JPH03188633A - 窒化アルミニウム膜の形成方法 - Google Patents
窒化アルミニウム膜の形成方法Info
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- JPH03188633A JPH03188633A JP1328028A JP32802889A JPH03188633A JP H03188633 A JPH03188633 A JP H03188633A JP 1328028 A JP1328028 A JP 1328028A JP 32802889 A JP32802889 A JP 32802889A JP H03188633 A JPH03188633 A JP H03188633A
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- aluminum nitride
- nitride film
- film
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、窒化アルミニウム膜の形成方法に関するもの
である。
である。
［発明の概要］
本発明は、ガラス基板、Ｓｉ基板などの上に窒化アルミ
ニウム薄膜の絶縁膜を強い結合力をもって形成できるよ
うにしたものである。
ニウム薄膜の絶縁膜を強い結合力をもって形成できるよ
うにしたものである。
［従来の技術］
窒化アルミニウムは、化学的特性、絶縁特性、光学的特
性、耐熱特性、高周波特性等に優れていることから１例
えば、センサー、加速度計、ＳＡＷデバイス等の材料と
して、また、パッシベーション膜や絶縁膜の理想的な材
料として各種の技術分野で注目されている。
性、耐熱特性、高周波特性等に優れていることから１例
えば、センサー、加速度計、ＳＡＷデバイス等の材料と
して、また、パッシベーション膜や絶縁膜の理想的な材
料として各種の技術分野で注目されている。
本願の発明者等は、上記窒化アルミニウムをエレクトロ
ルミネセンス素子の絶縁膜として用いることに着目し、
膜形成の実験として、全圧５Ｘ１０−’ ｔｏｒｒ、ア
ルゴン＋窒素ガス雰囲気中で、アルミニウムをターゲッ
トとしてスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜をアル
ゴンと窒素のガス比を変えて作製した。
ルミネセンス素子の絶縁膜として用いることに着目し、
膜形成の実験として、全圧５Ｘ１０−’ ｔｏｒｒ、ア
ルゴン＋窒素ガス雰囲気中で、アルミニウムをターゲッ
トとしてスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜をアル
ゴンと窒素のガス比を変えて作製した。
これによって作製した窒化アルミニウム薄膜の・誘電率
と損失係数（ｔａｎδ）を測定したところ、第２図のグ
ラフに示す結果が得られた。このグラフに示すように、
窒素ガス分圧が小さいほど、誘電率は小さく、ｔａｎδ
が大きくなっており、窒素ガス分圧が大きいほど、誘電
率は大きく、ｊａｎδは小さくなっているのが判る。エ
レクトロルミネセンス素子の絶縁膜としては、誘電率が
大きく、ｔａｎδは小さい方がいい、つまり、窒化アル
ミニウム薄膜は、窒素ガス分圧が大きい条件で成膜させ
た場合の方が電気的に優れているということである。
と損失係数（ｔａｎδ）を測定したところ、第２図のグ
ラフに示す結果が得られた。このグラフに示すように、
窒素ガス分圧が小さいほど、誘電率は小さく、ｔａｎδ
が大きくなっており、窒素ガス分圧が大きいほど、誘電
率は大きく、ｊａｎδは小さくなっているのが判る。エ
レクトロルミネセンス素子の絶縁膜としては、誘電率が
大きく、ｔａｎδは小さい方がいい、つまり、窒化アル
ミニウム薄膜は、窒素ガス分圧が大きい条件で成膜させ
た場合の方が電気的に優れているということである。
また窒素ガス分圧が小さい場合、窒化アルミニウム薄膜
をＳｉ基板、ガラス基板、ＩＴＯ膜上に成膜させたとこ
ろ、膜は剥離しなかったが、窒素ガス圧が大きい場合、
膜はＩＴ○では剥離しなかったが、Ｓｉ基板やガラス基
板では膜の一部が剥離してしまった。
をＳｉ基板、ガラス基板、ＩＴＯ膜上に成膜させたとこ
ろ、膜は剥離しなかったが、窒素ガス圧が大きい場合、
膜はＩＴ○では剥離しなかったが、Ｓｉ基板やガラス基
板では膜の一部が剥離してしまった。
窒化アルミニウム薄膜は窒素ガス分圧が小さい条件で成
膜させた場合の方が結合に優れているということである
。
膜させた場合の方が結合に優れているということである
。
［発明が解決しようとする課題］
上記に述べたことから、スパッタリングにより作製した
窒化アルミニウム薄膜をエレクトロルミネセンスの絶縁
膜として用いる場合、窒素ガス分圧が大きいときは電気
的特性が優れているが、ガラス基板との結合力が弱く、
一方、窒素ガス分圧が小さいときは電気的特性は悪いが
、ガラス基板との結合力が強いという、相客れない条件
のあることが判った。
窒化アルミニウム薄膜をエレクトロルミネセンスの絶縁
膜として用いる場合、窒素ガス分圧が大きいときは電気
的特性が優れているが、ガラス基板との結合力が弱く、
一方、窒素ガス分圧が小さいときは電気的特性は悪いが
、ガラス基板との結合力が強いという、相客れない条件
のあることが判った。
［発明の目的コ
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、
電気的に優れ、かつ結合力も強い窒化アルミニウム膜の
形成方法を提供することを目的としているものである。
電気的に優れ、かつ結合力も強い窒化アルミニウム膜の
形成方法を提供することを目的としているものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するため、基板上に窒素ガス
分圧が小さい状態で第１の窒化アルミニウム膜を形成す
る第１の窒化アルミニウム膜形成工程と、前記第１の窒
化アルミニウム膜上に、窒素ガス分圧が大きい状態で第
２の窒化アルミニウム膜を形成する第２の窒化アルミニ
ウム膜形成工程とを含む膜形成方法により、上述した問
題点の解決を図ったものである。
分圧が小さい状態で第１の窒化アルミニウム膜を形成す
る第１の窒化アルミニウム膜形成工程と、前記第１の窒
化アルミニウム膜上に、窒素ガス分圧が大きい状態で第
２の窒化アルミニウム膜を形成する第２の窒化アルミニ
ウム膜形成工程とを含む膜形成方法により、上述した問
題点の解決を図ったものである。
［作用コ
上記窒化アルミニウム膜の形成方法にあっては、初めに
、結合力が強い窒素ガス分圧が小さいときの膜を形成し
、その上に電気的特性が優れている窒素ガス分圧が大き
いときの膜を形成するので、電気的に優れ、かつ結合力
も強い窒化アルミニウム膜が得られる。
、結合力が強い窒素ガス分圧が小さいときの膜を形成し
、その上に電気的特性が優れている窒素ガス分圧が大き
いときの膜を形成するので、電気的に優れ、かつ結合力
も強い窒化アルミニウム膜が得られる。
［実施例コ
第１図は１本実施例による窒化アルミニウム膜の形成工
程を図解して示したものである。
程を図解して示したものである。
まず、スパッタ法により、アルゴン・窒素ガス雰囲気中
（Ａｒ ： ４ Ｘ １０−３ｔｏｒｒ、Ｎ、 ： Ｉ
Ｘ １０−’ｔｏｒｒ）で、ガラス基板、Ｓｉ基板等
の基板１上に、第１の窒化アルミニウム膜２ａを１００
０人の膜厚で形成した。
（Ａｒ ： ４ Ｘ １０−３ｔｏｒｒ、Ｎ、 ： Ｉ
Ｘ １０−’ｔｏｒｒ）で、ガラス基板、Ｓｉ基板等
の基板１上に、第１の窒化アルミニウム膜２ａを１００
０人の膜厚で形成した。
次に、アルゴン・窒素ガス雰囲気中（Ａｒ：Ｉ Ｘ １
０−３ｔｏｒｒ、 Ｎ、 ： ４ Ｘ １０−’ｔｏｒ
ｒ）で、前記第１の窒化アルミニウム膜１上に第２の窒
化アルミニウム膜２ｂを３０００人の膜厚で形成した。
０−３ｔｏｒｒ、 Ｎ、 ： ４ Ｘ １０−’ｔｏｒ
ｒ）で、前記第１の窒化アルミニウム膜１上に第２の窒
化アルミニウム膜２ｂを３０００人の膜厚で形成した。
上記の窒化アルミニウム膜の形成工程により。
電気的特性が優れ、かつ結合力が強い窒化アルミニウム
絶縁膜が得られた。また、アルゴン・窒素ガスの全圧一
定の条件で、窒素ガス分圧を変えることにより、少し物
性の異なる膜を形成することができた。
絶縁膜が得られた。また、アルゴン・窒素ガスの全圧一
定の条件で、窒素ガス分圧を変えることにより、少し物
性の異なる膜を形成することができた。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明によれば、基板上に、まず
結合力の強い窒素ガス分圧が小さいときの窒化アルミニ
ウム膜を形成させ、その上に電気的特性が優れている窒
素ガス分圧の大きいときの窒化アルミニウム膜を形成さ
せるので、電気的にも優れ、かつ結合力も強い窒化アル
ミニウム膜の絶縁膜を形成することができる。
結合力の強い窒素ガス分圧が小さいときの窒化アルミニ
ウム膜を形成させ、その上に電気的特性が優れている窒
素ガス分圧の大きいときの窒化アルミニウム膜を形成さ
せるので、電気的にも優れ、かつ結合力も強い窒化アル
ミニウム膜の絶縁膜を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す窒化アルミニウム膜の
形成工程図、第２図は窒化アルミニウム・スパッタ膜の
電気特性を示すグラフである。 １・・・・・・・・・基板、２ａ・・・・・・・・・第
１の窒化アルミニウム膜、２ｂ・・・・・・・・・第２
の窒化アルミニウム膜。
形成工程図、第２図は窒化アルミニウム・スパッタ膜の
電気特性を示すグラフである。 １・・・・・・・・・基板、２ａ・・・・・・・・・第
１の窒化アルミニウム膜、２ｂ・・・・・・・・・第２
の窒化アルミニウム膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に窒素ガス分圧が小さい状態で第１の窒化アル
ミニウム膜を形成する第１の窒化アルミニウム膜形成工
程と、 前記第１の窒化アルミニウム膜上に窒素ガス分圧が大き
い状態で第２の窒化アルミニウム膜を形成する第２の窒
化アルミニウム膜形成工程を含む窒化アルミニウム膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328028A JPH03188633A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 窒化アルミニウム膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328028A JPH03188633A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 窒化アルミニウム膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188633A true JPH03188633A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18205713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1328028A Pending JPH03188633A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 窒化アルミニウム膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7443097B2 (en) | 2001-02-21 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| CN109554678A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-02 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性氮化铝薄膜及其制造方法 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1328028A patent/JPH03188633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7443097B2 (en) | 2001-02-21 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| CN109554678A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-02 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性氮化铝薄膜及其制造方法 |
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