JPH03205065A

JPH03205065A - 低周波刺激装置

Info

Publication number: JPH03205065A
Application number: JP27023890A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Masaki; 政木　和三
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1989-10-09
Filing date: 1990-10-08
Publication date: 1991-09-06
Anticipated expiration: 2013-11-18
Also published as: JP2824935B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の利用分野］本発明は人体などに低周波のパルス電圧を通電してマツ
サージを行う低周波刺激装置、殊に、使用後、電源スィ
ッチを切忘れても発振回路が自動的に動作を停止する低
周波刺激装置に関する。

［従来の技術］電源に電池を使用する低周波刺激装置に於ては、使用後
、電源スィッチを切忘れて電池が消耗してしまうという
ことが多々あった。そのため、例えば、電源スィッチを
低周波刺激装置の切忘れ難い部分に設けたり、或は、電
源スィッチに目立つ塗料を塗布するなどの対策が講じら
れているけれども、電源スィッチの切忘れを完全に防止
することはできなかった。

そこで、本発明者は、負荷回路と発振回路に於ける発振
用トランジスタのコレクタ回路乃至ベースバイアス回路
とを共有することにより、導子に負荷が接続されたとき
のみ発振用トランジスタにコレクタ電圧乃至ベースバイ
アス電圧が供給され、発振回路が発振して導子に低層波
電圧が供給きれる電源スイツチレス低周波刺激装置を発
明し、特公昭３７−１８９５０号公報及び特開昭４９−
４４５８４号公報などに開示した。

しかしながら、斯かる低周波刺激装置にあっては、電源
スィッチの切忘れによるＷｌ源電池の消耗は防止するこ
とができるものの、発振用トランジスタのコレクタ回路
やベースバイアス回路に直接負荷が挿入されるため、以
下に示すような重大な欠点があった。

すなわち、周知のように、ヒトの皮膚の！気的構造は電
気抵抗と電気容量とからなり、その等価回路は一般にそ
れらの並列回路として表される。

また、殊に、表皮の角質層（ｓｔｒａｔｕ＠ｃｏｒｎｅ
ｕｍ）はかなりの電気的絶縁体であるばかりか半導体と
しての性質も有していると言われている。そして、ヒト
の皮膚の電気抵抗並びに電気容量の値はその部位に於け
る汗腺の数、温度、ざらには使用者の精神状態などの要
因に依って大幅に変化するのである。

発振用トランジスタのベース回路に斯かる容量性負荷を
接続すれば発振回路を著しく不安定にするばかりか、通
電中に治療の鍵となる電流値、発振周波数、ざらには発
振波形までもが変化してしまうことがあり、これでは側
底所期のマツサージ効果を達成することはできないとい
う欠点があった。

ざらに、発振用トランジスタのコレクタ回路と負荷回路
とが共通電路を有する場合には、負荷によるコレクタ電
圧の低下や変動が大きくなり、出力電圧が低下したり、
低周波発振回路の動作が著しく不安定になるという不都
合も有していた。

［発明により解決すべき課題］本発明者は、上記従来技術の欠点を解決すべく鋭意検討
した。

［課題を解決するための手段］その結果、本発明者は、低周波のパルス電圧を発生する
発振回路の出力端に一対の導子を接続するとともに、そ
の一対の導子間に負荷が接続きれるとオンとなってその
主電路に電圧降下を発生させるスイッチング素子を用い
、その降下電圧を前記発振回路にパイ・アス電圧として
供給することにより、前記一対の導子間に負荷が接続さ
れたときのみ発振回路を動作させることにより前記課題
を解消し得ることを見出した。

すなわち、本発明は、低周波のパルス電圧を発生する発
振回路と、該発振回路の出力端に接続された一対の導子
と、該導子間に負荷が接続きれたときにオンとなり前記
発振回路にバイアス電圧を供給するスイッチング素子と
からなり、前記一対の導子間に負荷が接続きれたとぎの
み前記発振回路を動作するようにしたことを特徴とする
低周波刺激装置の構造をその要旨とするものである。

以下、図示実施例に沿って本発明を説明する。

［実施例］第１図に示すのは、本発明の低周波刺激装置の一実施例
の基本回路である。

図中、Ｏｓｃは発振回路であり、低周波のパルス電圧を
発振するためのものである。発振回路Ｏｓｃは電源スィ
ッチＳを介して電池Ｂにより電源供給され、電源スィッ
チＳを閉路すると発振回路Ｏｓｃに直流電圧が印加され
るようになっている。

発振回路Ｏｓｃの出力端には、人体などの負荷乙に低周
波のパルス電圧を通電するための一対の導子Ｘ、Ｙが接
続されている。

Ｑば、例えば、トランジスタ、電界効果トランジスタ（
ＦＥＴ）、サイリスタ、リレーなどの主電路とその導通
を制御するための制御極を有するスイッチング素子であ
り、その制！！！Ｉ極は導子Ｙに、また、その主電路は
、例えば、抵抗、ダイオードなどの電流制限手段りに接
続されており、電流制限手段りの両端に発生する電圧は
バイアス電圧として発振回路Ｏｓｃに供給されるように
なっている。

Ｃは出力コンデンサであり、発振回路Ｏｓｃの出力端と
スイッチング素子Ｑの制御極とを直流的に絶縁するため
のものであり、発振回路Ｏｓｃの発振する低周波のパル
ス電圧を歪少なく一対の導子ｘ、Ｙに供給するため、通
常、比較的大容量のコンデンサが使用される。コンデン
サＣのインピーダンスは負荷Ｚの約１／１００以下が適
当であり、負荷Ｚのインピーダンスが、通常、２キロオ
一ム前後であることから、約２乃至５オームが適当であ
る。

本例の動作について説明すると、電源スィッチＳを閉路
すると発振回路Ｏｓｃには電池Ｂの電圧が印加されるも
のの、この時点ではバイアス電圧が供給されないので低
周波のパルス電圧を発生しない。

然るに、一対の導子ＸＳＹ間に人体などの負荷Ｚが接続
されると、電池Ｂの陽極から導子Ｘ→負荷Ｚ→導子Ｙの
方向に電流が流れてスイッチング素子Ｑの制ａｌＩＩ極
に電圧が印加されて主電路が導通し、電流制限手段りの
両端には降下電圧が発生する。この降下電圧はバイアス
電圧として発振回路Ｏｓｃに供給される。

従って、発振回路Ｏｓｃとしては、例えば、ブロッキン
グ発振回路やマルチバイブレータなどのバイアス電源の
有無により発振を開始したり停止したりするものを使用
することにより、一対の導子ｘ１Ｙ間に人体などの負荷
２が接続されているときのみ発振回路Ｏｓｃが動作し、
それ以外のときには、たとえ電源スィッチＳが閉路した
状態でも発振回路が動作しないようにすることがで営る
ので、使用後、電源スィッチＳを切忘れても電池Ｂの消
耗を実質上皆無とすることができる。すなわち、負荷Ｚ
が接続きれない状態で電源スィッチＳを閉路したままに
しておいても、そのときの電池Ｂからの漏洩電流は約１
０乃至２０マイクロアンペアであり、これは電池の自然
放電電流程度に過ぎないものである。

発振回路Ｏｓｃとしては、通常、例えば、矩形波、指数
関数波、刺状波、二相性活動電位波形などの低周波のパ
ルス電圧を周期的に発生するものが使用きれる。

殊に、発振回路Ｏｓｃが二相性活動電位類似波形のパル
ス電圧を発生するものであるときには、通電によって、
例えば、疼痛、発赤、火傷、不快感などの副作用なく、
極めて効果的且つ気持ちよ（通電マツサージを実施する
ことができる。

二相性活動電位波形とは、通常、刺激を受けた神経に観
察され、第２図に示すように一波が一対の正電圧成分ｅ
、と負電圧成分ｅ、ｌとからなり、両電圧成分とも急峻
なスパイク部分を有するパルス性の電圧波形であり、本
明細書でいう二相性活動電位類似波形のパルス電圧とは
、電子回路手段により人工的に発生せしめた二相性活動
電位を意味するものである。

そして、二相性活動電位類似波形の繰返すパルスの一波
に於ける正電圧成分ｅ２と負電圧成分ｅ。どの比は約０
．１：１乃至Ｏ，Ｓ：１、望ましくは約０．２：１乃至
０．３：１の範囲にあることが好ましく、また、パルス
の一波に於ける負電圧成分ｅ。の持続時間で。

が約０．００１乃至０．１秒、望ましくは約０．００２
乃至０．０５秒であること、また、正電圧成分ｅ９の持
続時間τｐが持続時間τ。の約１．１乃至２．０倍、望
ましくは約１．４乃至１．６倍であることが好ましく、
そのような条件を備えた二相性活動電位類似波形を用い
るときには、人体に通電して特に高いマツサージ効果が
達成される。

また、上記電圧比並びに持続時間を有する二相性活動電
位類似波形の一波に於ける正方向のエネルギーと負方向
のエネルギーとの比とマツサージ効果、副作用との関係
について検討したところ、次の結果を得た。すなわち、
正方向のエネルギーが負方向のエネルギーと略等しいか
小ざくなるように、望ましくは、正方向のエネルギーと
負方向のエネルギーとの比が約０．Ｃ１，１乃至１：１
、ざらに望ましくは、約０．２：１乃至０．６：１とな
るように設定するときには疼痛、発赤、火傷、不快感な
どの副作用が実質上皆無となり、極めて快適に通電マツ
サージを実施し得るということが判明したのである。

この二相性活動電位類似波形のパルス電圧は人体に通電
して極めて高いマツサージ効果を発揮するものの、二相
性活動電位類似波形のパルス電圧を発生ずる発振回路は
、例えば、矩形波、指数関数波、刺状波などの他の波形
のパルス電圧を発生する発振回路と比較して負荷変動や
電圧変動により波形が変化し易い。

本発明の低周波！！！ＩＪ激装置に計装置、従来の低周
波刺激装置のように発振用トランジスタのコレクタ回路
やベースバイアス回路に直接負荷が挿入されないので、
負荷変動や電圧変動に敏感な二相性活動電位類似波形の
パルス電圧を発生する発振回路を用いても極めて安定に
動作させ得るという特徴がある。

第３図に示すのは、本発明の実施例の電気回路である。

図中、Ｏｓｃ　１はトランジスタＴｒ２、トランスＴな
どから構成されるブロッキング発振回路であり、二相性
活動電位類似波形の低周波のパルス電圧を発生するため
のものである。

発振回路Ｕｓｅ　１の出力端には、可変抵抗ＶＲ及び出
力コンデンサＣ１を介して一対の導子Ｘ１Ｙが接続され
ている。可変抵抗器ＶＲは、人体などの負荷Ｚに印加さ
れるパルス電圧の強弱を適宜調節するためのものである
。

トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４などからなるマルチバイブ
レータ０８ｃ２は、通常、約０．１乃至１０ヘルツの超
低周波の矩形波を発振するためのものであり、その出力
端にはトランジスタＴｒｓなどからなる時定数を有する
エミッタフォロワのベースが接続されている。このエミ
ッタフォロワは、発振回路Ｏｓｃ　Ｉのベースに対して
発振回路０３Ｃ２の発振する超低周波の矩形波を一定時
定数をもって放電するので、発振回路Ｏｓｃ　１のベー
スバイアス電圧はこのエミッタフォロワの放電波形に従
って変化することになる。一般に、ブロッキング発振回
路の発振周波数はベースバイアス電圧に従って変化する
ことから、一対の導子ｘ、Ｙ間にはエミッタフォロワの
放電電圧に従ってパルス間隔が一定周期で変化する二相
性活動電位類似波形のパルス列が印加されることになる
。

このようにして負荷Ｚに印加されるパルス電圧のパルス
間隔を変化させると、患部が一定刺激に順応して応答が
減弱するのを防止することができ、容易に所期のマツサ
ージ効果を達成することができる。

Ｔｒｌはスイッチング素子としてのトランジスタであワ
て、そのベースは抵抗Ｒ１を介して導子Ｙに接続され、
また、コレクタは電源スィッチＳを介して電池Ｂの陽極
に接続されている。トランジスタＴｒ＋のエミッタは抵
抗Ｒ２を介して接地きれ、また、エミッタは抵抗Ｒ５を
介してトランジスタＴｒ２のベースに接続されている。

なお、コンデンサＣ２は平滑用、コンデンサＣ３は交流
信号吸収用である。

本例はこのように構成されているので、一対の導子Ｘ、
Ｙ間に人体などの負荷Ｚが接続され、トランジスタＴｒ
ｌにコレクタ電流が流れると抵抗Ｒ２両端に電圧が生じ
、発振回路Ｏｓｃ　１にはベースバイアス電圧が、発振
回路０ｓｃ２には電源電圧がそれぞれ供給される。抵抗
Ｒ２両端に電圧降下が発生している間、発振回路Ｏｓｃ
　１は二相性活動電位類似波形のパルス電圧を発生し、
一対の導子Ｘ、Ｙの何れかが負荷Ｚから離れるや否や降
下電圧もなくなり、発振回路Ｏｓｃ　ｌ及び０ｓｃ２は
自動的に発振を停止することになる。

第４図に示すのは、第３図の実施例に於けるブロッキン
グ発振回路に代えて矩形波のパルス電圧を発振するマル
チバイブレークを使用した本発明による別の実施例の電
気回路図である。

本例に於てはトランジスタＴｒ　ｌ　、Ｔｒ２などから
なる第一のマルチバイブレータにより周波数約０．１乃
至１ヘルツの超低周波の矩形波を発振させ、その発振出
力をトランジスタＴｒ３などからなり時定数を有するエ
ミッタフォロワにより第５図に示すような台形波の電圧
とした後、抵抗Ｒ１を介してトランジスタＴｒ４、Ｔｒ
ｓなどからなり周波数数乃至数百ヘルツの矩形波のパル
ス電圧を発振する第二のマルチバイブレータにベースバ
イアス電圧として供給することにより、第６図に示すよ
うにパルス間隔が一定周期で変化する矩形波のパルス列
を得るようにしたものである。

トランジスタＴｒ６はスイッチング素子として機能し、
その主電路は一対の導子ｘ、Ｙを介して電池Ｂの両極に
接続きれ、それら一対の導子ｘ、Ｙに人体などの負荷Ｚ
を接続すると電池Ｂよりベース電圧の供給を受けて導通
し、第一のマルチバイブレータに電源供給するように構
成されている。非使用時など、一対の導子ｘＳＹに負荷
Ｚが接続されていないとぎにはカットオフ状態を保つ。

第二のマルチバイブレータに於けるトランジスタＴｒ４
、Ｔｒｓには非使用時でもコレクタ電圧が印加されてい
るけれども、トランジスタＴｒ３からベースバイアス電
圧が供給されないので発振に到らない。第二のマルチバ
イブレータの発振出力を飽和増幅するトランジスタＴｒ
３のベースは抵抗Ｒ２、Ｒ３により接地されており、ト
ランジスタＴｒｓから正電圧が供給されたときのみ導通
する。

第７図は、第４図の例に於ける第一のマルチバイブレー
タを省略した本発明によるざらに別の実施例の電気回路
図である。

トランジスタＴｒ１％　Ｔｒ２などから構成され周波数
数乃至数百ヘルツの矩形波のパルス電圧を発振するマル
チバイブレータの出力端にはトランジスタＴｒ３などか
らなる飽和増幅回路が接１ｆｅされている。

トランジスタＴｒ３のコレクタは電池Ｂの陽極に、また
、エミッタは電流制限手段としての抵抗Ｒ１を介して電
池Ｂの陰極に接続きれている。抵抗Ｒ１のエミッタ側は
抵抗Ｒ２、Ｒ３を介してトランジスタＴｒｌ、Ｔｒ２の
ベースに接続されており、抵抗Ｒｌ　ｖｉ　ｆｔａ　ニ
発生する電圧がベースバイアス電圧として両トランジス
タに供給されるようになっている。スイッチング素子と
してのトランジスタＴｒ４の主電路は一対の導子ｘ１Ｙ
を介して電池Ｂの両極に、また、そのベースは、抵抗Ｒ
４及びコンデンサＣ２を介してトランジスタＴｒ２のコ
レクタに接続されている。抵抗Ｒ４のコンデンサＣ２側
は抵抗Ｒ５により接地きれている。

本例の動作について説明すると、マルチバイブレータに
於けるトランジスタＴｒｌ、Ｔｒ２には常時コレクタ電
圧が印加されているけれども、非使用時など一対の導子
ｘ１Ｙに人体などの負荷Ｚが接続されていない状態では
ベースバイアス電圧が供給されないので発振に到らない
。また、トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４にも負荷Ｚが接続
されていない状態ては電流が流れないので、非使用時に
電池Ｂの消耗することがない。一対の導子ｘ、Ｙに負荷
Ｚが接続されるとトランジスタＴｒ３はベース電圧を得
て通電し、抵抗Ｒ１両端には降下電圧が発生する。この
降下電圧はベースバイアス電圧としてトランジスタＴｒ
１％Ｔｒ２に供給されるので、マルチバイブレータは発
振を開始する。

本例では飽和増幅用トランジスタとスイッチング素子に
それぞれ別々のトランジスタを使用したが、例えば、第
８図に示すように飽和増幅用トランジスタを省略するこ
ともできる。すなわち、第８図に示すように、トランジ
スタＴｒｙ、Ｔｒ２などからなり周波数数乃至数百ヘル
ツの矩形波のパルス電圧を発振するマルチバイブレータ
の出力端に一対の導子ｘ１Ｙを接続する。トランジスタ
Ｔｒ３はスイッチング素子として機能し、そのベースは
導子Ｙに、また、そのコレクタは電池Ｂの陽極に、エミ
ッタは電流制限手段としての抵抗Ｒ１を介して電池Ｂの
陰極に接続されている。抵抗Ｒ１のエミッタ側は抵抗Ｒ
２、Ｒ３を介してトランジスタＴｒｌ、Ｔｒ２のべ−ス
に接続されており、抵抗Ｒ１両端に発生する電圧がベー
スバイアス電圧として両トランジスタに供給されるよう
になっている。

本例の動作について説明すると、トランジスタＴｒ１、
Ｔｒ２には常時コレクタ電圧が印加されているけれども
、非使用時など一対の導子Ｘ、　Ｙに人体などの負荷Ｚ
が接続されていない状態ではベースバイアス電圧が供給
されないので発振に到らない。

また、負荷Ｚが接続されていない状態ではトランジスタ
Ｔｒ３にも電流が流れないので、非使用時に電池Ｂの消
耗することがない。一対の導子ＸＳＹに負荷Ｚが接続さ
れるとトランジスタＴｒ＋はベース電圧を得て通電し、
抵抗Ｒ０両端には降下電圧が発生する。この降下電圧は
ベースバイアス電圧としてトランジスタＴｒ１％Ｔｒ２
に供給され、マルチバイブレータは発振を開始する。

第４図、第７図及び第８図に示す例は矩形波のパルス電
圧を使用しているので二相性活動電位類似波形のパルス
電圧を使用する第３図の例より治療効果に於てやや劣る
ものの、構成が簡単で第３図の例より安価に製造できる
という特徴がある。

第９図は、携帯に便利な本発明による低周波刺激装置の
平面図である。

本体（１）の表面には金属バネなどによる導子支持台（
２Ｌ　（２）が設けられ、これにローラ導子（３）、（
３）を転勤自在に取付ける。ａ−ラ導子（３）は−本乃
至複数本設けられる。本体（１）の内部には第３図、第
４図、第７図又は第８図に示す回路を組込んだ基板（４
）及び電池収納部（５）が設けられている。発振器の出
力調整は可変抵抗器に取付けたツマミ（６）で行ない、
皮膚に適切な電気刺激を与えるようにする。

第１０図はローラ導子（３）の斜視図であり、金属棒か
らなる心棒（７）とこれを被覆する保湿性スポンジ（８
）によフて構成されている。ローラ導子（３）の中心部
に取付ける心棒（７）両端の中心部には掛止用凹部（９
）又は凸部を設け、導子支持台（２）に対応して設けら
れる支持用突部（ｌＯ）又は凹部に嵌合して取付けられ
る。

ところで、正電圧と負電圧とでは皮膚に対する作用が全
く違い、負電圧が発汗を促進するのに対して正電圧は発
汗を抑制する。ヒトの皮膚には油性と荒性とがあると言
われており、油性の皮膚に負電圧を通電するとますます
油性となり、荒性の皮膚に正電圧を通電すると荒性が悪
化することとなる。従って、皮膚へ通電する際には、皮
膚の特定の部位に通電する電圧が一方の極性に偏らない
ようにするのが望ましい。例えば、第４図、第７図、第
８図に示す低周波刺激装置により皮膚に矩形波のパルス
電圧を：ｌｌ！すると、一方の極性の電圧ばかりが通電
されるようになり易い。そこで、第１０図に示すように
本体（１）に二本のローラ導子（３）、（３）を設ける
とともに、それら導子に発振回路に於ける正負の出力端
を接続することにより、使用に際して皮膚にローラ導子
（３）、（３）を当接し状態で転動させることにより、
皮膚の特定の部位に正電圧と負電圧とを刃傷なく通電す
ることができる。

［発明の効果］斜上のように、本発明は、低周波のパルス電圧を発生す
る発振回路の出力端に一対の導子とスイ・ソチング素子
の制ａ１７極を接続して上記一対の導子間に負荷が接続
された場合のみ該スイッチング素子がオンとなフてその
主電路が導通し該主電路に電圧降下が発生するようにし
、その降下電圧を前記発振回路にバイアス電圧として供
給するようにしたので、一対の導子間に負荷が接続され
たときのみ発振回路が動作し、使用後、′Ｒ源スイッチ
を切忘れても電池が消耗することがない。

また、本発明に於ては、従来の低周波刺激装置のように
発振用トランジスタのコレクタ回路やベースバイアス回
路に直接負荷が挿入されないので、負荷変動や電圧変動
に敏感な二相性活動電位類似波形のパルス電圧を発振す
る発振回路を用いた場合であっても極めて安定に動作さ
せ得るという特徴がある。

従フて、本発明の低周波刺激装置は人体のマツサージに
使用して新陳代謝、血液循環、栄養改善を効果的に促進
するので、疲労回復の促進や、例えば、筋肉痛、神経痛
、腰痛、レイリー氏痛、捻挫、冷え症、凍傷、打撲傷、
開節炎、神経炎、鍵鞘炎、関節リウマチ、中枢神経麻痺
、末梢神経麻痺、弛緩性麻痺、半身麻痺、間欠性波行、
筋痙撃、動脈便症などによる疼痛や麻痺の緩解や軽減、
内蔵疾、密に伴う背部の疼痛の緩解や軽減、慢性便秘の
緩解、廃用性萎縮の予防、排尿訓練の促進、ざらには障
害神経や移植神経などの機能回復の促進に著効を発揮す
る。

ざらには、本発明の低周波刺激装置はスポーツ前後の筋
肉ウオーミングアツプ手段或は筋肉マツサージ手段とし
て、美顔のための通電マツサージ手段として、イオン性
薬効物質のイオン導入手段として、ざらには癌患者や寝
たきり老人などの長期療養患者に於ける辱迩の予防・治
療の補助手段としてなど多種多様の用途を有するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の基本回路図。第２図は、二相性活動電位類似波形図。第３図は、本発明の一実施例の回路図。第４図は、本発明の別の実施例の回路図。第５図及び第６図は、第４図に示す実施例に於ける波形
図。第７図は、本発明のざらに別の実施例の回路図。第８図は、本発明のざらに別の実施例の回路図。第９図は、本発明の低周波刺激装置の平面図。第１０図は、そのローラ導子部分の斜視図。図中の記号について説明すると、Ｏｓｃは発振回路、Ｏ
はスイッチング素子、Ｄは電流制限手段、Ｔｒはトラン
ジスタ、Ｃはコンデンサ、Ｔはトランス、Ｘ及びＹは導
子、Ｚは負荷、Ｓはスイッチ、ＶＲは可変抵抗器、（１
）は本体、（２）は導子支持台、（３）はローラ導子、
（４）は基板、（５）は電池収納部、（６）はツマミ、
（７）ハ心棒、（８）は保湿性スポンジ、（９）は掛止
用凹部、（１０）は掛止用凸部を示す。第１図第２図第４匪第図第図第図第図第図第０図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）低周波のパルス電圧を発生する発振回路と、該発
振回路の出力端に接続された一対の導子と、該導子間に
負荷が接続されたときにオンとなり前記発振回路にバイ
アス電圧を供給するスイッチング素子とからなり、前記
一対の導子間に負荷が接続されたときにのみ前記発振回
路が動作するようにしたことを特徴とする低周波刺激装
置。
（２）発振回路が二相性活動電位類似波形のパルス電圧
を発生する発振回路であることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項に記載の低周波刺激装置。
（３）パルス電圧の一波に於ける正電圧成分と負電圧成
分との比が約０．１：１乃至０．５：１の範囲にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第（２）
項に記載の低周波刺激装置。
（４）パルス電圧の一波に於ける負電圧成分の持続時間
が約０．００１乃至０．１秒、正電圧成分の持続時間が
その約１．１乃至２倍であることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項、第（２）項又は第（３）項に記載の
低周波刺激装置。
（５）発振回路がブロッキング発振回路であることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、第（
３）項又は第（４）項に記載の低周波刺激装置。
（６）スイッチング素子がエミッタ抵抗を接続したトラ
ンジスタであって、そのベースが発振回路の出力端に接
続されるとともに、前記抵抗の両端に発生する電圧がバ
イアス電圧として発振回路に供給されることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、第（３）項
、第（４）項又は第（５）項に記載の低周波刺激装置。
（７）スイッチング素子の制御極が出力コンデンサを介
して発振回路の出力端に接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、第（３）項
、第（４）項、第（５）項又は第（６）項に記載の低周
波刺激装置。
（８）発振回路の発振周期を変化させる第二の発振回路
を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項、第（２）項、第（３）項、第（４）項、第（５）項
、第（６）項又は第（７）項に記載の低周波刺激装置。