JPH03192783A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH03192783A JPH03192783A JP1333611A JP33361189A JPH03192783A JP H03192783 A JPH03192783 A JP H03192783A JP 1333611 A JP1333611 A JP 1333611A JP 33361189 A JP33361189 A JP 33361189A JP H03192783 A JPH03192783 A JP H03192783A
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- JP
- Japan
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- monitor light
- monitor
- light
- semiconductor laser
- laser device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 230000002153 concerted effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はコンパクトディスクやビデオディスクなどの
光源や、光フアイバ通信用の光源として用いられる半導
体レーザ装置に関するものである。
光源や、光フアイバ通信用の光源として用いられる半導
体レーザ装置に関するものである。
＄３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図で１図に
おいて、（１）はステム、（２）はステム（１） 上に
組立てたヒートシンク、（３）はヒートシンク（２’ｌ
上１ｃ組立てたサプマウン） 、 （４）はサブマウ
ント（３）上に数件けた半導体レーザ（以下ＬＤと呼ぶ
）、（５）はＬ Ｄ （４）と同一ステム（１）に組み
込まれたフォトダイオード（以下ＦＤと呼ぶ）、 （６
）はＬ Ｄ （４）よシ放射される前面光、（８）はＬ
Ｄ（４）裏面より放射されるモニタ光である。
おいて、（１）はステム、（２）はステム（１） 上に
組立てたヒートシンク、（３）はヒートシンク（２’ｌ
上１ｃ組立てたサプマウン） 、 （４）はサブマウ
ント（３）上に数件けた半導体レーザ（以下ＬＤと呼ぶ
）、（５）はＬ Ｄ （４）と同一ステム（１）に組み
込まれたフォトダイオード（以下ＦＤと呼ぶ）、 （６
）はＬ Ｄ （４）よシ放射される前面光、（８）はＬ
Ｄ（４）裏面より放射されるモニタ光である。
次に動ｆｉｉＫついて説明する。Ｌ Ｄ （４）の裏面
よシ放射されるモニタ光は、ＬＤ（４）と同一ステム（
１）上に組み込まれたＦ Ｄ （５）に照射され、モニ
タ電流に変換される。
よシ放射されるモニタ光は、ＬＤ（４）と同一ステム（
１）上に組み込まれたＦ Ｄ （５）に照射され、モニ
タ電流に変換される。
次いで、このモニタ電流をムＰＯ（ムｕｔｏｍａｔｉａ
Ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｔｒｏｌ）回路で一定ＩＩｃｆｉｋ
りことＫよシ。
Ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｔｒｏｌ）回路で一定ＩＩｃｆｉｋ
りことＫよシ。
Ｌ Ｄ （４）からの前面光（６）も一定に保たれる。
ここで、モニタ電流と前面光（６）は比例関係にあり、
比例定数はＬ Ｄ （４）の前端面反射率と裏面反射率
から決定される。
比例定数はＬ Ｄ （４）の前端面反射率と裏面反射率
から決定される。
従来の半導体レーザ装置は以上のようＶＣ構成されてい
たので、前面光の光出力を同一にした時。
たので、前面光の光出力を同一にした時。
モニタ光の光出力が個々の素子の反射率のばらつきに起
因して大きくばらりくという問題点があった。
因して大きくばらりくという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、この発明はモニタ光のばらつきを小さく抑え
るとともに、所望のモニタ光を得ることができる半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。
たもので、この発明はモニタ光のばらつきを小さく抑え
るとともに、所望のモニタ光を得ることができる半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、ＬＤの裏面側と、
ＰＤの間に光の可変減衰板を取付けたものである。
ＰＤの間に光の可変減衰板を取付けたものである。
この発明における可変減衰板は、ＬＤのモニタ光の光強
度を１個々の素子について適時調整できるので、実際に
Ｉ’Ｄに照射される光出力を均一にできる。
度を１個々の素子について適時調整できるので、実際に
Ｉ’Ｄに照射される光出力を均一にできる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
＊１ ［／にオイテ、 （１）はスＴム、（２）ハス？
ム（１）上に組立てたヒートシンク、Ｃ３）はヒートシ
ンク（２）上に組立てたサブマウント、（４）はサブマ
ウント（３）上に取付けたＬ Ｄ 、 （５）はＬ Ｄ
（４）と同一ステム（１）ＶＣ組み込まれたＦ Ｄ
、（６）はＩ、 Ｄ （４）よシ放射される前面光、（
８）はＬＤ（４）裏面よシ放射されるモニタ光、（７）
はＬＤ（４）Ｊ！１面側とＰ Ｄ （６）間に設置され
た可変減衰板である。
ム（１）上に組立てたヒートシンク、Ｃ３）はヒートシ
ンク（２）上に組立てたサブマウント、（４）はサブマ
ウント（３）上に取付けたＬ Ｄ 、 （５）はＬ Ｄ
（４）と同一ステム（１）ＶＣ組み込まれたＦ Ｄ
、（６）はＩ、 Ｄ （４）よシ放射される前面光、（
８）はＬＤ（４）裏面よシ放射されるモニタ光、（７）
はＬＤ（４）Ｊ！１面側とＰ Ｄ （６）間に設置され
た可変減衰板である。
次に動作について説明する。
Ｌ Ｄ （４）の裏面よシ放射されるモニタ光（８）は
、ＬＤ（４）の裏面と、ＦＤ（５）の間に設置された可
変減衰板（７）によって、所望のモニタ光量のみがＦ
Ｄ （５）に照射されるように調整される。次いで、こ
のモニタ光はＦ Ｄ （５）によりモニタ電流に変換さ
れ、Ａ２０回路によって、モニタ電流を一定に保つこと
により、前面光（６）を一定光出力に保り。
、ＬＤ（４）の裏面と、ＦＤ（５）の間に設置された可
変減衰板（７）によって、所望のモニタ光量のみがＦ
Ｄ （５）に照射されるように調整される。次いで、こ
のモニタ光はＦ Ｄ （５）によりモニタ電流に変換さ
れ、Ａ２０回路によって、モニタ電流を一定に保つこと
により、前面光（６）を一定光出力に保り。
以上のようにこの発明によれば、モニタ光を調整できる
可変減衰板をＬＤモニタ側とＦＤ間に設置するようにし
たので、モニタ光（［流）のばらつきを小さくでき（−
第２図（ａ）参照）、また、所望のモニタ光（電流）が
得（−第２図（１））参照）られる効果がある。
可変減衰板をＬＤモニタ側とＦＤ間に設置するようにし
たので、モニタ光（［流）のばらつきを小さくでき（−
第２図（ａ）参照）、また、所望のモニタ光（電流）が
得（−第２図（１））参照）られる効果がある。
ｗＣ１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置
を示す断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）はモニタ光分
布特性曲線図、第３図は従来の半導体レーザ装置を示す
断面図である。 図において、（１）はステム、（２）はヒートシンク。 （３）はサブマウント、（４）はＬ Ｄ 、 （５）は
Ｆ Ｄ 、 （６）は前面光、（７）は可変減衰板、（
８）はモニタ光、（９）は可変減衰板無の場合のモニタ
光分布、αＯは可変減衰板有の場合のモニタ光分布を示
す。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第２図
を示す断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）はモニタ光分
布特性曲線図、第３図は従来の半導体レーザ装置を示す
断面図である。 図において、（１）はステム、（２）はヒートシンク。 （３）はサブマウント、（４）はＬ Ｄ 、 （５）は
Ｆ Ｄ 、 （６）は前面光、（７）は可変減衰板、（
８）はモニタ光、（９）は可変減衰板無の場合のモニタ
光分布、αＯは可変減衰板有の場合のモニタ光分布を示
す。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第２図
Claims (1)
- モニタ用のフォトダイオードを内蔵した半導体レーザに
おいて、前記半導体レーザの裏端面と前記フォトダイオ
ードの間に光の可変減衰板を取付けたことを特徴とする
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333611A JPH03192783A (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333611A JPH03192783A (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192783A true JPH03192783A (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=18267987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333611A Pending JPH03192783A (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03192783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600426B1 (en) * | 1992-11-30 | 2002-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus with light-emitting element |
| CN110332988A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-10-15 | 济南森峰科技有限公司 | 一种光纤激光器pd信号处理系统及方法 |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1333611A patent/JPH03192783A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600426B1 (en) * | 1992-11-30 | 2002-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus with light-emitting element |
| CN110332988A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-10-15 | 济南森峰科技有限公司 | 一种光纤激光器pd信号处理系统及方法 |
| CN110332988B (zh) * | 2019-06-06 | 2021-10-19 | 济南森峰激光科技股份有限公司 | 一种光纤激光器pd信号处理系统及方法 |
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