JPH03203211A - コンデンサ - Google Patents
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多孔質化した導電体表面上に絶縁性高分子皮
膜を形成し、これを誘電体層とした上に導電性高分子膜
を形成してなるコンデンサに関するものである。
膜を形成し、これを誘電体層とした上に導電性高分子膜
を形成してなるコンデンサに関するものである。
従来の技術
フィルムコンデンサハ、通常、ポリエステルフ21、
イルムやポリプロピレンフィルムなどを誘電体として、
片面または両面にアルミニウム箔などの金属を巻回した
シ、真空蒸着などの方法でフィルム表面に金属をコーテ
ィングして製造されている。
片面または両面にアルミニウム箔などの金属を巻回した
シ、真空蒸着などの方法でフィルム表面に金属をコーテ
ィングして製造されている。
一般に大容量のフィルムコンデンサを得るためには金属
化処理したプラスチックフィルムを巻回したり積層した
構造を採用しているが、プラスチックフィルムの誘電率
は無機酸化物系の誘電体の誘電率と比較して小さく、更
に、フィルムの取扱上薄膜化にも限界があるため大容量
のフィルムコンデンサは得に<<、数マイクロファラド
が限界であった。
化処理したプラスチックフィルムを巻回したり積層した
構造を採用しているが、プラスチックフィルムの誘電率
は無機酸化物系の誘電体の誘電率と比較して小さく、更
に、フィルムの取扱上薄膜化にも限界があるため大容量
のフィルムコンデンサは得に<<、数マイクロファラド
が限界であった。
大容量を得るためには誘電体表面積を大きくすると良い
。この目的のため、電極となる導電体の表面を多孔質化
して、その表面に誘電体を形成すると良い。しかし、エ
ツチングしたアルミニウム箔のように、粗面化処理を行
った導電体表面に誘電体として絶縁性高分子膜を形成し
、更に金属箔または金属を蒸着して対極を取り出そうと
しても、粗面化した導電体の形状に応じて対極の金属層
を形成できず期待したほどの容量が得られない。
。この目的のため、電極となる導電体の表面を多孔質化
して、その表面に誘電体を形成すると良い。しかし、エ
ツチングしたアルミニウム箔のように、粗面化処理を行
った導電体表面に誘電体として絶縁性高分子膜を形成し
、更に金属箔または金属を蒸着して対極を取り出そうと
しても、粗面化した導電体の形状に応じて対極の金属層
を形成できず期待したほどの容量が得られない。
また、アルミニウム、タンタルなどの弁作用金属表面に
誘電体として酸化皮膜を形成し、該酸化皮膜上に化学重
合による導電性高分子膜層を設け、更に電解重合による
導電性高分子膜層を形成した構造の固体電解コンデンサ
が提案されている。
誘電体として酸化皮膜を形成し、該酸化皮膜上に化学重
合による導電性高分子膜層を設け、更に電解重合による
導電性高分子膜層を形成した構造の固体電解コンデンサ
が提案されている。
このものは、誘電体として用いる弁作用金属の酸化皮膜
は非常に薄くできるため、小型で大容量のコンデンサを
得ることが出来るが、その反面、誘電体酸化皮膜は脆い
ので機械的なストレスや衝撃に弱いなど欠陥が多く、漏
れ電流が大きい。また、弁作用金属の誘電体酸化皮膜は
整流作用を持っているため有極性のコンデンサしか形成
できなし。
は非常に薄くできるため、小型で大容量のコンデンサを
得ることが出来るが、その反面、誘電体酸化皮膜は脆い
ので機械的なストレスや衝撃に弱いなど欠陥が多く、漏
れ電流が大きい。また、弁作用金属の誘電体酸化皮膜は
整流作用を持っているため有極性のコンデンサしか形成
できなし。
発明が解決しようとする課題
本発明の目的とするところは、多孔質化した導電体上に
誘電体として絶縁性高分子皮膜を形成させ、該絶縁性高
分子皮膜上に対極を形成ぜしめた構造のコンデンサにお
いて、小型大容量化を可能にすると共に、多孔質化した
導電体の形状に応じて追従性のよい対極を形成せしめ、
優れたコンデンサ特性を持つコンデンサを提供すること
である。
誘電体として絶縁性高分子皮膜を形成させ、該絶縁性高
分子皮膜上に対極を形成ぜしめた構造のコンデンサにお
いて、小型大容量化を可能にすると共に、多孔質化した
導電体の形状に応じて追従性のよい対極を形成せしめ、
優れたコンデンサ特性を持つコンデンサを提供すること
である。
課題を解決するための手段
本発明のコンデンサは、多孔質化した導電体上に絶縁性
高分子膜からなる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に
順次、化学酸化重合による導電性高分子膜、電解重合に
よる導電性高分子膜を形成し、該電解重合による導電性
高分子膜上に導電性塗膜を形成したものである。
高分子膜からなる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に
順次、化学酸化重合による導電性高分子膜、電解重合に
よる導電性高分子膜を形成し、該電解重合による導電性
高分子膜上に導電性塗膜を形成したものである。
多孔質化した導電体としては、多孔質化のしやすさ、電
導度及び安定性から、アルミニウム、タンタル、ニッケ
ル、チタン、ステンレス、銅、及びカーボンが好ましい
。また、これらの導電体の多孔質化の方法としては、例
えば、電気化学的エツチング、酸やアルカリなどを用い
た化学的エツチング、イオンビームやスパッタリングな
どによる粗面化、サンドブラヌトや表面研磨による粗面
化、導電体微粉の焼結による多孔質化などが挙げられる
が、本発明の多孔質化した導電体はこれらの例によって
何等限定されない。
導度及び安定性から、アルミニウム、タンタル、ニッケ
ル、チタン、ステンレス、銅、及びカーボンが好ましい
。また、これらの導電体の多孔質化の方法としては、例
えば、電気化学的エツチング、酸やアルカリなどを用い
た化学的エツチング、イオンビームやスパッタリングな
どによる粗面化、サンドブラヌトや表面研磨による粗面
化、導電体微粉の焼結による多孔質化などが挙げられる
が、本発明の多孔質化した導電体はこれらの例によって
何等限定されない。
また、多孔質化した導電体上に絶縁性高分子皮膜を形成
させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ポ
リエステル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリフェ
ニレンスルフィド、ポリフェニレンオキシド、ポリパラ
フェニレン、ポリウレタン、アクリル樹脂などを良溶媒
に溶解し多孔質化した導電体上に流延塗布した後、良溶
媒を除去して多孔質化した導電体上にこれらの絶縁性高
分子皮膜を形成させる方法がある。
させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ポ
リエステル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリフェ
ニレンスルフィド、ポリフェニレンオキシド、ポリパラ
フェニレン、ポリウレタン、アクリル樹脂などを良溶媒
に溶解し多孔質化した導電体上に流延塗布した後、良溶
媒を除去して多孔質化した導電体上にこれらの絶縁性高
分子皮膜を形成させる方法がある。
會た、多孔質化した導電体表面を基板とし、テトラカル
ボン酸及びジアミンを同時に真空蒸着して基板上で重縮
合を行い、多孔質化した導電体上に絶縁性のポリイミド
薄膜を形成させる方法がある。
ボン酸及びジアミンを同時に真空蒸着して基板上で重縮
合を行い、多孔質化した導電体上に絶縁性のポリイミド
薄膜を形成させる方法がある。
また、アクリル酸やメタアクリル酸及びそのエステル、
ヌチレンなどのビニル化合物、バラキシレンジクロライ
ド、ポリイソシアネート、ベンゼン及び縮合芳香族多核
炭化水素、アセチレン及びその誘導体、複素環式化合物
などは、多孔質化した導電体を電極として電解を行うと
その表面トに6 ・\ 重合体の皮膜を形成する。
ヌチレンなどのビニル化合物、バラキシレンジクロライ
ド、ポリイソシアネート、ベンゼン及び縮合芳香族多核
炭化水素、アセチレン及びその誘導体、複素環式化合物
などは、多孔質化した導電体を電極として電解を行うと
その表面トに6 ・\ 重合体の皮膜を形成する。
唸た、カルボン酸樹脂や、ポリアミノ樹脂のようなイオ
ン性ポリマーを水や有機溶媒に溶解した溶液を電解液と
し、多孔質化した導電体を電極として用いて電解を行う
と、該イオン性ポリマーが多孔質化した金属表面に析出
する。これを加熱硬化することによって該導電体表面上
に絶縁性高分子皮膜が形成される。
ン性ポリマーを水や有機溶媒に溶解した溶液を電解液と
し、多孔質化した導電体を電極として用いて電解を行う
と、該イオン性ポリマーが多孔質化した金属表面に析出
する。これを加熱硬化することによって該導電体表面上
に絶縁性高分子皮膜が形成される。
また、多孔質化した導電体表面にプレポリマーまたはモ
ノマー単独あるいは溶液状で架橋剤と同時あるいは順次
コーティングした後、架橋硬化させて該導電体表面上に
絶縁性高分子膜を形成させる方法がある。この時のプレ
ポリマーまたはモノマーとしては、不飽和ポリエステル
、ポリウレタンプレポリマー、ポリビニルアルコール、
ポリエチレングリコール、低分子量エポキシ樹脂、ポリ
アクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリアミン。
ノマー単独あるいは溶液状で架橋剤と同時あるいは順次
コーティングした後、架橋硬化させて該導電体表面上に
絶縁性高分子膜を形成させる方法がある。この時のプレ
ポリマーまたはモノマーとしては、不飽和ポリエステル
、ポリウレタンプレポリマー、ポリビニルアルコール、
ポリエチレングリコール、低分子量エポキシ樹脂、ポリ
アクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリアミン。
ポリエビハロヒドリンなどがあり、架橋剤としては、ポ
リインシアネート、多塩基酸及びそのクロライド、ポリ
アミン、ビスフェノール。メラミンなどが挙げられる。
リインシアネート、多塩基酸及びそのクロライド、ポリ
アミン、ビスフェノール。メラミンなどが挙げられる。
これらの方法を用いて多孔質化した導電体表面上に絶縁
性高分子皮膜を形成させれ後、該絶縁性高分子皮膜上に
導電性高分子モノマーを少なくともQ、01 mol
/ 1含む溶液を均一に分散させた後、酸化剤を0.0
01 mol / l 〜2 mol / 1含む溶液
と接触させるか、または逆に酸化剤を均一に分散した後
、導電性高分子モノマー溶液と接触させる方法により化
学重合した導電性高分子膜Iを形成し表面を導電化する
。導電性高分子としてはポリピロール、ポリチオフェン
、ポリフランを用い、安定性の点から特に好遣しくはポ
リピロールを用しる。
性高分子皮膜を形成させれ後、該絶縁性高分子皮膜上に
導電性高分子モノマーを少なくともQ、01 mol
/ 1含む溶液を均一に分散させた後、酸化剤を0.0
01 mol / l 〜2 mol / 1含む溶液
と接触させるか、または逆に酸化剤を均一に分散した後
、導電性高分子モノマー溶液と接触させる方法により化
学重合した導電性高分子膜Iを形成し表面を導電化する
。導電性高分子としてはポリピロール、ポリチオフェン
、ポリフランを用い、安定性の点から特に好遣しくはポ
リピロールを用しる。
化学重合に用いられる酸化剤は、ヨウ素、臭素。
ヨウ化臭素などのハロゲン、五フッ化ヒ素、五フッ化ア
ンチモン、四フッ化ケイ素、五塩化リン。
ンチモン、四フッ化ケイ素、五塩化リン。
五フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブデンなど
の金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリ
フルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロトン酸、三
酸化イオウ、二酸化窒素などの含酸素化合物、過硫酸ナ
トリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化
水素、過酢酸などの過酸化物などである。
の金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリ
フルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロトン酸、三
酸化イオウ、二酸化窒素などの含酸素化合物、過硫酸ナ
トリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化
水素、過酢酸などの過酸化物などである。
その後、支持電解質0.01 mol / 1〜2 m
ol/ 1および導電性高分子モノマー0.01 mo
1 / 1〜5mol/lを含む電解液中で電解重合
を行うと化学重合した導電性高分子膜1上に均一な’i
t解重解重合導電性高分子膜形成される。
ol/ 1および導電性高分子モノマー0.01 mo
1 / 1〜5mol/lを含む電解液中で電解重合
を行うと化学重合した導電性高分子膜1上に均一な’i
t解重解重合導電性高分子膜形成される。
本発明の電解重合に用いられる支持電解質は、陰イオン
がヘキサフロロリン、ヘキサフロロリン。
がヘキサフロロリン、ヘキサフロロリン。
テトラフロロホウ素などのハロゲン化物アニオン。
ヨウ素、臭素、塩素などのハロゲンアニオン、過塩素酸
アニオン、ベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスル
ホン酸などのスルホン酸アニオンであう、また、陽イオ
ンがリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金
属カチオン、アンモニウム、テトラアルキルアンモ・ニ
ウムなどの4級アンモニウムカチオンである。化合物と
してはLiPF 、LiAsF6.LiC1○4 、
L I B F 4 。
アニオン、ベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスル
ホン酸などのスルホン酸アニオンであう、また、陽イオ
ンがリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金
属カチオン、アンモニウム、テトラアルキルアンモ・ニ
ウムなどの4級アンモニウムカチオンである。化合物と
してはLiPF 、LiAsF6.LiC1○4 、
L I B F 4 。
KI、NaPF6.NaClO4,トルエンスルホン醜
ナトリウム、トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニ
ウムなどが挙げられる。
ナトリウム、トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニ
ウムなどが挙げられる。
しかる後、この素子をコロイダルカーボンに浸漬して表
面にカーボン層を形成する。更にその上に導電性ペース
トによシ導電性塗膜を形成し、その一部に電極引出し用
のリード線が接続される。
面にカーボン層を形成する。更にその上に導電性ペース
トによシ導電性塗膜を形成し、その一部に電極引出し用
のリード線が接続される。
導’F[G、ペーストトシテハ銀ヘース+−,銅ヘース
l−。
l−。
アルミペーストなどが使用できる。以上のように構成さ
れたコンデンサ素子は、樹脂モールドまたは外装ケース
に密封するなどの外装によりコンデンサとして完成され
る。
れたコンデンサ素子は、樹脂モールドまたは外装ケース
に密封するなどの外装によりコンデンサとして完成され
る。
作 用
本発明によるコンデンサでは、多孔質化した導電体表面
に密着した絶縁性高分子皮膜を誘電体層として用い、更
に該絶縁性高分子材料に密着して形成した導電性高分子
膜を対極として作用させるため、小型で大容量で無極性
のコンデンサを得ることが出来る。
に密着した絶縁性高分子皮膜を誘電体層として用い、更
に該絶縁性高分子材料に密着して形成した導電性高分子
膜を対極として作用させるため、小型で大容量で無極性
のコンデンサを得ることが出来る。
実施例
以下、実施例及び比1咬例により本発明を詳細にo 3
説明する。
実施例−1
高純度アルミ箔の表面を電解エツチングによって100
倍に粗面化したアル□エッチ箔を得た。
倍に粗面化したアル□エッチ箔を得た。
該アルミエッチ基を101[[0X5111fDに切断
後かしめ付けによりリードを取シ付けて粗面化した金属
電極を得た。
後かしめ付けによりリードを取シ付けて粗面化した金属
電極を得た。
該金属電極をポリエチ1/ンテレフタレーl−の6係ジ
メチルホルムアミド溶液に浸漬後100°Cで乾燥して
厚さ0.1μmの絶縁性のポリエチ1/ンテレフタレー
ト皮膜を形成し素子を得た。
メチルホルムアミド溶液に浸漬後100°Cで乾燥して
厚さ0.1μmの絶縁性のポリエチ1/ンテレフタレー
ト皮膜を形成し素子を得た。
この素子を2 mo l / l ビロール/エタノー
ル溶液に5分間浸漬した後、更に0.5 mol /
l過硫酸アンモニウム水溶液に5分間浸漬して化学重合
によりポリピロール膜を形成した。更にこの素子をピロ
ルモノマー1 mol / 1及び支持電解質としてパ
ラトルエンスルホン酸ナトリウム1mol/iを含むア
セト千トリル溶液中に浸漬し、化学重合したポリピロー
ルを陽極とし、外部電極との間に定電流電解重合(1m
A/7,3oM)を行い、電解重合によるポリピロール
膜を形成した。この素子をコロイダルカーボンに浸漬し
てカーボン層ヲ形成し、更に銀ペーストを塗布して導電
性塗膜を形成し、その一部から陰極を取9出した。この
素子をケースに密封してコンデンサを完成した。
ル溶液に5分間浸漬した後、更に0.5 mol /
l過硫酸アンモニウム水溶液に5分間浸漬して化学重合
によりポリピロール膜を形成した。更にこの素子をピロ
ルモノマー1 mol / 1及び支持電解質としてパ
ラトルエンスルホン酸ナトリウム1mol/iを含むア
セト千トリル溶液中に浸漬し、化学重合したポリピロー
ルを陽極とし、外部電極との間に定電流電解重合(1m
A/7,3oM)を行い、電解重合によるポリピロール
膜を形成した。この素子をコロイダルカーボンに浸漬し
てカーボン層ヲ形成し、更に銀ペーストを塗布して導電
性塗膜を形成し、その一部から陰極を取9出した。この
素子をケースに密封してコンデンサを完成した。
このコンデンサの特性を第1表に示す。
実施例2〜6
実施例1においてアルミエッチ箔を、 焼結を行って5
0倍に多孔質化したタンタル焼結体(実施例2)、実効
表面積の倍率が30倍のスポンジニッケル(実施例3)
、実効表面積が60倍のスポンジチタン(実施例4)、
実効表面積が30倍のスポンジステンレス(SUS30
4)(実施例5)、酸エツチングにより3o倍に粗面化
した厚さ50μmで寸法が110mmX5の銅箔(実施
例6)に変えた以外は実施例1に準じた。
0倍に多孔質化したタンタル焼結体(実施例2)、実効
表面積の倍率が30倍のスポンジニッケル(実施例3)
、実効表面積が60倍のスポンジチタン(実施例4)、
実効表面積が30倍のスポンジステンレス(SUS30
4)(実施例5)、酸エツチングにより3o倍に粗面化
した厚さ50μmで寸法が110mmX5の銅箔(実施
例6)に変えた以外は実施例1に準じた。
得られたコンデンサの特性を第1表に示す。
実施例7
実施例1にかいて、アルミエッチ苗土にポリエチレンテ
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わ妙に、アルミエ
ッチ箔を基板として真空蒸着装置内にセットし、ピロメ
リット酸無水物及び4,4′−ジアミノジフェニルエー
テルをそれぞれ単独で同時に真空蒸着することによシ、
該アルミエッチ苗土にポリアミック酸を形成させ、しか
る後に200’Cにて脱水閉環反応させ厚さQ。6μm
のポリイミドの被1摸を形成せしめる他は火施例1に準
じた。
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わ妙に、アルミエ
ッチ箔を基板として真空蒸着装置内にセットし、ピロメ
リット酸無水物及び4,4′−ジアミノジフェニルエー
テルをそれぞれ単独で同時に真空蒸着することによシ、
該アルミエッチ苗土にポリアミック酸を形成させ、しか
る後に200’Cにて脱水閉環反応させ厚さQ。6μm
のポリイミドの被1摸を形成せしめる他は火施例1に準
じた。
得うれたコンデンサの特性を第2表に示す。
実施例8
実施例5にかいて、スポンジステンレス上にポリエチレ
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わシに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、五酸化リンを飽和し、
0.IMのテトラブチルアンモニウムバークロレートを
支持電解質とした溶液に0.5Mにベンゼンを溶解して
電解液とし電解酸化ヲ行って、該スポンジステンレス上
に厚さ0.3μmの絶縁性のポリパラフェニレン膜を形
成せしめる他は実施例6に準じた。
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わシに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、五酸化リンを飽和し、
0.IMのテトラブチルアンモニウムバークロレートを
支持電解質とした溶液に0.5Mにベンゼンを溶解して
電解液とし電解酸化ヲ行って、該スポンジステンレス上
に厚さ0.3μmの絶縁性のポリパラフェニレン膜を形
成せしめる他は実施例6に準じた。
得られたコンデンサの特性を第2表に示す。
3
実施例9
実施例6に訃いて、スポンジステンレス上にポリエチレ
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わシに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、o、1Mのポリアクリ
ル酸を溶解した水溶液中で電着塗装を行い、引き続いて
0.5NのKOH水溶液に浸漬後水洗し、120°Cで
焼付けを行って、該スポンジステンレス上に厚さQ、2
μmのポリアクリル酸の皮膜を形成せしめた他は実施例
6に準じた。
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わシに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、o、1Mのポリアクリ
ル酸を溶解した水溶液中で電着塗装を行い、引き続いて
0.5NのKOH水溶液に浸漬後水洗し、120°Cで
焼付けを行って、該スポンジステンレス上に厚さQ、2
μmのポリアクリル酸の皮膜を形成せしめた他は実施例
6に準じた。
得られたコンデンサの特性を第2表に示す。
実施例10
実施例1において、アルミエッチ苗土にポリエチレンテ
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わシに、該アルミ
エッチ箔をセバコイルクロリドの0.6M塩化メチレン
溶液に5分間浸漬した後、風乾し、次いでヘキサメチレ
ンジアミンの1M水溶液に20分間浸漬下の治水線、乾
燥して該アル□エッチ苗土に厚さ0.8μmの6,10
−ナイロンの皮膜を形成せしめた以外は実施例1に準じ
た。
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わシに、該アルミ
エッチ箔をセバコイルクロリドの0.6M塩化メチレン
溶液に5分間浸漬した後、風乾し、次いでヘキサメチレ
ンジアミンの1M水溶液に20分間浸漬下の治水線、乾
燥して該アル□エッチ苗土に厚さ0.8μmの6,10
−ナイロンの皮膜を形成せしめた以外は実施例1に準じ
た。
14 \ 。
得られたコンデンサの特性を第2表に示す。
比較例1
厚さ3μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの両
面にアルミニウムを約50o人の厚さに真空蒸着して金
属化ポリエチレン・テレフタレーI−フィルムを得た。
面にアルミニウムを約50o人の厚さに真空蒸着して金
属化ポリエチレン・テレフタレーI−フィルムを得た。
このフィルムを1010mmX5に切断後、両面の各々
一部に銀ペーストを用いてリードを取り出した後、エポ
キシ樹脂でモールドしてフィルムコンデンサを得た。こ
のコンデンサは定格は5ovであるものの静電容量は0
.000443μFであり、本発明で得られるコンデン
サと同等の静電容量を得るためには2000倍風上の面
積を要する。
一部に銀ペーストを用いてリードを取り出した後、エポ
キシ樹脂でモールドしてフィルムコンデンサを得た。こ
のコンデンサは定格は5ovであるものの静電容量は0
.000443μFであり、本発明で得られるコンデン
サと同等の静電容量を得るためには2000倍風上の面
積を要する。
比較例2
実施例1において、アルミエッチ苗土にポリエチレンテ
レフタレート皮膜を形成せしめる代わシに、75Vで化
成処理を行って誘電体酸化皮膜を形成する以外は、実施
例1に準じた。得られたコンデンサは定格25V、静電
容量が7.6μF(at1201L)であった。一方、
このコンデンサの誘15 電体損失は0.011 (a t 120山)絶縁抵抗
は1250MΩであう、通常の液体電解質を使用したコ
ンデンサに比べると優れているが本発明のコンデンサよ
シは劣っている。
レフタレート皮膜を形成せしめる代わシに、75Vで化
成処理を行って誘電体酸化皮膜を形成する以外は、実施
例1に準じた。得られたコンデンサは定格25V、静電
容量が7.6μF(at1201L)であった。一方、
このコンデンサの誘15 電体損失は0.011 (a t 120山)絶縁抵抗
は1250MΩであう、通常の液体電解質を使用したコ
ンデンサに比べると優れているが本発明のコンデンサよ
シは劣っている。
比較例3
実施例1において、ポリエチレンテレフタレト皮膜の上
にポリピロールの化学重合膜、電解重合膜を形成せしめ
る代わりに、金の蒸着膜を形成した他は、実施例1に準
じた。得られたコンデンサは定格1e■、静電容量が0
,0177μF(at1201−12)であり、本発明
で得られるコンデンサと比較して小さな静電容量しか得
られなかった。
にポリピロールの化学重合膜、電解重合膜を形成せしめ
る代わりに、金の蒸着膜を形成した他は、実施例1に準
じた。得られたコンデンサは定格1e■、静電容量が0
,0177μF(at1201−12)であり、本発明
で得られるコンデンサと比較して小さな静電容量しか得
られなかった。
第3表に比較例1.2及び3で得られたコンデンサの特
性を示した。
性を示した。
17ページ
18ページ
19
発明の効果
本発明によるコンデンサでは、多孔質化した導電体表面
に薄く形成した絶縁性高分子皮膜を誘電体として有効に
利用できるために、従来の電解コンデンサに匹敵する静
電容量を持つと共に無極性で誘電損失が小さく、唸た絶
縁抵抗が大きいなどの優れた特性を得ることが出来る。
に薄く形成した絶縁性高分子皮膜を誘電体として有効に
利用できるために、従来の電解コンデンサに匹敵する静
電容量を持つと共に無極性で誘電損失が小さく、唸た絶
縁抵抗が大きいなどの優れた特性を得ることが出来る。
Claims (2)
- (1)多孔質化した導電体上に絶縁性高分子からなる誘
電体層を形成し、該誘電体層表面に順次、化学酸化重合
による導電性高分子膜、電解重合による導電性高分子膜
を形成し、該電解重合による導電性高分子膜上に導電性
塗膜を形成したことを特徴とするコンデンサ。 - (2)導電性高分子膜がポリピロールである請求項1記
載のコンデンサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1340733A JPH077740B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | コンデンサ |
US07/633,884 US5119274A (en) | 1989-12-29 | 1990-12-26 | Solid capacitor |
DE69020880T DE69020880T2 (de) | 1989-12-29 | 1990-12-28 | Verfahren zur Herstellung eines Festkondensators und damit erhältlicher Festkondensator. |
EP90125769A EP0437857B1 (en) | 1989-12-29 | 1990-12-28 | A method for producing a solid capacitor and a solid capacitor obtainable by said method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1340733A JPH077740B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03203211A true JPH03203211A (ja) | 1991-09-04 |
JPH077740B2 JPH077740B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=18339792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1340733A Expired - Lifetime JPH077740B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH077740B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6288890B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-09-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor and its manufacturing method |
WO2016050761A1 (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | University Of Tartu | Method of forming a dielectric through electrodeposition on an electrode for a capacitor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6329919A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
JPS63173313A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1340733A patent/JPH077740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6329919A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
JPS63173313A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6288890B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-09-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor and its manufacturing method |
US6751833B2 (en) | 1998-04-21 | 2004-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing laminated capacitors |
WO2016050761A1 (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | University Of Tartu | Method of forming a dielectric through electrodeposition on an electrode for a capacitor |
US10087541B2 (en) | 2014-09-29 | 2018-10-02 | University Of Tartu | Method of forming a dielectric through electrodeposition on an electrode for a capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH077740B2 (ja) | 1995-01-30 |
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