JPH03203879A - 記録方法及び記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は記録装置における記録ヘッドと記録媒体との間
隔の測定方法、及び記録ヘッドと記録媒体との間隔が制
御可能な記録装置に関する。

〔従来の技術〕

磁気ディスク装置、磁気テープ装置、光デイスク装置な
ど記録ヘッドで記録媒体の間に有限小の間隔を保って記
録の入出力を行う記録装置では、あらゆる動作状態での
記録ヘッドと記録媒体との間隔を測定することは装置設
計上極めて重要である。又、上記間隔を測定した上で閉
ループ制御することにより記録動作の安定化及びより狭
小な記録ヘッドと記録媒体との間隔の達成による記録密
度の高度化がはかれる。

記録装置において、記録ヘッドと記録媒体との間隔の測
定方法ではいくつかの公知例がある。それらのうちで実
際の記録装置に使用される状態で記録ヘッドと記録媒体
との間隔を測定する方法としては、例えば特開昭６２−
１５９３８５に記載のように磁気ディスク装置において
磁気ヘッドを保持する磁気ヘッドスライダに組み込んだ
電極と磁気ディスクとの間の静電容量を測定することに
よりヘッドと磁気ディスクとの間隔を測定している。

又、記録ヘッドと記録媒体の間隔を制御する記録装置と
しては、例えば特開昭６２−１２５５２１のように磁気
ディスク装置において磁気ヘッドスライダに電極を設け
、記録媒体の表面を導電性にして電極と記録媒体表面と
の間にトンネル電流を流し、その電流値に基づいて磁気
ヘッドを上下させる機構によりヘッドと記録媒体との間
隔を制御する公知例がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術のうち、記録ヘッドと記録媒体の間隔を静
電容量で測定する方法で、電極を小さくすると静電容量
が小さくなり、間隔の変化に対応した静電容量の変化も
小さくなってしまうため測定感度が悪くなるという問題
があった。また、記録ヘッド部の電極は記録媒体との間
の静電容量の他に、記録装置の他の部分との間にも浮遊
容量を持っているため、各装置毎に較正を行わねばなら
ず、磁気ディスク装置のように磁気ヘッド部が動く場合
はその移動によっても浮遊容量が変化するため正確な測
定が難しくなるという問題もあった。

又、上記従来技術のうち、記録ヘッドと記録媒体の間隔
をトンネル電流の値に基づいて制御する記録装置では記
録ヘッド部のトンネル電流用の電極と記録媒体の間にト
ンネル電流を流すために記録媒体の表面が導電性でなけ
ればならない。従つて、記録媒体の種類に制約が生じ、
かつ記録媒体表面の汚れや酸化などによってトンネル電
流が流れなくなる。以上のような問題点を従来技術は持
っていた。

本発明の目的は、記録ヘッド部と記録媒体との間に電位
差を与えて生じる電場（電界に同じ）を記録ヘッド部の
電界感知素子により測定し、その電場強度より記録ヘッ
ドと記録媒体との間隔の測定に関して、実機仕様で、各
装置毎の較正も不要で、かつ記録ヘッドの移動の影響も
うけない方法及び記録装置を提供することである。

また、本発明の他の目的は、記録ヘッドと記録媒体との
間隔を記録媒体の表面の仕様および記録媒体の表面の汚
染等の変化の影響を受けにくい記録ヘッドと記録媒体と
の間隔制御の方式を持った記録装置を提供することであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は以下の手段によって達成することができる
。

（１）、情報をリード又はライトする記録媒体が有する
導電体と、該記録媒体と非接触で用いられる記録ヘッド
に設けた導電体との間に電位差を与え、この電位差と該
記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強
度を検出することにより、該記録ヘッドと該記録媒体と
の距離を測定する方法。

（２）、情報をリード又はライトする記録媒体が有する
導電体と、該記録媒体と非接触で用いられる記録ヘッド
の近傍に設けられた導電体との間に電位差を与え、この
電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因
する電界強度を検出することにより、該記録ヘッドと該
記録媒体との距離を測定する方法。

（３）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッド及び前記記録媒体にそれぞれ設けられた
導電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び
該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を該記録ヘッ
ドの導電体近傍に設けた電界感知部で検出し、その検出
信号により前記間隔を測定することを特徴とする記録ヘ
ッドと記録媒体との距離の測定方法。

（４）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッドの複数個所及び前記記録媒体にそれぞれ
設けられた導電体に電位差を与え、この電位差と該記録
ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を
該記録ヘッドの各導電体近傍に設けた電界感知部で検出
し、それらの検出信号により該記録ヘッド及び該記録媒
体間の複数個所の間隔を測定することを特徴とする記録
ヘッドと記録媒体との距離の測定方法。

（５）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッドの及び前記記録媒体のそれぞれに導電体
を設けると共に、これらの導電体の間に電気的に独立し
た独立導電体を設け、前記それぞれの導電体に与えた電
位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因す
る電界強度を該記録ヘッドの導電体近傍に設けた電界感
知部で検出し、その検出信号により前記間隔を測定する
ことを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離測定方
法。

（６）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッドの及び前記記録媒体のそれぞれに導電体
を設けると共に、該導電体間に環状の電界感知部を設け
、該電界感知部によって前記電位差と前記記録ヘッド及
び前記記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出し
、該検出信号に基づいて前記間隔を測定することを特徴
とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法。

（７）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッド及び前記記録媒体にそれぞれ設けられた
導電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び
該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を該記録ヘッ
ドの導電体近傍に設けた電界効果型の半導体素子で検出
し、その検出信号により前記間隔を測定することを特徴
とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法。

（８）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッド及び前記記録媒体にそれぞれ設けられた
導電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び
該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電
界感知部として、該記録ヘッドの導電体近傍に電界効果
型のトランジスタを反転層がピンチオフの状態で用い、
該トランジスタの検出信号により前記間隔を測定するこ
とを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方
法。

（９）、非接触で用いられ、情報をリード又はライトす
る記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、
前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれ設けた導電
体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び該記
録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電界感
知素子として、中心にｎ＋型半導体を設け、この周囲に
該導電体に平行に環状のＰ型半導体を設け、更にその周
囲に環状のｎ＋型半導体を設けた電界効果型の半導体素
子を用い、その検出信号により前記間隔を測定すること
を特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法
。

（１０）、非接触で用いられ、情報をリード又はライト
する記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において
、前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれ設けた導
電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び該
記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電界
感知素子として、中心にｐ十型半導体を設け、この周囲
に該導電体に平行に環状のｎ型半導体を設け、更にその
周囲に環状のｐ十型半導体を設けた電界効果型の半導体
素子を用い、その検出信号により前記間隔を測定するこ
とを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方
法。

（１１）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッドは、前
記記録媒体の有する導電体との間に電位差を与える導電
体と、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間
隔とに起因する電界強度を検出する電界感知素子とを具
備したことを特徴とする記録装置。

（１２）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッドの近傍
に、前記記録媒体の有する導電体との間に電位差を生じ
る導電体と、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体
間の間隔とに起因する電界強度を検出する電界感知素子
とを具備したことを特徴とする記録装置。

（１３）　、情報をリード又はライトする記録ヘッドと
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設けら
れ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔
とに起因する電界強度を検出する電界感知部が該記録ヘ
ッドの導電体近傍に設けられていることを特徴とする記
録装置。

（１４）　、情報をリード又はライトする記録ヘッド及
び記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接
触で用いられる記録装置において、前記記録ヘッドの複
数個所と前記記録媒体とのそれぞれに電位差を与える導
電体が設けられ、これらの電位差と該記録ヘッド及び該
記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電界
感知部が該記録ヘッドの各導電体近傍に設けられている
ことを特徴とする記録装置。

（１５）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設けら
れ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔
とに起因する電界強度を検出する電界感知部が該記録ヘ
ッドの各導電体近傍に設けられ、且つ、これらの導電体
の間に電気的に独立した独立導電体が設けられているこ
とを特徴とする記録装置。

（１６）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設けら
れ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔
とに起因する電界強度を検出する電界感知部が該記録ヘ
ッドの導電体近傍に設けられ、該電界感知部は環状であ
って該記録ヘッドの導電体に平行に設けられていること
を特徴とする記録装置。

（１７）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設けら
れ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔
とに起因する電界強度を検出する電界感知部が該記録ヘ
ッドの導電体近傍に設けられ、該電界感知部として電界
効果型の半導体素子が用いられていることを特徴とする
記録装置。

（１ｇ）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設けら
れ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔
とに起因する電界強度を検出する電界感知部が該記録ヘ
ッドの導電体近傍に設けられ、該電界感知部として電界
効果型のトランジスタを反転層がピンチオフの状態で用
いたことを特徴とする記録装置。

（１９）　、情報をリード又はライトする記録ヘッド及
び記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接
触で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び
前記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設け
られ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間
隔とに起因する電界強度を検出する電界効果型の半導体
素子が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられ、該半導体
素子は、中心に設けられたｎ＋型半導体と、この周囲に
該記録ヘッドの導電体に平行に設けられた環状のＰ型半
導体と、更にその周囲に設けられた環状のｎ＋型半導体
とからなることを特徴とする記録装置。

（２０）　、情報をリード又はライトする記録ヘッド及
び記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接
触で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び
前記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設け
られ、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間
隔とに起因する電界強度を検出する電界効果型の半導体
素子が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられ、該半導体
素子は、中心に設けられたｐ＋型半導体と、この周囲に
該記録ヘッドの導電体に平行に設けられた環状のｎ型半
導体と、更にその周囲に設けられた環状のｐ＋型半導体
とからなることを特徴とする記録装置。

（２１）　、情報をリード又はライトする記録ヘッド及
び記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接
触で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び
前記記録媒体のそれぞれに電位差を与える導電体が設け
られ、この電位差と該記録へラド及び該記録媒体間の間
隔とに起因する電界強度を検出する電界感知部が該記録
ヘッドの導電体近傍に設けられ、その検出信号に基づい
て前記間隔を制御する制御手段を備えたことを特徴とす
る記録装置。

（２２）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれが有する導電体の間に電位差を与
える電圧源と、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒
体間の間隔とに起因する電界強度を検出する検出手段と
、該検出信号に基づいて前記間隔を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする記録装置。

（２３）　、情報をリード又はライトする記録ヘッド及
び記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接
触で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び
前記記録媒体のそれぞれが有する導電体の間に電位差を
与える電圧源と、この電位差と該記録ヘッド及び該記録
媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する検出手段
と、該検出信号を該記録ヘッド及び該記録媒体間の距離
に換算する換算手段とを備えたことを特徴とする記録装
置。

（２４）、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び
記録媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触
で用いられる記録装置において、前記記録ヘッド及び前
記記録媒体のそれぞれが有する導電体の間に電位差を与
える電圧源と、この電位差と該記録ヘッド及び該記録媒
体間の間隔とに起因する電界強度を検出する検出手段と
、該検出信号を該記録ヘッド及び該記録媒体間の距離に
換算し、該換算信号に基づいて該間隔の距離を所定値に
変位させる変位量指示信号を発するデータ処理手段と、
該変位指示信号に基づいて該間隔の距離を変位させる駆
動手段とを備えたことを特徴とする記録装置。

（２５）　、情報をリード又はライトする記録媒体と非
接触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の
有する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電
位差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検
出する検出する電界感知部とが設けられていることを特
徴とする記録ヘッド。

（２６）　、情報をリード又はライトする記録媒体と非
接触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の
有する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電
位差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検
出する電界感知素子とからなる電界検出手段を具備した
ことを特徴とする記録ヘッド。

（２７）、情報をリード又はライトする記録媒体と非接
触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有
する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位
差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出
する検出する電界感知部と前記記録ヘッドの導電体との
間にあって電気的に独立した独立導電体とが設けられて
いることを特徴とする記録ヘッド。

（２８）　、情報をリード又はライトする記録媒体と非
接触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の
有する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電
位差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検
出する電界感知部とが設けられ、該電界感知部は環状で
あることを特徴とする記録ヘッド。

（２９）、情報をリード又はライトする記録媒体と非接
触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有
する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位
差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出
する検出する電界感知部とが設けられ、該電界感知部と
して電界効果型の半導体素子が用いられていることを特
徴とする記録ヘッド。

（３０）、情報をリード又はライトする記録媒体と非接
触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有
する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位
差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出
する検出する電界感知部とが設けられ、該電界感知部と
して電界効果型のトランジスタを反転層がピンチオフの
状態で用ｂ）たことを特徴とする記録装置。

（３１）　、情報をリード又はライトする記録媒体と非
接触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の
有する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電
位差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検
出する電界効果型の半導体素子が設けられ、該半導体素
子は、中心に設けられたｎ＋型半導体と、この周囲に該
導電体に平行に設けられた環状のｐ型半導体と、更にそ
の周囲に設けられた環状のｎ中型半導体とからなること
を特徴とする記録ヘッド。

（３２）、情報をリード又はライトする記録媒体と非接
触で用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有
する導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位
差及び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出
する電界効果型の半導体素子が設けられ、該半導体素子
は、中心に設けられたｐ＋型半導体と、この周囲に該導
電体に平行に設けられた環状のｎ型半導体と、更にその
周囲に設けられた環状のｐ＋型半導体とからなることを
特徴とする記録ヘッド。

（３３）、非接触で用いられる記録ヘッドと記録媒体と
によって情報をリード又はライトする記録装置に用いら
れる記録変換素子であって、該記録変換素子の記録変換
部に電界感知部が一体形成され、該電界感知部と前記記
録媒体との間に電位差を与え、該電位差と該電界感知部
及び該記録媒体間の距離とに起因して生じる電界強度を
該電界感知部で検出することによって、該電界感知部及
び該記録媒体間の距離が測定されるものである記録変換
素子。

（３４）、情報をリード又はライトする記録ヘッドと非
接触で用いられる記録媒体において、前記記録ヘッドに
設けられた導電体との間に電位差を与える導電体を有し
、この電位差と該記録ヘッドまでの距離とに起因する電
界強度を検出することにより該記録ヘッドまでの距離が
測定されるものであることを特徴とする記録媒体。

（３５）　、情報をリード又はライトする記録ヘッドと
非接触で用いられる記録媒体において、前記記録ヘッド
に設けられた導電体との間に電位差を与える導電体を有
し、この電位差と該記録ヘッドまでの距離とに起因する
電界強度を検出することにより該記録ヘッドまでの距離
が測定されるものであって、有極性分子等の比誘電率の
大きい物質からなる被膜を有することを特徴とする記録
媒体。

〔作用〕

以上の構成によれば次のような作用がある。

即ち、２つの離れた導電体に互いに異なる電位を与える
とその間に電場が生じる。この２つの導電体の電位差を
一定にすれば、生じる電場の強さは２つの導電体の距離
に依る。すなわち、２つの導電体間に生じた電場の強さ
から２つの導電体の間隔を知ることができる。

これを原理的に説明すると、電位差をもった２つの導電
体間の電場の強さはその２つの導電体の間隔の関数とな
るということである。例えば、記録装置の記録ヘッド部
に導電体を組み込み、記録媒体の一部にも導電性の部分
をあらかじめ造っておく。この２つの導電体の間に既知
の電位差を与える。すると、２つの上記導電体の間に電
場が生じ、その電場の強度は２つの導電体の距離に依存
する。上記電場中に電場の強度を検出する部分を設けて
電界強度を知ることにより上記２つの導電体の間隔を算
出し、この間隔より記録ヘッドと記録媒体との間隔を得
ることができる。

更に、記録ヘッドと記録媒体との間隔を変化させる機構
、すなわち記録ヘッドと記録媒体の一方又は両方を変位
させる機構な設け、上述の記録ヘッドと記録媒体の間隔
を測定する手段により得た記録ヘッドと記録媒体との間
隔に基づいて記録ヘッドと記録媒体の間隔を制御するこ
とが可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明のいくつかの実施例を図面を参考にして説
明する。

まず、記録ヘッドと記録媒体との間隔の測定方法の実施
例について説明する。第１図は１本発明の一実施例とし
て磁気ディスク装置において磁気へラドスライダと磁気
ディスクとの浮上間隔を測定する方法を示したものであ
る。但し、第１図では磁気ディスクの回転駆動系、磁気
へラドスライダの支持系、磁気ヘッドスライダの記録ト
ラックアクセス機構及びそれらの制御回路等の部分は従
来の磁気ディスク装置と同様式であっても本発明は達成
されるため、図示していない。このときの磁気ディスク
装置は例えば日立製作新製のＨ６５８６にでよい。この
磁気ディスク装置の磁気ヘッドスライダ１の後端部のス
ライダレールに導電体電極２を組み込み、この電極２と
磁気ディスク３の導電体４（アルミ基板や磁気記録媒体
がこれにあたる。場合によっては磁気ディスク表面に導
電性の、例えばカーボン等からなる膜を形成してもよい
。）とも電圧源５に接続し電位差を与える。

すると電極２と導電体４の間に電場６が発生する。

この電場６の強度を電極２の上に設けた電場感知素子７
で検出する。検出された電場の強度を例えば計算機とプ
ログラムからなるデータ処理装置８で処理し、電極２と
ディスク内（又は表面）の導電体４との距離を算出し、
これを磁気ヘッド９と磁気ディスク４との距離に換算す
る。又、第２図の電極２Ａ、２Ｂ、電界感知素子７Ａ、
７Ｂのように複数化すれば磁気へラドスライダの浮上姿
勢を測定することができる。

次に、本実施例で検出した電場強度から磁気ヘッドと磁
気ディスクとの距離を算出する実施例について第３図で
説明する。第３図は第１図及び第２図の電場感知素子７
と磁気ディスク３との近くを拡大したものである。電極
２と磁気ディスク３の導電体４との間には電位差Ｖが与
えられている。

磁気ディスク３の表面は多くの場合、非導電性の保護膜
や潤滑膜があるのでこれを厚さＱ、平均化された比誘電
率Ｅ１の誘電体層２１として代表して表す。又、電場感
知素子７自体の比誘電率を平均化したものをε２とする
。すると電場感知素子７内では電場６の強度Ｅｓは、 ■ Ｅｓ＝　　　　　　　　　　　　・・・（第１式）％式
％ 磁気ディスク３表面の誘電体２１の厚さ、成分は既知で
あるので第３図のＱ及びε１は既知である。又、電場感
知素子７の厚さｄ、平均比誘電率ε１も既知のものを用
いると、電界感知素子７で検出された電場強度Ｅｓより
磁気へラドスライダ１の磁気ディスク３からの浮上量り
が次式で求まる。

ε２　　Ｅｓ　　　ε２　　　ε１ 次に第４図に示すように電界感知素子７の外部を厚さＸ
、比誘電率Ｅ３の誘電体３１で覆った場合には浮上量り
は次式で求まる。

これは電界感知素子の外面に厚さＸ、比誘電率ε３の物
質が付着した場合と同じである。この場合、スライダ下
面の汚染が分らなければ測定された浮上量は実際の浮上
量よりＸ／ε、たけ低いことになる。

コンタクトスタートストップ方式の磁気ディスクの場合
スライダ下面に付着するのは磁気ディスり表面の潤滑剤
である。もし、上記浮上量測定の誤差Ｘ／ε３が無視し
がたいときは、潤滑剤に比誘電率の大きい物質、例えば
有極性分子を主とした潤滑剤を用いればよい。

次に第５図で上記電界感知素子の一実施例を示す。第５
図は電界感知素子として半導体素子を使い、半導体の電
界効果を利用したものである。

この電界感知素子はＳ　ｉ　Ｏ，等の非導電体４１に囲
われたＰ型半導体４２をはさんだｎ＋型半導体の部分４
３．４４を持ち、これらのｎ＋型半導体４３．４４は互
いに接触しておらず又、各々は電極４６．４７により電
気的に外部と接続しており、各々電源４９に接続され電
圧をかける。またｎ十型半導体４３．４４間に流れる電
流の検出器４８が用意される。このｎ十型半導体４３．
４４をもったＰ型半導体４２の外部は誘電体４５で覆わ
れて平面をなし、この平面はスライダ１の下面と同一平
面をなす。但し、この誘電体４５はディスクとの接触や
汚染物質の付着により電界感知素子の特性が影響を受け
るのを防ぐためにあるのであって電界感知素子の本質的
部分ではない。従って誘電体４５の部分は無くてもよい
。

電界感知素子の内部には第５図に示すように導電体電極
２があり電気的に外部に接続され、電圧源５につながり
、同じく電圧源５につながった磁気ディスク３の導電体
４との間に電圧がかけられる。このとき電極２が負電位
に、導電体４が正電位になるように電圧をかけると電極
２と導電体４の間に生じる電界５１により電界感知素子
のＰ型半導体４２の磁気ディスク側にｎ型の導電性の反
転層５０が生じる。この現象はＭＯＳトランジスタで起
こるものと全く同じである。反転層５０が生じていると
きにｎ＋型半導体４３と４４との間に電圧をかけると反
転層５０を通して電流が流れる。このときの電流値は電
界５１が小さいうちは電源４９の印加電圧及び電圧源５
の印加電圧により生じる電界５１の強さに比例してふえ
る。尚、このような電界効果型の半導体素子では電圧源
５の電圧がＯで電界５１が存在しなくても反転層５０が
生じる場合がある（ＭＯＳ−ＦＥＴではデイプレッショ
ン型の素子にあたる）。そのような場合には上記電流が
流れ始める電圧が逆電位（つまり導電体４の電位が電極
２に対して負電位）の側にずれこんだだけであり、上記
電流値は電界５１の強さ及び電源４９に同様の関係をも
つ。

電源４９の電圧が大きくなり反転層がいわゆるピンチオ
フを起こしている場合は、上記電流値は電圧源５により
生じる電界５１の強さにほぼ比例する。ピンチオフを起
こしている場合、上記電流値は電源４９の電圧の変化に
対して安定で、また上記電流値はピンチオフのときに電
界５１の強度変化に対して鋭敏となる。上記電流値を電
流検出器４８で測定した値と、電源４９の電圧と電圧源
５の値及び第５図の電界感知素子の特性から磁気へラド
スライダｌと磁気ディスク３との間隔りが算出できる。

尚、第５図においてｎ＋型半導体４３．４４の代わりに
Ｐ＋型半導体、Ｐ型半導体４２をｎ型半導体とし電圧源
の電圧の符号を逆にしても同様のことができる。

また、上記第５図の電界感知素子は第６図のようにも構
成できる。第６図の電界感知素子では電極２を電界感知
素子の内部に組み込み、磁気ディスク３の導電体４と電
極２との距離を小さくすることにより、電極２と導電体
４との間隔に磁気ヘントスライダの浮上量りの占める割
合が大きくなり結果的に浮上量りの測定精度を高めるこ
とができる。又、第６図で示したように電界感知素子の
スライダ下面側の誘電体４５の一部に電気的にどこにも
接続されない独立の導電体６０を組み込めば、その厚さ
Ｘの分だけ電極２と磁気ディスク３の導電体４との実効
的な間隔が小さくなり、浮上量りの測定精度を上げるこ
とができる。又、第７図に示すようにどこにも電気的に
接続されていない独立の導電体６３を誘電体４５の内部
に組み込んでも全く同じ効果が得られ、又導電体６３の
腐食を防ぐことができる。尚、ｎ＋型半導体４３゜４４
の電極６１，６２はそれぞれ電極２を避けて端部に設け
られている。

いわゆる磁気ヘッドは半導体電気素子としても製作でき
るため、実施例として第５図から第７図に示した半導体
素子型の電界感知素子と一体形成することができる。上
記電界感知素子と磁気ヘッドを一体として形成したのが
第８図に示す実施例であり、第１図に示されたような磁
気へラドスライダ１の後端部に搭載し磁気ディスク３上
を浮上させた実施例である。

この実施例では基板７９上に酸化シリコン等の絶縁膜７
２を形成したその上に、外部の電源１４９に接続された
電極１４６，１４７及び電極１４６．１４７にそれぞれ
接続したｎ＋型半導体１４３．１４４がある。ｎ＋型半
導体１４３゜１４４の間にはＰ型半導体１４２があり、
これらの半導体１４２，１４３，１４４で電界感知素子
の磁気ディスク側の面を構成している。電界感知素子の
内部は電極１４６，１４７にはさまれた部分に絶縁体８
０が有り、その内部には導電体２が半導体１４２，１４
３，１４４に接近してしかし電気的に接続せずに存在す
る。この導電体２は磁気ディスク３中の導電体４との間
に接続された電圧源１０５により、導電体４に対して負
の電位を与えられている。

第５図から第７図の実施例で説明したと同じく導電体２
と４の間にかけられた電圧により発生した電場゛（図示
せず）によりＰ型半導体１４２に上記電場強度に応じた
厚さのｎ型の導電性の反転層１５０が発生し、上記電場
の強度に応じた強さの電流が流れる。上記電場の強さは
電圧源１０５の電圧が一定のとき磁気へラドスライダ１
と磁気ディスク３との間隔の関数となる。従って反転層
１５０に流れる電流を半導体１４３と１４４と電源１４
９との電気的なつながりのなかに直列に接続した電流検
出器１４８で検出し、上記検出された電流値をデータ処
理装置１０８で電界感知素子の特性や磁気ディスクと電
界感知素子の物性等のデータにもとづき処理すると上記
磁気へラドスライダと磁気ディスクの間隔が得られる。

そしてこの電界感知素子部を基板とみたてて絶縁体７３
をはさんで磁気ヘッド（いわゆる薄膜ヘッド）を形成す
ることは十分可能である。

第８図はアルミナ７１におおわれた上部磁性体７７と下
部磁性体７５の間に絶縁膜７６で絶縁された磁気信号と
電気信号との変換をする導体コイル７４が形成されてヘ
ッドギツプ７８により磁気ディスクの書き込み及び読み
出しを行う従来の薄膜ヘッドである（導体コイルの残り
部分及び信号の入出力線は省略している。）このように
磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔を測定する電界感知素
子と磁気ヘッドを一体として形成することにより、磁気
ヘッドと電界感知素子を別々に製作し磁気へラドスライ
ダに搭載することにより製作工程を省略することができ
、又磁気ヘッドと電界感知素子を同一基板上に形成した
ことにより電界感知素子と磁気ヘッドとの相対位置誤差
から電界感知素子と磁気ヘッドを別個に取り付けたとき
の取り付は誤差がなくなり、半導体製造時のレジストパ
ータン位置決め誤差のみとなるため製造歩止まり向上及
び上記磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔の測定の較正
の省力化が達成される。

次に半導体で構成された電界感知素子の平面的構造に関
しての実施例について述べる。例えば第５図に示した実
施例でｎ＋型半導体４３．４４とその電極４６．４７及
び電界を作るための電極２に注目してその平面的拡がり
を図示したのが第９図である。電極２は他の部分にくら
べ紙面上方に離れているため点線で示しである。ちなみ
に線分ＡＢでの断面が第５図となる。この第９図のよう
な構成の場合ｎ＋型半導体４３．４４との間のｎ型の反
転層以外のＰ型半導体部分を通るもれ電流９０が発生す
る。特に、第５図で示した電場５１が０でも反転層５０
が発生するデイプレッションタイプの素子ではもれ電流
が大きい。このもれ電流を回避するには電極２よりＰ型
半導体４２を小さくするか、第１０図及び第１０図の線
分ＣＤの断面図である第１１図に示したようにｎ＋型半
導体２０３のまわりをとりかこむようにもう一つのｎ＋
型半導体２０２を離して配置すればよい。ｎ＋型半導体
２０２，２０３にはそれぞれ電極２０１゜２０４が接続
され外部へと接続されている。そして非導電体２０６内
に磁気ディスクの導電体（図示せず）との間に電場を発
生させるための電極２０５がある（２ｏ５の中央の穴は
電極２０４を外部に接続するためのものである。）。上
記電場によりｎ生型半導体２０２と２０３の間を充して
いるＰ型半導体２０７の半導体２０２と２０３にはさま
れた電極２０５から遠い方の面には導電性のｎ型反転層
が第５図から第８図の実施例で説明したのと同様の作用
によってできあがる。しかも導体２０２と２０３の間に
は反転層２１０以外に電流の径路はなく、もれ電流は小
さくなる。

次に記録ヘッドと記録媒体との間隔の制御を行う記録装
置の実施例について説明する。第１２図は本発明の一実
施例として磁気ディスク装置に適用したものを示す。尚
、第１２図では磁気ディスクの回転駆動系、磁気ヘッド
スライダの支持系、磁気へラドスライダの記録トラック
アクセス機構及び磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔制御
のための電気回路以外の制御回路は従来の磁気ディスク
装置と同様式であっても本発明は達成されるため図中に
示さない。

磁気へラドスライダ１の後端部に変位機位機構８１を介
して磁気ヘッド９を持った記録変換部支持体８４が接続
されている。記録変換部支持体８４の磁気ディスク３側
の面には電界感知素子７があり、電界感知素子７の磁気
ディスクと反対側の面には電極２がある。この電極２は
電圧源５につながっておりさらに電圧源５は磁気ディス
クの導電体４につながり、電極２と導電体４には電圧源
５により電位差が与えられる。この電位差により電極２
と導電体４の間には双方の間隔によって決まる強さの電
場（図示せず）が発生し、上記電場中にある電界感知素
子７により上記電場の強度を検出する。検出された上記
電場の強度のデータと磁気ディスク３と電界感知素子７
自身の物性的性質から電極２と導電体４の間隔を算出し
さらに設計データ等から磁気ヘッド９と磁気ディスク３
との間隔を算出するプログラムをもったデータ処理袋ｆ
ｉ８３が電界感知素子と電気信号をやりとりできるよう
に接続されている。データ処理装置では磁気ヘッド９と
磁気ディスク３との間隔の実測値を基に磁気ヘッドと磁
気ディスクの間隔が磁気記録の書き込み・読出しに適切
かどうかを判断し。

適切でないと判断した場合には変位機構８１の廃動装置
８２に記録変換支持体８４の変位を指示し、磁気記録の
書込み・読み出しに適した磁気ヘッド記録媒体間距離を
保つようにする。

又、実施例の第８図で示したように電界感知素子と磁気
ヘッドを一体として形成すると第１２図に示した実施例
は第１３図に示したようになる。

すなわち第１２図での磁気ヘッド９、電極２、電界感知
素子７を磁気ヘッド及び浮上間隔測定複合体８６に一体
化したのが第１３図であり、実施例の説明図第８図で説
明した効果がさらに加わる。

又、第１４図に示したように電界感知素子を複数（第１
４図では７ａ、７ｂの２つ）にし、磁気ディスク３の導
電体４との間に電場を発生する電極も同じ数”（第１４
図では２ａ、２ｂの２つ）だけ設けると、電極２ａ及び
２ｂに印加する導電体４との電位差及び電界感知素子７
ａ、７ｂの特性を２種類用意すれば２つの電界感知素子
の感度を電界強度の大変動用と高感度小変動用の２種類
用意するなど磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔測定の高
機能化が達成される。

その他、半導体を用いた電界感知素子としては他にショ
ットキーゲート電界効果トランジスタなども考えられる
。

〔発明の効果〕

上述のとおり本発明によれば、記録ヘッド部に設けられ
た導電体と記録媒体中の導電体に与えた電位差により発
生する電場を測定することにより記録ヘッドと記録媒体
との間隔を測定することができるので、記録媒体内に導
電体があれば記録ヘッド部に電界発生用の電極と電界感
知素子を組み込む事によりあらゆる状態での記録ヘッド
と記録媒体との間隔を測定することができ、また記録媒
体の表面及び記録ヘッドの表面が非導電性であっても上
記間隔の測定が行える。

また、上記方法で記録ヘッドと記録媒体との間隔を測定
し、その測定値に基づいて上記間隔を閉ループ制御する
ことができるので記録ヘッドと記録媒体の間隔を所定の
値に保つことができ、記録の書き込み及び読出しの安定
化及び狭小な記録ヘッドと記録媒体との間隔を保つこと
により記録密度の高密度化を行うことができる。

また、電界感知素子として電界効果型の構成をもつ半導
体素子を用いることにより、例えば薄膜磁気ヘッドとの
一体形成が可能となり、上記測定装置及び上記記録ヘッ
ドと記録媒体との間隔を測定する記録装置の製作を容易
にしたり安価にする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の測定方法の一実施例の説明図、第２図
は電界感知素子を複数にした実施例の説明図、第３図は
記録媒体に誘電体のある実施例の説明図、第４図は電界
感知素子に誘電体のある実施例の説明図、第５図ないし
第７図は電界効果型半導体素子を用いた電界感知素子の
実施例の説明図。 第８図は磁気ヘッドと電界感知素子とを一体形成した実
施例の説明図、第９図は本発明の一実施例のもれ電流の
説明図、第１０図はもれ電流を小さくした実施例の説明
図、第１１図は第１０図のＣ−Ｄ線断面図、第１２図は
本発明の記録装置の一実施例を示す説明図、第１３図は
記録ヘッドと電界感知素子とを一体化した実施例の説明
図、第１４図は電界感知素子を複数にした実施例の説明
図である。 １・・・磁気へラドスライダ、２・・・導電体電極。 ３・・・磁気ディスク、４・・・導電体、５・・・電圧
源、６・・・電場、 ７・・・電場感知素子、８・・・データ処理装置、９・
・・記録ヘッド、 ４２．１４２，２０７−Ｐ型半導体、 ４３．４４，１４３，１４４，２０２，２０３・・・ｎ
＋型半導体、 ５０．１５０，２１０・・・反転層、５１・・・電界、
６．０．６３・・・独立導電体、８１・・・変位機構。 ８２・・・駆動装置、８３・・・データ処理装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、情報をリード又はライトする記録媒体が有する導電
   体と、該記録媒体と非接触で用いられる記録ヘッドに設
   けた導電体との間に電位差を与え、この電位差と該記録
   ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を
   検出することにより、該記録ヘッドと該記録媒体との距
   離を測定する方法。 ２、情報をリード又はライトする記録媒体が有する導電
   体と、該記録媒体と非接触で用いられる記録ヘッドの近
   傍に設けられた導電体との間に電位差を与え、この電位
   差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する
   電界強度を検出することにより、該記録ヘッドと該記録
   媒体との距離を測定する方法。 ３、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体にそれぞれ設けられた
   導電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び
   該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を該記録ヘッ
   ドの導電体近傍に設けた電界感知部で検出し、その検出
   信号により前記間隔を測定することを特徴とする記録ヘ
   ッドと記録媒体との距離の測定方法。 ４、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッドの複数個所及び前記記録媒体にそれぞれ
   設けられた導電体に電位差を与え、この電位差と該記録
   ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を
   該記録ヘッドの各導電体近傍に設けた電界感知部で検出
   し、それらの検出信号により該記録ヘッド及び該記録媒
   体間の複数個所の間隔を測定することを特徴とする記録
   ヘッドと記録媒体との距離の測定方法。 ５、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッドの及び前記記録媒体のそれぞれに導電体
   を設けると共に、これらの導電体の間に電気的に独立し
   た独立導電体を設け、前記それぞれの導電体に与えた電
   位差と該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因す
   る電界強度を該記録ヘッドの導電体近傍に設けた電界感
   知部で検出し、その検出信号により前記間隔を測定する
   ことを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離測定方
   法。 ６、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッドの及び前記記録媒体のそれぞれに導電体
   を設けると共に、該導電体間に環状の電界感知部を設け
   、該電界感知部によって前記電位差と前記記録ヘッド及
   び前記記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出し
   、該検出信号に基づいて前記間隔を測定することを特徴
   とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法。 ７、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体にそれぞれ設けられた
   導電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び
   該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を該記録ヘッ
   ドの導電体近傍に設けた電界効果型の半導体素子で検出
   し、その検出信号により前記間隔を測定することを特徴
   とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法。 ８、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体にそれぞれ設けられた
   導電体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び
   該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電
   界感知部として、該記録ヘッドの導電体近傍に電界効果
   型のトランジスタを反転層がピンチオフの状態で用い、
   該トランジスタの検出信号により前記間隔を測定するこ
   とを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方
   法。 ９、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする記
   録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれ設けた導電
   体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び該記
   録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電界感
   知素子として、中心にｎ＾＋型半導体を設け、この周囲
   に該導電体に平行に環状のＰ型半導体を設け、更にその
   周囲に環状のｎ＾＋型半導体を設けた電界効果型の半導
   体素子を用い、その検出信号により前記間隔を測定する
   ことを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定
   方法。 １０、非接触で用いられ、情報をリード又はライトする
   記録ヘッドと記録媒体との距離の測定方法において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれ設けた導電
   体に電位差を与え、この電位差と該記録ヘッド及び該記
   録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する電界感
   知素子として、中心にｐ＾＋型半導体を設け、この周囲
   に該導電体に平行に環状のｎ型半導体を設け、更にその
   周囲に環状のｐ＾＋型半導体を設けた電界効果型の半導
   体素子を用い、その検出信号により前記間隔を測定する
   ことを特徴とする記録ヘッドと記録媒体との距離の測定
   方法。 １１、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッドは前記記録媒体の有する導電体との間に
   電位差を与える導電体と、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知素子とを具備したことを特徴とする記録装置。 １２、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッドの近傍に、前記記録媒体の有する導電体
   との間に電位差を生じる導電体と、この電位差と該記録
   ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を
   検出する電界感知素子とを具備したことを特徴とする記
   録装置。 １３、情報をリード又はライトする記録ヘッドと記録媒
   体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用い
   られる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知部が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられてい
   ることを特徴とする記録装置。 １４、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッドの複数個所と前記記録媒体とのそれぞれ
   に電位差を与える導電体が設けられ、これらの電位差と
   該記録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界
   強度を検出する電界感知部が該記録ヘッドの各導電体近
   傍に設けられていることを特徴とする記録装置。 １５、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知部が該記録ヘッドの各導電体近傍に設けられ、
   且つ、これらの導電体の間に電気的に独立した独立導電
   体が設けられていることを特徴とする記録装置。 １６、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知部が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられ、該
   電界感知部は環状であって該記録ヘッドの導電体に平行
   に設けられていることを特徴とする記録装置。 １７、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知部が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられ、該
   電界感知部として電界効果型の半導体素子が用いられて
   いることを特徴とする記録装置。 １８、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知部が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられ、該
   電界感知部として電界効果型のトランジスタを反転層が
   ピンチオフの状態で用いたことを特徴とする記録装置。 １９、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界効果型の半導体素子が該記録ヘッドの導電体近傍に
   設けられ、該半導体素子は、中心に設けられたｎ＾＋型
   半導体と、この周囲に該記録ヘッドの導電体に平行に設
   けられた環状のＰ型半導体と、更にその周囲に設けられ
   た環状のｎ＾＋型半導体とからなることを特徴とする記
   録装置。 ２０、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界効果型の半導体素子が該記録ヘッドの導電体近傍に
   設けられ、該半導体素子は、中心に設けられたｐ＾＋型
   半導体と、この周囲に該記録ヘッドの導電体に平行に設
   けられた環状のｎ型半導体と、更にその周囲に設けられ
   た環状のｐ＾＋型半導体とからなることを特徴とする記
   録装置。 ２１、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれに電位差を
   与える導電体が設けられ、この電位差と該記録ヘッド及
   び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度を検出する
   電界感知部が該記録ヘッドの導電体近傍に設けられ、そ
   の検出信号に基づいて前記間隔を制御する制御手段を備
   えたことを特徴とする記録装置。 ２２、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれが有する導
   電体の間に電位差を与える電圧源と、この電位差と該記
   録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度
   を検出する検出手段と、該検出信号に基づいて前記間隔
   を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする記録装
   置。 ２３、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれが有する導
   電体の間に電位差を与える電圧源と、この電位差と該記
   録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度
   を検出する検出手段と、該検出信号を該記録ヘッド及び
   該記録媒体間の距離に換算する換算手段とを備えたこと
   を特徴とする記録装置。 ２４、情報をリード又はライトする記録ヘッド及び記録
   媒体を備え、該記録ヘッドと該記録媒体とが非接触で用
   いられる記録装置において、 前記記録ヘッド及び前記記録媒体のそれぞれが有する導
   電体の間に電位差を与える電圧源と、この電位差と該記
   録ヘッド及び該記録媒体間の間隔とに起因する電界強度
   を検出する検出手段と、該検出信号を該記録ヘッド及び
   該記録媒体間の距離に換算し、該換算信号に基づいて該
   間隔の距離を所定値に変位させる変位量指示信号を発す
   るデータ処理手段と、該変位指示信号に基づいて該間隔
   の距離を変位させる駆動手段とを備えたことを特徴とす
   る記録装置。 ２５、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   検出する電界感知部とが設けられていることを特徴とす
   る記録ヘッド。 ２６、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   電界感知素子とからなる電界検出手段を具備したことを
   特徴とする記録ヘッド。 ２７、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   検出する電界感知部と前記記録ヘッドの導電体との間に
   あって電気的に独立した独立導電体とが設けられている
   ことを特徴とする記録ヘッド。 ２８、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   電界感知部とが設けられ、該電界感知部は環状であるこ
   とを特徴とする記録ヘッド。 ２９、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   検出する電界感知部とが設けられ、該電界感知部として
   電界効果型の半導体素子が用いられていることを特徴と
   する記録ヘッド。 ３０、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   検出する電界感知部とが設けられ、該電界感知部として
   電界効果型のトランジスタを反転層がピンチオフの状態
   で用いたことを特徴とする記録装置。 ３１、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   電界効果型の半導体素子が設けられ、該半導体素子は、
   中心に設けられたｎ＾＋型半導体と、この周囲に該導電
   体に平行に設けられた環状のｐ型半導体と、更にその周
   囲に設けられた環状のｎ＾＋型半導体とからなることを
   特徴とする記録ヘッド。 ３２、情報をリード又はライトする記録媒体と非接触で
   用いられる記録ヘッドにおいて、前記記録媒体の有する
   導電体との間に電位差を与える導電体と、この電位差及
   び該記録媒体までの距離に起因する電界強度を検出する
   電界効果型の半導体素子が設けられ、該半導体素子は、
   中心に設けられたｐ＾＋型半導体と、この周囲に該導電
   体に平行に設けられた環状のｎ型半導体と、更にその周
   囲に設けられた環状のｐ＾＋型半導体とからなることを
   特徴とする記録ヘッド。 ３３、非接触で用いられる記録ヘッドと記録媒体とによ
   って情報をリード又はライトする記録装置に用いられる
   記録変換素子であって、該記録変換素子の記録変換部に
   電界感知部が一体形成され、該電界感知部と前記記録媒
   体との間に電位差を与え、該電位差と該電界感知部及び
   該記録媒体間の距離とに起因して生じる電界強度を該電
   界感知部で検出することによって、該電界感知部及び該
   記録媒体間の距離が測定されるものである記録変換素子
   。 ３４、情報をリード又はライトする記録ヘッドと非接触
   で用いられる記録媒体において、前記記録ヘッドに設け
   られた導電体との間に電位差を与える導電体を有し、こ
   の電位差と該記録ヘッドまでの距離とに起因する電界強
   度を検出することにより該記録ヘッドまでの距離が測定
   されるものであることを特徴とする記録媒体。 ３５、情報をリード又はライトする記録ヘッドと非接触
   で用いられる記録媒体において、前記記録ヘッドに設け
   られた導電体との間に電位差を与える導電体を有し、こ
   の電位差と該記録ヘッドまでの距離とに起因する電界強
   度を検出することにより該記録ヘッドまでの距離が測定
   されるものであって、有極性分子等の比誘電率の大きい
   物質からなる被膜を有することを特徴とする記録媒体。