JPH03185814A - 化合物半導体膜の製法 - Google Patents
化合物半導体膜の製法Info
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- JPH03185814A JPH03185814A JP32503589A JP32503589A JPH03185814A JP H03185814 A JPH03185814 A JP H03185814A JP 32503589 A JP32503589 A JP 32503589A JP 32503589 A JP32503589 A JP 32503589A JP H03185814 A JPH03185814 A JP H03185814A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明、は、絶縁膜上に化合物単結晶膜の形成方法に関
する。
する。
［従来の技術］
従来、化合物半導体膜の製造方法として、例えばイント
リンシックＧａＡｓ単結晶基板上に、分子線エピタキシ
ャル法により単結晶ＧａＡｓ膜を成長させる方法や、単
結晶サファイヤ基板上に、分子線エピタキシャル法によ
り単結晶ＧａＡｓ膜を形成する方法や、単結晶８１基板
上に分子線エピタキシャル法により単結晶ＧａＡｓ膜を
ヘテロジニアスに形成する方法等があった。
リンシックＧａＡｓ単結晶基板上に、分子線エピタキシ
ャル法により単結晶ＧａＡｓ膜を成長させる方法や、単
結晶サファイヤ基板上に、分子線エピタキシャル法によ
り単結晶ＧａＡｓ膜を形成する方法や、単結晶８１基板
上に分子線エピタキシャル法により単結晶ＧａＡｓ膜を
ヘテロジニアスに形成する方法等があった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、下地基板との絶縁性が
完全でない事、あるいは、サファイヤ基板ではコスト高
に付くと云う事等の課題があった本発明は、かかる従来
技術の課題を解決し、低コストで下地基板との絶縁性の
良好な新しい単結晶化合物半導体膜の製法を提供する事
を目的とする。
完全でない事、あるいは、サファイヤ基板ではコスト高
に付くと云う事等の課題があった本発明は、かかる従来
技術の課題を解決し、低コストで下地基板との絶縁性の
良好な新しい単結晶化合物半導体膜の製法を提供する事
を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、不発明は、化合物半導体膜
の製法に関し、 （１） 絶縁膜上に単結晶化合物半導体膜な形成する手
段をとる事、及び （２） Ｓｉ単結晶基板上にＩｅ縁膜を形成し、該絶
縁膜の一部を窓開けした後、多結晶又はアモルファス化
合物半導体膜を・形成後、前記窓部な種結晶としてエネ
ルギー・ビゼムを走査し、前記多結晶又はアモルファス
化合物半導体膜を単結晶膜化する手段をとる事、及び （５） Ｓｉ単結晶基板上に単結晶化合物半導体膜を
形成後、酸素イオン打込み処理等によりＳＩＦ＄結晶基
板表面を絶縁膜化する手段をとる事、及び （４） 単結晶化合物半導体基板上にＣＶＤ法やスパッ
タ法等により絶縁膜を形成し、該絶縁膜の一部を窓開は
後、多結晶又はアモルファスの化合物半導体膜を形成し
、前記窓開は部を種結晶とし、エネルギー・ビームを走
査させて、前記多結晶又はアモルファス化合物半導体膜
を単結晶化する手段をとる事、 等である。
の製法に関し、 （１） 絶縁膜上に単結晶化合物半導体膜な形成する手
段をとる事、及び （２） Ｓｉ単結晶基板上にＩｅ縁膜を形成し、該絶
縁膜の一部を窓開けした後、多結晶又はアモルファス化
合物半導体膜を・形成後、前記窓部な種結晶としてエネ
ルギー・ビゼムを走査し、前記多結晶又はアモルファス
化合物半導体膜を単結晶膜化する手段をとる事、及び （５） Ｓｉ単結晶基板上に単結晶化合物半導体膜を
形成後、酸素イオン打込み処理等によりＳＩＦ＄結晶基
板表面を絶縁膜化する手段をとる事、及び （４） 単結晶化合物半導体基板上にＣＶＤ法やスパッ
タ法等により絶縁膜を形成し、該絶縁膜の一部を窓開は
後、多結晶又はアモルファスの化合物半導体膜を形成し
、前記窓開は部を種結晶とし、エネルギー・ビームを走
査させて、前記多結晶又はアモルファス化合物半導体膜
を単結晶化する手段をとる事、 等である。
［実施例コ
以下、実施′例により本発明を詳述する。
第１図は化合物半導体膜の製法の一実施例を示す断面図
である。すなわち、Ｓｉ単結晶基板１０の表面に熱酸化
等によりＳ１０．膜１１を形成し、該ｓ ｉ ｏ、膜１
１の一部に窓部１２を形成した後、ＧａＡｓや工ｎＰ等
の多結晶化合物半導体膜１６をＭＯＣＶＤ法等にまり形
成後、前記窓部な出発点として熱線等のエネルギー・ビ
ーム１５を一定の走査方向１４の方向に走査させる事に
より前記多結晶化合物半導体膜１６は、単結・晶化され
、前記エネルギー・ビーム１３の走査方向１４に沿って
単結晶化合物半導体膜１６は全て単結晶化合物半導体膜
と化する。尚多結晶化合物半導体膜１６上に予じめ、Ｏ
ＤＤ法等によりＳｉｎ、膜等の絶縁膜を形成後、エネル
ギー・ビーム走査により単結晶化合物半導体膜化な行な
っても良く、更に、多結晶化合物半導体膜は、アモルフ
ァス化合物半導体膜であっても良く、又、エネルギー・
ビーム１５の照射時に、Ｓｉｌ結晶基板１０を予シメハ
ック・アップ加熱しても良い。
である。すなわち、Ｓｉ単結晶基板１０の表面に熱酸化
等によりＳ１０．膜１１を形成し、該ｓ ｉ ｏ、膜１
１の一部に窓部１２を形成した後、ＧａＡｓや工ｎＰ等
の多結晶化合物半導体膜１６をＭＯＣＶＤ法等にまり形
成後、前記窓部な出発点として熱線等のエネルギー・ビ
ーム１５を一定の走査方向１４の方向に走査させる事に
より前記多結晶化合物半導体膜１６は、単結・晶化され
、前記エネルギー・ビーム１３の走査方向１４に沿って
単結晶化合物半導体膜１６は全て単結晶化合物半導体膜
と化する。尚多結晶化合物半導体膜１６上に予じめ、Ｏ
ＤＤ法等によりＳｉｎ、膜等の絶縁膜を形成後、エネル
ギー・ビーム走査により単結晶化合物半導体膜化な行な
っても良く、更に、多結晶化合物半導体膜は、アモルフ
ァス化合物半導体膜であっても良く、又、エネルギー・
ビーム１５の照射時に、Ｓｉｌ結晶基板１０を予シメハ
ック・アップ加熱しても良い。
第２図は本発明の他の実施例を示す断面図である。すな
わち、Ｓｔ単結晶基板２０の表面に予じめ、分子線エピ
タキシャル法等により単結晶化合物半導体膜２５を形成
後、酸素イオン打込み２３を前記単結晶化合物半導体膜
２５を通過させて、前記Ｓｉ単結晶基板表面迄到達させ
て、該ｓ１単結晶基板表面に５ｉｎ２膜２１を形成する
。尚、Ｓ ｉ Ｏ，膜２１の形成と単結晶化合物半導体
膜の欠陥除去の為に酸素イオン打込み中あるいは酸素イ
オン打込み後にアニール処理を施すと良い。更に、８１
単結晶基板２０が工ｎＰである時には、単結晶化合物半
導体膜２５を育成せずに、酸素イオン打込み２５を施す
と、ｓｌｏ、膜２１は工ｎＰｆ）酸化膜となり、工ｎＰ
から戒る単結晶化合物半導体膜２５を残存させて形成す
ることもできる又、５ｉｑｉ結晶基板２０がＧａＡｓ単
結晶基板として、該ＧａＡｓ単結晶基板表面がらＳ１イ
オンと酸素イオンを同−深さに打込んで８１０２膜化す
る事により、該Ｓ１０．膜上に単結晶ＧａＡｅを残存さ
せることもできる。
わち、Ｓｔ単結晶基板２０の表面に予じめ、分子線エピ
タキシャル法等により単結晶化合物半導体膜２５を形成
後、酸素イオン打込み２３を前記単結晶化合物半導体膜
２５を通過させて、前記Ｓｉ単結晶基板表面迄到達させ
て、該ｓ１単結晶基板表面に５ｉｎ２膜２１を形成する
。尚、Ｓ ｉ Ｏ，膜２１の形成と単結晶化合物半導体
膜の欠陥除去の為に酸素イオン打込み中あるいは酸素イ
オン打込み後にアニール処理を施すと良い。更に、８１
単結晶基板２０が工ｎＰである時には、単結晶化合物半
導体膜２５を育成せずに、酸素イオン打込み２５を施す
と、ｓｌｏ、膜２１は工ｎＰｆ）酸化膜となり、工ｎＰ
から戒る単結晶化合物半導体膜２５を残存させて形成す
ることもできる又、５ｉｑｉ結晶基板２０がＧａＡｓ単
結晶基板として、該ＧａＡｓ単結晶基板表面がらＳ１イ
オンと酸素イオンを同−深さに打込んで８１０２膜化す
る事により、該Ｓ１０．膜上に単結晶ＧａＡｅを残存さ
せることもできる。
第５図は本発明のその他の実施例を示す断面図である。
すなわち、ＧａＡｓ単結晶基板５０等から成る単結晶化
合切半・導体基板上にはＣＶＤ法によりＳｉｎ、膜３１
等の絶縁膜を形成し、該５ｉＯ１膜５１の一部に窓部５
２を設けた後、多結晶化合物半導体膜５６な形成し、前
記窓部３２を種結晶として熱線等のエネルギー・ビーム
３５を走査方向５４の方向に走査させる事により、単結
晶化合物半導体膜５５を基板全面に育成する。尚、多結
晶化合物半導体膜５６にはＧａＡａｓ工ｎＰ等があるが
、ＧｅやＳｉ等の多結晶又はアモルファス半導体膜であ
っても水沫によりＳｉｎ、Ｖ８等の絶縁膜上に単結晶半
導体膜として育成することもできる。
合切半・導体基板上にはＣＶＤ法によりＳｉｎ、膜３１
等の絶縁膜を形成し、該５ｉＯ１膜５１の一部に窓部５
２を設けた後、多結晶化合物半導体膜５６な形成し、前
記窓部３２を種結晶として熱線等のエネルギー・ビーム
３５を走査方向５４の方向に走査させる事により、単結
晶化合物半導体膜５５を基板全面に育成する。尚、多結
晶化合物半導体膜５６にはＧａＡａｓ工ｎＰ等があるが
、ＧｅやＳｉ等の多結晶又はアモルファス半導体膜であ
っても水沫によりＳｉｎ、Ｖ８等の絶縁膜上に単結晶半
導体膜として育成することもできる。
［発明の効果］
本発明により基板と絶縁分離された単結晶化合物半導体
膜が形成でき、化合物半導体装置の一層の高速化を容易
に低コストで計ることができる効果がある。
膜が形成でき、化合物半導体装置の一層の高速化を容易
に低コストで計ることができる効果がある。
第１図乃至第３図は、本発明の実施例を示す、ｓｏ工（
８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏｎ工ｎｅｕｌａｔｏｗ
） 構造形成法を示す断面図である。 １０．２０・・・・・・・・・Ｓｉｐ結晶基板５０
・・・・・・・・・ＧａＡａ単結晶基板Ｉｔ 、２１
．５１・・・・・・Ｓｉｎ、膜１２ 、５２・・・・・
・・・・窓 部１５．５５・・・・・・・・・エネルギ
ー・ビーム２５ ・・・・・・・・・酸素イオン打
込み１４．５４・・・・・・・・・走査方向１５．２５
．５５・・・・・・単結晶化合物半導体膜１６．５６・
・・・・・・・・多結晶化合物半導体膜以上
８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏｎ工ｎｅｕｌａｔｏｗ
） 構造形成法を示す断面図である。 １０．２０・・・・・・・・・Ｓｉｐ結晶基板５０
・・・・・・・・・ＧａＡａ単結晶基板Ｉｔ 、２１
．５１・・・・・・Ｓｉｎ、膜１２ 、５２・・・・・
・・・・窓 部１５．５５・・・・・・・・・エネルギ
ー・ビーム２５ ・・・・・・・・・酸素イオン打
込み１４．５４・・・・・・・・・走査方向１５．２５
．５５・・・・・・単結晶化合物半導体膜１６．５６・
・・・・・・・・多結晶化合物半導体膜以上
Claims (4)
- （１）絶縁膜上には単結晶化合物半導体膜を形成して成
る事を特徴とする化合物半導体膜の製法。 - （２）Ｓｉ単結晶基板上には絶縁膜が形成され、該絶縁
膜の前記Ｓｉ単結晶基板端部等の一部を窓開けした後、
多結晶又はアモルファスＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半
導体膜を形成後、前記窓部を種結晶としてエネルギー・
ビームを走査して、前記多結晶又はアモルファスＧａＡ
ｓ、Ｉｎｐ等の化合物半導体膜を単結晶膜化する事を特
徴とする請求項１記載の化合物半導体膜の製法。 - （３）Ｓｉ単結晶基板上にＧａＡｓ、ＩｎＰ等の単結晶
化合物半導体膜を形成後、酸素イオン打込み処理等によ
りＳｉ単結晶基板表面を絶縁膜化する事を特徴とする請
求項１記載の化合物半導体膜の製法。 - （４）単結晶化合物半導体基板上にＣＶＤ法やスパッタ
法等により絶縁膜を形成し、該絶縁膜の一部を窓開け後
、多結晶又はアモルファスの化合物半導体膜を形成し、
前記窓開け部を種結晶として、エネルギー・ビームを走
査させ、前記多結晶又はアモルファス化合物半導体膜を
単結晶化する事を特徴とする請求項、記載の化合物半導
体膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32503589A JPH03185814A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 化合物半導体膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32503589A JPH03185814A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 化合物半導体膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185814A true JPH03185814A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18172423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32503589A Pending JPH03185814A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 化合物半導体膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014200077A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 微細構造形成方法、半導体デバイスの製造方法、及びｃｍｏｓの形成方法 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32503589A patent/JPH03185814A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014200077A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 微細構造形成方法、半導体デバイスの製造方法、及びｃｍｏｓの形成方法 |
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