JPH04239712A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多孔質化した導電体の
表面にポリイミド被膜を形成し、これを誘電体層として
小形,軽量,高耐熱性のコンデンサの製造方法に関する
。
表面にポリイミド被膜を形成し、これを誘電体層として
小形,軽量,高耐熱性のコンデンサの製造方法に関する
。
【0002】
【従来の技術】フィルムコンデンサは、通常、ポリエス
テルフィルムやポリプロピレンフィルムなどを誘電体と
して、アルミニウム箔などの金属とともに巻回したり、
あるいは片面または両面に金属を真空蒸着したのち巻回
または積層して製造されている。
テルフィルムやポリプロピレンフィルムなどを誘電体と
して、アルミニウム箔などの金属とともに巻回したり、
あるいは片面または両面に金属を真空蒸着したのち巻回
または積層して製造されている。
【0003】一般に大容量のフィルムコンデンサを得る
ためには片面または両面に金属を真空蒸着したプラスチ
ックフィルムを巻回したり積層した状態で使用している
が、プラスチックフィルムの誘電率は2〜3と小さく、
さらにフィルムの取扱上、薄膜化にも限度があるため大
容量のフィルムコンデンサは得にくく、回路への実使用
上、数マイクロファラドが限界であった。
ためには片面または両面に金属を真空蒸着したプラスチ
ックフィルムを巻回したり積層した状態で使用している
が、プラスチックフィルムの誘電率は2〜3と小さく、
さらにフィルムの取扱上、薄膜化にも限度があるため大
容量のフィルムコンデンサは得にくく、回路への実使用
上、数マイクロファラドが限界であった。
【0004】大容量のコンデンサを得るためには、誘電
体の表面積を大きくすると良いことから、電極となる導
電体の表面を多孔質化して、その表面に誘電体を形成す
ると良い。そこでエッチングしたアルミニウム箔や焼結
したタンタルなどの弁作用金属の表面に誘電体として酸
化被膜を形成した構造の電解コンデンサでは、拡大され
た導電体の表面に酸化被膜を非常に薄くできるため、小
形で大容量のコンデンサを得ることができるが、その反
面、誘電体酸化被膜は脆いので機械的なストレスや衝撃
に弱いなどのほか絶縁欠陥が多いため漏れ電流が大きい
。また、弁作用金属の誘電体酸化被膜は整流作用を持っ
ているため無極性のコンデンサを形成するのは困難であ
った。
体の表面積を大きくすると良いことから、電極となる導
電体の表面を多孔質化して、その表面に誘電体を形成す
ると良い。そこでエッチングしたアルミニウム箔や焼結
したタンタルなどの弁作用金属の表面に誘電体として酸
化被膜を形成した構造の電解コンデンサでは、拡大され
た導電体の表面に酸化被膜を非常に薄くできるため、小
形で大容量のコンデンサを得ることができるが、その反
面、誘電体酸化被膜は脆いので機械的なストレスや衝撃
に弱いなどのほか絶縁欠陥が多いため漏れ電流が大きい
。また、弁作用金属の誘電体酸化被膜は整流作用を持っ
ているため無極性のコンデンサを形成するのは困難であ
った。
【0005】一方、誘電体にポリイミドなどプラスチッ
ク薄膜を適用するフィルムコンデンサにおいても、電解
コンデンサと同様な効果を求め、表面積を拡大させた導
電体の表面にポリイミドを形成させるため、ポリアミッ
ク酸を含む溶液中に導電体を浸漬し細孔内に十分ポリア
ミック酸を充填した後、加熱脱水してポリイミド化する
手法が試みられているが、導電体の表面の細孔がすべて
埋まってしまい、拡大させた表面積を有効利用できず期
待したほどの容量を得ることは困難であった。
ク薄膜を適用するフィルムコンデンサにおいても、電解
コンデンサと同様な効果を求め、表面積を拡大させた導
電体の表面にポリイミドを形成させるため、ポリアミッ
ク酸を含む溶液中に導電体を浸漬し細孔内に十分ポリア
ミック酸を充填した後、加熱脱水してポリイミド化する
手法が試みられているが、導電体の表面の細孔がすべて
埋まってしまい、拡大させた表面積を有効利用できず期
待したほどの容量を得ることは困難であった。
【0006】そこで、多孔質化した導電体の表面にその
形状に対して追従性の良いポリイミド被膜を形成するた
めにポリアミック酸塩を含む電着液を用いて、多孔質化
した導電体を電極として電着を行い、その導電体の表面
にポリアミック酸被膜を析出させた後、加熱脱水してポ
リイミドとする方法が提案されている。
形状に対して追従性の良いポリイミド被膜を形成するた
めにポリアミック酸塩を含む電着液を用いて、多孔質化
した導電体を電極として電着を行い、その導電体の表面
にポリアミック酸被膜を析出させた後、加熱脱水してポ
リイミドとする方法が提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このような方法で多孔
質化した導電体の表面に形成されたポリイミド被膜は均
一で欠陥が少なく、また多孔質化した導電体の表面の形
状によく追従しているためコンデンサの誘電体として用
いた場合良好な特性を与えるが、より耐電圧を向上させ
るなどの改良すべき点が残されていた。
質化した導電体の表面に形成されたポリイミド被膜は均
一で欠陥が少なく、また多孔質化した導電体の表面の形
状によく追従しているためコンデンサの誘電体として用
いた場合良好な特性を与えるが、より耐電圧を向上させ
るなどの改良すべき点が残されていた。
【0008】本発明は上記課題を解決するもので、多孔
質化した導電体の表面の形状に応じて追従性が良く欠陥
の極めて少ないポリイミド被膜(誘電体層)を形成させ
、大容量,高耐電圧で優れた特性を有するコンデンサの
製造方法を提供することを目的とする。
質化した導電体の表面の形状に応じて追従性が良く欠陥
の極めて少ないポリイミド被膜(誘電体層)を形成させ
、大容量,高耐電圧で優れた特性を有するコンデンサの
製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、多孔質化した導電体の表面に誘電体層とし
てポリイミド被膜を形成し、そのポリイミド被膜の表面
に対極となる導電体層を形成するコンデンサの製造方法
において、ポリアミック酸塩を含む溶液を電着液として
電着を行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電
体の表面に形成した後、ポリアミック酸を加熱脱水して
ポリイミド被膜を形成する工程を2回以上繰り返し、2
回目以降の電着時の電圧を1回目の電着時の電圧の1倍
以上100倍以下で行うことを特徴とするコンデンサの
製造方法である。
に本発明は、多孔質化した導電体の表面に誘電体層とし
てポリイミド被膜を形成し、そのポリイミド被膜の表面
に対極となる導電体層を形成するコンデンサの製造方法
において、ポリアミック酸塩を含む溶液を電着液として
電着を行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電
体の表面に形成した後、ポリアミック酸を加熱脱水して
ポリイミド被膜を形成する工程を2回以上繰り返し、2
回目以降の電着時の電圧を1回目の電着時の電圧の1倍
以上100倍以下で行うことを特徴とするコンデンサの
製造方法である。
【0010】多孔質化した導電体としては、多孔質化の
しやすさ、電導度および安定性から、アルミニウム,タ
ンタル,ニッケル,チタン,ステンレス,銅またはカー
ボンが好ましい。また、これらの導電体の多孔質化の方
法としては、例えば、電気化学的エッチング、酸やアル
カリなどを用いた化学的エッチング、イオンビームやス
パッタリングなどによる粗面化、サンドブラストや表面
研削による粗面化、導電体微粉の焼結による多孔質化な
どがあげられるが、本発明の多孔質化した導電体はこれ
らの例によって何等限定されない。
しやすさ、電導度および安定性から、アルミニウム,タ
ンタル,ニッケル,チタン,ステンレス,銅またはカー
ボンが好ましい。また、これらの導電体の多孔質化の方
法としては、例えば、電気化学的エッチング、酸やアル
カリなどを用いた化学的エッチング、イオンビームやス
パッタリングなどによる粗面化、サンドブラストや表面
研削による粗面化、導電体微粉の焼結による多孔質化な
どがあげられるが、本発明の多孔質化した導電体はこれ
らの例によって何等限定されない。
【0011】電着に用いるポリアミック酸塩は、テトラ
カルボン酸無水物とジアミンとを反応させて、ポリアミ
ック酸とした後、有機溶媒に溶解し塩基を加えて、ポリ
アミック酸のカルボキシル基の一部または全部を中和し
て得る。
カルボン酸無水物とジアミンとを反応させて、ポリアミ
ック酸とした後、有機溶媒に溶解し塩基を加えて、ポリ
アミック酸のカルボキシル基の一部または全部を中和し
て得る。
【0012】テトラカルボン酸無水物としては特に限定
されないが、例えば以下の(化1)〜(化6)に示すよ
うな化合物を使用することができる。
されないが、例えば以下の(化1)〜(化6)に示すよ
うな化合物を使用することができる。
【0013】
【化1】
【0014】
【化2】
【0015】
【化3】
【0016】
【化4】
【0017】
【化5】
【0018】
【化6】
【0019】ジアミンとしては特に限定されないが、例
えば以下の(化7)〜(化10)に示すような化合物を
使用することができる(式中、XはO,CH2,SO2
,C(CH3)2,C(CF3)2を表す)。
えば以下の(化7)〜(化10)に示すような化合物を
使用することができる(式中、XはO,CH2,SO2
,C(CH3)2,C(CF3)2を表す)。
【0020】
【化7】
【0021】
【化8】
【0022】
【化9】
【0023】
【化10】
【0024】また、これらの他にもエチレンジアミン,
ヘキサメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン類も使用
することができる。
ヘキサメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン類も使用
することができる。
【0025】有機溶媒としては、用いるポリアミック酸
を溶解するものであれば、特に限定されないが、N,N
′−ジメチルアセトアミド,N,N′−ジメチルホルム
アミド,ジメトキシエタン,N−メチルピロリドン,N
−メチルカプロラクタム,ジメチルスルホキシドなどの
高極性溶媒が好適である。また、塩基としては特に限定
されないが、水酸化ナトリウムなどの無機水酸化物、炭
酸ナトリウムなどの無機塩基性塩、トリメチルアミン,
トリエチルアミンなどのアルキルアミン類、ピリジン,
キノリン,イソキノリンなどの含窒素複素芳香族化合物
などがある。
を溶解するものであれば、特に限定されないが、N,N
′−ジメチルアセトアミド,N,N′−ジメチルホルム
アミド,ジメトキシエタン,N−メチルピロリドン,N
−メチルカプロラクタム,ジメチルスルホキシドなどの
高極性溶媒が好適である。また、塩基としては特に限定
されないが、水酸化ナトリウムなどの無機水酸化物、炭
酸ナトリウムなどの無機塩基性塩、トリメチルアミン,
トリエチルアミンなどのアルキルアミン類、ピリジン,
キノリン,イソキノリンなどの含窒素複素芳香族化合物
などがある。
【0026】以上のようにして調製されたポリアミック
酸塩溶液をそのまま電着液とするか、または、ポリアミ
ック酸の貧溶媒を適宜加えて電着液とする。このとき用
いるポリアミック酸の貧溶媒は用いるポリアミック酸に
より異なるが、一般的には、メタノール,エタノール,
エチレングリコール,プロピレングリコール,グリセリ
ンなどのアルコール類、アセトン,メチルエチルケトン
,シクロヘキサノンなどのケトン類、ベンゼン,トルエ
ン,キシレンなどの芳香族炭化水素、四塩化炭素,クロ
ロホルムなどの有機塩素化合物などが用いられる。
酸塩溶液をそのまま電着液とするか、または、ポリアミ
ック酸の貧溶媒を適宜加えて電着液とする。このとき用
いるポリアミック酸の貧溶媒は用いるポリアミック酸に
より異なるが、一般的には、メタノール,エタノール,
エチレングリコール,プロピレングリコール,グリセリ
ンなどのアルコール類、アセトン,メチルエチルケトン
,シクロヘキサノンなどのケトン類、ベンゼン,トルエ
ン,キシレンなどの芳香族炭化水素、四塩化炭素,クロ
ロホルムなどの有機塩素化合物などが用いられる。
【0027】次に、多孔質化した導電体の表面にポリア
ミック酸被膜を形成させるには、多孔質化した導電体を
陽極として上記電着液に浸漬し、外部陰極との間に1〜
300Vの電圧を印加して電着を行う。
ミック酸被膜を形成させるには、多孔質化した導電体を
陽極として上記電着液に浸漬し、外部陰極との間に1〜
300Vの電圧を印加して電着を行う。
【0028】このようにして多孔質化した導電体表面上
にポリアミック酸被膜を形成した後、加熱脱水してポリ
イミド被膜を形成する。
にポリアミック酸被膜を形成した後、加熱脱水してポリ
イミド被膜を形成する。
【0029】さらに表面上にポリイミド被膜を形成させ
た多孔質化した導電体を再び陽極として1回目に印加し
た電圧に対して1倍以上100倍以下の電圧を外部陰極
との間に印加して電着を行い、初回の電着により形成さ
れたポリイミド被膜上の耐電圧の低い部分にポリアミッ
ク酸を形成させた後、加熱脱水してポリイミド被膜とす
る。この時、印加する電圧が1回目の電圧に対して1倍
未満では電着電流が殆ど流れずポリイミド被膜の耐電圧
の低い部分を補強する効果が得られない。また、100
倍を超えると初回の電着で形成されたポリイミド被膜の
破壊が起きやすくなるため好ましくない。
た多孔質化した導電体を再び陽極として1回目に印加し
た電圧に対して1倍以上100倍以下の電圧を外部陰極
との間に印加して電着を行い、初回の電着により形成さ
れたポリイミド被膜上の耐電圧の低い部分にポリアミッ
ク酸を形成させた後、加熱脱水してポリイミド被膜とす
る。この時、印加する電圧が1回目の電圧に対して1倍
未満では電着電流が殆ど流れずポリイミド被膜の耐電圧
の低い部分を補強する効果が得られない。また、100
倍を超えると初回の電着で形成されたポリイミド被膜の
破壊が起きやすくなるため好ましくない。
【0030】また、2回目のポリアミック酸の電着を行
う際に初回の電着液におけるポリアミック酸塩濃度に対
して0.01倍以上1倍以下の濃度の電着液を用いると
より効果的である。0.01倍未満では2回目の電着が
十分に起こらず、1倍より高くては2回目の電着により
析出したポリアミック酸が多孔質化した導電体の表面の
ビット孔を埋めてしまうため好ましくない。
う際に初回の電着液におけるポリアミック酸塩濃度に対
して0.01倍以上1倍以下の濃度の電着液を用いると
より効果的である。0.01倍未満では2回目の電着が
十分に起こらず、1倍より高くては2回目の電着により
析出したポリアミック酸が多孔質化した導電体の表面の
ビット孔を埋めてしまうため好ましくない。
【0031】以上の工程は必要に応じて数回繰り返して
行うこともできるが、通常3ないし4回行うことで十分
である。
行うこともできるが、通常3ないし4回行うことで十分
である。
【0032】以上のようにして、多孔質化した導電体の
表面にポリイミド被膜を形成させた後、そのポリイミド
被膜上に対極を形成させる。対極を形成させる方法とし
ては、インジウムスズオキサイドや二酸化マンガンなど
の金属酸化物からなる導電体層を設けて対極とする方法
、カーボンや銀,金,銅などを用いた導電性ペーストを
浸漬や塗布して導電体層を形成する方法、TCNQ錯体
などの有機導電材料を溶融含浸や溶液塗布などを行って
導電体層を形成するなどの方法、化学酸化重合による導
電性高分子膜および電解重合による導電性高分子膜を順
次積層して対極を形成する方法などがある。ポリイミド
被膜に対する密着性や、電導度の点などから考慮すると
、化学酸化重合による導電性高分子膜と電解重合による
導電性高分子膜を順次積層して対極とするのがよい。 その方法を用いるとポリイミド被膜の表面形状に応じた
対極を形成でき、また誘電体被膜に欠陥があっても漏れ
電流の小さいコンデンサとなる。
表面にポリイミド被膜を形成させた後、そのポリイミド
被膜上に対極を形成させる。対極を形成させる方法とし
ては、インジウムスズオキサイドや二酸化マンガンなど
の金属酸化物からなる導電体層を設けて対極とする方法
、カーボンや銀,金,銅などを用いた導電性ペーストを
浸漬や塗布して導電体層を形成する方法、TCNQ錯体
などの有機導電材料を溶融含浸や溶液塗布などを行って
導電体層を形成するなどの方法、化学酸化重合による導
電性高分子膜および電解重合による導電性高分子膜を順
次積層して対極を形成する方法などがある。ポリイミド
被膜に対する密着性や、電導度の点などから考慮すると
、化学酸化重合による導電性高分子膜と電解重合による
導電性高分子膜を順次積層して対極とするのがよい。 その方法を用いるとポリイミド被膜の表面形状に応じた
対極を形成でき、また誘電体被膜に欠陥があっても漏れ
電流の小さいコンデンサとなる。
【0033】以下に、ポリイミド被膜上に化学酸化重合
による導電性高分子膜、電解重合による導電性高分子膜
層を順次積層させて対極を形成する方法を説明する。
による導電性高分子膜、電解重合による導電性高分子膜
層を順次積層させて対極を形成する方法を説明する。
【0034】多孔質化した導電体の表面に形成したポリ
イミド被膜上に導電性高分子モノマーを少なくとも0.
01mol/l含む溶液を均一に分散させた後、酸化剤
を0.001mol/l〜2mol/l含む溶液と接触
させるか、または逆に酸化剤を均一に分散させた後、導
電性高分子モノマー溶液と接触させる方法により化学酸
化重合した導電性高分子膜を形成し表面を導電化する。
イミド被膜上に導電性高分子モノマーを少なくとも0.
01mol/l含む溶液を均一に分散させた後、酸化剤
を0.001mol/l〜2mol/l含む溶液と接触
させるか、または逆に酸化剤を均一に分散させた後、導
電性高分子モノマー溶液と接触させる方法により化学酸
化重合した導電性高分子膜を形成し表面を導電化する。
【0035】化学酸化重合に用いられる酸化剤は、ヨウ
素,臭素,ヨウ化水素などのハロゲン、五フッ化ヒ素,
五フッ化アンチモン,四フッ化ケイ素,五塩化リン,塩
化アルミニウム,塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物、硫酸,硝酸,フルオロ硫酸,トリフルオロメタン硫
酸,クロロ硫酸などのプロトン酸、三酸化イオウ,二酸
化窒素などの含酸素化合物、過硫酸ナトリウム,過硫酸
アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化水素,過酢酸など
の過酸化物などである。
素,臭素,ヨウ化水素などのハロゲン、五フッ化ヒ素,
五フッ化アンチモン,四フッ化ケイ素,五塩化リン,塩
化アルミニウム,塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物、硫酸,硝酸,フルオロ硫酸,トリフルオロメタン硫
酸,クロロ硫酸などのプロトン酸、三酸化イオウ,二酸
化窒素などの含酸素化合物、過硫酸ナトリウム,過硫酸
アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化水素,過酢酸など
の過酸化物などである。
【0036】導電性高分子としてはポリピロール,ポリ
チオフェン,ポリフランを用い、安定性の面から特に好
ましくはポリピロールを用いる。
チオフェン,ポリフランを用い、安定性の面から特に好
ましくはポリピロールを用いる。
【0037】その後、支持電解質0.01mol/l〜
2mol/lおよび導電性高分子モノマー0.01mo
l/l〜5mol/lを含む電解液中で、化学酸化重合
による導電性高分子膜を陽極として電解重合を行うと化
学酸化重合した導電性高分子膜上に均一な電解重合導電
性高分子膜が形成される。
2mol/lおよび導電性高分子モノマー0.01mo
l/l〜5mol/lを含む電解液中で、化学酸化重合
による導電性高分子膜を陽極として電解重合を行うと化
学酸化重合した導電性高分子膜上に均一な電解重合導電
性高分子膜が形成される。
【0038】本発明の電解重合に用いられる支持電解質
は、陰イオンがヘキサフロロリン,ヘキサフロロンヒ素
,テトラフロロホウ素などのハロゲン化物アニオン、ヨ
ウ素,臭素,塩素などのハロゲンアニオン、過塩素酸ア
ニオン,ベンゼンスルホン酸,アルキルベンゼンスルホ
ン酸,アルキルナフタレンスルホン酸などのスルホン酸
アニオンであり、また、陽イオンがリチウム,カリウム
,ナトリウムなどのアルカリ金属カチオン、アンモニウ
ム,テトラアルキルアンモニウムなどの4級アンモニウ
ムカチオンである。化合物としてはLiPF6,LiA
sF6,LiClO4,LiBF4,KI,NaPF6
,NaClO4,トルエンスルホン酸ナトリウム,トル
エンスルホン酸テトラブチルアンモニウムなどがあげら
れる。
は、陰イオンがヘキサフロロリン,ヘキサフロロンヒ素
,テトラフロロホウ素などのハロゲン化物アニオン、ヨ
ウ素,臭素,塩素などのハロゲンアニオン、過塩素酸ア
ニオン,ベンゼンスルホン酸,アルキルベンゼンスルホ
ン酸,アルキルナフタレンスルホン酸などのスルホン酸
アニオンであり、また、陽イオンがリチウム,カリウム
,ナトリウムなどのアルカリ金属カチオン、アンモニウ
ム,テトラアルキルアンモニウムなどの4級アンモニウ
ムカチオンである。化合物としてはLiPF6,LiA
sF6,LiClO4,LiBF4,KI,NaPF6
,NaClO4,トルエンスルホン酸ナトリウム,トル
エンスルホン酸テトラブチルアンモニウムなどがあげら
れる。
【0039】以上のようにして対極を形成した後、対極
の一部よりリードを取り出し、樹脂モールドまたは外装
ケースに密封するなどの方法により本発明のコンデンサ
を提供することができる。
の一部よりリードを取り出し、樹脂モールドまたは外装
ケースに密封するなどの方法により本発明のコンデンサ
を提供することができる。
【0040】
【作用】本発明によるコンデンサの製造方法では、多孔
質化した導電体の表面に欠陥の極めて少ない薄膜状のポ
リイミド被膜を表面の形状に応じて形成できるため、表
面積を有効に利用でき、小形で大容量のコンデンサを得
ることができ、また高耐電圧で無極性のコンデンサとな
る。
質化した導電体の表面に欠陥の極めて少ない薄膜状のポ
リイミド被膜を表面の形状に応じて形成できるため、表
面積を有効に利用でき、小形で大容量のコンデンサを得
ることができ、また高耐電圧で無極性のコンデンサとな
る。
【0041】
【実施例】以下、実施例および比較例により本発明を詳
細に説明する。なお、実施例および比較例中の部とは、
重量部を表す。
細に説明する。なお、実施例および比較例中の部とは、
重量部を表す。
【0042】(実施例1)高純度アルミニウム箔の表面
を電解エッチングにより120倍に粗面化し、10mm
×3mmに切断した後、かしめ付けによりリードを取り
付けて金属電極を得た。
を電解エッチングにより120倍に粗面化し、10mm
×3mmに切断した後、かしめ付けによりリードを取り
付けて金属電極を得た。
【0043】一方、p−フェニレンジアミン(化7)1
.6部をN,N′−ジメチルホルムアミド90部に溶解
しピロメリット酸二無水物(化1)3.4部を加えて室
温で12時間反応させてポリアミック酸溶液としたのち
、トリメチルアミン0.9部を加え40℃で30分間反
応させて、ポリアミック酸のカルボキシル基の一部を中
和してポリアミック酸塩溶液とした。この溶液60部に
メタノール40部を加えポリアミック酸塩3.3%を含
む電着液とした。
.6部をN,N′−ジメチルホルムアミド90部に溶解
しピロメリット酸二無水物(化1)3.4部を加えて室
温で12時間反応させてポリアミック酸溶液としたのち
、トリメチルアミン0.9部を加え40℃で30分間反
応させて、ポリアミック酸のカルボキシル基の一部を中
和してポリアミック酸塩溶液とした。この溶液60部に
メタノール40部を加えポリアミック酸塩3.3%を含
む電着液とした。
【0044】この電着液をステンレス製容器に入れ、粗
面化した金属電極を浸漬して陽極となし、ステンレス製
容器を陰極として、3Vの電圧を3分間印加し、その金
属電極の表面にポリアミック酸の薄膜を形成させた。次
に、金属電極を容器より取り出し、250℃で2時間加
熱した。
面化した金属電極を浸漬して陽極となし、ステンレス製
容器を陰極として、3Vの電圧を3分間印加し、その金
属電極の表面にポリアミック酸の薄膜を形成させた。次
に、金属電極を容器より取り出し、250℃で2時間加
熱した。
【0045】次に、1回目に使用した電着液をN,N′
−ジメチルホルムアミド60部とメタノール40部の混
合溶媒を用いて100倍に希釈してポリアミック酸塩0
.033%を含む溶液を得た。その溶液を2回目以降の
電着液とした。電着液を用いて電着電圧を300Vとし
て前記工程をさらに2回繰り返した後、粗面化した高純
度アルミ箔上に均一にポリイミド被膜を形成した素子を
得た。
−ジメチルホルムアミド60部とメタノール40部の混
合溶媒を用いて100倍に希釈してポリアミック酸塩0
.033%を含む溶液を得た。その溶液を2回目以降の
電着液とした。電着液を用いて電着電圧を300Vとし
て前記工程をさらに2回繰り返した後、粗面化した高純
度アルミ箔上に均一にポリイミド被膜を形成した素子を
得た。
【0046】この素子を2mol/l,ピロール・エタ
ノール溶液に5分間浸漬した後、さらに0.5mol/
l過硫酸アンモニウム水溶液に5分間浸漬して化学酸化
重合によるポリピロール膜を形成した。さらにこの素子
をピロールモノマー1mol/lおよび支持電解質とし
てパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム1
mol/lを含むアセトニトリル溶液中に浸漬し、化学
酸化重合したポリピロールを陽極とし、外部電極との間
に定電流電解重合(1mA/cm2,30分)を行い、
電解重合によるポリピロール膜を形成した。この素子を
コロイダルカーボンに浸漬し、さらに銀ペーストを塗布
して導電性塗膜を形成し、その一部から対極を取り出し
てコンデンサを完成した。
ノール溶液に5分間浸漬した後、さらに0.5mol/
l過硫酸アンモニウム水溶液に5分間浸漬して化学酸化
重合によるポリピロール膜を形成した。さらにこの素子
をピロールモノマー1mol/lおよび支持電解質とし
てパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム1
mol/lを含むアセトニトリル溶液中に浸漬し、化学
酸化重合したポリピロールを陽極とし、外部電極との間
に定電流電解重合(1mA/cm2,30分)を行い、
電解重合によるポリピロール膜を形成した。この素子を
コロイダルカーボンに浸漬し、さらに銀ペーストを塗布
して導電性塗膜を形成し、その一部から対極を取り出し
てコンデンサを完成した。
【0047】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。 (実施例2)実施例1において、1回目の電着電圧を1
50Vとするほか、2回目以降の電着を1回目と同じ濃
度すなわち3.3%のポリアミック酸塩を含む溶液を電
着液とし、1回目と同じ電圧で行う以外は実施例1に準
じてコンデンサを完成した。
す。 (実施例2)実施例1において、1回目の電着電圧を1
50Vとするほか、2回目以降の電着を1回目と同じ濃
度すなわち3.3%のポリアミック酸塩を含む溶液を電
着液とし、1回目と同じ電圧で行う以外は実施例1に準
じてコンデンサを完成した。
【0048】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。 (実施例3)実施例1で使用した電着液をN,N′−ジ
メチルホルムアミド60部とメタノール40部の混合溶
媒を用いて20倍に希釈してポリアミック酸塩0.16
5%を含む溶液を得た。その溶液を2回目以降の電着液
とし、また、1回目の電着を100Vの電圧を3分間印
加して行い、2回目以降の電着を、300Vの電圧を3
分間印加して行う以外は、実施例1に準じてコンデンサ
を完成した。
す。 (実施例3)実施例1で使用した電着液をN,N′−ジ
メチルホルムアミド60部とメタノール40部の混合溶
媒を用いて20倍に希釈してポリアミック酸塩0.16
5%を含む溶液を得た。その溶液を2回目以降の電着液
とし、また、1回目の電着を100Vの電圧を3分間印
加して行い、2回目以降の電着を、300Vの電圧を3
分間印加して行う以外は、実施例1に準じてコンデンサ
を完成した。
【0049】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。 (比較例1)実施例1において、1回目の電着電圧を1
50Vおよび2回目以降の電着をポリイミド被膜を形成
した金属電極を陽極、ステンレス製容器を陰極として、
100Vの電圧を3分間印加して行う以外は、実施例1
に準じた。
す。 (比較例1)実施例1において、1回目の電着電圧を1
50Vおよび2回目以降の電着をポリイミド被膜を形成
した金属電極を陽極、ステンレス製容器を陰極として、
100Vの電圧を3分間印加して行う以外は、実施例1
に準じた。
【0050】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。2回目以降の電着電圧が0.67倍では静電容量は
低下しないが、漏れ電流および絶縁耐圧を改善する効果
が得られない。
す。2回目以降の電着電圧が0.67倍では静電容量は
低下しないが、漏れ電流および絶縁耐圧を改善する効果
が得られない。
【0051】(比較例2)
実施例2において、1回目の電着を粗面化した金属電極
を浸漬して陽極となし、ステンレス製容器を陰極として
1Vの電圧を3分間印加して行い、2回目以降の電着を
、先にポリイミド被膜を形成した金属電極を陽極、ステ
ンレス製容器を陰極として、150Vの電圧を3分間印
加して行う以外は、実施例2に準じた。
を浸漬して陽極となし、ステンレス製容器を陰極として
1Vの電圧を3分間印加して行い、2回目以降の電着を
、先にポリイミド被膜を形成した金属電極を陽極、ステ
ンレス製容器を陰極として、150Vの電圧を3分間印
加して行う以外は、実施例2に準じた。
【0052】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。2回目以降の電着電圧が150倍では、誘電損失,
漏れ電流ともに悪化する。
す。2回目以降の電着電圧が150倍では、誘電損失,
漏れ電流ともに悪化する。
【0053】(比較例3)
実施例1において、p−フェニレンジアミン(化7)3
.2部をN,N′−ジメチルホルムアミド90部に溶解
しピロメリット酸二無水物(化1)6.8部を加えて室
温で12時間反応させてポリアミック酸溶液としたのち
、トリメチルアミン1.8部を加え40℃で30分間反
応させて、ポリアミック酸のカルボキシル基の一部を中
和してポリアミック酸塩溶液とし、この溶液60部にメ
タノール40部を加えてポリアミック酸塩6.7%を含
む溶液とし、その溶液を2回目以降の電着液とした以外
は実施例1に準じた。
.2部をN,N′−ジメチルホルムアミド90部に溶解
しピロメリット酸二無水物(化1)6.8部を加えて室
温で12時間反応させてポリアミック酸溶液としたのち
、トリメチルアミン1.8部を加え40℃で30分間反
応させて、ポリアミック酸のカルボキシル基の一部を中
和してポリアミック酸塩溶液とし、この溶液60部にメ
タノール40部を加えてポリアミック酸塩6.7%を含
む溶液とし、その溶液を2回目以降の電着液とした以外
は実施例1に準じた。
【0054】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。2回目以降の電着液濃度を2倍にすると漏れ電流お
よび絶縁耐圧は改善されるが、静電容量の低下が起こる
。
す。2回目以降の電着液濃度を2倍にすると漏れ電流お
よび絶縁耐圧は改善されるが、静電容量の低下が起こる
。
【0055】(比較例4)
実施例2において、1回目の電着液をN,N′−ジメチ
ルホルムアミド60部とメタノール40部の混合溶液を
用いて150倍に希釈してポリアミック酸塩0.022
%を含む溶液を得た。その溶液を2回目以降の電着液と
した以外は実施例2に準じた。
ルホルムアミド60部とメタノール40部の混合溶液を
用いて150倍に希釈してポリアミック酸塩0.022
%を含む溶液を得た。その溶液を2回目以降の電着液と
した以外は実施例2に準じた。
【0056】得られたコンデンサの特性を(表1)に示
す。2回目以降の電着液濃度を0.007倍にすると、
静電容量は低下しないが、漏れ電流および耐圧は改善さ
れない。
す。2回目以降の電着液濃度を0.007倍にすると、
静電容量は低下しないが、漏れ電流および耐圧は改善さ
れない。
【0057】
【表1】
【0058】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
の方法によれば、多孔質化した導電体の細孔内部まで絶
縁欠陥のないポリイミド被膜を薄く形成できるので小形
,大容量,高耐熱性でさらに無極性である優れたコンデ
ンサを実現できるものである。
の方法によれば、多孔質化した導電体の細孔内部まで絶
縁欠陥のないポリイミド被膜を薄く形成できるので小形
,大容量,高耐熱性でさらに無極性である優れたコンデ
ンサを実現できるものである。
Claims (5)
- 【請求項1】多孔質化した導電体の表面に誘電体層とし
てポリイミド被膜を形成し、そのポリイミド被膜の表面
に対極となる導電体層を形成するコンデンサの製造方法
において、ポリアミック酸塩を含む溶液を電着液として
電着を行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電
体の表面に形成した後、ポリアミック酸を加熱脱水して
ポリイミド被膜を形成する工程を2回以上繰り返し、2
回目以降の電着時の電圧を1回目の電着時の電圧の1倍
以上100倍以下で行うことを特徴とするコンデンサの
製造方法。 - 【請求項2】2回目以降の電着に用いるポリアミック酸
塩の溶液の濃度が1回目に用いたポリアミック酸塩の溶
液の濃度に対して0.01倍以上1倍以下であることを
特徴とする請求項1記載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項3】ポリアミック酸を含む電着液にポリアミッ
ク酸の貧溶媒を添加して電着することを特徴とする請求
項1記載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項4】対極となる導電体層が、化学酸化重合によ
る導電性高分子膜と電解重合による導電性高分子膜を順
次積層して形成されることを特徴とする請求項1記載の
コンデンサの製造方法。 - 【請求項5】導電性高分子膜がポリピロールである請求
項4記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP616991A JPH04239712A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP616991A JPH04239712A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04239712A true JPH04239712A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11631043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP616991A Pending JPH04239712A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04239712A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6151205A (en) * | 1997-09-10 | 2000-11-21 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for making the same |
JP2013042181A (ja) * | 2005-12-12 | 2013-02-28 | Tdk Corp | キャパシタの製造方法 |
CN103981559A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-13 | 哈尔滨工业大学 | 一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法 |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP616991A patent/JPH04239712A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6151205A (en) * | 1997-09-10 | 2000-11-21 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for making the same |
JP2013042181A (ja) * | 2005-12-12 | 2013-02-28 | Tdk Corp | キャパシタの製造方法 |
CN103981559A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-13 | 哈尔滨工业大学 | 一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法 |
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