JPH03189652A - 感放射線性混合物、該感放射線性混合物中の結合剤として適当なフェノール性樹脂の製造法およびレリーフパターンの製造法 - Google Patents

感放射線性混合物、該感放射線性混合物中の結合剤として適当なフェノール性樹脂の製造法およびレリーフパターンの製造法

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JPH03189652A JP2330997A JP33099790A JPH03189652A JP H03189652 A JPH03189652 A JP H03189652A JP 2330997 A JP2330997 A JP 2330997A JP 33099790 A JP33099790 A JP 33099790A JP H03189652 A JPH03189652 A JP H03189652A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、水中で不溶性でアルカリ水溶液中で可溶性の
結合剤、放射線の作用下で1つの酸を形成する化合物お
よび酸接触反応によって結合剤と一緒に高めた温度で網
状化を導く基を含有するネガ型の感放射線性混合物に関
する。
従来の技術 この混合物は、UV線、電子線およびX線に対して敏感
であり、かつ特にレジスト材料として適当である。
ネガ型の感放射線性混合物および該混合物を用いて画像
を得る方法は、公知である。この場合、ネガ型のフォト
レジストとは、感光層の画像に応じての露光後に該別の
露光された部分が、場合によっては付加的な熱処理後に
、該別が露光前には溶解した現像液中で不溶性になって
いるようなものである。
一般に、ネガ型のフォトレジストは、高分子量結合剤と
ともに光重合可能な化合物および光開始剤を含有する光
重合可能な混合物をベースとしている。果精回路を製造
するために大抵の場合に使用されているネガ型のフォト
レジストは、殆ど例外なしに架橋可能な成分として部分
的に環化されたポリイソプレンおよび感光性二官能性架
橋剤としてのジアジド化合物を含有する。この場合には
、ジアジドとして構造式(A) : で示されるものが一般に常用されている。
また、部分的に環化されたポリブタジェンおよびジアジ
ドからなるネガ型のフォトレジストも新たに市場で人手
することができる( Y、 HariLa、 M、 I
chigava、 K、 1larada、 Pory
m、 Eng、 Sci、 、 17(1977)、3
72祭照)。
一連のネガ型のフォトレジストも架橋反応としての光二
量体化をベースとする。これには、桂皮酸誘導体および
その構造中に使用されるカルコンが属する。架橋反応は
、本質的に光誘導されるr2+2]−環化付加としてシ
クロブタノンの形成下に進行する( J、 L、 R,
Yilliams:Fortschr、Chem、Fo
rsch、、13− (] 969) 、227;^、
 Re1ser、 P、 I、、 EgerLon :
Photogr、 Sci、 Er+g、 + −2−
3(1979) 、144  ;M、Kato他:J、
 Polym、 Sc+、 part B、 Po1y
n+、 Lctt、第8巻(1970)、263 : 
M、KaLo他:PhoLogr、Sci、Er1g、
、 23  (1979)、207参照)。
また、最近、既に長い時期に亘って知られていた型の光
二量体化可能なエポキシ樹脂がフォトレジストとして使
用された(例えば、ドイツ連邦共和国特許出願公開第1
447016号明細書;同第2342407号明細書;
同第2553346号明細書および同第2449926
号明細書)。この樹脂は、光環化付加を可能にする基、
例えばカルコン基ならびに熱接触反応により後架橋する
ことができるエポキシ基を有する(PhoLoresi
st、 New York:McGrav Hill(
1975);英国特許第892111号明細書および米
国特許第2852379号明細書参照)。
上記構造式(八)のジアジドを含有するネガ型のフォト
レジスト以外に、光反応は、NtJV領域内(すなわち
、350〜450nm)で可能である。短波長のU■領
領域対する新しいジアジド化合物は、最近記載された。
それには、ケトン化合物(J、 Electroche
m、 Soc、 (1981)6参照)および硫黄含有
ジアジド化合物(J。
ElecLrochem、Soc、、 127 (19
80) 2759参照)が属する。
また、短波長のU■パタ7ンを形成することができる、
アルカリ水溶液により現像可能なネガ型のフォトレジス
トも公知である。このために、結合剤としてのポリ−(
p−ビニルフェ/ −ル)および3,3′−ジアジドジ
フェニルスルホンが使用される( IEEE Tran
s、 Electron Devices、ED、28
 (1981) 、  1306 ; IEEE Tr
ans、EIecLron Devices、ED−2
8(198] ) +  1284参照)。もう1つの
アルカリ水溶液により現像可能なネガ型のフォトレジス
トは、オニウム塩およびメチルアクリルアミドグリコレ
ートメチルエーテルをベースとしく1IulL他;Po
lymers for high Tech、^C3S
ymposium 5eries 346 (1987
)、162〜+69)、これは、結合剤の架橋に対する
酸接触反応による自体縮合の原理に基づく。
酸硬化可能な材料および酸供与体としてのヨ−ドニウム
塩をベースとするもう1つの光重合可能な組成物は、ド
イツ連邦共和国特許出願公開第2602574号明細書
の記載から公知である。
また、例えばフェノール/ホルムアルデヒド樹脂の縮合
の際に中間生成物として得られるアリールメチロール化
合物が属する酸接触反応による架橋剤も既に公知である
( Progr、 Org、 Coat9 (+981
)、107;ドイツ連邦共和国特許出願公開筒2904
961号明細書; PlasLies and Rub
ber Processing and Applic
ation+  (+981)、39 ;ドイツ連邦共
和国特許出願公開第3247754号明細書:欧州特許
出願公開筒0139309号明細占;特開昭30−51
424号公報参照)。先パターン化可能な記録材料には
、前記の酸接触反応による架橋剤も使用された。欧州特
許出願公開第028272/号明細書には、ポリ−(p
−ヒドロキシスチロール)、酸供与体および少なくとも
2個の保護されたメチロール基を有する架橋剤をベース
とする新しいネガ型の系が報告されており;ポリ−(p
−ヒドロキシスチロール)の代わりにm−タレゾール−
ホルムアルデヒド樹脂を使用することもできる。同様に
、PCT/US871027/13には、結合剤として
のポリ−(p−ヒドロキシスチロール)またはm−クレ
7’−ルーホルムアルデヒドーノボラック、酸供与体と
しての1,2−キノンジアジドおよび架橋剤としての2
,6−ジメチロール−p−クレゾールも使用されている
別のネガ型の系が記載された( Photopolym
ers Pr1nciples−Processes 
and MalariaIs、63〜70 (] 98
8)参照)。」−記の双方の系の欠点は、次のとおりで
ある・過剰露光の際の付青力の低下および残存層の形成
ないしはずψかすぎる感度。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第2306248号明細
書および欧州特許出願公開第0302359号明細書の
記載から、既にアセタール基を有する感放射線性物質混
合物は、公知であり、この場合この混合物は、ポジ型の
記録材料のだめの抑制剤として使用される。
発明が解決しようとする課題 本発明の課題は、アルカリ水溶液で現像することができ
かつ熱安定性でプラズマに対しても安定性であるパター
ンをサブミクロン範囲内で得ることができる、短波長の
U■光に敏感な層を得るための新規の高活性の感放射線
性系を示すことであった。
課題を解決するための手段 意外なことに、この課題は、一定の多官能性のアルデヒ
ドアセタールを導入することによって著しく有利に解決
することができる。
本発明の対象は、本質的に (a)水中で不溶性でアルカリ水溶液中で可溶性の結合
剤または結合剤混合物および (b)照射の際に強酸を形成する化合物からな(1) [但し、Rは1〜5個の炭素原子を有するアルキル基を
表わし、nは2.3または4である]を少な(とも1個
有することによって特徴付けられている。
成分(a)としては、特にフェニル基のオルト位および
/またはバラ位の少なくとも20%が置換基不含である
フェノール性樹脂、ならびにフェニル基のオルト位およ
び/またはバラ位の少なくとも20%が置換基不含であ
るフェノール性樹脂と、それとは異なるノボラックとの
混合物が使用される。
殊に、平均分子量Ml 200〜200000を有する
ポリ−(p−ヒドロキシスチロール)またはポリ−(p
−ヒドロキシ−α−メチルスチロール代えられている。
成分(b)としては、特に−数式(IV)または(V)
: (II)                (111)
「但し、Rは上記の意味を表わし、R1はH原子または
Ctl 3基を表わす]を有する本発明による感放射線
性混合物も有利である。
本発明による感放射線性混合物の場合には、−・般に成
分(a)が50〜99重量%の量で含有9、成分(b)
が1〜50重量%の…で含有されている。
ハ5’A ナリ、1〜3個の炭素原子を有するアルキ7
111、ア+) −tk J5□あア、−7.□ヵ6よ
ア場Tルキル基を表わし、XOはCl040、A s 
F 6”5bF80、P F 6o、BF4C1および
/マタハcrr3so3oである]で示されるスルホニ
ウム塩またはヨードニウム塩、殊にMR’  Rβおよ
びRγの少なくとも1つが(b): pδ U式中、R6およびR(は互いに同一がまたは異なり、
11原子、O)!基、それぞれ1〜4個の炭素原子を有
するアルキル基またはアルコキシ基または を表わす]で示される基を表わすようなものがこれにA
当する。
更に、本発明による感放射線性混合物は、付加的に放射
線を吸収しかつ成分(b)に移行する増感剤を含有する
ことができる。
また、本発明の対象は、感光性被覆材料の製造法、なら
びに感放射線性混合物を0.1〜5μmの層厚で常法で
前処理された支持体上に塗布し、70〜I 30 ’C
の温度で乾燥し、画像に応じて露光し、70〜160℃
の温度で加熱し、かつアルカリ水溶液で現像することに
よってレリーフパターンを製造する方法であり、この場
合本発明による感放射線性混合物は、使用される。
史に、本発明の対象は、式: (1) 明による感放射線性混合物中の結合剤(a)として適当
なフェノール性樹脂を製造する方法であり、この方法は
、遊離フェノール性ヒドロキ(a)として適当なフェノ
ール性樹脂を、アルコキシ基中に1〜5個の炭素原子を
有する3、4−ジヒドロ−2−アルコキシビランと、酸
触媒の下で反応させることによって特徴付けられる。
本発明による感放射線性混合物は、高い感度および良好
なパターン特性、殊に酸化珪素表面に対する極めて良好
な付着力を示す。
感放射線性混合物、その構成成分および使用に関して、
詳細には次のことを記載することができる。
a)水中で不溶性でアルカリ水溶液中で可溶性の結合剤
としては、フェノール性樹脂、有利ニフェニル基のオル
ト位および/またはパラ位の少なくとも20%、特に最
大66%が置換基不含であるもの、例えば平均分子ra
t M w 300〜20000、特に500〜5oo
oを有すルツボラック、例えば平均分子PitM、20
0〜20oooo、特に5000〜/I 0000を有
されている、例えばp−クレゾール/ホルムアルデヒド
、殊にポリ−(p−ヒドロキシスチロール)、ポリ(p
−ヒドロキシ−α−メチルスチロール)をペースとする
ノボラック、ならびにこの種のフェ/−ル樹脂の混合物
がこれに該当する。
ノボラックとしては、例えば5olid 5tate 
Technolog)’s I 98 ’1年6月、第
115頁〜第120′nのT、 I’ampalone
著、Novolak Re5ins Usedin P
o5itiv Re5ist Systemsに記載さ
れているようなノボラックもこれに該当する。特殊な使
用、例えば短波長のU■領領域おける露光のためには、
有利にp−クレゾールおよびホルムアルデヒドからなる
ノボラックが当てはまる。
成分(a)として有利なものは、群(IT)および(I
I+ ”)を有されている、すなわち遊離オルト位およ
び/またはパラ位を有するフェノール性単量体の重合さ
れた単位、例えばp−ヒドロキシスチロールおよびそれ
とは異なる、群(+)を有する少なくとも1つのビニル
単量体の重合された141位からなるものである。
この種の生成物は、常法により、例えばフェノール性重
合体を3,4−ジヒドロ−2−メトキンビランと、酸接
触反応下に反応させることにより得ることができる。
本発明による感放射線性混合物は、成分(a)を一般に
成分(a)+(b)の全体ratに対して50〜99市
量%、特に85〜97市量%の:tで含有する。
酸供与体(b)としては、照射下に強酸を形成する全て
の化合物が適当である。しかし、短波長の照射に対して
有利なものは、−数式(■): [式中、R”  RβおよびR7は互いに同一かまたは
異なり、1〜3個の炭素原子を有するアルキル基、例え
ばメチル基、エチル基、アリール基、例えばフェニル基
、置換アリール基、例えば置換フェニル基、またはアラ
ルキル基、例えばベンジル基を表わし、xeはAsF6
0.5bF6ePF60、CI Q4e、 B F4e
オヨび/マタハCF3SO3°(−トリフラート)であ
る]で示されるスルホニウム塩である。
このスルホニウム塩の中で有利なのは、基RaRβおよ
び8丁の少なくとも1つが基(■):pδ [式中、R6およびREは互いに同一かまたは異なり、
■1原子、OH基、それぞれ1〜4個の炭素原子を有す
るアルキル基またはアルコキシ基、例えばメチル基、エ
チル基、アシル基、例えば cog−c−o  または
基: の1つを表わす]で示される基を表わすような一般式(
IV)のものである。
適当なスルホニウム塩の例は、トリフェニルスルホニウ
ムへキサフルオロ砒酸塩またはトリフェニルスルホニウ
ムへキサフルオロ燐酸塩およびジメチル−4−ヒドロキ
シフェニルスルホニウムトリフラートまたはジメチル−
4−ヒドロキシフェニルスルホニウムへキサフルオロ砒
酸塩である。
また、別の酸供与体は、成分(b)として、例えば上記
の一般式(V)のヨードニウム化合物を使用することが
できる。
成分(b)は、本発明による感放射線性混合物の場合に
は、一般に成分(a)−+−(b)の全体量に対して1
〜50重量%、特に3〜15重量%の9で含有されてい
る。
本発明による混合物は、有利に有機溶剤に溶解され、こ
の場合固体金rItは、一般に5〜40+p、 、ri
1%の範囲内にある。溶剤としては、有利に脂肪族ケト
ン、エーテル、ならびにこれらの混合物、特にエチル−
セロソルブ、ブチルグリコール、メチル−セロソルブお
よび1 メトキン2−プロパツール、アルキレングリフ
−ルーアルキルエーテル−エステル、例えばメチル−セ
ロソルブ−アセテート、エチル−セロソルブ−アセテー
ト、メチル−プロピレングリコール−アセテートおよび
エチル−プロピレングリコール−アセテート、ケトン、
例えばシクロヘキサノン、シクロペンタメンおよびメチ
ル−エチル−ケトンならびにアセテート、酢酸ブチルお
よび芳香族化合物、例えばドルオールおよびキノロール
がこれに該当する。相応する溶剤およびその混合物の選
択は、そのつどのフェノール性重合体、ノボラ、りおよ
び感光性成分の選択により左右される。
更に、別の添加剤、例えば付着保護剤、湿潤剤、染料お
よび可塑剤を添加してもよい。
場合によっては、化合物を長波長のUV領域ないし可視
光線領域内で増感させるために、増感剤を微少量で添加
することもできる。そのためには、多環式芳香族化合物
、例えばピレンおよびペリレン(Perylen)が有
利であるが、しかし増感剤として作用する別の染料を使
用してもよい。
本発明による感放射線性混合物の溶液は、0.2μmの
目開きを有するフィルターを通して給湯することができ
る。
レジスト溶液を] 000〜I 0000rpmの回転
数で回転塗布することによって、0.1〜5μmの層厚
のレジスト被膜はウェファ−(例えば、表面酸化された
珪素ウェファ−)上に得られる。更に、ウェファ−は、
90℃もしくは80℃で1〜5分間乾燥される(例えば
、加熱板上で)。
レリーフパターンを製造するための本発明による方法の
場合、本質的に本発明による感放射線性混合物からなる
感放射線性記録層は、画像に応じて、露光された部分の
溶解度が熱加熱過程後に70℃〜160℃の温度で水性
アルカリ溶剤中で増大しかつごの部分が選択的にアルカ
リ現像液によって除去されうるような量で照射される。
レジスト被膜は、例えばクロム被覆されパターン化され
た石英マスクを通して水銀灯のUV光、エキシマ−レー
ザー光、電子線またはX線を用いて照射される。更に、
画像に応じて照射された被膜は、例えば110℃〜12
0℃の温度で5秒〜5分間加熱することができ、その」
−水性アルカリ現像液を用いて現像することができ、こ
の場合露光された部分は、選択的に溶解され、未露光の
部分の場合には、搬出物は殆ど生じない。
実施例 次の実施例中で記載の「部」および「%」は、別記しな
い限り、1重量部」もしくは「重量%」である。
アセタール含有ポリ−(p−ヒドロキシスチロール)の
製造 ポリ−(p−ヒドロキシスチロール)10部(Poly
sciences Inc、社の市販製品、Mwl 5
00〜7000)および3,4−ジヒドロ−2−メトキ
シ−2H−ビランI5部を酢酸エステル100部に溶解
した。(36%の)濃厚なHCl  0 。
1〜0.5部の添加後、この配合物を1時間撹拌し、か
つ室温で1晩中放置した。N a +−(CO3溶液で
の中和後、有機相を分離し、かつ25〜70℃で真空下
に蒸発させた。重合体を酢酸エステル100部に溶解し
、リグロイン200部中で沈澱させ、かつ吸引濾過した
実施例1 フォトレジスト溶液を、上記のアセタール含?fポリ=
(p−ヒドロキシスチロール)95部、トリフェニルス
ルホニウムへキサフルオロ砒酸塩5部およびシクロへキ
サノン280部から得る。引続き、この溶液を0.2μ
mの目開きを有するフィルターを通して濾過する。
このレジスト溶液を酸化された珪素ウェファ−上に層厚
1μmで回転塗布する。次に、こうして被覆されたウェ
ファ−を90℃で1分間乾燥し、引続き試験マスクを通
して接触法で波長λ−=2’48nmのエキシマ−レー
ザーを用いて露光する。露光エネルギーは、l 5 m
 J / c m 2である。その後に、120℃で1
分間加熱し、かつpH]2.0〜14.00の現像液を
用いて現像する。
実施例2 フォトレジスト溶液を上記のアセタール含有ポリ−(p
−ヒドロキシスチロール)95部、ジフェニルヨードニ
ウムへキサフルオロ燐酸塩5部およびシクロへキサノン
280部から得る。
実施例1の場合と同様にして実施する。1μmの層厚の
感度は、45mJ/cm2である。
トリフェニルスルホニウムへキサフルオロ砒酸塩および
ジフェニルヨードニウムへキサフルオロ燐酸塩は、アル
ファ社(^Ira)の市販製品である。
実施例3 フォトレジスト溶液を上記のアセタール含有ポリ−(p
−ヒドロキシスチロール)92部、ジメチル=(p−ヒ
ドロキシフェニル)−スルホニウムトリフラートおよび
エチルグリコールアセテ−1−280部から得る。実施
例Iの場合と同様にして実施する。1μmの層厚の感度
は、35m J / c m ’lである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、本質的に (a)水中で不溶性でアルカリ水溶液中で可溶性の結合
    剤または結合剤混合物および (b)照射の際に強酸を形成する化合物からなる感放射
    線性混合物において、成分(a)が原子団( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [但し、Rは1〜5個の炭素原子を有するアルキル基を
    表わし、nは2、3または4である]を少なくとも1個
    有することを特徴とする、感放射線性混合物。 2、フェニル基に対するオルト位および/またはパラ位
    の少なくとも20%が置換基を有しないフェノール性樹
    脂を成分(a)として使用している、請求項1記載の感
    放射線性混合物。 3、フェニル基に対するオルト位および/またはパラ位
    の少なくとも20%が置換基を有しないフェノール性樹
    脂およびそれとは異なるノボラックからなる混合物を成
    分(a)として使用している、請求項1記載の感放射線
    性混合物。 4、200〜200000の平均分子量@M@_wを有
    するポリ−(p−ヒドロキシスチロー ル)またはポリ−(p−ヒドロキシ−α−メチルスチロ
    ール)を成分(a)として使用し、この場合ヒドロキシ
    ル基の一部は群( I )によって置き換えられている、
    請求項1記載の感放射線性混合物。) 5、結合剤(a)を構成する単量体単位群の少なくとも
    5モル%が原子団( I )を有する、請求項1記載の感
    放射線性混合物。 6、成分(a)が原子団(II)および(III):▲数式
    、化学式、表等があります▼(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) [但し、Rは請求項1記載の意味を表わし、R^1はH
    原子またはCH_3基を表わす]を有する、請求項5記
    載の感放射線性混合物。 7、一般式(IV)または(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) または ▲数式、化学式、表等があります▼(V) [式中、R^α、R^βおよびR^γは互いに同一かま
    たは異なり、1〜3個の炭素原子を有するアルキル基、
    アリール基、置換アリール基またはアルアルキル基を表
    わし、X^ΘはClO_4^Θ、AsF_6^Θ、Sb
    F_6O^Θ、PF_6^Θ、BF_4^Θおよび/ま
    たはCF_3SO_3^Θである]で示されるスルホニ
    ウム塩またはヨードニウム塩が成分(b)として使用さ
    れている、請求項1記載の感放射線性混合物。 8、基R^α、R^βおよびR^γの少なくとも1つが
    一般式(VI): ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) [式中、R^δ1およびR^εは互いに同一かまたは異
    なり、H原子、OH基、それぞれ1〜4個の炭素原子を
    有するアルキル基またはアルコキシ基、▲数式、化学式
    、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります
    ▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を表わす]で
    示 される基を表わす、請求項7記載の感放射線性混合物。 9、成分(a)が50〜99重量%の量で含有され、か
    つ成分(b)が1〜50重量%の量で含有されている、
    請求項1記載の感放射線性混合物。 10、放射線を吸収しかつ成分(b)に移行する1つの
    増感剤を付加的に含有する、請求項1記載の感放射線性
    混合物。 11、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [但し、Rは1〜5個の炭素原子を有するアルキル基を
    表わす]で示される原子団を有する、請求項1記載の感
    放射線性混合物中の結合剤(a)として適当なフェノー
    ル性樹脂を製造する方法において、遊離フェノール性ヒ
    ドロキシル基を有するフェノール性樹脂を、アルコキシ
    基中に1〜5個の炭素原子を有する3、4−ジヒドロ−
    2−アルコキシピランと、酸接触反応下で反応させるこ
    とを特徴とする、フェノール性樹脂の製造法。 12、感光性被覆材料を製造する方法において、請求項
    1記載の感放射線性混合物を使用することを特徴とする
    、感光性被覆材料の製造法。 13、感放射線性混合物を0.1〜5μmの層厚で常法
    で前処理された支持体上に塗布し、70〜130℃の温
    度で乾燥し、画像に応じて露光し、70〜160℃の温
    度で加熱し、かつアルカリ水溶液で現像することによっ
    てレリーフパターンを製造する方法において、請求項1
    記載の感放射線性混合物を使用することを特徴とする、
    レリーフパターンの製造法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385945B1 (ko) * 1996-01-27 2003-08-30 삼성전자주식회사 Arf레지스트용베이스수지및그제조방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59107712D1 (de) * 1990-09-13 1996-05-30 Ocg Microelectronic Materials Säurelabile Lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Zusammensetzung
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
US5552256A (en) * 1994-09-29 1996-09-03 International Business Machines Corporation Positive resist composition containing naphthoquinonediazide compound having non-metallic atom directly bonded to the naphthalene ring
US20020037472A1 (en) * 2000-09-08 2002-03-28 Shipley Company, L.L.C. Novel polymers and photoresist compositions comprising labile polymer backbones for short wave imaging

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
GB1539192A (en) * 1975-01-27 1979-01-31 Ici Ltd Photopolymerisable compositions
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
DE2904961C2 (de) * 1979-02-03 1986-12-11 Hüttenes-Albertus Chemische Werke GmbH, 4000 Düsseldorf Bindemittel für Gießerei-Formstoffmischungen
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3247754C1 (de) * 1982-12-23 1984-07-05 Dynamit Nobel Ag, 5210 Troisdorf Verfahren zur Verbesserung des Gasaustauschs bei offenporigen Phenolharzschaeumen
DE3335933A1 (de) * 1983-10-04 1985-04-18 Rütgerswerke AG, 6000 Frankfurt Mehrkomponenten-bindemittel mit verlaengerter verarbeitbarkeitszeit
EP0288533A4 (en) * 1986-10-20 1989-02-06 Macdermid Inc IMAGE INVERSION METHOD AND SYSTEM.
US4800152A (en) * 1987-03-16 1989-01-24 International Business Machines Corporation Negative resist compositions
US4810613A (en) * 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3721741A1 (de) * 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
DE3725741A1 (de) * 1987-08-04 1989-02-16 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3817012A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385945B1 (ko) * 1996-01-27 2003-08-30 삼성전자주식회사 Arf레지스트용베이스수지및그제조방법

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