JPH03188654A - 樹脂モールド型半導体用放熱体 - Google Patents
樹脂モールド型半導体用放熱体Info
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- JPH03188654A JPH03188654A JP1327867A JP32786789A JPH03188654A JP H03188654 A JPH03188654 A JP H03188654A JP 1327867 A JP1327867 A JP 1327867A JP 32786789 A JP32786789 A JP 32786789A JP H03188654 A JPH03188654 A JP H03188654A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ＩＣ、ハイパワーＩＣ，ＬＳＩのチップおよ
びパワートランジスタでの発熱を効率良く放熱して、熱
膨張率をＳｉとＣｕ、ＡＱおよびエポキシ樹脂の間にな
るように材料設計してチップ間へのダメージを緩和する
と同時に温度サイクル信頼性（放熱板と樹脂の界面に隙
間ができにくい）に優れ、更に耐湿信頼性にも優れる低
コスト化放熱パッケージを実現する放熱体に関する。
びパワートランジスタでの発熱を効率良く放熱して、熱
膨張率をＳｉとＣｕ、ＡＱおよびエポキシ樹脂の間にな
るように材料設計してチップ間へのダメージを緩和する
と同時に温度サイクル信頼性（放熱板と樹脂の界面に隙
間ができにくい）に優れ、更に耐湿信頼性にも優れる低
コスト化放熱パッケージを実現する放熱体に関する。
［従来の技術］
ＩＣ、ハイパワーＩＣ，ＬＳＩおよびパワートランジス
タ用放熱パッケージはパッケージの表（トップシンク）
または裏（ボトムシンク）に放熱板、ブロックを掲載し
て固定するタイプと、パッケージの表に放熱フィンを付
けるタイプに大きく分かれ、それらの放熱材料としては
無酸素銅、タフピッチ銅、Ｐ脱酸銅、ＡＱおよびＡＱＮ
基板などが用いられているが、いずれもそれら材料価格
がパッケージ材料全体に占めるコスト比率が高いこと、
またＡＱＮ基板以外は封止エポキシ樹脂との熱膨張特性
が類似しているため温度サイクル信頼性には優れるがＳ
ｉとの熱膨張差が大きいため大型チップでのダイ付けが
難しい問題があるため、Ｓｉとエポキシ樹脂との中間的
な材料としてＣｕ／インバー／ Ｃｕのクラッドなどが
開発されているが材料価格が高いため、安価で上記問題
点を改善した材料の要求ニーズが高まっている。
タ用放熱パッケージはパッケージの表（トップシンク）
または裏（ボトムシンク）に放熱板、ブロックを掲載し
て固定するタイプと、パッケージの表に放熱フィンを付
けるタイプに大きく分かれ、それらの放熱材料としては
無酸素銅、タフピッチ銅、Ｐ脱酸銅、ＡＱおよびＡＱＮ
基板などが用いられているが、いずれもそれら材料価格
がパッケージ材料全体に占めるコスト比率が高いこと、
またＡＱＮ基板以外は封止エポキシ樹脂との熱膨張特性
が類似しているため温度サイクル信頼性には優れるがＳ
ｉとの熱膨張差が大きいため大型チップでのダイ付けが
難しい問題があるため、Ｓｉとエポキシ樹脂との中間的
な材料としてＣｕ／インバー／ Ｃｕのクラッドなどが
開発されているが材料価格が高いため、安価で上記問題
点を改善した材料の要求ニーズが高まっている。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、これらのＩＣ，ＬＳＩ、ハイパワーＩＣ用放
熱パンケージおよびパワートランジスタのコしＩフタに
接合する放熱板、ブロックとして、優れた特性と低コス
ト化を実現しようとするものである。鉄鋼クロム合金が
具備すべき条件を明らかにするために、発明者らは種々
の組合せの合金を用いて問題解決のため多くの研究を行
い、鉄中にクロムの含有する相と銅相を均一に分散した
形態であることにより、熱膨張特性を鉄と銅の中間レベ
ルにすると同時に優れた耐湿性を有する低コスト型合金
による放熱体を発明するに至った。
熱パンケージおよびパワートランジスタのコしＩフタに
接合する放熱板、ブロックとして、優れた特性と低コス
ト化を実現しようとするものである。鉄鋼クロム合金が
具備すべき条件を明らかにするために、発明者らは種々
の組合せの合金を用いて問題解決のため多くの研究を行
い、鉄中にクロムの含有する相と銅相を均一に分散した
形態であることにより、熱膨張特性を鉄と銅の中間レベ
ルにすると同時に優れた耐湿性を有する低コスト型合金
による放熱体を発明するに至った。
［課題を解決するための手段］
すなわち、本発明が構成するところは、銅を２０重量％
以上９５重量％以下、残部が不可避的不純物以外は鉄お
よびクロムであり、かつクロムが鉄に対して６重量％以
上１２重量％以下の比率からなる組成を持つ合金金属板
およびブロック、さらに本発明は上記の合金組成がさら
にＭｏ、 Ｎｉ、Ａ Ｑ 、 Ｓ ｉ。
以上９５重量％以下、残部が不可避的不純物以外は鉄お
よびクロムであり、かつクロムが鉄に対して６重量％以
上１２重量％以下の比率からなる組成を持つ合金金属板
およびブロック、さらに本発明は上記の合金組成がさら
にＭｏ、 Ｎｉ、Ａ Ｑ 、 Ｓ ｉ。
Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒの１種または２種以上でそれぞれ０．
１重量％以上Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒは１
０重量％以下、Ｎ１は１５重量％以下の範囲で添加した
ものとする ［作用コ 以下本閘成要件の限定理由を説明する。熱放散性を向上
させるためには、銅の含有量が高いほど良好な特性が得
られるが、パッケージの要求に対して必要とする熱膨張
特性と熱放散性の関係より適正な量を選択することが好
ましく銅含有量が２０重量％未満では鉄そのものと熱膨
張特性、熱放散性が大きく変化せず良好な特性が得られ
ない。また９５重量％越えると熱膨張特性が銅並みにな
ってしまう。
１重量％以上Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒは１
０重量％以下、Ｎ１は１５重量％以下の範囲で添加した
ものとする ［作用コ 以下本閘成要件の限定理由を説明する。熱放散性を向上
させるためには、銅の含有量が高いほど良好な特性が得
られるが、パッケージの要求に対して必要とする熱膨張
特性と熱放散性の関係より適正な量を選択することが好
ましく銅含有量が２０重量％未満では鉄そのものと熱膨
張特性、熱放散性が大きく変化せず良好な特性が得られ
ない。また９５重量％越えると熱膨張特性が銅並みにな
ってしまう。
つぎに、クロムを鉄に対して６重量％以上添加するのは
素材での保存中やアセンブル工程ならびに使用環境での
耐湿性を確保するものであり６重量％未満では、その効
果が不十分である。また上限を１２重量％とするのは１
２重量％を越えると耐湿性への効果が飽和する上、直接
ダイボンディング性およびリードフレームと接合時の絶
縁シート接合性が劣化するからである。
素材での保存中やアセンブル工程ならびに使用環境での
耐湿性を確保するものであり６重量％未満では、その効
果が不十分である。また上限を１２重量％とするのは１
２重量％を越えると耐湿性への効果が飽和する上、直接
ダイボンディング性およびリードフレームと接合時の絶
縁シート接合性が劣化するからである。
さらにＭｏ、Ｎｉ、Ａｆｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒの
１種または２種以上をそれぞり０，１重量％以上Ｍｏ、
Ａｆｌ。
１種または２種以上をそれぞり０，１重量％以上Ｍｏ、
Ａｆｌ。
Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ＋Ｚｒは１０重量％以下、Ｎｉは１５
重量％以下の範囲で添加することが熱間加工性確保、耐
湿信頼性維持や鋳造組織の均一化および各種樹脂接着性
の改善に役立つので必要に応じて添加したほうが好まし
い。
重量％以下の範囲で添加することが熱間加工性確保、耐
湿信頼性維持や鋳造組織の均一化および各種樹脂接着性
の改善に役立つので必要に応じて添加したほうが好まし
い。
特に連続鋳造、熱間圧延および鍛造などの熱間加工性確
保のためにはＡ Ｑ ＋ Ｓ ｉ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｔ
ｉなどを０．１重量％以上上記上限の範囲内で添加する
ことは有効であり、その上限を越えて添加しても効果が
飽和して合金コストが上昇するので上記上限内に限定す
る。
保のためにはＡ Ｑ ＋ Ｓ ｉ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｔ
ｉなどを０．１重量％以上上記上限の範囲内で添加する
ことは有効であり、その上限を越えて添加しても効果が
飽和して合金コストが上昇するので上記上限内に限定す
る。
更に鉄中のクロム含有量が８重量％を越える成分では鋳
造組織の均一性確保のためにＡΩｌ Ｔ ｌ ｌＺｒな
どを０．１重量％以上上記上限の範囲内で添加すること
は材料の均一性を良好にする上で有効であるが、上限を
越えると加工性劣化およびコスト上昇になるので上記上
限内に限定する。上記以外は原料および溶製時に不可避
的に混入される不純物元素とする。
造組織の均一性確保のためにＡΩｌ Ｔ ｌ ｌＺｒな
どを０．１重量％以上上記上限の範囲内で添加すること
は材料の均一性を良好にする上で有効であるが、上限を
越えると加工性劣化およびコスト上昇になるので上記上
限内に限定する。上記以外は原料および溶製時に不可避
的に混入される不純物元素とする。
本発明では、インゴット鋳造または連続鋳造後熱間圧延
・鍛造などにより１〜１０ｍｍに加工または双ロール鋳
造法などの急冷凝固的手法によってそれら厚みのものを
直接製造するものであり、最終材料の必要形状・特性に
応じて製造工程を選定して適性な材料の形状および特性
を得るものである。
・鍛造などにより１〜１０ｍｍに加工または双ロール鋳
造法などの急冷凝固的手法によってそれら厚みのものを
直接製造するものであり、最終材料の必要形状・特性に
応じて製造工程を選定して適性な材料の形状および特性
を得るものである。
さらに薄物の放熱板として用いる場合は、上記いずれの
鋳造法においても１〜１０ｍｍに仕上げた後に冷間圧延
、焼鈍を一回以上行なった後に時効処理を行なうことで
放熱薄板としての必要特性を与えるものである。
鋳造法においても１〜１０ｍｍに仕上げた後に冷間圧延
、焼鈍を一回以上行なった後に時効処理を行なうことで
放熱薄板としての必要特性を与えるものである。
［実施例１］
第１表に本発明の成分範囲の合金Ａ−Ｊ、Ｏ〜Ｘと比較
成分範囲のに−Ｎ、Ｙ−ＢＢの化学組成を示す。
成分範囲のに−Ｎ、Ｙ−ＢＢの化学組成を示す。
傘比覗δ戊分
第２表−１の試料番号１〜１４では双ロール鋳造で２．
０ｍｍに紡込んで得られた薄鋳片、第２表−２の試料番
号１５〜２８では水平連続紡造で１０ ｍｍに鋳込み後
１０００〜８００℃で熱間圧延を行い２．０ｍｍの厚み
に仕上げ、いずれの板も研削と鏡面パフで１ 、５ｍｍ
に仕上げた材料の特性を示した。
０ｍｍに紡込んで得られた薄鋳片、第２表−２の試料番
号１５〜２８では水平連続紡造で１０ ｍｍに鋳込み後
１０００〜８００℃で熱間圧延を行い２．０ｍｍの厚み
に仕上げ、いずれの板も研削と鏡面パフで１ 、５ｍｍ
に仕上げた材料の特性を示した。
さらに第３表−１、第３表−２には本発明のそれぞれの
材料について冷間圧延を実施して、０．８ｍｍの板厚に
した後に６００℃で３時間のＢＡＦ型（徐加熱−徐冷方
式の焼鈍）焼鈍を行なった場合について示した。
材料について冷間圧延を実施して、０．８ｍｍの板厚に
した後に６００℃で３時間のＢＡＦ型（徐加熱−徐冷方
式の焼鈍）焼鈍を行なった場合について示した。
特性の評価は熱伝導率は真空理工（製）ピット１５００
を用いて比熱と熱拡散率から求めた。熱膨張率は真空理
工（製）ＴＭ−７０００を用いて求めて、耐湿性はＪＩ
ＳＺ２３７１塩水噴霧試験（ＳＳＴ）と恒温恒湿試験（
３５℃、８５％）によった。また直接ダイボンディング
性は上記材料とエポキシ系Ａｇペーストとの接合性、絶
縁接着シートは接着性ポリイミド樹脂シートの接合性よ
り判定した。
を用いて比熱と熱拡散率から求めた。熱膨張率は真空理
工（製）ＴＭ−７０００を用いて求めて、耐湿性はＪＩ
ＳＺ２３７１塩水噴霧試験（ＳＳＴ）と恒温恒湿試験（
３５℃、８５％）によった。また直接ダイボンディング
性は上記材料とエポキシ系Ａｇペーストとの接合性、絶
縁接着シートは接着性ポリイミド樹脂シートの接合性よ
り判定した。
第２表−１，−２、第３表−１，−２の結果より明らか
なように、本発明合金組成では熱膨張特性、熱放散性に
優れ耐湿性および直接ボンディング性、絶縁接着シート
接着性にも優れていることは明らかである。
なように、本発明合金組成では熱膨張特性、熱放散性に
優れ耐湿性および直接ボンディング性、絶縁接着シート
接着性にも優れていることは明らかである。
［実施例２コ
第４表−１には実際の製品に放熱板として組み込んだ時
の熱放散性測定結果について示した。第２表−１の試料
番号３，８、第２表−２試料番号１７．２２を用いて図
１の（ａ）トップシンクタイプ、（ｂ）ボトムシンクタ
イプについて、パッケージタイプとして５０１）２４ピ
ン（リードフレーム：ＣＡ１９４相当０．１５ｍｍ、取
りつけ高さ：４．８ｍ＋ｎ、放熱板は１ 、５ｎ＋ｍ厚
み絶縁シートを介してインナーリードに接合した）とＱ
ＦＰ１４８ピン（リードフレーム： Ｆｅ−４２Ｎｉ
Ｏ，１５ｍｍ、取りつけ高さ： ５．Ｏｍｍ、放熱板は
１ 、５ｍｍ厚みで絶縁シートを介してインナーリード
に接合した）について、抵抗とダイオードを配置したＴ
ＥＧチップ（Ｓ ＯＰ ： ３．５Ｘ３．５、Ｑ Ｆ
Ｐ ： ５．Ｏｘ５．Ｏ（ｍｍ）サイズ）を組み込んだ
デバイスを図２に示すようにガラスエポキシ基板とセラ
ミック基板の２種に印加装置で発熱させ、ダイオードの
温度特性からチップ表面の温度を換算して温度、電圧、
電流を測定する方法で熱許容損失（２５℃でチップが１
５０℃になる時のＰｏｗｅｒ Ｄｉｓｉｐａｔｉｏｎ）
を求めた、比較に放熱板のないものとＰ脱酸銅を用いた
。結果より明らかなようにガラスエポキシ、セラミック
ス基板ともにＰ脱酸銅と同等レベルの放熱効果があるこ
とは明らかである。
の熱放散性測定結果について示した。第２表−１の試料
番号３，８、第２表−２試料番号１７．２２を用いて図
１の（ａ）トップシンクタイプ、（ｂ）ボトムシンクタ
イプについて、パッケージタイプとして５０１）２４ピ
ン（リードフレーム：ＣＡ１９４相当０．１５ｍｍ、取
りつけ高さ：４．８ｍ＋ｎ、放熱板は１ 、５ｎ＋ｍ厚
み絶縁シートを介してインナーリードに接合した）とＱ
ＦＰ１４８ピン（リードフレーム： Ｆｅ−４２Ｎｉ
Ｏ，１５ｍｍ、取りつけ高さ： ５．Ｏｍｍ、放熱板は
１ 、５ｍｍ厚みで絶縁シートを介してインナーリード
に接合した）について、抵抗とダイオードを配置したＴ
ＥＧチップ（Ｓ ＯＰ ： ３．５Ｘ３．５、Ｑ Ｆ
Ｐ ： ５．Ｏｘ５．Ｏ（ｍｍ）サイズ）を組み込んだ
デバイスを図２に示すようにガラスエポキシ基板とセラ
ミック基板の２種に印加装置で発熱させ、ダイオードの
温度特性からチップ表面の温度を換算して温度、電圧、
電流を測定する方法で熱許容損失（２５℃でチップが１
５０℃になる時のＰｏｗｅｒ Ｄｉｓｉｐａｔｉｏｎ）
を求めた、比較に放熱板のないものとＰ脱酸銅を用いた
。結果より明らかなようにガラスエポキシ、セラミック
ス基板ともにＰ脱酸銅と同等レベルの放熱効果があるこ
とは明らかである。
［実施例３］
第４表−２には実施例２と同様に放熱板として組み込ん
だ時の熱放散性測定結果について示した。
だ時の熱放散性測定結果について示した。
第３表−１の試料番号３１，３６、第３表−２試料番号
４５．５０を用いて図１の（ａ）トップシンクタイプ、
（ｂ）ボトムシンクタイプについて、パッケージタイプ
として５ＯＰ２４ビン（リードフレーム： ＣＡ１９４
相当０．１５ ｍｍ、取りつけ高さ：２．８＋ｎｍ、放
熱板は０．８ｍｍ厚みで絶縁シートを介してインナーリ
ードに接合した）とＱ Ｆ Ｐ １４８ピン（リードフ
レーム：Ｆｅ−４２Ｎｉ Ｏ，１５脆鳳、取りつけ高さ
：３．６ｕｕ＋＋、放熱板は０．８ｍｍ厚みで絶縁シー
トを介してインナーリードに接合した）第 ４ 表−Ｉ Ｐｏｗｅｒ Ｄｉｓｉｐａｔｉｏｎ測定結
果（Ｗ）第 表−２ ＰＯ讐ｅｒ ［）ｉｓｉｐａｔｉｏｎ測定結果（Ｗ）について、抵抗
とダイオードを配置したＴＥＧチップ（ＳＯＰ： ３．
５ Ｘ ３．５、ＱＦＰ：５．ＯＸ ５．０（ｍｍ）サ
イズ）を組み込んだデバイスを図２に示すようにガラス
エポキシ基板とセラミック基板の２種に印加装置で発熱
させ、ダイオードの温度特性からチップ表面の温度を換
算して温度、電圧、電流を測定する方法で熱許容損失（
２５℃でチップが１５０℃になる時のＰｏｗｅｒ Ｄｉ
ｓｉｐａｔｉｏｎ）を求めた、比較に放熱板のないもの
とＰ脱酸銅を用いた。結果より明らかなようにガラスエ
ポキシ、セラミックス基板ともにＰ脱酸銅と同等レベル
の放熱効果があることは明らかである。
４５．５０を用いて図１の（ａ）トップシンクタイプ、
（ｂ）ボトムシンクタイプについて、パッケージタイプ
として５ＯＰ２４ビン（リードフレーム： ＣＡ１９４
相当０．１５ ｍｍ、取りつけ高さ：２．８＋ｎｍ、放
熱板は０．８ｍｍ厚みで絶縁シートを介してインナーリ
ードに接合した）とＱ Ｆ Ｐ １４８ピン（リードフ
レーム：Ｆｅ−４２Ｎｉ Ｏ，１５脆鳳、取りつけ高さ
：３．６ｕｕ＋＋、放熱板は０．８ｍｍ厚みで絶縁シー
トを介してインナーリードに接合した）第 ４ 表−Ｉ Ｐｏｗｅｒ Ｄｉｓｉｐａｔｉｏｎ測定結
果（Ｗ）第 表−２ ＰＯ讐ｅｒ ［）ｉｓｉｐａｔｉｏｎ測定結果（Ｗ）について、抵抗
とダイオードを配置したＴＥＧチップ（ＳＯＰ： ３．
５ Ｘ ３．５、ＱＦＰ：５．ＯＸ ５．０（ｍｍ）サ
イズ）を組み込んだデバイスを図２に示すようにガラス
エポキシ基板とセラミック基板の２種に印加装置で発熱
させ、ダイオードの温度特性からチップ表面の温度を換
算して温度、電圧、電流を測定する方法で熱許容損失（
２５℃でチップが１５０℃になる時のＰｏｗｅｒ Ｄｉ
ｓｉｐａｔｉｏｎ）を求めた、比較に放熱板のないもの
とＰ脱酸銅を用いた。結果より明らかなようにガラスエ
ポキシ、セラミックス基板ともにＰ脱酸銅と同等レベル
の放熱効果があることは明らかである。
［実施例４コ
第２表−１の試料番号３，８、第２表−２試料番号１７
．２２および第３表−１の試料番号３１，３６．第３表
−２の試料番号／１５．５０を用いて実際のＩＣに組み
込んでチップストレスの調査を行なったが問題になるレ
ベルのストレスは生じていないことが明らかになった。
．２２および第３表−１の試料番号３１，３６．第３表
−２の試料番号／１５．５０を用いて実際のＩＣに組み
込んでチップストレスの調査を行なったが問題になるレ
ベルのストレスは生じていないことが明らかになった。
また同時に温度サイクルテストを行なったが放熱板と樹
脂との界面に隙間は１０個中１０個とも皆無であった。
脂との界面に隙間は１０個中１０個とも皆無であった。
［発明の効果］
本発明合金による放熱板によれば、ＩＣ，ハイパワーＩ
Ｃ，ＬＳＩおよびパワートランジスタのコネクタに接続
して用いられている現在の材料に比べてチップ間でのス
トレスの問題、温度サイクル信頼性を両立させ、さらに
耐湿信頼性にも優れる低コスト化放熱パッケージを実現
することができる。また本発明合金は本実施例以外のフ
ィンタイプなど種々の放熱パッケージ材料に適用可能で
ある。
Ｃ，ＬＳＩおよびパワートランジスタのコネクタに接続
して用いられている現在の材料に比べてチップ間でのス
トレスの問題、温度サイクル信頼性を両立させ、さらに
耐湿信頼性にも優れる低コスト化放熱パッケージを実現
することができる。また本発明合金は本実施例以外のフ
ィンタイプなど種々の放熱パッケージ材料に適用可能で
ある。
図１（ａ）はトップシンクタイプの断面図、（ｂ）はボ
トムシンクタイプの断面図 図２は熱許容損失測定の構成図、 である。
トムシンクタイプの断面図 図２は熱許容損失測定の構成図、 である。
Claims (2)
- （１）銅を２０重量％以上９５重量％以下、残部が不可
避的不純物以外は鉄およびクロムであり、かつクロムが
鉄に対し６重量％以上１２重量％以下の比率からなる組
成を持つことを特徴とする樹脂モールド型半導体用放熱
体 - （２）合金組成がさらにＭｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ
、Ｔｉ、Ｚｒの１種または２種以上をそれぞれ０．１重
量％以上、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒは１０
重量％以下、Ｎｉは１５重量％以下の範囲で添加したも
のであることを特徴とする請求項（１）に記載の樹脂モ
ールド型半導体用放熱体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327867A JPH03188654A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 樹脂モールド型半導体用放熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327867A JPH03188654A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 樹脂モールド型半導体用放熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188654A true JPH03188654A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18203862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1327867A Pending JPH03188654A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 樹脂モールド型半導体用放熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153878A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Tokyo Tungsten Co Ltd | プラスチックパッケージされた半導体装置ならびにヒートシンクの製造方法 |
| EP0856199A1 (de) * | 1995-10-16 | 1998-08-05 | Siemens N.V. | Polymeres höcker-matrix-gehäuse |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62502813A (ja) * | 1985-05-10 | 1987-11-12 | トレフイメト− | 高い電気特性及び機械特性を有する新規な合金、その製造方法並びに特に電気、電子及び関連分野におけるその使用 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1327867A patent/JPH03188654A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62502813A (ja) * | 1985-05-10 | 1987-11-12 | トレフイメト− | 高い電気特性及び機械特性を有する新規な合金、その製造方法並びに特に電気、電子及び関連分野におけるその使用 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153878A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Tokyo Tungsten Co Ltd | プラスチックパッケージされた半導体装置ならびにヒートシンクの製造方法 |
| EP0856199A1 (de) * | 1995-10-16 | 1998-08-05 | Siemens N.V. | Polymeres höcker-matrix-gehäuse |
| EP0856199B1 (de) * | 1995-10-16 | 2001-08-22 | Siemens N.V. | Polymeres höcker-matrix-gehäuse |
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