するようにしてもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ表示ディバイ
スの製造方法によれば、積層ブロックを脱バインダし、
かつ、雰囲気焼成して積層型ＰＬＺＴを得るに際し、そ
の積層ブロックに貫通孔を形成し、この積層ブロックを
所定温度プロフィールにしたがって脱バインダするよう
にしたので、ガス気体化したバインダが容易、かつ、均
一に抜け、積層型ＰＬＺＴの欠陥（積層部分の剥離、亀
裂）の発生を抑制することができ、この積層型ＰＬＺＴ
により得るＰＬＺＴ表示ディバイスの歩留まりの向上を
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示し、ＰＬ
ＺＴ表示ディバイスの製造方法が適用される積層ブロッ
クの概略的斜視図および概略的断面図。 すＰＬＺＴファイバケーブルの概略的断面図、第３同は
上記ＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法を説明するため
の図、第４図は上記積層ブロックを脱バインダするとき
の温度プロフィールのグラフ図、第５図乃至第７図は従
来のＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法を説明するため
の概略的工程図、第８図および第９図は従来の製造方法
により発生する欠陥を説明するための同である。 図中、６は電極、７は生シート（グリ−シート）、８は
積層ブロック、９は貫通孔、１０はベレット（ａＣｔｉ
ｖｅ　ｅｒｅａ）である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極を形成したＰＬＺＴの生シートを積層し、該
   積層ブロックを脱バインダし、かつ、雰囲気焼成してＰ
   ＬＺＴプレートを得るに際し、前記積層ブロックに貫通
   孔を形成し、かつ、該積層ブロックを所定温度プロフィ
   ールにしたがって脱バインダするようにしたことを特徴
   とするＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法。
2. （２）前記貫通孔はペレットを避け、複数個設けた請求
   項（１）記載のＰＬＺＴ表示ディバイスの製造方法。