JP2777632B2 - 記録方法及び記録装置 - Google Patents
記録方法及び記録装置Info
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- JP2777632B2 JP2777632B2 JP34244589A JP34244589A JP2777632B2 JP 2777632 B2 JP2777632 B2 JP 2777632B2 JP 34244589 A JP34244589 A JP 34244589A JP 34244589 A JP34244589 A JP 34244589A JP 2777632 B2 JP2777632 B2 JP 2777632B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は記録方法及び記録装置に係り、記録ヘッドと
記録媒体との間隔を制御するのに好適な記録方法及び記
録装置に関する。
記録媒体との間隔を制御するのに好適な記録方法及び記
録装置に関する。
磁気ディスク装置、磁気テープ装置、光ディスク装置
など記録ヘッドで記録媒体の間に有限小の間隔を保って
記録の入出力を行う記録装置では、あらゆる動作状態で
の記録ヘッドと記録媒体との間隔を測定することは装置
設計上極めて重要である。又、上記間隔を測定した上で
閉ループ制御することにより記録動作の安定化及びより
狭小な記録ヘッドと記録媒体との間隔の達成による記録
密度の高度化がはかれる。
など記録ヘッドで記録媒体の間に有限小の間隔を保って
記録の入出力を行う記録装置では、あらゆる動作状態で
の記録ヘッドと記録媒体との間隔を測定することは装置
設計上極めて重要である。又、上記間隔を測定した上で
閉ループ制御することにより記録動作の安定化及びより
狭小な記録ヘッドと記録媒体との間隔の達成による記録
密度の高度化がはかれる。
記録装置において、記録ヘッドと記録媒体との間隔の
測定方法ではいくつかの公知例がある。それらのうちで
実際の記録装置に使用される状態で記録ヘッドと記録媒
体との間隔を測定する方法としては、例えば特開昭62−
159385に記載のように磁気ディスク装置において磁気ヘ
ッドを保持する磁気ヘッドスライダに組み込んだ電極と
磁気ディスクとの間の静電容量を測定することによりヘ
ッドと磁気ディスクとの間隔を測定している。
測定方法ではいくつかの公知例がある。それらのうちで
実際の記録装置に使用される状態で記録ヘッドと記録媒
体との間隔を測定する方法としては、例えば特開昭62−
159385に記載のように磁気ディスク装置において磁気ヘ
ッドを保持する磁気ヘッドスライダに組み込んだ電極と
磁気ディスクとの間の静電容量を測定することによりヘ
ッドと磁気ディスクとの間隔を測定している。
又、記録ヘッドと記録媒体の間隔を制御する記録装置
としては、例えば特開昭62−125521のように磁気ディス
ク装置において磁気ヘッドスライダに電極を設け、記録
媒体の表面を導電性にして電極と記録媒体表面との間に
トンネル電流を流し、その電流値に基づいて磁気ヘッド
を上下させる機構によりヘッドと記録媒体との間隔を制
御する公知例がある。
としては、例えば特開昭62−125521のように磁気ディス
ク装置において磁気ヘッドスライダに電極を設け、記録
媒体の表面を導電性にして電極と記録媒体表面との間に
トンネル電流を流し、その電流値に基づいて磁気ヘッド
を上下させる機構によりヘッドと記録媒体との間隔を制
御する公知例がある。
上記従来技術のうち、記録ヘッドと記録媒体の間隔を
静電容量で測定する方法で、電極を小さくすると静電容
量が小さくなり、間隔の変化に対応した静電容量の変化
も小さくなってしまうため測定感度が悪くなるという問
題があった。また、記録ヘッドの電極は記録媒体との間
の静電容量の他に、記録装置の他の部分との間にも浮遊
容量を持っているため、各装置毎に較正を行わねばなら
ず、磁気ディスク装置のように磁気ヘッド部が動く場合
はその移動によっても浮遊容量が変化するため正確な測
定が難しくなるという問題もあった。
静電容量で測定する方法で、電極を小さくすると静電容
量が小さくなり、間隔の変化に対応した静電容量の変化
も小さくなってしまうため測定感度が悪くなるという問
題があった。また、記録ヘッドの電極は記録媒体との間
の静電容量の他に、記録装置の他の部分との間にも浮遊
容量を持っているため、各装置毎に較正を行わねばなら
ず、磁気ディスク装置のように磁気ヘッド部が動く場合
はその移動によっても浮遊容量が変化するため正確な測
定が難しくなるという問題もあった。
又、上記従来技術のうち、記録ヘッドと記録媒体の間
隔をトンネル電流の値に基づいて制御する記録装置では
記録ヘッド部のトンネル電流用の電極と記録媒体の間に
トンネル電流を流すために記録媒体の表面が導電性でな
ければならない。従って、記録媒体の種類に制約が生
じ、かつ記録媒体表面の汚れや酸化などによってトンネ
ル電流が流れなくなる。以上のような問題点を従来技術
は持っていた。
隔をトンネル電流の値に基づいて制御する記録装置では
記録ヘッド部のトンネル電流用の電極と記録媒体の間に
トンネル電流を流すために記録媒体の表面が導電性でな
ければならない。従って、記録媒体の種類に制約が生
じ、かつ記録媒体表面の汚れや酸化などによってトンネ
ル電流が流れなくなる。以上のような問題点を従来技術
は持っていた。
本発明の目的は、記録ヘッド部と記録媒体との間に電
位差を与えて生じる電場（電界に同じ）を記録ヘッド部
の電界感知素子により測定し、その電場強度より記録ヘ
ッドと記録媒体との間隔の測定に関して、実機仕様で、
各装置毎の較正も不要で、かつ記録ヘッドの移動の影響
もうけない記録方法及び記録装置を提供することであ
る。
位差を与えて生じる電場（電界に同じ）を記録ヘッド部
の電界感知素子により測定し、その電場強度より記録ヘ
ッドと記録媒体との間隔の測定に関して、実機仕様で、
各装置毎の較正も不要で、かつ記録ヘッドの移動の影響
もうけない記録方法及び記録装置を提供することであ
る。
また、本発明の他の目的は、記録ヘッドと記録媒体と
の間隔を記録媒体の表面の仕様および記録媒体の表面の
汚染等の変化の影響を受けにくい記録ヘッドと記録媒体
との間隔制御の方式を持った記録装置を提供することで
ある。
の間隔を記録媒体の表面の仕様および記録媒体の表面の
汚染等の変化の影響を受けにくい記録ヘッドと記録媒体
との間隔制御の方式を持った記録装置を提供することで
ある。
上記目的を達成するために本発明は、記録媒体と記録
素子の相対運動で情報をリード又はライトする記録方法
において、前記記録素子に設けた電界感知素子部と前記
記録媒体との間に電位差を与え、前記電位差と、前記記
録素子と前記記録媒体との間隔に起因して生じる電界強
度とを検出して、前記記録素子と前記記録媒体との距離
を測定することを特徴とする。
素子の相対運動で情報をリード又はライトする記録方法
において、前記記録素子に設けた電界感知素子部と前記
記録媒体との間に電位差を与え、前記電位差と、前記記
録素子と前記記録媒体との間隔に起因して生じる電界強
度とを検出して、前記記録素子と前記記録媒体との距離
を測定することを特徴とする。
また、記録媒体と記録素子の相対運動で情報をリード
又はライトする記録方法において、前記記録素子に設け
た複数の電界感知素子部と前記記録媒体との間に電位差
を与え、前記電位差と、前記記録素子と前記記録媒体と
の間隔に起因して生じる電界強度とを前記複数の電界感
知素子で検出して、前記記録素子と前記記録媒体との距
離を測定し、その測定結果に基づいて前記記録素子と前
記記録媒体との間の間隔を制御することを特徴とする。
又はライトする記録方法において、前記記録素子に設け
た複数の電界感知素子部と前記記録媒体との間に電位差
を与え、前記電位差と、前記記録素子と前記記録媒体と
の間隔に起因して生じる電界強度とを前記複数の電界感
知素子で検出して、前記記録素子と前記記録媒体との距
離を測定し、その測定結果に基づいて前記記録素子と前
記記録媒体との間の間隔を制御することを特徴とする。
また、記録媒体と、前記記録媒体の情報をリードまた
はライトする記録素子とを有する記録装置において、前
記記録素子は電界感知素子部を有し、前記記録素子と前
記記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、前記電
界感知素子にて検出した電界強度から前記記録媒体と前
記記録素子との間の距離を求める手段と、前記求められ
た距離を用いて前記記録素子と前記記録媒体との間の距
離を制御する制御手段を備えたことを特徴とするもので
ある。
はライトする記録素子とを有する記録装置において、前
記記録素子は電界感知素子部を有し、前記記録素子と前
記記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、前記電
界感知素子にて検出した電界強度から前記記録媒体と前
記記録素子との間の距離を求める手段と、前記求められ
た距離を用いて前記記録素子と前記記録媒体との間の距
離を制御する制御手段を備えたことを特徴とするもので
ある。
また、記録媒体と、前記記録媒体の情報をリードまた
はライトする記録素子とを有する記録装置において、前
記記録素子は複数の電界感知素子部を有し、前記記録素
子と前記記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、
前記複数の電界感知素子にて検出した電界強度から、前
記記録媒体と前記記録素子との間の距離を求める手段
と、前記求められた距離を用いて前記記録素子と前記記
録媒体との間の距離を制御する制御手段を備えたことを
特徴とするものである。
はライトする記録素子とを有する記録装置において、前
記記録素子は複数の電界感知素子部を有し、前記記録素
子と前記記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、
前記複数の電界感知素子にて検出した電界強度から、前
記記録媒体と前記記録素子との間の距離を求める手段
と、前記求められた距離を用いて前記記録素子と前記記
録媒体との間の距離を制御する制御手段を備えたことを
特徴とするものである。
また、記録媒体と、前記記録媒体の情報をリードまた
はライトする記録素子とを有する記録装置において、前
記リードまたはライトする記録素子と同一基板上に薄膜
素子として電界感知素子を形成し、前記記録素子と前記
記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、前記電界
感知素子にて検出した電界強度から前記記録媒体と前記
記録素子との間の距離を求める手段と、前記求められた
距離を用いて前記記録素子と前記記録媒体との間の距離
を制御する制御手段を備えたことを特徴とするものであ
る。
はライトする記録素子とを有する記録装置において、前
記リードまたはライトする記録素子と同一基板上に薄膜
素子として電界感知素子を形成し、前記記録素子と前記
記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、前記電界
感知素子にて検出した電界強度から前記記録媒体と前記
記録素子との間の距離を求める手段と、前記求められた
距離を用いて前記記録素子と前記記録媒体との間の距離
を制御する制御手段を備えたことを特徴とするものであ
る。
以上の構成によれば次のような作用がある。
即ち、２つの離れた導電体に互いに異なる電位を与え
るとその間に電場が生じる。この２つの導電体の電位差
を一定にすれば、生じる電場の強さは２つの導電体の距
離に依る。すなわち、２つの導電体間に生じた電場の強
さから２つの導電体の間隔を知ることができる。
るとその間に電場が生じる。この２つの導電体の電位差
を一定にすれば、生じる電場の強さは２つの導電体の距
離に依る。すなわち、２つの導電体間に生じた電場の強
さから２つの導電体の間隔を知ることができる。
これを原理的に説明すると、電位差をもった２つの導
電体間の電場の強さはその２つの導電体の間隔の関数と
なるということである。例えば、記録装置の記録ヘッド
部に導電体を組み込み、記録媒体の一部にも導電性の部
分をあらかじめ造っておく。この２つの導電体の間に既
知の電位差を与える。すると、２つの上記導電体の間に
電場が生じ、その電場の強度は２つの導電体の距離に依
存する。上記電場中に電場の強度を検出する部分を設け
て電界強度を知ることにより上記２つの導電体の間隔を
算出し、この間隔より記録ヘッドと記録媒体との間隔を
得ることができる。
電体間の電場の強さはその２つの導電体の間隔の関数と
なるということである。例えば、記録装置の記録ヘッド
部に導電体を組み込み、記録媒体の一部にも導電性の部
分をあらかじめ造っておく。この２つの導電体の間に既
知の電位差を与える。すると、２つの上記導電体の間に
電場が生じ、その電場の強度は２つの導電体の距離に依
存する。上記電場中に電場の強度を検出する部分を設け
て電界強度を知ることにより上記２つの導電体の間隔を
算出し、この間隔より記録ヘッドと記録媒体との間隔を
得ることができる。
更に、記録ヘッドと記録媒体との間隔を変化させる機
構、すなわち記録ヘッドと記録媒体の一方又は両方を変
位させる機構を設け、上述の記録ヘッドと記録媒体の間
隔を測定する手段により得た記録ヘッドと記録媒体との
間隔に基づいて記録ヘッドと記録媒体の間隔を制御する
ことが可能となる。
構、すなわち記録ヘッドと記録媒体の一方又は両方を変
位させる機構を設け、上述の記録ヘッドと記録媒体の間
隔を測定する手段により得た記録ヘッドと記録媒体との
間隔に基づいて記録ヘッドと記録媒体の間隔を制御する
ことが可能となる。
以下、本発明のいくつかの実施例を図面を参考にして
説明する。
説明する。
まず、記録ヘッドと記録媒体との間隔の測定方法の実
施例について説明する。第１図は、本発明の一実施例と
して磁気ディスク装置において磁気ヘッドスライダと磁
気ディスクとの浮上間隔を測定する方法を示したもので
ある。但し、第１図では磁気ディスクの回転駆動系、磁
気ヘッドスライダの支持系、磁気ヘッドスライダの記録
トラックアクセス機構及びそれらの制御回路等の部分は
従来の磁気ディスク装置と同様式であっても本発明は達
成されるため、図示していない。このときの磁気ディス
ク装置は例えば日立製作所製のH6586Kでよい。この磁気
ディスク装置の磁気ヘッドスライダ１の後端部のスライ
ダレールに導電体電極２を組み込み、この電極２と磁気
ディスク３の導電体４（アルミ基板や磁気記録媒体がこ
れにあたる。場合によっては磁気ディスク表面に導電性
の、例えばカーボン等からなる膜を形成してもよい。）
とも電圧源５に接続し電位差を与える。すると電極２と
導電体４の間に電場６が発生する。この電場６の強度を
電極２の上に設けた電場感知素子７で検出する。検出さ
れた電場の強度を例えば計算機とプログラムからなるデ
ータ処理装置８で処理し、電極２とディスク内（又は表
面）の導電体４との距離を算出し、これを磁気ヘッド９
と磁気ディスク４との距離に換算する。又、第２図の電
極2A,2B、電界感知素子7A,7Bのように複数化すれば磁気
ヘッドスライダの浮上姿勢を測定することができる。
施例について説明する。第１図は、本発明の一実施例と
して磁気ディスク装置において磁気ヘッドスライダと磁
気ディスクとの浮上間隔を測定する方法を示したもので
ある。但し、第１図では磁気ディスクの回転駆動系、磁
気ヘッドスライダの支持系、磁気ヘッドスライダの記録
トラックアクセス機構及びそれらの制御回路等の部分は
従来の磁気ディスク装置と同様式であっても本発明は達
成されるため、図示していない。このときの磁気ディス
ク装置は例えば日立製作所製のH6586Kでよい。この磁気
ディスク装置の磁気ヘッドスライダ１の後端部のスライ
ダレールに導電体電極２を組み込み、この電極２と磁気
ディスク３の導電体４（アルミ基板や磁気記録媒体がこ
れにあたる。場合によっては磁気ディスク表面に導電性
の、例えばカーボン等からなる膜を形成してもよい。）
とも電圧源５に接続し電位差を与える。すると電極２と
導電体４の間に電場６が発生する。この電場６の強度を
電極２の上に設けた電場感知素子７で検出する。検出さ
れた電場の強度を例えば計算機とプログラムからなるデ
ータ処理装置８で処理し、電極２とディスク内（又は表
面）の導電体４との距離を算出し、これを磁気ヘッド９
と磁気ディスク４との距離に換算する。又、第２図の電
極2A,2B、電界感知素子7A,7Bのように複数化すれば磁気
ヘッドスライダの浮上姿勢を測定することができる。
次に、本実施例で検出した電場強度から磁気ヘッドと
磁気ディスクとの距離を算出する実施例について第３図
で説明する。第３図は第１図及び第２図の電場感知素子
７と磁気ディスク３との近くを拡大したものである。電
極２と磁気ディスク３の導電体４との間には電位差Ｖが
与えられている。磁気ディスク３の表面は多くの場合、
非導電性の保護膜や潤滑膜があるのでこれを厚さｌ、平
均化された比誘電率ε１の誘電体層21として代表して表
す。又、電場感知素子７自体の比誘電率を平均化したも
のをε２とする。すると電場感知素子７内では電場６の
強度Esは、 となる。
磁気ディスクとの距離を算出する実施例について第３図
で説明する。第３図は第１図及び第２図の電場感知素子
７と磁気ディスク３との近くを拡大したものである。電
極２と磁気ディスク３の導電体４との間には電位差Ｖが
与えられている。磁気ディスク３の表面は多くの場合、
非導電性の保護膜や潤滑膜があるのでこれを厚さｌ、平
均化された比誘電率ε１の誘電体層21として代表して表
す。又、電場感知素子７自体の比誘電率を平均化したも
のをε２とする。すると電場感知素子７内では電場６の
強度Esは、 となる。
磁気ディスク３表面の誘電体21の厚さ、成分は既知で
あるので第３図のｌ及びε１は既知である。又、電場感
知素子７の厚さｄ、平均比誘電率ε１も既知のものを用
いると、電界感知素子７で検出された電場強度Esより磁
気ヘッドスライダ１の磁気ディスク３からの浮上量ｈが
次式で求まる。
あるので第３図のｌ及びε１は既知である。又、電場感
知素子７の厚さｄ、平均比誘電率ε１も既知のものを用
いると、電界感知素子７で検出された電場強度Esより磁
気ヘッドスライダ１の磁気ディスク３からの浮上量ｈが
次式で求まる。
次に第４図に示すように電界感知素子７の外部を厚さ
x,比誘電率ε３の誘電体31で覆った場合には浮上量ｈは
次式で求まる。
x,比誘電率ε３の誘電体31で覆った場合には浮上量ｈは
次式で求まる。
これは電界感知素子の外面に厚さｘ、比誘電率ε３の
物質が付着した場合と同じである。この場合、スライダ
下面の汚染が分らなければ測定された浮上量は実際の浮
上量よりx/ε３だけ低いことになる。
物質が付着した場合と同じである。この場合、スライダ
下面の汚染が分らなければ測定された浮上量は実際の浮
上量よりx/ε３だけ低いことになる。
コンタクトスタートストップ方式の磁気ディスクの場
合スライダ下面に付着するのは磁気ディスク表面の潤滑
剤である。もし、上記浮上量測定の誤差x/ε３が無視し
がたいときは、潤滑剤に比誘電率の大きい物質、例えば
有極性分子を主とした潤滑剤を用いればよい。
合スライダ下面に付着するのは磁気ディスク表面の潤滑
剤である。もし、上記浮上量測定の誤差x/ε３が無視し
がたいときは、潤滑剤に比誘電率の大きい物質、例えば
有極性分子を主とした潤滑剤を用いればよい。
次に第５図で上記電界感知素子の一実施例を示す。第
５図は電界感知素子として半導体素子を使い、半導体の
電界効果を利用したものである。
５図は電界感知素子として半導体素子を使い、半導体の
電界効果を利用したものである。
この電界感知素子はSiO2等の非導電体41に囲われたＰ
型半導体42をはさんだn+型半導体の部分43,44を持ち、
これらのn+型半導体43,44は互いに接触しておらず又、
各々は電極46,47により電気的に外部と接続しており、
各々電源49に接続されて電圧をかける。またn+型半導体
43,44間に流れる電流の検出器48が用意される。このn+
型半導体43,44をもったＰ型半導体42の外部は誘電体45
で覆われて平面をなし、この平面はスライダ１の下面と
同一平面をなす。但し、この誘電体45はディスクとの接
触や汚染物質の付着により電界感知素子の特性が影響を
受けるのを防ぐためにあるのであって電界感知素子の本
質的部分ではない。従って誘電体45の部分は無くてもよ
い。
型半導体42をはさんだn+型半導体の部分43,44を持ち、
これらのn+型半導体43,44は互いに接触しておらず又、
各々は電極46,47により電気的に外部と接続しており、
各々電源49に接続されて電圧をかける。またn+型半導体
43,44間に流れる電流の検出器48が用意される。このn+
型半導体43,44をもったＰ型半導体42の外部は誘電体45
で覆われて平面をなし、この平面はスライダ１の下面と
同一平面をなす。但し、この誘電体45はディスクとの接
触や汚染物質の付着により電界感知素子の特性が影響を
受けるのを防ぐためにあるのであって電界感知素子の本
質的部分ではない。従って誘電体45の部分は無くてもよ
い。
電界感知素子の内部には第５図に示すように導電体電
極２があり電気的に外部に接続され、電圧源５につなが
り、同じく電圧源５につながった磁気ディスク３の導電
体４との間に電圧がかけられる。このとき電極２が負電
位に、導電体４が正電位になるように電圧をかけると電
極２と導電体４の間に生じる電界51により電界感知素子
のＰ型半導体42の磁気ディスク側にｎ型の導電性の反転
層50が生じる。この現象はMOSトランジスタで起こるも
のと全く同じである。反転層50が生じているときにn+型
半導体43と44との間に電圧をかけると反転層50を通して
電流が流れる。このときの電流値は電界51が小さいうち
は電源49の印加電圧及び電圧源５の印加電圧により生じ
る電界51の強さに比例してふえる。尚、このような電界
効果型の半導体素子では電圧源５の電圧が０で電界51が
存在しなくても反転層50が生じる場合がある（MOS−FET
ではディプレッション型の素子にあたる）。そのような
場合には上記電流が流れ始める電圧が逆電位（つまり導
電体４の電位が電極２に対して負電位）の側にずれこん
だだけであり、上記電流値は電界51の強さ及び電源49に
同様の関係をもつ。
極２があり電気的に外部に接続され、電圧源５につなが
り、同じく電圧源５につながった磁気ディスク３の導電
体４との間に電圧がかけられる。このとき電極２が負電
位に、導電体４が正電位になるように電圧をかけると電
極２と導電体４の間に生じる電界51により電界感知素子
のＰ型半導体42の磁気ディスク側にｎ型の導電性の反転
層50が生じる。この現象はMOSトランジスタで起こるも
のと全く同じである。反転層50が生じているときにn+型
半導体43と44との間に電圧をかけると反転層50を通して
電流が流れる。このときの電流値は電界51が小さいうち
は電源49の印加電圧及び電圧源５の印加電圧により生じ
る電界51の強さに比例してふえる。尚、このような電界
効果型の半導体素子では電圧源５の電圧が０で電界51が
存在しなくても反転層50が生じる場合がある（MOS−FET
ではディプレッション型の素子にあたる）。そのような
場合には上記電流が流れ始める電圧が逆電位（つまり導
電体４の電位が電極２に対して負電位）の側にずれこん
だだけであり、上記電流値は電界51の強さ及び電源49に
同様の関係をもつ。
電源49の電圧が大きくなり反転層がいわゆるピンチオ
フを起こしている場合は、上記電流値は電圧源５により
生じる電界51の強さにほぼ比例する。ピンチオフを起こ
している場合、上記電流値は電源49の電圧の変化に対し
て安定で、また上記電流値はピンチオフのときに電界51
の強度変化に対して鋭敏となる。上記電流値を電流検出
器48で測定した値と、電源49の電圧と電圧源５の値及び
第５図の電界感知素子の特性から磁気ヘッドスライダ１
と磁気ディスク３との間隔ｈが算出できる。尚、第５図
においてn+型半導体43,44の代わりにP+型半導体、Ｐ型
半導体42をｎ型半導体とし電圧源の電圧の符号を逆にし
ても同様のことができる。
フを起こしている場合は、上記電流値は電圧源５により
生じる電界51の強さにほぼ比例する。ピンチオフを起こ
している場合、上記電流値は電源49の電圧の変化に対し
て安定で、また上記電流値はピンチオフのときに電界51
の強度変化に対して鋭敏となる。上記電流値を電流検出
器48で測定した値と、電源49の電圧と電圧源５の値及び
第５図の電界感知素子の特性から磁気ヘッドスライダ１
と磁気ディスク３との間隔ｈが算出できる。尚、第５図
においてn+型半導体43,44の代わりにP+型半導体、Ｐ型
半導体42をｎ型半導体とし電圧源の電圧の符号を逆にし
ても同様のことができる。
また、上記第５図の電界感知素子は第６図のようにも
構成できる。第６図の電界感知素子では電極２を電界感
知素子の内部に組み込み、磁気ディスク３の導電体４と
電極２との距離を小さくすることにより、電極２と導電
体４との間隔に磁気ヘッドスライダの浮上量ｈの占める
割合が大きくなり結果的に浮上量ｈの測定精度を高める
ことができる。又、第６図で示したように電界感知素子
のスライダ下面側の誘電体45の一部に電気的にどこにも
接続されない独立の導電体60を組み込めば、その厚さｘ
の分だけ電極２と磁気ディスク３の導電体４との実効的
な間隔が小さくなり、浮上量ｈの測定精度を上げること
ができる。又、第７図に示すようにどこにも電気的に接
続されていない独立の導電体63を誘電体45の内部に組み
込んでも全く同じ効果が得られ、又導電体63の腐食を防
ぐことができる。尚、n+型半導体43,44の電極61,62はそ
れぞれ電極２を避けて端部に設けられている。
構成できる。第６図の電界感知素子では電極２を電界感
知素子の内部に組み込み、磁気ディスク３の導電体４と
電極２との距離を小さくすることにより、電極２と導電
体４との間隔に磁気ヘッドスライダの浮上量ｈの占める
割合が大きくなり結果的に浮上量ｈの測定精度を高める
ことができる。又、第６図で示したように電界感知素子
のスライダ下面側の誘電体45の一部に電気的にどこにも
接続されない独立の導電体60を組み込めば、その厚さｘ
の分だけ電極２と磁気ディスク３の導電体４との実効的
な間隔が小さくなり、浮上量ｈの測定精度を上げること
ができる。又、第７図に示すようにどこにも電気的に接
続されていない独立の導電体63を誘電体45の内部に組み
込んでも全く同じ効果が得られ、又導電体63の腐食を防
ぐことができる。尚、n+型半導体43,44の電極61,62はそ
れぞれ電極２を避けて端部に設けられている。
いわゆる磁気ヘッドは半導体電気素子としても製作で
きるため、実施例として第５図から第７図に示した半導
体素子型の電界感知素子と一体形成することができる。
上記電界感知素子と磁気ヘッドを一体として形成したの
が第８図に示す実施例であり、第１図に示されたような
磁気ヘッドスライダ１の後端部に搭載し磁気ディスク３
上を浮上させた実施例である。
きるため、実施例として第５図から第７図に示した半導
体素子型の電界感知素子と一体形成することができる。
上記電界感知素子と磁気ヘッドを一体として形成したの
が第８図に示す実施例であり、第１図に示されたような
磁気ヘッドスライダ１の後端部に搭載し磁気ディスク３
上を浮上させた実施例である。
この実施例では基板79上に酸化シリコン等の絶縁膜72
を形成したその上に、外部の電源149に接続された電極1
46,147及び電極146,147にそれぞれ接続したn+型半導体1
43,144がある。n+型半導体143,144の間にはＰ型半導体1
42があり、これらの半導体142,143,144で電界感知素子
の磁気ディスク側の面を構成している。電界感知素子の
内部は電極146,147にはさまれた部分に絶縁体80が有
り、その内部には導電体２が半導体142,143,144に接近
してしかし電気的に接続せずに存在する。この導電体２
は磁気ディスク３中の導電体４との間に接続された電圧
源105により、導電体４に対して負の電位を与えられて
いる。
を形成したその上に、外部の電源149に接続された電極1
46,147及び電極146,147にそれぞれ接続したn+型半導体1
43,144がある。n+型半導体143,144の間にはＰ型半導体1
42があり、これらの半導体142,143,144で電界感知素子
の磁気ディスク側の面を構成している。電界感知素子の
内部は電極146,147にはさまれた部分に絶縁体80が有
り、その内部には導電体２が半導体142,143,144に接近
してしかし電気的に接続せずに存在する。この導電体２
は磁気ディスク３中の導電体４との間に接続された電圧
源105により、導電体４に対して負の電位を与えられて
いる。
第５図から第７図の実施例で説明したと同じく導電体
２と４の間にかけられた電圧により発生した電場（図示
せず）によりＰ型半導体142に上記電場強度に応じた厚
さのｎ型の導電性の反転層150が発生し、上記電場の強
度に応じた強さの電流が流れる。上記電場の強さは電圧
源105の電圧が一定のとき磁気ヘッドスライダ１と磁気
ディスク３との間隔の関数となる。従って反転層150に
流れる電流を半導体143と144と電源149との電気的なつ
ながりのなかに直列に接続した電流検出器148で検出
し、上記検出された電流値をデータ処理装置108で電界
感知素子の特性や磁気ディスクと電界感知素子の物性等
のデータにもとづき処理すると上記処理ヘッドスライダ
と磁気ディスクの間隔が得られる。そしてこの電界感知
素子部を基板とみたてて絶縁体73をはさんで磁気ヘッド
（いわゆる薄膜ヘッド）を形成することは十分可能であ
る。
２と４の間にかけられた電圧により発生した電場（図示
せず）によりＰ型半導体142に上記電場強度に応じた厚
さのｎ型の導電性の反転層150が発生し、上記電場の強
度に応じた強さの電流が流れる。上記電場の強さは電圧
源105の電圧が一定のとき磁気ヘッドスライダ１と磁気
ディスク３との間隔の関数となる。従って反転層150に
流れる電流を半導体143と144と電源149との電気的なつ
ながりのなかに直列に接続した電流検出器148で検出
し、上記検出された電流値をデータ処理装置108で電界
感知素子の特性や磁気ディスクと電界感知素子の物性等
のデータにもとづき処理すると上記処理ヘッドスライダ
と磁気ディスクの間隔が得られる。そしてこの電界感知
素子部を基板とみたてて絶縁体73をはさんで磁気ヘッド
（いわゆる薄膜ヘッド）を形成することは十分可能であ
る。
第８図はアルミナ71におおわれた上部磁性体77と下部
磁性体75の間に絶縁膜76で絶縁された磁気信号と電気信
号との変換をする導体コイル74が形成されてヘッドギッ
プ78により磁気ディスクの書き込み及び読み出しを行う
従来の薄膜ヘッドである（導体コイルの残り部分及び信
号の入出力線は省略している。）このように磁気ヘッド
と磁気ディスクの間隔を測定する電界感知素子と磁気ヘ
ッドを一体として形成することにより、磁気ヘッドと電
界感知素子を別々に製作し磁気ヘッドスライダに搭載す
ることにより製作工程を省略することができ、又磁気ヘ
ッドと電界感知素子を同一基板上に形成したことにより
電界感知素子と磁気ヘッドとの相対位置誤差から電界感
知素子と磁気ヘッドを別個に取り付けたときの取り付け
誤差がなくなり、半導体製造時のレジストパータン位置
決め誤差のみとなるため製造歩止まり向上及び上記磁気
ヘッドと磁気ディスクとの間隔の測定の較正の省力化が
達成される。
磁性体75の間に絶縁膜76で絶縁された磁気信号と電気信
号との変換をする導体コイル74が形成されてヘッドギッ
プ78により磁気ディスクの書き込み及び読み出しを行う
従来の薄膜ヘッドである（導体コイルの残り部分及び信
号の入出力線は省略している。）このように磁気ヘッド
と磁気ディスクの間隔を測定する電界感知素子と磁気ヘ
ッドを一体として形成することにより、磁気ヘッドと電
界感知素子を別々に製作し磁気ヘッドスライダに搭載す
ることにより製作工程を省略することができ、又磁気ヘ
ッドと電界感知素子を同一基板上に形成したことにより
電界感知素子と磁気ヘッドとの相対位置誤差から電界感
知素子と磁気ヘッドを別個に取り付けたときの取り付け
誤差がなくなり、半導体製造時のレジストパータン位置
決め誤差のみとなるため製造歩止まり向上及び上記磁気
ヘッドと磁気ディスクとの間隔の測定の較正の省力化が
達成される。
次に半導体で構成された電界感知素子の平面的構造に
関しての実施例について述べる。例えば第５図に示した
実施例でn+型半導体43,44とその電極46,47及び電界を作
るための電極２に注目してその平面的拡がりを図示した
のが第９図である。電極２は他の部分にくらべ紙面上方
に離れているため点線で示してある。ちなみに線分ABで
の断面が第５図となる。この第９図のような構成の場合
n+型半導体43,44との間のｎ型の反転層以外のＰ型半導
体部分を通るもれ電流90が発生する。特に、第５図で示
した電場51が０でも反転層50が発生するディプレッショ
ンタイプの素子ではもれ電流が大きい。このもれ電流を
回避するには電極２よりＰ型半導体42を小さくするか、
第10図及び第10図の線分CDの断面図である第11図に示し
たようにn+型半導体203のまわりをとりかこむようにも
う一つのn+型半導体202を離して配置すればよい。n+型
半導体202,203にはそれぞれ電極201,204が接続され外部
へと接続されている。そして非導電体206内に磁気ディ
スクの導電体（図示せず）との間に電場を発生させるた
めの電極205がある（205の中央の穴は電極204を外部に
接続するためのものである。）上記電場によりn+型半導
体202と203の間を充しているＰ型半導体207の半導体202
と203にはさまれた電極205から遠い方の面には導電性の
ｎ型反転層が第５図から第８図の実施例で説明したのと
同様の作用によってできあがる。しかも導体202と203の
間には反転層210以外に電流の径路はなく、もれ電流は
小さくなる。
関しての実施例について述べる。例えば第５図に示した
実施例でn+型半導体43,44とその電極46,47及び電界を作
るための電極２に注目してその平面的拡がりを図示した
のが第９図である。電極２は他の部分にくらべ紙面上方
に離れているため点線で示してある。ちなみに線分ABで
の断面が第５図となる。この第９図のような構成の場合
n+型半導体43,44との間のｎ型の反転層以外のＰ型半導
体部分を通るもれ電流90が発生する。特に、第５図で示
した電場51が０でも反転層50が発生するディプレッショ
ンタイプの素子ではもれ電流が大きい。このもれ電流を
回避するには電極２よりＰ型半導体42を小さくするか、
第10図及び第10図の線分CDの断面図である第11図に示し
たようにn+型半導体203のまわりをとりかこむようにも
う一つのn+型半導体202を離して配置すればよい。n+型
半導体202,203にはそれぞれ電極201,204が接続され外部
へと接続されている。そして非導電体206内に磁気ディ
スクの導電体（図示せず）との間に電場を発生させるた
めの電極205がある（205の中央の穴は電極204を外部に
接続するためのものである。）上記電場によりn+型半導
体202と203の間を充しているＰ型半導体207の半導体202
と203にはさまれた電極205から遠い方の面には導電性の
ｎ型反転層が第５図から第８図の実施例で説明したのと
同様の作用によってできあがる。しかも導体202と203の
間には反転層210以外に電流の径路はなく、もれ電流は
小さくなる。
次に記録ヘッドと記録媒体との間隔の制御を行う記録
装置の実施例について説明する。第12図は本発明の一実
施例として磁気ディスク装置に適用したものを示す。
尚、第12図では磁気ディスクの回転駆動系、磁気ヘッド
スライダの支持系、磁気ヘッドスライダの記録トラック
アクセス機構及び磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔制御
のための電気回路以外の制御回路は従来の磁気ディスク
装置と同様式であっても本発明は達成されるため図中に
示さない。
装置の実施例について説明する。第12図は本発明の一実
施例として磁気ディスク装置に適用したものを示す。
尚、第12図では磁気ディスクの回転駆動系、磁気ヘッド
スライダの支持系、磁気ヘッドスライダの記録トラック
アクセス機構及び磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔制御
のための電気回路以外の制御回路は従来の磁気ディスク
装置と同様式であっても本発明は達成されるため図中に
示さない。
磁気ヘッドスライダ１の後端部に変位機位機構81を介
して磁気ヘッド９を持った記録変換部支持体84が接続さ
れている。記録変換部支持体84の磁気ディスク３側の面
には電界感知素子７があり、電界感知素子７の磁気ディ
スクと反対側の面には電極２がある。この電極２は電圧
源５につながっておりさらに電圧源５は磁気ディスクの
導電体４につながり、電極２と導電体４には電圧源５に
より電位差が与えられる。この電位差により電極２と導
電体４の間には双方の間隔によって決まる強さの電場
（図示せず）が発生し、上記電場中にある電界感知素子
７により上記電場の強度を検出する。検出された上記電
場の強度のデータと磁気ディスク３と電界感知素子７自
身の物性的性質から電極２と導電体４の間隔を算出しさ
らに設計データ等から磁気ヘッド９と磁気ディスク３と
の間隔を算出するプログラムをもったデータ処理装置83
が電界感知素子と電気信号をやりとりできるように接続
されている。データ処理装置では磁気ヘッド９と磁気デ
ィスク３との間隔の実測値を基に磁気ヘッドと磁気ディ
スクの間隔が磁気記録の書き込み・読出しに適切かどう
かを判断し、適切でないと判断した場合には変位機構81
の駆動装置82に記録変換支持体84の変位を指示し、磁気
記録の書込み・読み出しに適した磁気ヘッド記録媒体間
距離を保つようにする。
して磁気ヘッド９を持った記録変換部支持体84が接続さ
れている。記録変換部支持体84の磁気ディスク３側の面
には電界感知素子７があり、電界感知素子７の磁気ディ
スクと反対側の面には電極２がある。この電極２は電圧
源５につながっておりさらに電圧源５は磁気ディスクの
導電体４につながり、電極２と導電体４には電圧源５に
より電位差が与えられる。この電位差により電極２と導
電体４の間には双方の間隔によって決まる強さの電場
（図示せず）が発生し、上記電場中にある電界感知素子
７により上記電場の強度を検出する。検出された上記電
場の強度のデータと磁気ディスク３と電界感知素子７自
身の物性的性質から電極２と導電体４の間隔を算出しさ
らに設計データ等から磁気ヘッド９と磁気ディスク３と
の間隔を算出するプログラムをもったデータ処理装置83
が電界感知素子と電気信号をやりとりできるように接続
されている。データ処理装置では磁気ヘッド９と磁気デ
ィスク３との間隔の実測値を基に磁気ヘッドと磁気ディ
スクの間隔が磁気記録の書き込み・読出しに適切かどう
かを判断し、適切でないと判断した場合には変位機構81
の駆動装置82に記録変換支持体84の変位を指示し、磁気
記録の書込み・読み出しに適した磁気ヘッド記録媒体間
距離を保つようにする。
又、実施例の第８図で示したように電界感知素子と磁
気ヘッドを一体として形成すると第12図に示した実施例
は第13図に示したようになる。すなわち第12図での磁気
ヘッド９、電極２、電界感知素子７を磁気ヘッド及び浮
上間隔測定複合体86に一体化したのが第13図であり、実
施例の説明図第８図で説明した効果がさらに加わる。
気ヘッドを一体として形成すると第12図に示した実施例
は第13図に示したようになる。すなわち第12図での磁気
ヘッド９、電極２、電界感知素子７を磁気ヘッド及び浮
上間隔測定複合体86に一体化したのが第13図であり、実
施例の説明図第８図で説明した効果がさらに加わる。
又、第14図に示したように電界感知素子を複数（第14
図では7a,7bの２つ）にし、磁気ディスク３の導電体４
との間に電場を発生する電極も同じ数（第14図では2a,2
bの２つ）だけ設けると、電極2a及び2bに印加する導電
体４との電位差及び電界感知素子7a,7bの特性を２種類
用意すれば２つの電界感知素子の感度を電界強度の大変
動用と高感度小変動用の２種類用意するなど磁気ヘッド
と磁気ディスクの間隔測定の高機能化が達成される。
図では7a,7bの２つ）にし、磁気ディスク３の導電体４
との間に電場を発生する電極も同じ数（第14図では2a,2
bの２つ）だけ設けると、電極2a及び2bに印加する導電
体４との電位差及び電界感知素子7a,7bの特性を２種類
用意すれば２つの電界感知素子の感度を電界強度の大変
動用と高感度小変動用の２種類用意するなど磁気ヘッド
と磁気ディスクの間隔測定の高機能化が達成される。
その他、半導体を用いた電界感知素子としては他にシ
ョットキーゲート電界効果トランジスタなども考えられ
る。
ョットキーゲート電界効果トランジスタなども考えられ
る。
上述のとおり本発明によれば、記録ヘッド部に設けら
れた導電体と記録媒体中の導電体に与えた電位差により
発生する電場を測定することにより記録ヘッドと記録媒
体との間隔を測定することができるので、記録媒体内に
導電体があれば記録ヘッド部に電界発生用の電極と電界
感知素子を組み込む事によりあらゆる状態での記録ヘッ
ドと記録媒体との間隔を測定することができ、また記録
媒体の表面及び記録ヘッドの表面が非導電性であっても
上記間隔の測定が行える。
れた導電体と記録媒体中の導電体に与えた電位差により
発生する電場を測定することにより記録ヘッドと記録媒
体との間隔を測定することができるので、記録媒体内に
導電体があれば記録ヘッド部に電界発生用の電極と電界
感知素子を組み込む事によりあらゆる状態での記録ヘッ
ドと記録媒体との間隔を測定することができ、また記録
媒体の表面及び記録ヘッドの表面が非導電性であっても
上記間隔の測定が行える。
また、上記方法で記録ヘッドと記録媒体との間隔を測
定し、その測定値に基づいて上記間隔を閉ループ制御す
ることができるので記録ヘッドと記録媒体の間隔を所定
の値に保つことができ、記録の書き込み及び読出しの安
定化及び狭小な記録ヘッドと記録媒体との間隔を保つこ
とにより記録密度の高密度化を行うことができる。
定し、その測定値に基づいて上記間隔を閉ループ制御す
ることができるので記録ヘッドと記録媒体の間隔を所定
の値に保つことができ、記録の書き込み及び読出しの安
定化及び狭小な記録ヘッドと記録媒体との間隔を保つこ
とにより記録密度の高密度化を行うことができる。
また、電界感知素子として電界効果型の構成をもつ半
導体素子を用いることにより、例えば薄膜磁気ヘッドと
の一体形成が可能となり、上記測定装置及び上記記録ヘ
ッドと記録媒体との間隔を測定する記録装置の製作を容
易にしたり安価にする効果がある。
導体素子を用いることにより、例えば薄膜磁気ヘッドと
の一体形成が可能となり、上記測定装置及び上記記録ヘ
ッドと記録媒体との間隔を測定する記録装置の製作を容
易にしたり安価にする効果がある。
第１図は本発明の測定方法の一実施例の説明図、第２図
は電界感知素子を複数にした実施例の説明図、第３図は
記録媒体に誘電体のある実施例の説明図、第４図は電界
感知素子に誘電体のある実施例の説明図、第５図ないし
第７図は電界効果型半導体素子を用いた電界感知素子の
実施例の説明図、第８図は磁気ヘッドと電界感知素子と
を一体形成した実施例の説明図、第９図は本発明の一実
施例のもれ電流の説明図、第10図はもれ電流を小さくし
た実施例の説明図、第11図は第10図のＣ−Ｄ線断面図、
第12図は本発明の記録装置の一実施例を示す説明図、第
13図は記録ヘッドと電界感知素子とを一体化した実施例
の説明図、第14図は電界感知素子を複数にした実施例の
説明図である。 １……磁気ヘッドスライダ、２……導電体電極、 ３……磁気ディスク、４……導電体、 ５……電圧源、６……電場、 ７……電場感知素子、８……データ処理装置、 ９……記録ヘッド、 42,142,207……Ｐ型半導体、 43,44,143,144,202,203……n+型半導体、 50,150,210……反転層、51……電界、 60,63……独立導電体、81……変位機構、 82……駆動装置、83……データ処理装置。
は電界感知素子を複数にした実施例の説明図、第３図は
記録媒体に誘電体のある実施例の説明図、第４図は電界
感知素子に誘電体のある実施例の説明図、第５図ないし
第７図は電界効果型半導体素子を用いた電界感知素子の
実施例の説明図、第８図は磁気ヘッドと電界感知素子と
を一体形成した実施例の説明図、第９図は本発明の一実
施例のもれ電流の説明図、第10図はもれ電流を小さくし
た実施例の説明図、第11図は第10図のＣ−Ｄ線断面図、
第12図は本発明の記録装置の一実施例を示す説明図、第
13図は記録ヘッドと電界感知素子とを一体化した実施例
の説明図、第14図は電界感知素子を複数にした実施例の
説明図である。 １……磁気ヘッドスライダ、２……導電体電極、 ３……磁気ディスク、４……導電体、 ５……電圧源、６……電場、 ７……電場感知素子、８……データ処理装置、 ９……記録ヘッド、 42,142,207……Ｐ型半導体、 43,44,143,144,202,203……n+型半導体、 50,150,210……反転層、51……電界、 60,63……独立導電体、81……変位機構、 82……駆動装置、83……データ処理装置。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−159385（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−125521（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−223602（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−231202（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−80002（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−90003（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−29259（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 21/21 G01B 7/14
Claims (5)
- 【請求項１】記録媒体と記録素子の相対運動で情報をリ
ード又はライトする記録方法において、前記記録素子に
設けた電界感知素子部と前記記録媒体との間に電位差を
与え、前記電位差と、前記記録素子と前記記録媒体との
間隔に起因して生じる電界強度とを検出して、前記記録
素子と前記記録媒体との距離を測定することを特徴とす
る記録方法。 - 【請求項２】記録媒体と記録素子の相対運動で情報をリ
ード又はライトする記録方法において、前記記録素子に
設けた複数の電界感知素子部と前記記録媒体との間に電
位差を与え、前記電位差と、前記記録素子と前記記録媒
体との間隔に起因して生じる電界強度とを前記複数の電
界感知素子で検出して、前記記録素子と前記記録媒体と
の距離を測定し、その測定結果に基づいて前記記録素子
と前記記録媒体との間の間隔を制御することを特徴とす
る記録方法。 - 【請求項３】記録媒体と、前記記録媒体の情報をリード
またはライトする記録素子とを有する記録装置におい
て、前記記録素子は電界感知素子部を有し、前記記録素
子と前記記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、
前記電界感知素子にて検出した電界強度から前記記録媒
体と前記記録素子との間の距離を求める手段と、前記求
められた距離を用いて前記記録素子と前記記録媒体との
間の距離を制御する制御手段を備えたことを特徴とする
記録装置。 - 【請求項４】記録媒体と、前記記録媒体の情報をリード
またはライトする記録素子とを有する記録装置におい
て、前記記録素子は複数の電界感知素子部を有し、前記
記録素子と前記記録媒体との間に電位差を与える手段を
設け、前記複数の電界感知素子にて検出した電界強度か
ら、前記記録媒体と前記記録素子との間の距離を求める
手段と、前記求められた距離を用いて前記記録素子と前
記記録媒体との間の距離を制御する制御手段を備えたこ
とを特徴とする記録装置。 - 【請求項５】記録媒体と、前記記録媒体の情報をリード
またはライトする記録素子とを有する記録装置におい
て、前記リードまたはライトする記録素子と同一基板上
に薄膜素子として電界感知素子を形成し、前記記録素子
と前記記録媒体との間に電位差を与える手段を設け、前
記電界感知素子にて検出した電界強度から前記記録媒体
と前記記録素子との間の距離を求める手段と、前記求め
られた距離を用いて前記記録素子と前記記録媒体との間
の距離を制御する制御手段を備えたことを特徴とする記
録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34244589A JP2777632B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 記録方法及び記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34244589A JP2777632B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 記録方法及び記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203879A JPH03203879A (ja) | 1991-09-05 |
| JP2777632B2 true JP2777632B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=18353796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34244589A Expired - Fee Related JP2777632B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 記録方法及び記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777632B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9076663B2 (en) * | 2011-10-05 | 2015-07-07 | Oracle International Corporation | Determining spacing using a spatially varying charge distribution |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP34244589A patent/JP2777632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03203879A (ja) | 1991-09-05 |
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