JPH03189073A - 電子装置筐体の封止方法 - Google Patents
電子装置筐体の封止方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要]
電子装置を内蔵する筐体の封止方法に関し、筐体に変形
を起こすことなくレーザ溶接することを目的とし、 鉄系合金よりなる容器に同じ鉄系合金よりなる蓋を当接
して密封する際に、両者の接合部に鉛を主成分とする非
共晶半田シートを挿入し、該接合部にレーザ照射を行っ
て溶接することを特徴とし〔産業上の利用分野] 本発明は電子装置筐体の封止方法に関する。
を起こすことなくレーザ溶接することを目的とし、 鉄系合金よりなる容器に同じ鉄系合金よりなる蓋を当接
して密封する際に、両者の接合部に鉛を主成分とする非
共晶半田シートを挿入し、該接合部にレーザ照射を行っ
て溶接することを特徴とし〔産業上の利用分野] 本発明は電子装置筐体の封止方法に関する。
光伝送システムなど高度の信頼性を必要とするのに拘ら
ず、戸外など温度や湿度が変化する環境に設置される電
子装置については、ハーメチックシール構造がとられて
いる。
ず、戸外など温度や湿度が変化する環境に設置される電
子装置については、ハーメチックシール構造がとられて
いる。
こ\で、筐体(以後パッケージ)には入出力用のガラス
端子を設けることが必要なことから、パッケージの構成
材としてはガラスに熱膨張係数を合わせた鉄系合金が使
用されている。
端子を設けることが必要なことから、パッケージの構成
材としてはガラスに熱膨張係数を合わせた鉄系合金が使
用されている。
例えば鉄−42%ニッケル(Fe−42%Ni) 、
Fe−52%Nt、鉄−28%クローム(Fe−28%
Cr) 、鉄29%ニッケルー17%コバルト(Pe−
29%−17%Co、通称コバール)、Fe−42%N
i−6%Cr、通称シルバニア)などがこれである。
Fe−52%Nt、鉄−28%クローム(Fe−28%
Cr) 、鉄29%ニッケルー17%コバルト(Pe−
29%−17%Co、通称コバール)、Fe−42%N
i−6%Cr、通称シルバニア)などがこれである。
そして、パッケージを構成する容器の中に電子装置を装
着し、入出力端子を容器に設けであるガラス端子に回路
接続した後に、蓋を位置合わせして溶接することにより
ハーメチックシールパッケージが形成されている。
着し、入出力端子を容器に設けであるガラス端子に回路
接続した後に、蓋を位置合わせして溶接することにより
ハーメチックシールパッケージが形成されている。
〔従来の技術]
パッケージのハーメチックシール方法としてはレーザ溶
接が行われている。
接が行われている。
こ\で、小形軽量の必要性からパッケージの板厚は薄く
なり、板厚としては500 μm程度のものが使用され
ているが、薄い材料同士の溶接では材料に剛性が小さい
ことから、レーザ溶接後に反りなどの変形が発生し易い
。
なり、板厚としては500 μm程度のものが使用され
ているが、薄い材料同士の溶接では材料に剛性が小さい
ことから、レーザ溶接後に反りなどの変形が発生し易い
。
すなわち、熱収縮による応力を緩和できず、また材料自
身が薄くなるに従って弾性変形が生じやすいことから反
りが起こるのである。
身が薄くなるに従って弾性変形が生じやすいことから反
りが起こるのである。
第3図はこの状態を示すもので、パッケージ1を構成す
る容器2と蓋3とが接合している端面にレーザ光を照射
することにより溶接部4が作られているが、溶接後にM
3に反りが発生する。
る容器2と蓋3とが接合している端面にレーザ光を照射
することにより溶接部4が作られているが、溶接後にM
3に反りが発生する。
そこで、従来は変形の生じ易い部材(この場合は蓋)を
厚くする方法で対処していた。
厚くする方法で対処していた。
然し、この方法では良好な溶は込み深さを得るには大き
な溶接エネルギーを必要とし、また溶接部4は1000
″C以上に加熱されるために、パッケージlに格納され
ている電子装置への熱の影響が懸念される。
な溶接エネルギーを必要とし、また溶接部4は1000
″C以上に加熱されるために、パッケージlに格納され
ている電子装置への熱の影響が懸念される。
そこで、この対策として半田づけ接合が考えられた。
然し、半田づけする場合にはパッケージ全体を半田づけ
温度にまで加熱する必要があり、この場合は先と同様に
加熱による電子装置の劣化が懸念される。
温度にまで加熱する必要があり、この場合は先と同様に
加熱による電子装置の劣化が懸念される。
また、半田づけにはフラックスの使用が必要であるが、
パッケージ内部に付着するフラックスによる腐蝕の問題
がある。
パッケージ内部に付着するフラックスによる腐蝕の問題
がある。
また半田の濡れ性を高めるために接合面には金(Au)
メツキなどの表面処理が必要である。
メツキなどの表面処理が必要である。
そこで、この問題を解決する方法として、発明者は第2
図に示すように容器2と蓋3との接合部に鉛系の共晶半
田からなる半田シート5を挿入し、レーザ光を照射して
溶接する方法を提案している。
図に示すように容器2と蓋3との接合部に鉛系の共晶半
田からなる半田シート5を挿入し、レーザ光を照射して
溶接する方法を提案している。
この方法をとると、レーザ照射は半田が溶融する程度の
パワーで足りるため溶接部の温度上昇は少なくて済み、
従って応力の発生量は少ない。
パワーで足りるため溶接部の温度上昇は少なくて済み、
従って応力の発生量は少ない。
また、使用する半田としては鉛(Pb)系の高融点半田
(例えばPb−1,0%5n−1,5%Ag、融点30
9°C)などが適当であるが、pb系の半田は伸びの大
きな材料であるために熱収縮に伴う応力も半田自体の塑
性変形によって吸収されると云う利点がある。
(例えばPb−1,0%5n−1,5%Ag、融点30
9°C)などが適当であるが、pb系の半田は伸びの大
きな材料であるために熱収縮に伴う応力も半田自体の塑
性変形によって吸収されると云う利点がある。
そのために、容器2と蓋3を同じ厚さの材料を用いても
反りなどの変形が生ずることはない。
反りなどの変形が生ずることはない。
また、接合面にAuメツキが施されている場合もあるが
、従来の溶接においてはAuからなる溶接部にFeが混
入して凝固割れを生じ、不良となると云う問題があるが
、半田シートを挿入する場合にはこのような問題はなく
信鯨性の高い溶接を行うことが可能となった。
、従来の溶接においてはAuからなる溶接部にFeが混
入して凝固割れを生じ、不良となると云う問題があるが
、半田シートを挿入する場合にはこのような問題はなく
信鯨性の高い溶接を行うことが可能となった。
然し、パッケージングの小型軽量化が更に進んで板厚が
500umより200μm程度にまで減少してくると、
板材の剛性がより小さくなり、共晶半田からなる半田シ
ートを用いても熱収縮に伴う応力を吸収しきれずに蓋3
に変形が生じて(る。
500umより200μm程度にまで減少してくると、
板材の剛性がより小さくなり、共晶半田からなる半田シ
ートを用いても熱収縮に伴う応力を吸収しきれずに蓋3
に変形が生じて(る。
そこで、このように薄い板厚のパッケージにおいても変
形を生ずることのない接合法を開発する必要があった。
形を生ずることのない接合法を開発する必要があった。
電子機器をハーメチックシールするパッケージにはレー
ザ封止が行われており、ガラス端子を使用することから
、材料としては、これと膨張係数を合わせた鉄系合金が
使用されている。
ザ封止が行われており、ガラス端子を使用することから
、材料としては、これと膨張係数を合わせた鉄系合金が
使用されている。
そして、軽量化を実現するためにパッケージの板厚は従
来の約500μmより更に減少して200 μm程度に
することが要望されている。
来の約500μmより更に減少して200 μm程度に
することが要望されている。
然し、その場合は発明者が提案している共晶半田シート
を用いレーザ溶接する方法でも、レーザ溶接後の熱収縮
に伴う応力を吸収することができず、また材料が薄くな
るに従って弾性変形が生じ易くなっていることから、変
形を生じる。
を用いレーザ溶接する方法でも、レーザ溶接後の熱収縮
に伴う応力を吸収することができず、また材料が薄くな
るに従って弾性変形が生じ易くなっていることから、変
形を生じる。
そこで、このように板厚の薄いパッケージについても変
形の生じないレーザ溶接法を実用化することが課題であ
る。
形の生じないレーザ溶接法を実用化することが課題であ
る。
上記の課題は鉄系合金よりなる容器に同じ鉄系合金より
なる蓋を当接して密封する際に、両者の接合部に鉛を主
成分とする非共晶半田シートを挿入し、この接合部にレ
ーザ照射を行って溶接することを特徴として電子装置筐
体の封止方法を構成することにより解決することができ
る。
なる蓋を当接して密封する際に、両者の接合部に鉛を主
成分とする非共晶半田シートを挿入し、この接合部にレ
ーザ照射を行って溶接することを特徴として電子装置筐
体の封止方法を構成することにより解決することができ
る。
〔作用]
本発明は接合部に挿入してレーザ溶接を行う半田シート
の構成材として従来の共晶半田よりも更に伸びを大きく
する方法として、従来よりもpb酸成分構成比率を大き
くした非共晶合金を用いて半田シートを構成するもので
ある。
の構成材として従来の共晶半田よりも更に伸びを大きく
する方法として、従来よりもpb酸成分構成比率を大き
くした非共晶合金を用いて半田シートを構成するもので
ある。
第1図はこの状態を示すもので、伸びの大きな半田シー
ト6の使用により、パッケージ1の板厚が200μm程
度と薄く、弾性変形が生じ易い状態であっても蓋3の変
形を生ずることなく、熱収縮により生ずる応力を吸収す
ることができる。
ト6の使用により、パッケージ1の板厚が200μm程
度と薄く、弾性変形が生じ易い状態であっても蓋3の変
形を生ずることなく、熱収縮により生ずる応力を吸収す
ることができる。
以下、pb組成比の多い非共晶半田の例としてpbSn
合金をとり、本発明を説明する。
合金をとり、本発明を説明する。
第4図はPb−Sn合金の状態図であり、また第5図は
この部分拡大図である。
この部分拡大図である。
pbを主成分とする非共晶半田の例として例えばPb−
5%Snの組成(PbqsSns)をとる。
5%Snの組成(PbqsSns)をとる。
さて、従来より半田としてPb37Sn63の共晶組成
が使用されており、その他の非共晶組成のものはハーメ
チックシール材としては使用されていない。
が使用されており、その他の非共晶組成のものはハーメ
チックシール材としては使用されていない。
その理由は半田接合後にクランクなどが生じるからであ
る。
る。
すなわち、第4図および第5図に示す状態図においてP
b、5Sn5の組成の融液を冷却して約313°C(図
でa点)に達すると融液から第5図のSの組成の固溶体
(PbqtSn:+)が析出する。
b、5Sn5の組成の融液を冷却して約313°C(図
でa点)に達すると融液から第5図のSの組成の固溶体
(PbqtSn:+)が析出する。
そして、温度が次第に降下するに従って析出物を核とし
て析出してくる固溶体の組成は固相線に従って徐々にS
nの組成比が増加してゆき、一方、融液の組成は液相線
に沿ってpbの組成比が減少する方向に変化する。
て析出してくる固溶体の組成は固相線に従って徐々にS
nの組成比が増加してゆき、一方、融液の組成は液相線
に沿ってpbの組成比が減少する方向に変化する。
そして、温度が約302°Cのb点にまで下がると、P
bq5Snsの組成で全融液が凝固する。
bq5Snsの組成で全融液が凝固する。
然し、現実には非平衡状態で凝固が行われるために、固
溶体からなる粒体が非晶質中に分布した状態となり、こ
れが原因でクラックが発生し易い状態となる。
溶体からなる粒体が非晶質中に分布した状態となり、こ
れが原因でクラックが発生し易い状態となる。
然し、レーザ照射により加熱する場合は、急熱急冷が行
われるために非共晶組成の半田を利用する場合でも組織
は微細化しており、共晶組成と同様の緻密組織な固溶体
を得ることができる。
われるために非共晶組成の半田を利用する場合でも組織
は微細化しており、共晶組成と同様の緻密組織な固溶体
を得ることができる。
本発明はこの点に着目し、伸びが大きく柔軟な非共晶半
田を用いることにより、溶接に伴う応力を吸収し、変形
を防ぐものである。
田を用いることにより、溶接に伴う応力を吸収し、変形
を防ぐものである。
パッケージ材料として厚さが200 μmのFe−42
%N1(42アロイ)を用い、これを用いて第1図に示
すような容器2と蓋3を形成した。
%N1(42アロイ)を用い、これを用いて第1図に示
すような容器2と蓋3を形成した。
次に、半田シートとして組成がPb−5%Snで厚さが
300μmのものを準備し、これを容器2と蓋3との間
に挟んで従来のようにしてレーザ溶接を行った。
300μmのものを準備し、これを容器2と蓋3との間
に挟んで従来のようにしてレーザ溶接を行った。
すなわち、レーザとしてはネオジウム−イツトリウム・
アルミニウム・ガーネ・ント(Nd−YAG) レー
ザを用い、条件は、 パルス幅:3〜6ms、 焦点外し量:Omm。
アルミニウム・ガーネ・ント(Nd−YAG) レー
ザを用い、条件は、 パルス幅:3〜6ms、 焦点外し量:Omm。
平均比カニ50〜150W、 パルスレート: 60
pps。
pps。
溶接速度:500mm/分。
レンズ焦点距離: 100 mm、 シールドガス:
Arガス圧カニ 1.5 kg/ crnz ガス流
M:301/分である。
Arガス圧カニ 1.5 kg/ crnz ガス流
M:301/分である。
この結果、蓋3に反りのないハーメチックシールパッケ
ージを得ることができた。
ージを得ることができた。
また、気密性については、I Xl0−” atm −
cc/S以下の高い気密性を有していることを確認でき
た。
cc/S以下の高い気密性を有していることを確認でき
た。
以上記したように本発明の実施により、板厚が200μ
m程度の薄いパッケージについても、表面処理を施すこ
となく半田溶接することができ密性の良好なパッケージ
を得ることができる
m程度の薄いパッケージについても、表面処理を施すこ
となく半田溶接することができ密性の良好なパッケージ
を得ることができる
第1図は本発明を実施したパッケージの溶接後の断面図
、 第2図は従来の溶接後の状態を示す別の断第3図は従来
の溶接後の状態を示す断面図第4図はPb−3n合金の
状態図、 第5図はPb−5n合金の状態図の部分拡大図、である
。 図において、 ■はパッケージ、 2は容器、3は蓋、
4は溶接部、5.6は半田シート、 である。
、 第2図は従来の溶接後の状態を示す別の断第3図は従来
の溶接後の状態を示す断面図第4図はPb−3n合金の
状態図、 第5図はPb−5n合金の状態図の部分拡大図、である
。 図において、 ■はパッケージ、 2は容器、3は蓋、
4は溶接部、5.6は半田シート、 である。
Claims (1)
- 鉄系合金よりなる容器に同じ鉄系合金よりなる蓋を当
接して密封する際に、両者の接合部に鉛を主成分とする
非共晶半田シートを挿入し、該接合部にレーザ照射を行
って溶接することを特徴とする電子装置筐体の封止方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1330011A JPH03189073A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 電子装置筐体の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1330011A JPH03189073A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 電子装置筐体の封止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03189073A true JPH03189073A (ja) | 1991-08-19 |
Family
ID=18227773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1330011A Pending JPH03189073A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 電子装置筐体の封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03189073A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5406448A (en) * | 1992-06-17 | 1995-04-11 | Cooper Power Systems, Inc. | Capacitor hanger and attachment method |
WO2007123300A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Bse Co., Ltd | Packaging structure of mems microphone |
CN110961783A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 超薄不锈钢壳体的密封方法 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1330011A patent/JPH03189073A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5406448A (en) * | 1992-06-17 | 1995-04-11 | Cooper Power Systems, Inc. | Capacitor hanger and attachment method |
WO2007123300A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Bse Co., Ltd | Packaging structure of mems microphone |
CN110961783A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 超薄不锈钢壳体的密封方法 |
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