JP2824935B2 - 低周波刺激装置 - Google Patents

低周波刺激装置

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JP2824935B2 JP27023890A JP27023890A JP2824935B2 JP 2824935 B2 JP2824935 B2 JP 2824935B2 JP 27023890 A JP27023890 A JP 27023890A JP 27023890 A JP27023890 A JP 27023890A JP 2824935 B2 JP2824935 B2 JP 2824935B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] 本発明は人体などに低周波のパルス電圧を通電してマ
ッサージを行う低周波刺激装置、殊に、使用後、電源ス
イッチを切忘れても発振回路が自動的に動作を停止する
低周波刺激装置に関する。
[従来の技術] 電源に電池を使用する低周波刺激装置に於ては、使用
後、電源スイッチを切忘れて電池が消耗してしまうとい
うことが多々あった。そのため、例えば、電源スイッチ
を低周波刺激装置の切忘れ難い部分に設けたり、或は、
電源スイッチに目立つ塗料を塗布するなどの対策が講じ
られているけれども、電源スイッチの切忘れを完全に防
止することはできなかった。
そこで、本発明者は、負荷回路と発振回路に於ける発
振用トランジスタのコレクタ回路乃至ベースバイアス回
路とを共有することにより、導子に負荷が接続されたと
きのみ発振用トランジスタにコレクタ電圧乃至ベースバ
イアス電圧が供給され、発振回路が発振して導子に低周
波電圧が供給される電源スイッチレス低周波刺激装置を
発明し、特公昭37−18950号公報及び特開昭49−44584号
公報などに開示した。
しかしながら、斯かる低周波刺激装置にあっては、電
源スイッチの切忘れによる電源電池の消耗は防止するこ
とができるものの、発振用トランジスタのコレクタ回路
やベースバイアス回路に直接負荷が挿入されるため、以
下に示すような重大な欠点があった。
すなわち、周知のように、ヒトの皮膚の電気的構造は
電気抵抗と電気容量とからなり、その等価回路は一般に
それらの並列回路として表される。また、殊に、表皮の
角質層(stratum corneum)はかなりの電気的絶縁体で
あるばかりか半導体としての性質も有していると言われ
ている。そして、ヒトの皮膚の電気抵抗並びに電気容量
の値はその部位に於ける汗腺の数、温度、さらには使用
者の精神状態などの要因に依って大幅に変化するのであ
る。
発振用トランジスタのベース回路に斯かる容量性負荷
を接続すれば発振回路を著しく不安定にするばかりか、
通電中に治療の鍵となる電流値、発振周波数、さらには
発振波形までもが変化してしまうことがあり、これでは
到底所期のマッサージ効果を達成することはできないと
いう欠点があった。
さらに、発振用トランジスタのコレクタ回路と負荷回
路とが共通電路を有する場合には、負荷によるコレクタ
電圧の低下や変動が大きくなり、出力電圧が低下した
り、低周波発振回路の動作が著しく不安定になるという
不都合も有していた。
[発明により解決すべき課題] 本発明者は、上記従来技術の欠点を解決すべく鋭意検
討した。
[課題を解決するための手段] その結果、本発明者は、低周波のパルス電圧を発生す
る発振回路の出力端に一対の導子を接続するとともに、
その一対の導子間に負荷が接続されるとオンとなってそ
の主電路に電圧降下を発生させるスイッチング素子を用
い、その降下電圧を前記発振回路にバイアス電圧として
供給することにより、前記一対の導子間に負荷が接続さ
れたときのみ発振回路を動作させることにより前記課題
を解消し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、低周波のパルス電圧を発生する
発振回路と、該発振回路の出力端に接続された一対の導
子と、該導子間に負荷が接続されたときにオンとなり前
記発振回路にバイアス電圧を供給するスイッチング素子
とからなり、前記一対の導子間に負荷が接続されたとき
のみ前記発振回路を動作するようにしたことを特徴とす
る低周波刺激装置の構造をその要旨とするものである。
以下、図示実施例に沿って本発明を説明する。
[実施例] 第1図に示すのは、本発明の低周波刺激装置の一実施
例の基本回路である。
図中、Oscは発振回路であり、低周波のパルス電圧を
発振するためのものである。発振回路Oscは電源スイッ
チSを介して電池Bにより電源供給され、電源スイッチ
Sを閉路すると発振回路Oscに直流電圧が印加されるよ
うになっている。
発振回路Oscの出力端には、人体などの負荷Zに低周
波のパルス電圧を通電するための一対の導子X、Yが接
続されている。
Qは、例えば、トランジスタ、電界効果トランジスタ
(FET)、サイリスタ、リレーなどの主電路とその導通
を制御するための制御極を有するスイッチング素子であ
り、その制御極は導子Yに、また、その主電路は、例え
ば、抵抗、ダイオードなどの電流制限手段Dに接続され
ており、電流制限手段Dの両端に発生する電圧はバイア
ス電圧として発振回路Oscに供給されるようになってい
る。
Cは出力コンデンサであり、発振回路Oscの出力端と
スッチング素子Qの制御極とを直流的に絶縁するための
ものであり、発振回路Oscの発振する低周波のパルス電
圧を歪少なく一対の導子X、Yに供給するため、通常、
比較的大容量のコンデンサが使用される。コンデンサC
のインピーダンスは負荷Zの約1/100以下が適当であ
り、負荷Zのインピーダンスが、通常、2キロオーム前
後であることから、約2乃至5オームが適当である。
本例の動作について説明すると、電源スイッチSを閉
路すると発振回路Oscには電池Bの電圧が印加されるも
のの、この時点ではバイアス電圧が供給されないので低
周波のパルス電圧を発生しない。
然るに、一対の導子X、Y間に人体などの負荷Zが接
続されると、電池Bの陽極から導子X→負荷Z→導子Y
の方向に電流が流れてスイッチング素子Qの制御極に電
圧が印加されて主電路が導通し、電流制限手段Dの両端
には降下電圧が発生する。この降下電圧はバイアス電圧
として発振回路Oscに供給される。
従って、発振回路Oscとしては、例えば、ブロッキン
グ発振回路やマルチバイブレータなどのバイアス電源の
有無により発振を開始したり停止したりするものを使用
することにより、一対の導子X、Y間に人体などの負荷
Zが接続されているときのみ発振回路Oscが動作し、そ
れ以外のときには、たとえ電源スイッチSが閉路した状
態でも発振回路が動作しないようにすることができるの
で、使用後、電源スイッチSを切忘れても電池Bの消耗
を実質上皆無とすることができる。すなわち、負荷Zが
接続されない状態で電源スイッチSを閉路したままにし
ておいても、そのときの電池Bからの漏洩電流は約10乃
至20マイクロアンペアであり、これは電池の自然放電電
流程度に過ぎないものである。
発振回路Oscとしては、通常、例えば、矩形波、指数
関数波、刺状波、二相性活動電位波形などの低周波のパ
ルス電圧を周期的に発生するものが使用される。
殊に、発振回路Oscが二相性活動電位類似波形のパル
ス電圧を発生するものであるときには、通電によって、
例えば、疼痛、発赤、火傷、不快感などの副作用なく、
極めて効果的且つ気持ちよく通電マッサージを実施する
ことができる。
二相性活動電位波形とは、通常、刺激を受けた神経に
観察され、第2図に示すように一波が一対の正電圧成分
epと負電圧成分enとからなり、両電圧成分とも急峻なス
パイク部分を有するパルス性の電圧波形であり、本明細
書でいう二相性活動電位類似波形のパルス電圧とは、電
子回路手段により人工的に発生せしめた二相性活動電位
を意味するものである。
そして、二相性活動電位類似波形の繰返すパルスの一
波に於ける正電圧成分epと負電圧成分enとの比は約0.1:
1乃至0.5:1、望ましくは約0.2:1乃至0.3:1の範囲にある
ことが好ましく、また、パルスの一波に於ける負電圧成
分enの持続時間τが約0.001乃至0.1秒、望ましくは約
0.002乃至0.05秒であること、また、正電圧成分epの持
続時間τが持続時間τの約1.1乃至2.0倍、望ましく
は約1.4乃至1.6倍であることが好ましく、そのような条
件を備えた二相性活動電位類似波形を用いるときには、
人体に通電して特に高いマッサージ効果が達成される。
また、上記電圧比並びに持続時間を有する二相性活動
電位類似波形の一波に於ける正方向のエネルギーと負方
向のエネルギーとの比とマッサージ効果、副作用との関
係について検討したところ、次の結果を得た。すなわ
ち、正方向のエネルギーが負方向のエネルギーと略等し
いか小さくなるように、望ましくは、正方向のエネルギ
ーと負方向のエネルギーとの比が約0.1:1.1乃至1:1、さ
らに望ましくは、約0.2:1乃至0.6:1となるように設定す
るときには疼痛、発赤、火傷、不快感などの副作用が実
質上皆無となり、極めて快適に通電マッサージを実施し
得るということが判明したのである。
この二相性活動電位類似波形のパルス電圧は人体に通
電して極めて高いマッサージ効果を発揮するものの、二
相性活動電位類似波形のパルス電圧を発生する発振回路
は、例えば、矩形波、指数関数波、刺状波などの他の波
形のパルス電圧を発生する発振回路と比較して負荷変動
や電圧変動により波形が変化し易い。
本発明の低周波刺激装置に於ては、従来の低周波刺激
装置のように発振用トランジスタのコレクタ回路やベー
スバイアス回路に直接負荷が挿入されないので、負荷変
動や電圧変動に敏感な二相性活動電位類似波形のパルス
電圧を発生する発振回路を用いても極めて安定に動作さ
せ得るという特徴がある。
第3図に示すのは、本発明の実施例の電気回路であ
る。
図中、Osc1はトランジスタTr2、トランスTなどから
構成されるブロッキング発振回路であり、二相性活動電
位類似波形の低周波のパルス電圧を発生するためのもの
である。
発振回路Osc1の出力端には、可変抵抗VR及び出力コン
デンサC1を介して一対の導子X、Yが接続されている。
可変抵抗器VRは、人体などの負荷Zに印加されるパルス
電圧の強弱を適宜調節するためのものである。
トランジスタTr3、Tr4などからなるマルチバイブレー
タOsc2は、通常、約0.1乃至10ヘルツの超低周波の矩形
波を発振するためのものであり、その出力端にはトラン
ジスタTr5などからなる時定数を有するエミッタフォロ
ワのベースが接続されている。このエミッタフォロワ
は、発振回路Osc1のベースに対して発振回路Osc2の発振
する超低周波の矩形波を一定時定数をもって放電するの
で、発振回路Osc1のベースバイアス電圧はこのエミッタ
フォロワの放電波形に従って変化することになる。一般
に、ブロッキング発振回路の発振周波数はベースバイア
ス電圧に従って変化することから、一対の導子X、Y間
にはエミッタフォロワの放電電圧に従ってパルス間隔が
一定周期で変化する二相性活動電位類似波形のパルス列
が印加されることになる。
このようにして負荷Zに印加されるパルス電圧のパル
ス間隔を変化させると、患部が一定刺激に順応して応答
が減弱するのを防止することができ、容易に所期のマッ
サージ効果を達成することができる。
Tr1はスイッチング素子としてのトランジスタであっ
て、そのベースは抵抗R1を介して導子Yに接続され、ま
た、コレクタは電源スイッチSを介して電池Bの陽極に
接続されている。トランジスタTr1のエミッタは抵抗R2
を介して接地され、また、エミッタは抵抗R5を介してト
ランジスタTr2のベースに接続されている。なお、コン
デンサC2は平滑用、コンデンサC3は交流信号吸収用であ
る。
本例はこのように構成されているので、一対の導子
X、Y間に人体などの負荷Zが接続され、トランジスタ
Tr1にコレクタ電流が流れると抵抗R2両端に電圧が生
じ、発振回路Osc1にはベースバイアス電圧が、発振回路
Osc2には電源電圧がそれぞれ供給される。抵抗R2両端に
電圧降下が発生している間、発振回路Osc1は二相性活動
電位類似波形のパルス電圧を発生し、一対の導子X、Y
の何れかが負荷Zから離れるや否や降下電圧もなくな
り、発振回路Osc1及びOsc2は自動的に発振を停止するこ
とになる。
第4図に示すのは、第3図の実施例に於けるブロッキ
ング発振回路に代えて矩形波のパルス電圧を発振するマ
ルチバイブレータを使用した本発明による別の実施例の
電気回路図である。
本例に於てはトランジスタTr1、Tr2などからなる第一
のマルチバイブレータにより周波数約0.1乃至1ヘルツ
の超低周波の矩形波を発振させ、その発振出力をトラン
ジスタTr3などからなり時定数を有するエミッタフォロ
ワにより第5図に示すような台形波の電圧とした後、抵
抗R1を介してトランジスタTr4、Tr5などからなり周波数
数乃至数百ヘルツの矩形波のパルス電圧を発振する第二
のマルチバイブレータにベースバイアス電圧として供給
することにより、第6図に示すようにパルス間隔が一定
周期で変化する矩形波のパルス列を得るようにしたもの
である。
トランジスタTr6はスイッチング素子として機能し、
その主電路は一対の導子X、Yを介して電池Bの両極に
接続され、それら一対の導子X、Yに人体などの負荷Z
を接続する電池Bよりベース電圧の供給を受けて導通
し、第一のマルチバイブレータに電源供給するように構
成されている。非使用時など、一対の導子X、Yに負荷
Zが接続されていないときにはカットオフ状態を保つ。
第二のマルチバイブレータに於けるトランジスタTr4、T
r5には非使用時でもコレクタ電圧が印加されているけれ
ども、トランジスタTr3からベースバイアス電圧が供給
されないので発振に到らない。第二のマルチバイブレー
タの発振出力を飽和増幅するトランジスタTr3のベース
は抵抗R2、R3により接地されており、トランジスタTr5
から正電圧が供給されたときのみ導通する。
第7図は、第4図の例に於ける第一のマルチバイブレ
ータを省略した本発明によるさらに別の実施例の電気回
路図である。
トランジスタTr1、Tr2などから構成され周波数数乃至
数百ヘルツの矩形波のパルス電圧を発振するマルチバイ
ブレータの出力端にはトランジスタTr3などからなる飽
和増幅回路が接続されている。トランジスタTr3のコレ
クタは電池Bに陽極に、また、エミッタは電流制限手段
としての抵抗R1を介して電池Bの陰極に接続されてい
る。抵抗R1のエミッタ側は抵抗R2、R3を介してトランジ
スタTr1、Tr2のベースに接続されており、抵抗R1両端に
発生する電圧がベースバイアス電圧として両トランジス
タに供給されるようになっている。スイッチング素子と
してのトランジスタTr4の主電路は一対の導子X、Yを
介して電池Bの両極に、また、そのベースは、抵抗R4
びコンデンサC2を介してトランジスタTr2のコレクタに
接続されている。抵抗R4のコンデンサC2側は抵抗R5によ
り接地されている。
本例の動作について説明すると、マルチバイブレータ
に於けるトランジスタTr1、Tr2には常時コレクタ電圧が
印加されているけれども、非使用時など一対の導子X、
Yに人体などの負荷Zが接続されていない状態ではベー
スバイアス電圧が供給されないので発振に到らない。ま
た、トランジスタTr3、Tr4にも負荷Zが接続されていな
い状態では電流が流れないので、非使用時に電池Bの消
耗することがない。一対の導子X、Yに負荷Zが接続さ
れるとトランジスタTr3はベース電圧を得て通電し、抵
抗R1両端には降下電圧が発生する。この降下電圧はベー
スバイアス電圧としてトランジスタTr1、Tr2に供給され
るので、マルチバイブレータは発振を開始する。
本例では飽和増幅用トランジスタとスイッチング素子
にそれぞれ別々のトランジスタを使用したが、例えば、
第8図に示すように飽和増幅用トランジスタを省略する
こともできる。すなわち、第8図に示すように、トラン
ジスタTr1、Tr2などからなり周波数数乃至数百ヘルツの
矩形波のパルス電圧を発振するマルチバイブレータの出
力端に一対の導子X、Yを接続する。トランジスタTr3
はスイッチング素子として機能し、そのベースは導子Y
に、また、そのコレクタは電池Bの陽極に、エミッタは
電流制限手段としての抵抗R1を介して電池Bの陰極に接
続されている。抵抗R1のエミッタ側は抵抗R2、R3を介し
てトランジスタTr1、Tr2のベースに接続されており、抵
抗R1両端に発生する電圧がベースバイアス電圧として両
トランジスタに供給されるようになっている。
本例の動作について説明すると、トランジスタTr1、T
r2には常時コレクタ電圧が印加されているけれども、非
使用時など一対の導子X、Yに人体などの負荷Zが接続
されていない状態ではベースバイアス電圧が供給されな
いので発振に到らない。また、負荷Zが接続されていな
い状態ではトランジスタTr3にも電流が流れないので、
非使用時に電池Bの消耗することがない。一対の導子
X、Yに負荷Zが接続されるとトランジスタTr3はベー
ス電圧を得て通電し、抵抗R1両端には降下電圧が発生す
る。この降下電圧はベースバイアス電圧としてトランジ
スタTr1、Tr2に供給され、マルチバイブレータは発振を
開始する。
第4図、第7図及び第8図に示す例は矩形波のパルス
電圧を使用しているので二相性活動電位類似波形のパル
ス電圧を使用する第3図の例より治療効果に於てやや劣
るものの、構成が簡単で第3図の例より安価に製造でき
るという特徴がある。
第9図は、携帯に便利な本発明による低周波刺激装置
の平面図である。
本体(1)の表面には金属バネなどによる導子支持台
(2)、(2)が設けられ、これにローラ導子(3)、
(3)を転動自在に取付ける。ローラ導子(3)は一本
乃至複数本設けられる。本体(1)の内部には第3図、
第4図、第7図又は第8図に示す回路を組込んだ基板
(4)及び電池収納部(5)が設けられている。発振器
の出力調整は可変抵抗器に取付けたツマミ(6)で行な
い、皮膚に適切な電気刺激を与えるようにする。
第10図はローラ導子(3)の斜視図であり、金属棒か
らなる心棒(7)とこれを被覆する保湿性スポンジ
(8)によって構成されている。ローラ導子(3)の中
心部に取付ける心棒(7)両端の中心部には掛止用凹部
(9)又は凸部を設け、導子支持台(2)に対応して設
けられる支持用突部(10)又は凹部に嵌合して取付けら
れる。
ところで、正電圧と負電圧とでは皮膚に対する作用が
全く違い、負電圧が発汗を促進するのに対して正電圧は
発汗を抑制する。ヒトの皮膚には油性と荒性とがあると
言われており、油性の皮膚に負電圧を通電するとますま
す油性となり、荒性の皮膚に正電圧を通電すると荒性が
悪化することとなる。従って、皮膚へ通電する際には、
皮膚の特定の部位に通電する電圧が一方の極性に偏らな
いようにするのが望ましい。例えば、第4図、第7図、
第8図に示す低周波刺激装置により皮膚に矩形波のパル
ス電圧を通電すると、一方の極性の電圧ばかりが通電さ
れるようになり易い。そこで、第10図に示すように本体
(1)に二本のローラ導子(3)、(3)を設けるとと
もに、それら導子に発振回路に於ける正負の出力端を接
続することにより、使用に際して皮膚にローラ導子
(3)、(3)を当接した状態で転動させることによ
り、皮膚の特定の部位に正電圧と負電圧とを満遍無く通
電することができる。
[発明の効果] 叙上のように、本発明は、低周波のパルス電圧を発生
する発振回路の出力端に一対の導子とスイッチング素子
の制御極を接続して上記一対の導子間に負荷が接続され
た場合のみ該スイッチング素子がオンとなってその主電
路が導通し該主電路に電圧降下が発生するようにし、そ
の降下電圧を前記発振回路にバイアス電圧として供給す
るようにしたので、一対の導子間に負荷が接続されたと
きのみ発振回路が動作し、使用後、電源スイッチを切忘
れても電池が消耗することがない。
また、本発明に於ては、従来の低周波刺激装置のよう
に発振用トランジスタのコレクタ回路やベースバイアス
回路に直接負荷が挿入されないので、負荷変動や電圧変
動に敏感な二相性活動電位類似波形のパルス電圧を発振
する発振回路を用いた場合であっても極めて安定に動作
させ得るという特徴がある。
従って、本発明の低周波刺激装置は人体のマッサージ
に使用して新陳代謝、血液循環、栄養改善を効果的に促
進するので、疲労回復の促進や、例えば、筋肉痛、神経
痛、腰痛、レイリー氏痛、捻挫、冷え症、凍傷、打撲
傷、関節炎、神経炎、腱鞘炎、関節リウマチ、中枢神経
麻痺、末梢神経麻痺、弛緩性麻痺、半身麻痺、間欠性跛
行、筋痙攣、動脈硬化症などによる疼痛や麻痺の緩解や
軽減、内蔵疾患に伴う背部の疼痛の緩解や軽減、慢性便
秘の緩解、廃用性萎縮の予防、排尿訓練の促進、さらに
は障害神経や移植神経などの機能回復の促進に著効を発
揮する。
さらには、本発明の低周波刺激装置はスポーツ前後の
筋肉ウォーミングアップ手段或は筋肉マッサージ手段と
して、美顔のための通電マッサージ手段として、イオン
性薬効物質のイオン導入手段として、さらには癌患者や
寝たきり老人などの長期療養患者に於ける蓐瘡の予防・
治療の補助手段としてなど多種多様の用途を有するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の基本回路図。 第2図は、二相性活動電位類似波形図。 第3図は、本発明の一実施例の回路図。 第4図は、本発明の別の実施例の回路図。 第5図及び第6図は、第4図に示す実施例に於ける波形
図。 第7図は、本発明のさらに別の実施例の回路図。 第8図は、本発明のさらに別の実施例の回路図。 第9図は、本発明の低周波刺激装置の平面図。 第10図は、そのローラ導子部分の斜視図。 図中の記号について説明すると、Oscは発振回路、Qは
スイッチング素子、Dは電流制限手段、Trはトランジス
タ、Cはコンデンサ、Tはトランス、X及びYは導子、
Zは負荷、Sはスイッチ、VRは可変抵抗器、(1)は本
体、(2)は導子支持台、(3)はローラ導子、(4)
は基板、(5)は電池収納部、(6)はツマミ、(7)
は心棒、(8)は保湿性スポンジ、(9)は掛止用凹
部、(10)は掛止用凸部を示す。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】低周波のパルス電圧を発生する発振回路
    と、該発振回路の出力端に接続された一対の導子と、該
    導子間に負荷が接続されたときにオンとなり前記発振回
    路にバイアス電圧を供給するスイッチング素子とからな
    り、前記一対の導子間に負荷が接続されたときにのみ前
    記発振回路が動作するようにしたことを特徴とする低周
    波刺激装置。
  2. 【請求項2】発振回路が二相性活動電位類似波形のパル
    ス電圧を発生する発振回路であることを特徴とする特許
    請求の範囲第(1)項に記載の低周波刺激装置。
  3. 【請求項3】パルス電圧の一波に於ける正電圧成分と負
    電圧成分との比が約0.1:1乃至0.5:1の範囲にあることを
    特徴とする特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項に
    記載の低周波刺激装置。
  4. 【請求項4】パルス電圧の一波に於ける負電圧成分の持
    続時間が約0.001乃至0.1秒、正電圧成分の持続時間がそ
    の約1.1乃至2倍であることを特徴とする特許請求の範
    囲第(1)項、第(2)項又は第(3)項に記載の低周
    波刺激装置。
  5. 【請求項5】発振回路がブロッキング発振回路であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第(1)項、第(2)
    項、第(3)項又は第(4)項に記載の低周波刺激装
    置。
  6. 【請求項6】スイッチング素子がエミッタ抵抗を接続し
    たトランジスタであって、そのベースが発振回路の出力
    端に接続されるとともに、前記抵抗の両端に発生する電
    圧がバイアス電圧として発振回路に供給されることを特
    徴とする特許請求の範囲第(1)項、第(2)項、第
    (3)項、第(4)項又は第(5)項に記載の低周波刺
    激装置。
  7. 【請求項7】スイッチング素子の制御極が出力コンデン
    サを介して発振回路の出力端に接続されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第(1)項、第(2)項、第
    (3)項、第(4)項、第(5)項又は第(6)項に記
    載の低周波刺激装置。
  8. 【請求項8】発振回路の発振周期を変化させる第二の発
    振回路を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第
    (1)項、第(2)項、第(3)項、第(4)項、第
    (5)項、第(6)項又は第(7)項に記載の低周波刺
    激装置。
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