JPH03205831A - バイポーラトランジスタ - Google Patents
バイポーラトランジスタInfo
- Publication number
- JPH03205831A JPH03205831A JP187890A JP187890A JPH03205831A JP H03205831 A JPH03205831 A JP H03205831A JP 187890 A JP187890 A JP 187890A JP 187890 A JP187890 A JP 187890A JP H03205831 A JPH03205831 A JP H03205831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- electrode
- polysilicon
- opening
- bipolar transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラトランジスタに関し、特にエミッタ
とベース引き出し電極とがセルファラインで形威されエ
ミッタがらボリシリコンエミッタ電極が引出されたバイ
ポーラトランジスタに関する。
とベース引き出し電極とがセルファラインで形威されエ
ミッタがらボリシリコンエミッタ電極が引出されたバイ
ポーラトランジスタに関する。
第３図を参照すると、従来のこの種のバイポーラトラン
ジスタはシリコン基板２１上に形成された厚い絶縁膜２
２の一部が開孔され、その間孔部の基板表面に活性ベー
ス２７、グラフトベース２６、エミッタ２８が形戒され
、開孔部がらボリシリコンのベース引出電極２３およぴ
エミッタ電極２５が引き出される構造を有している。こ
の構造はグラフトベース２６およびその引出し電極２３
とエミッタ２８とがセルファラインで形成されるため両
者の間隔を狭くしてトランジスタの寸法を小さくするこ
とができ、ベース・コレクタ容量の低減およびベース抵
抗の低減が可能になり、より高速動作をするバイポーラ
トランジスタが可能になった。上記のセルファラインは
、まずＰ型ポリシリコンのベース引出し電８ｉ！２３を
用いてグラフトベース２６を拡散形戒し活性ベース領域
２７を形成した後にベース引出し電ｆｉ２Ｂと活性ベー
ス領域２７との表面を絶縁膜２４で覆い、エッチバック
によってエミッタ開孔を形成し、Ｎ型ボリシリコン膜２
５を形成してこのＮ型ボリシリコン膜２５を拡散源とし
て極めて薄いエミッタ拡散層２８を形戒する（この結果
、ペースエミツタ容量も低減する）ことによって達戒さ
れる。
ジスタはシリコン基板２１上に形成された厚い絶縁膜２
２の一部が開孔され、その間孔部の基板表面に活性ベー
ス２７、グラフトベース２６、エミッタ２８が形戒され
、開孔部がらボリシリコンのベース引出電極２３およぴ
エミッタ電極２５が引き出される構造を有している。こ
の構造はグラフトベース２６およびその引出し電極２３
とエミッタ２８とがセルファラインで形成されるため両
者の間隔を狭くしてトランジスタの寸法を小さくするこ
とができ、ベース・コレクタ容量の低減およびベース抵
抗の低減が可能になり、より高速動作をするバイポーラ
トランジスタが可能になった。上記のセルファラインは
、まずＰ型ポリシリコンのベース引出し電８ｉ！２３を
用いてグラフトベース２６を拡散形戒し活性ベース領域
２７を形成した後にベース引出し電ｆｉ２Ｂと活性ベー
ス領域２７との表面を絶縁膜２４で覆い、エッチバック
によってエミッタ開孔を形成し、Ｎ型ボリシリコン膜２
５を形成してこのＮ型ボリシリコン膜２５を拡散源とし
て極めて薄いエミッタ拡散層２８を形戒する（この結果
、ペースエミツタ容量も低減する）ことによって達戒さ
れる。
上述した従来の技術では、エミッタボリシリコン電極２
５が開孔部内で基板表面に対して垂直となっている部分
がある。これは絶縁膜２４のエッチバックによってエミ
ッタ２８とグラフトベース２６を分離するための絶縁膜
２４−１を形戒する際に、エッチバック技術を用いる結
果として基板表面に対して垂直な側壁のみ絶縁膜２４−
１が存在するようになるためである。従ってこの側壁２
４−１に接しているエミッタポリシリコン電極２５は基
板に対して垂直となってしまう．このため、ポリシリコ
ンエミツタ引出し電極２５の表面に形戒する良導電性配
線金属（たとえばアルミニウム）３６が第３図に示すよ
うに断線し分離してしまい、エミッタ抵抗が増大してし
まうという問題点があった。バイポーラトランジスタを
さらに高速化、高密度化するには、エミッタ部をさらに
微細化しなければならない。従来の技術では、エミッタ
引出しポリシリコン電極に基板面に対して垂直な部分が
存在するためエミツタを横方向に縮小しようとしても配
線金属のエミッタ電極上での断線のためエミッタ抵抗を
低減できず高速化が困難であった。
５が開孔部内で基板表面に対して垂直となっている部分
がある。これは絶縁膜２４のエッチバックによってエミ
ッタ２８とグラフトベース２６を分離するための絶縁膜
２４−１を形戒する際に、エッチバック技術を用いる結
果として基板表面に対して垂直な側壁のみ絶縁膜２４−
１が存在するようになるためである。従ってこの側壁２
４−１に接しているエミッタポリシリコン電極２５は基
板に対して垂直となってしまう．このため、ポリシリコ
ンエミツタ引出し電極２５の表面に形戒する良導電性配
線金属（たとえばアルミニウム）３６が第３図に示すよ
うに断線し分離してしまい、エミッタ抵抗が増大してし
まうという問題点があった。バイポーラトランジスタを
さらに高速化、高密度化するには、エミッタ部をさらに
微細化しなければならない。従来の技術では、エミッタ
引出しポリシリコン電極に基板面に対して垂直な部分が
存在するためエミツタを横方向に縮小しようとしても配
線金属のエミッタ電極上での断線のためエミッタ抵抗を
低減できず高速化が困難であった。
本発明の目的は、エミッタ抵抗を増大させずにエミッタ
の微細化が可能なバイポーラトランジスタを提供するこ
とにある。
の微細化が可能なバイポーラトランジスタを提供するこ
とにある。
本発明のバイポーラトランジスタは、エミツタボリシリ
コン電極が絶縁膜開孔部内において基板表面に対して斜
めに引き出されるという構造を有している。
コン電極が絶縁膜開孔部内において基板表面に対して斜
めに引き出されるという構造を有している。
すなわち本発明は、半導体基板上に形成された絶縁膜の
一部が開孔され、該開孔部の半導体基板表面に活性ベー
ス領域、グラフトベース領域およびエミッタが形成され
、該開孔部からベース、引き出し用電極およびポリシリ
コンからなるエミツタ電極が引き出されるバイポーラト
ランジスタにおいて、前記ポリシリコンエミツタ電極は
前記エミッタに接する第１の部分とこの第１の部分から
延長して絶縁層を介して前記ベース引き出し用電極上を
前記開孔部の半導体基板表面に対して斜めに延在して引
き出される第２の部分とを有し、前記ポリシリコンエミ
ッタ電極の第１の部分および第２の部分の表面には良導
電性金属層が一体的に延在していることを特徴とする。
一部が開孔され、該開孔部の半導体基板表面に活性ベー
ス領域、グラフトベース領域およびエミッタが形成され
、該開孔部からベース、引き出し用電極およびポリシリ
コンからなるエミツタ電極が引き出されるバイポーラト
ランジスタにおいて、前記ポリシリコンエミツタ電極は
前記エミッタに接する第１の部分とこの第１の部分から
延長して絶縁層を介して前記ベース引き出し用電極上を
前記開孔部の半導体基板表面に対して斜めに延在して引
き出される第２の部分とを有し、前記ポリシリコンエミ
ッタ電極の第１の部分および第２の部分の表面には良導
電性金属層が一体的に延在していることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図を参照すると、本発明の実施例のノくイボーラト
ランジスタはコレクタ領域となるＮ型シリコン基板１上
に形戒された厚いシリコン酸化膜２の一部に開孔を有し
、この間孔部の基板表面にＰ１型グラフトベース６、Ｐ
型活性ベース７、Ｎ型エミッタ８が形成され、グラフト
ベース６の引出し電極としてＰ型ボリシリコン膜３が斜
めに引出されて厚いシリコン酸化膜２上に延在し、エミ
ッタ８からの引出し電極としてＮ型ボリシリコン膜５が
エミツタ８に底部でコントクトするとともにベース引出
し電極３の斜めに引き出された部分の上を絶縁膜（この
実施例ではシリコン窒化膜）４を介して斜めに引き出さ
れている。このため、エミッタ引出し電極５上の良導電
性配線金属（この実施例ではアルミニウム）１６は断線
することなくエミッタ引出し電極の底部（コンタクト部
〉から斜めの引出し部にかけて一休的に連続して形成さ
れる。
ランジスタはコレクタ領域となるＮ型シリコン基板１上
に形戒された厚いシリコン酸化膜２の一部に開孔を有し
、この間孔部の基板表面にＰ１型グラフトベース６、Ｐ
型活性ベース７、Ｎ型エミッタ８が形成され、グラフト
ベース６の引出し電極としてＰ型ボリシリコン膜３が斜
めに引出されて厚いシリコン酸化膜２上に延在し、エミ
ッタ８からの引出し電極としてＮ型ボリシリコン膜５が
エミツタ８に底部でコントクトするとともにベース引出
し電極３の斜めに引き出された部分の上を絶縁膜（この
実施例ではシリコン窒化膜）４を介して斜めに引き出さ
れている。このため、エミッタ引出し電極５上の良導電
性配線金属（この実施例ではアルミニウム）１６は断線
することなくエミッタ引出し電極の底部（コンタクト部
〉から斜めの引出し部にかけて一休的に連続して形成さ
れる。
次に、第１図の実施例の製造工程を第２図（ａ）乃至（
ｆ）を参照して説明する． まず第２図（ａ）に示すようにＮ型シリコン基板１上に
シリコン窒化膜９を５００〜ＩＯＯＯＡ成長させ、通常
のリソグラフィー技術とエッチング技術で開孔部となる
べき部分以外の不要なシリコン窒化膜を除去し、９５０
℃〜１０５０℃でスチーム酸化を行ない４０００〜５０
００Ａのシリコン酸化膜２を形成する。この時シリコン
酸化膜は、２０００〜２ ５ ’Ｏ Ｏ Ａ程度基板か
ら突出する。また非酸化領域と酸化領域の境界では第２
図（ａ）に示したようにシリコン酸化膜２は約４５゜の
傾斜を持つ。
ｆ）を参照して説明する． まず第２図（ａ）に示すようにＮ型シリコン基板１上に
シリコン窒化膜９を５００〜ＩＯＯＯＡ成長させ、通常
のリソグラフィー技術とエッチング技術で開孔部となる
べき部分以外の不要なシリコン窒化膜を除去し、９５０
℃〜１０５０℃でスチーム酸化を行ない４０００〜５０
００Ａのシリコン酸化膜２を形成する。この時シリコン
酸化膜は、２０００〜２ ５ ’Ｏ Ｏ Ａ程度基板か
ら突出する。また非酸化領域と酸化領域の境界では第２
図（ａ）に示したようにシリコン酸化膜２は約４５゜の
傾斜を持つ。
次にシリコン窒化Ｍ９を除去し、第２図（ｂ）に示すよ
うにノンドープのポリシリコン膜３−２を２０００〜３
０ ０ ０Ａ成長させさらにシリコン窒化ＭｌＯをそ
の上に５００〜１５００Ａ成長し、次にスピンオンガラ
ス膜１１をスピンコートする。その上からボロンをイオ
ン注入し、その注入エネルギーを適当に選ぶことによっ
て開孔部上以外の部分のポリシリコン膜３−１にボロン
をドープさせ、Ｐ型不純物を多量に含む部分３−１とノ
ンドーブのままである部分３−２とにポリシリコン膜を
形成する． 次にスビンオングラス膜を除去して９００℃〜１０００
℃の熱処理を行なうとボロンの拡散が起こり、第２図（
ｃ）に示すようにＰ型ボリシリコン３−１が広がり、シ
リコン基板１にボロンが到達して拡散されグラフトベー
ス６を形成する．この時温度と時間とを調節して開孔部
周辺のグラフトベース６が中央で合体しないように開孔
部中央にノンドーブボリシリコン部分３−２が残存する
ように制御しなければならない。
うにノンドープのポリシリコン膜３−２を２０００〜３
０ ０ ０Ａ成長させさらにシリコン窒化ＭｌＯをそ
の上に５００〜１５００Ａ成長し、次にスピンオンガラ
ス膜１１をスピンコートする。その上からボロンをイオ
ン注入し、その注入エネルギーを適当に選ぶことによっ
て開孔部上以外の部分のポリシリコン膜３−１にボロン
をドープさせ、Ｐ型不純物を多量に含む部分３−１とノ
ンドーブのままである部分３−２とにポリシリコン膜を
形成する． 次にスビンオングラス膜を除去して９００℃〜１０００
℃の熱処理を行なうとボロンの拡散が起こり、第２図（
ｃ）に示すようにＰ型ボリシリコン３−１が広がり、シ
リコン基板１にボロンが到達して拡散されグラフトベー
ス６を形成する．この時温度と時間とを調節して開孔部
周辺のグラフトベース６が中央で合体しないように開孔
部中央にノンドーブボリシリコン部分３−２が残存する
ように制御しなければならない。
次にシリコン窒化ｗＡ１０を除去しＫＯＨ液又はヒドラ
ジン液などのアルカリ液でノンドープのポリシリコン部
分３−２のみを選択的にエッチング除去する。次にボロ
ンのイオン注入を行い、第２図（ｄ）に示すように活性
ベース７を形成し、シリコン窒化ｗｉｌ１４を１０００
〜２０００Ａ、ノンドーブボリシリコン膜１２を４００
Ａ〜８００Ａ順次成長させ、さらにスビンオンガラス膜
１３をスビンコートする． 次にその上からＢＦ２をイオン注入して開孔部以外の部
分のノンドープボリシリコン膜１２にボロンを導入して
前記第２図（ｂ）と同じやり方でこのボロンを拡散させ
、ポリシリコン膜１２の開孔部底部の部分だけをノンド
ープに残す。そして第２図（ｅ）に示すように底部のノ
ンドーブボリシリコンのみ選択的に除去する。
ジン液などのアルカリ液でノンドープのポリシリコン部
分３−２のみを選択的にエッチング除去する。次にボロ
ンのイオン注入を行い、第２図（ｄ）に示すように活性
ベース７を形成し、シリコン窒化ｗｉｌ１４を１０００
〜２０００Ａ、ノンドーブボリシリコン膜１２を４００
Ａ〜８００Ａ順次成長させ、さらにスビンオンガラス膜
１３をスビンコートする． 次にその上からＢＦ２をイオン注入して開孔部以外の部
分のノンドープボリシリコン膜１２にボロンを導入して
前記第２図（ｂ）と同じやり方でこのボロンを拡散させ
、ポリシリコン膜１２の開孔部底部の部分だけをノンド
ープに残す。そして第２図（ｅ）に示すように底部のノ
ンドーブボリシリコンのみ選択的に除去する。
次に９００℃〜９５０℃でスチーム酸化を行ない、残存
したＰ型ポリシリコン膜１２−１を完全にシリコン酸化
膜に変化させ、そのシリコン酸化膜をマスクにしてシリ
コン窒化膜１４をウェットエッチし、第２図（ｆ）に示
すようにベース引出電極３を覆う部分４を残してエミッ
タ予定部分の基板表面を露出させる。次に前記マスクと
して使用したシリコン酸化膜をフッ酸で除去し、Ｎ型ボ
リシリコン膜１５を戒長して９００℃〜９５０℃の熱処
理を行ない活性ベース７にＮ形不純物を導入して、エミ
ッタ８を形成する。
したＰ型ポリシリコン膜１２−１を完全にシリコン酸化
膜に変化させ、そのシリコン酸化膜をマスクにしてシリ
コン窒化膜１４をウェットエッチし、第２図（ｆ）に示
すようにベース引出電極３を覆う部分４を残してエミッ
タ予定部分の基板表面を露出させる。次に前記マスクと
して使用したシリコン酸化膜をフッ酸で除去し、Ｎ型ボ
リシリコン膜１５を戒長して９００℃〜９５０℃の熱処
理を行ない活性ベース７にＮ形不純物を導入して、エミ
ッタ８を形成する。
次にＮ形ポリシリコン１５をパターニングして第１図の
ようにエミッタ引出電極５を形戒し配線金属としてアル
ミニウム１６をその上に形成する． 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によればボリシリコのエミ
ッタ電極を斜めに引出すことによって配線金属の断切れ
の発生を防止することができ、エミッタを微細化させて
もエミッタ抵抗の増加を抑えることができる。
ようにエミッタ引出電極５を形戒し配線金属としてアル
ミニウム１６をその上に形成する． 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によればボリシリコのエミ
ッタ電極を斜めに引出すことによって配線金属の断切れ
の発生を防止することができ、エミッタを微細化させて
もエミッタ抵抗の増加を抑えることができる。
エミッタ巾１．０μ、アスペクト比０．６の従来構造の
バイポーラトランジスタに対して、同じエミッタ巾同じ
アスペクト比で、本発明のバイポーラトランジスタはエ
ッタ抵抗が約４０％程度改善された。
バイポーラトランジスタに対して、同じエミッタ巾同じ
アスペクト比で、本発明のバイポーラトランジスタはエ
ッタ抵抗が約４０％程度改善された。
第１図は本発明の実施例のバイポーラトランジスタの断
面図、第２図（ａ）〜第２図（ｆ）は第１図のバイポー
ラトランジスタの各製造工程における断面図、第３図は
従来のバイポーラトランジスタの断面図である． 図において、１．２１・・・Ｎ型シリコン（基板）、２
，２２・・・シリコン酸化膜、３．３−１．１２−１．
２３・・・Ｐ型ボリシリコン、３−２．１２・・・ノン
ドーブボリシリコン、５．１５．２５・・・Ｎ型ボリシ
リ゛コン、４，１４．９・・・シリコン窒化膜、２４・
・・絶縁膜、２４−１・・・絶縁膜（側壁）、６．２６
・・・グラフトベース、７．２７・・・活性ベース、８
．２８・・・エミッタ、１６．３６・・・アルミニウム
．
面図、第２図（ａ）〜第２図（ｆ）は第１図のバイポー
ラトランジスタの各製造工程における断面図、第３図は
従来のバイポーラトランジスタの断面図である． 図において、１．２１・・・Ｎ型シリコン（基板）、２
，２２・・・シリコン酸化膜、３．３−１．１２−１．
２３・・・Ｐ型ボリシリコン、３−２．１２・・・ノン
ドーブボリシリコン、５．１５．２５・・・Ｎ型ボリシ
リ゛コン、４，１４．９・・・シリコン窒化膜、２４・
・・絶縁膜、２４−１・・・絶縁膜（側壁）、６．２６
・・・グラフトベース、７．２７・・・活性ベース、８
．２８・・・エミッタ、１６．３６・・・アルミニウム
．
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜の一部が開孔され、該
開孔部の半導体基板表面に活性ベース領域、グラフトベ
ース領域およびエミッタが形成され、該開孔部からベー
ス引き出し用電極およびポリシリコンからなるエミッタ
電極が引き出されるバイポーラトランジスタにおいて、
前記ポリシリコンエミッタ電極は前記エミッタに接する
第１の部分とこの第１の部分から延長して絶縁層を介し
て前記ベース引き出し用電極上を前記開孔部の半導体基
板表面に対して斜めに延在して引き出される第２の部分
とを有し、前記ポリシリコンエミッタ電極の第１の部分
および第２の部分の表面には良導電性金属層が一体的に
延在していることを特徴とするバイポーラトランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP187890A JPH03205831A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP187890A JPH03205831A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205831A true JPH03205831A (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11513819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP187890A Pending JPH03205831A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03205831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456005B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-11-08 | 주식회사 케이이씨 | 접합형 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그의 전극 제조방법 |
| US20140048917A1 (en) * | 2010-01-18 | 2014-02-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Em protected semiconductor die |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP187890A patent/JPH03205831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456005B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-11-08 | 주식회사 케이이씨 | 접합형 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그의 전극 제조방법 |
| US20140048917A1 (en) * | 2010-01-18 | 2014-02-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Em protected semiconductor die |
| US9275957B2 (en) * | 2010-01-18 | 2016-03-01 | Semiconductor Components Industries, Llc | EM protected semiconductor die |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2728671B2 (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JP2568316B2 (ja) | 半導体メモリの製造方法 | |
| JPH0253944B2 (ja) | ||
| JPS63193562A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPH05206451A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔおよびその製造方法 | |
| JPS60202965A (ja) | 改良した酸化物画定型トランジスタの製造方法及びその結果得られる構成体 | |
| US4713355A (en) | Bipolar transistor construction | |
| US5994196A (en) | Methods of forming bipolar junction transistors using simultaneous base and emitter diffusion techniques | |
| JPH03205831A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
| US5747374A (en) | Methods of fabricating bipolar transistors having separately formed intrinsic base and link-up regions | |
| JPH06310718A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ素子の製造方法 | |
| US6060365A (en) | Method for fabricating a bipolar transistor | |
| JPS5940571A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05343413A (ja) | バイポーラトランジスタとその製造方法 | |
| JP3186676B2 (ja) | 半導体装置の構造と製法 | |
| KR100286349B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS5875870A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6295871A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63114261A (ja) | トランジスタ用の自己整合型ベース分路 | |
| JPH0571191B2 (ja) | ||
| JPH04233234A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06104427A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06132295A (ja) | バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS59107562A (ja) | 半導体装置とその製造法 | |
| JPH0766214A (ja) | バイポーラ型半導体集積回路装置の製造方法 |