JPH03179807A - ひずみ補正方法及びその補正回路 - Google Patents

ひずみ補正方法及びその補正回路

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JPH03179807A
JPH03179807A JP2238807A JP23880790A JPH03179807A JP H03179807 A JPH03179807 A JP H03179807A JP 2238807 A JP2238807 A JP 2238807A JP 23880790 A JP23880790 A JP 23880790A JP H03179807 A JPH03179807 A JP H03179807A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野コ 本発明は固有の非直線性ゆえに出力が入力に対してひず
みを帯びる、例えば半導体レーザーのような振幅変調送
信デバイスからの出力を線形化する電子回路に係わる。
非直線性デバイスのひずみはその入力に逆ひずみ信号を
加えることによって補正され、逆ひずみは非直線性デバ
イスのひずみがひずみのない信号を回復するように選択
される。
発光ダイオード（ＬＥＤ）または半導体レーザーのアナ
ログ強さを電気信号によって直接変調するという方法は
オプチカルファイバーによる音声及び画像信号のような
アナログ信号の送信に関する最も簡単な方法である。こ
のようなアナログ方式はディジタルパルスコード変調、
あるいはアナログまたはパルス周波数変調よりもはるか
に狭い帯域幅を利用できるという点で有利であるが、振
幅変調はノイズや光源の非直線性という問題を伴なう。
アナログ送信デバイスに固有のひずみは線形変調信号を
これに正比例する光学信号に変換するのを妨げ、信号に
ひずみを生じさせる場合がある。
この現象はチャンネル間の干渉を防止するためにすぐれ
た直線性が必要な多重チャンネル画像送信にとって特に
有害である。高度に線形化されたアナログ光学系は商業
ＴＶ送信、ＣＡＴＶ、相互ＴＶ１及びテレビ電話に広く
利用されている〇非直線性光学送信デバイスなどの線形
化は既に研究されているが、その研究成果は未だ実用化
の域に達していない。即ち、多くの場合、帯域幅が広過
ぎて実用に適しない。また、フィードフォワード方式は
光力コンバイナーや多重光源のような複雑なシステム成
分を必要とし、準光学フィードフォワード方式も同様に
複雑さという点が問題であり、その上、各部を極めて厳
密に整合させねばならない。
非直線性デバイスに固有のひずみを軽減する公知方法の
１つに逆ひずみ付与法がある。この方法では、変調信号
を非直線性デバイスに固有のひずみと振幅は等しいが符
号は反対の信号とを合成する。非直線性デバイスがこの
合成信号を変調すると、デバイスの固有ひずみが合成信
号の逆ひずみによって相殺され、ソース信号の線形部分
だけが送信される。この逆ひずみ信号は入力基本周波数
の加減合成の形を取ることが多いが、その理由はこのよ
うな相互変調積がアナログ信号送信における最も豊富な
ひずみ発生源を構成することにある。
例えば有線テレビ用のＡＭ信号配分においては特定帯域
に４０通りもの周波数があり、これらの周波数の２次及
び３次相互変調積形成の機会が豊富である。
電流に逆ひずみを与える方式では入力信号を２つ以上の
パス（ｅｌｅｃＨｉｃａｌ　ｐａｔｈ　）に分割し、非
直線性送信デバイスの固有ひずみに合わせた単数または
複数のパスに逆ひずみを発生させる。この逆ひずみは入
力信号と再結合されて非直線性デバイスの固有ひずみの
影響を相殺する。
信号を再結合して変調のため非直線性デバイスに伝送す
る前に減衰を利用して逆ひずみの大きさをデバイスの固
有ひずみ特性の大きさと整合させることができる。しか
し、この方法では非直線性デバイスの振幅及び位相ひず
み特性はしばしば変調信号の周波数に応じて変動するか
ら、精度に問題がある。
［発明が解決しようとする課題］ 公知の方法はいずれも周波数に左右される非直線性を補
正することができない。
帯域幅が比較的低いシステム及び信号に関する限り、ひ
ずみの周波数依存性を補正しなくても全く問題とならな
い場合が多い。しかし、ＴＶ信号を光学的信号に変換し
て有線送信する場合には深刻な問題となる。即ち、有線
ＴＶ用のこの種の信号ではその入力周波数が４０通り以
上となる可能性があり、そのすべてに良質の振幅変調信
号が必要となる。このような信号のための送信デバイス
には極めて高度の直線性が要求される。
本発明は公知技術におけるこのような問題点の克服を目
的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明の好ましい実施例では、アナログ信号の送信に伴
なうひずみを軽減するためのひずみ補正回路が入力変調
信号を１次及び２次パス（ｅｌｅｃｊ＋１ｃｘｌ　ｐａ
ｔｈ　）に分割する。２次パスに設けた逆ひずみ増幅器
が入力信号の２次以上の相互変調ひずみ積を形成する。
形成される逆ひずみは信号を供給される非直線性変調デ
バイスの固有ひずみと振幅がほぼ等しく、符号が反対と
なるように調節される。逆ひずみ信号は非直線性デバイ
スによるひずみの周波数依存性と整合するように振幅及
び位相を調節される。信号の位相はパスの１つに設けた
遅延または位相調節素子によって同期させられる。次い
で工次及び２次パスの信号を再結合することによって相
互変調積ひずみを含む単一の変調信号を形成する。この
ように、本発明のひずみ補正回路は非直線性送信デバイ
スの固有ひずみを相殺することによって変調信号の送信
を有効に線形化する。
［実施例コ 逆ひずみの概念を抽象的に図解したのが第４図である。
入力信号ＹＯがひずみ補正回路４０に入力される。ひず
み補正回路４０は伝達関数が既知の非直線性送信デバイ
ス４１とは反対方向に同量だけ直線性から偏った非直線
性伝達関数を有する。
ひずみ補正回路４０からの信号Ｙ１は入力ソース信号Ｙ
。と補正回路４０の非直線性伝達関数による逆ひずみと
の合成信号である。信号Ｔ１は非直線性送信デバイスに
供給され、送信デバイスによって変調された後、送信デ
バイスの固有ひずみが信号Ｙ１の逆ひずみと反比例し、
かつこれによって相殺される結果、はぼ線形の信号Ｙ２
となって現われる。
第１図から明らかなように、入力ソース信号上２が方向
性結合器１０に供給されて１次パス（ｅｌｅｃｔ＋１ｃ
ａｌ　ｐａｔｈ　）　１３及び２次パス１４に分割され
る。標準的には、１次パスの信号分は２次パスの信号分
よりもはるかに電力が大きい。例えば、１１デシベル（
ｄ　Ｂ）方向性結合器を利用すればこのような結果が得
られる。
２次パスはひずみ発生器１５、振幅調整ブロック１７、
“チルト”または周波数調整ブロック１９、及び位相微
調整ブロック２１から成る。なお、２次パスに沿ったこ
れらの素子の順序は本発明の作用目的から逸脱すること
なく変更することができる。
本発明の一実施例では、２次パスの信号は先ずひずみ発
生器に入力される。ひずみ発生器の出力は入力周波数の
相互変調ひずみである。２次以上のひずみを発生させる
ことができる。理想としては、ひずみ発生器において相
殺、フィルタ手段などによって基本周波数を抑制するの
が好ましい。
こうして形成される相互変調積の位相は入力信号と逆で
ある。この反転はひずみ発生器内で、または（図示しな
い）別設のインバータ素子で行うことができる。
ひずみ発生器からのひずみ出力の大きさは出力信号２５
を受信する送信デバイス（第１図には図示しない）の予
知可能な固有ひずみの大きさと整合する。この整合作用
は振幅調整ブロック１７において行われ、この振幅調整
は例えば可変減衰器を利用して手動で、または自動利得
制御素子を利用して動的に行うことができる。従って、
振幅調整ブロック１７の出力は入力信号の小部分の相互
変調積であり、ひずみ補正回路４０の出力信号２５を受
信する非直線性送信デバイス４１の固有ひずみと大きさ
がほぼ等しく符号が反対である。この出力または逆ひず
み信号は非直線性デバイス４１の周波数依存ひずみ成分
を効果的に軽減する。
２次パスにおける逆ひずみ信号の発生は１次パスに対す
る遅延を伴なうのが普通である。１次及び２次パスが再
結合される前に、非直線性デバイスの固有ひずみが効果
的に相殺されるように２次パス信号の位相に対する１次
パス信号の相対位相を調整する。この位相整合は方向性
結合器１０によって分割された信号１３の１次パス部分
を受信する外部遅延手段２３により１次パスにおいて行
われる。遅延量は手動または自動調整することができる
。遅延手段としては例えば適当な遅延を導入するように
長さを設定された伝送線という簡単なものがある。
送信デバイスの例としては出力信号によって変調される
半導体レーザーまたはＬＥＤを挙げることができる。こ
のようなデバイスの固有ひずみは周波数に左右される。
−股肉には、周波数が高くなる程、ひずみも大きくなる
。
非直線性送信デバイスの周波数依存ひずみを補正するた
め、振幅調整ブロックの出力を周波数調整または“チル
ト”調整ブロック１９に供給する。
チルト調整は高周波数ひずみの振幅を、“アップチルト
”として増大させ、“ダウンチルト”として縮小する可
変フィルタなどのような手段によって行われる。この調
整も振幅調整と同様に手動または自動で行うことができ
る。チルト調整においては通過させる低周波数ひずみ積
に対する高周波数ひずみ積の比率を調整することによっ
て逆ひずみ信号を非直線性デバイスの固有ひずみ特性に
できるだけ正確に合わせることができる。
標準的には、帯域の低周波端に現われるひずみの補正に
は振幅調整が行われ、帯域の高周波端に現われるひずみ
の補正にはアップチルトとして周波数調整が行われる。
なお、高周波端における振幅調整、及び信号の適切な減
衰または増幅としての低周波端におけるアップチルトま
たはダウンチルトによっても同じ結果を得ることができ
る。
２次パスにおける微調整ブロック２１は２次パスで発生
するひずみと非直線性デバイスの固有ひずみとの相対位
相をさらに正確に設定することを可能にする。この調整
も振幅調整と同様に手動で、かつ周波数に応じて行えば
よい。経験上、振幅、周波数及び位相の手動調整は１分
間以内で完了できる。その場合、非直線性デバイスの出
力ひずみを観察しながら適切な調整を行えばよい。この
調整の目的は最終ひずみを可能な限り小さくすることに
ある。逆ひずみ信号が非直線性デバイスの固有ひずみと
同じ大きさとなり、逆ひずみがひずみと正確に１８０’
だけ位相ずれ関係となれば最適の調整が行われたことに
なる。
デバイスのひずみに対して位相調整を行うことが重要で
ある。既に遅延が導入されているから逆ひずみは１次パ
ス信号と正確に同相関係（または１８０°位相ずれ関係
）にある。目的によってはこれ以上調整を加える必要は
ないが、例えばレーザーのＴＶ帯域幅変調などには不適
当である。
１次及び２次パスの信号の相対位相を設定したら、方向
性出力結合器１１によって両信号を再結合する。２次パ
スからの逆ひずみ成分を含んでいるこの合成信号２５が
信号を変調するために非直線性送信デバイスに出力され
る。
一例として、逆ひずみ形成またはひずみ増幅ブロック１
５を第２図に詳細に図解した。入力信号１４のうち２次
パスを通過する部分が１８０゜スプリッタ３０に供給さ
れると、該スプリッタ３０はこの信号を、大きさが等し
く符号が反対の第１パス３８と第２パス３９に分割する
。あとで増幅または減衰されるなら、分割信号は必ずし
も同じ大きさでなくてもよい。
第１パスは入力信号１４の基本周波数の２次以上の相互
変調積を形成する第１増幅器３２に入力する。符号が第
１パス信号とは逆の信号を搬送する第２パスは第２増幅
器に入力するが、この第２増幅器は第１増幅器３２から
出力される相互変調積と同符号の偶数次相互変調積と、
反対符号の奇数次相互変調積とを形成する。信号は基本
周波数及び奇数次相互変調積を実質的に除去し、出力信
号３７中に偶数次相互変調積成分を残すゼロ度コンバイ
ナー３４によって加算的に合成される。理想としてはこ
の過程で相互変調ひずみの２次以上の純粋な偶数成分が
形成されることが望ましい。
第１及び第２増幅器３２．３３は奇数次相互変調積成分
が完全には消去されないように調整され、この調整は増
幅器へのバイアス電流を変化させることによって達成す
ることができ、バイアス電流を変化させても基本周波数
利得にはほとんど影響しない。第１増幅器３２のバイア
ス電流が増大してその分だけ第２増幅器３３のバイアス
電流が低下すると、両増幅器が不平衡状態となり、両増
幅器によって形成される相互変調積の大きさに差を生ず
る。従って、奇数次相互変調積が互いに相殺することは
ない。
プッシュ・プッシュ増幅器と呼称されるこのひずみ回路
の不平衡状態を利用すれば、ひずみ補正の目的であらゆ
る次元の相互変調ひずみを発生させることができる。基
本周波数を抑制するには（図示しないカリ増幅器を特別
に設計するか、あるいは増幅器の後方にこれと直列にま
たは増幅器と一体にフィルタ手段を設けることによって
行うことができる。好ましぐは、不平衡が奇数次相互変
調積にのみ影響し、偶数次相互変調積が平衡状態のまま
で大きさがほとんど変化しないように同方向及び反対方
向に両増幅器３２．３３のバイアス電流を調整する。
本発明のひずみ補正回路の一実施例を第３図に示した。
信号分割結合器１０からの２次パス信号１４を先ず可調
減衰器Ｒ１，Ｒ３によって減衰させることにより一定信
号レベルを確保する。信号が小さ過ぎると送信デバイス
のひずみを補正する充分な逆ひずみが得られず、逆に大
き過ぎると補正回路が過負荷状態となり、許容できない
大きいひずみを発生させる結果となる。
減衰された信号は１８０゜スプリッタ３０によって分割
され、第１及び第２増幅器３２．３３に容量結合される
。両増幅器のバイアスを調整することによって所要の３
次以上の相互変調積を得、再結合信号を振幅調整１７に
よって減衰させることによって例えば５（１ＭＨｚ程度
の所要量の低周波ひずみを得る。次に帯域の高周波端を
チエツクし、ひずみがこの高周波数における送信デバイ
スの固有ひずみと整合するまで周波数フィルタ１９を調
整する。これは帯域の低周波端における逆ひずみにほと
んど影響せず、帯域の低周波端を中心に振幅を周波数に
応じて傾斜させる。
帯域の高周波端において遅延２３を調整することにより
１次パス信号の位相を調整する。これも帯域の低周波端
ではほとんど影響しない。最後に、位相調整２１を利用
することで非直線性デバイス４１の位相ひずみを補正す
るため２次パスに発生させる逆ひずみの位相を一段と正
確に調整する。
必要に応じて調整シーケンスを繰返すことにより送信デ
バイスの固有ひずみとさらに正確に整合させることがで
きる。多くの場合、初期減衰器と逆ひずみ増幅器バイア
スの調整は不要であり、プリセット状態のままでよい。
調整は振幅、チルト及び位相の３つだけで充分である。
１次パスにおける基本的な遅延は所与の２次パスに対し
て一定でよい。
２次パス信号１３と１次パス信号１４を方向性結合器１
１によって再結合し、こうして逆ひずみを与えられた出
力信号２５を変調用としてレーザー４０などに供給する
。
当業者ならば本発明の思想及び範囲から逸脱することな
く種々の変更を試みることができるであろう。例えば、
レーザーまたは発光ダイオードを変調するＴＶ倍信号関
して以上に説明したが、その他の非直線性デバイス、例
えば増幅器なども本発明の方法でほぼ完全に相殺するこ
とのできる固有のひずみを有する。１次及び２次パス信
号の相対位相の微調整は図示実施例の場合２次パスにお
いて行われるが、粗調整が行われる１次パスにおいて行
うこともできる。ただし、１次パスにおけるこのような
遅延はこのパスに不適切なインピーダンスを持つ可能性
があるから、２次パスで行う方が好ましい。
図示の実施例ではひずみ発生器を含む２次信号パスが１
つであるが、必要に応じて、第３パスとしての２次”パ
スを別に設け、一方の２次パスで２次相殺信号を形成し
、他方の２次パスで３次相殺信号を形成し、これらのパ
スのそれぞれにおいて振幅及び位相の周波数依存性に対
する調整が行われるようにしてもよい。その場合には個
々の２次パスにおいて位相を微調整することが好ましい
。高次ひずみの形成に２つ以上の２次パスを利用する場
合、両パス間に相互作用はないから、振幅、チルト及び
位相の調整をどちらのパスから始めてもよい。
このように種々の変更が可能であるから、本発明は図示
の実施例に制限されない。
【図面の簡単な説明】
第１図はひずみ補正回路の好ましい実施例を示すブロッ
クダイヤグラム、第２図は本発明の好ましい実施例とし
てのひずみ補正回路に使用されるプッシュ・プッシュ増
幅器のブロックダイヤグラム、第３図はひずみ補正回路
を略示する説明図、第４図は変調信号波形に対する逆ひ
ずみの影響を示す説明図である。 １０・・・方向性結合器　　１２・・・入力ソース信号
１３・・・１次パス（信号） １４・・・２次パス（信号） １５・・・ひずみ発生器　　１７・・・振幅調整ブロッ
ク１９・・・周波数調整ブロック ２１・・・位相微調整ブロック ２３・・・外部遅延手段　　２５・・・合成出力信号３
０・・・１８０゜スプリッタ　　３２・・・第１増幅器
３３・・・第２増幅器　　３４・・・ゼロ度コンバイナ
ー３７・・・出力信号　　４０・・・ひずみ補正回路４
１・・・非直線性送信デバイス ＹＱ・・・入力ソース信号　　Ｙ　１．　Ｙ　２・・・
信号Ｒｔ　、Ｒ２・・・可調減衰器

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）非直線性デバイスの入力変調信号を一次パス及び
    ２次パスに分割する手段と、 非直線性デバイスにおけるひずみ振幅に相当する相対振
    幅を有する少なくとも２次の相互変調積を形成する手段
    と、 振幅に応じて２次パスにおける信号の振幅を調整するこ
    とにより２次パスに周波数依存逆ひずみを発生させるた
    め相互変調積形成手段と直列に接続したフィルタ手段と
    、 相互変調積と非直線性デバイスの相対位相を調整する手
    段と、 １次及び２次パスの信号を加算的に再結合して単一パス
    とすることにより、非直線性デバイスに供給するための
    基本信号及び周波数依存相互変調積逆ひずみから成る信
    号を形成する手段 から成ることを特徴とするひずみ補正回路。
  2. （２）１次及び２次パス間の相対位相差を補償するため
    １次パス中に遅延手段を設けたことを特徴とする請求項
    第（１）項に記載のひずみ補正回路。
  3. （３）２次パス及び非直線性デバイス間の相対位相差を
    補償するため２次パス中の他の素子と直列に接続した手
    段をも含むことを特徴とする請求項第（２）項に記載の
    ひずみ補正回路。
  4. （４）１次パスが入力信号電力の大部分を搬送すること
    を特徴とする請求項第（２）項に記載のひずみ補正回路
    。
  5. （５）相互変調積形成手段がプッシュ・プッシュ増幅器
    から成ることを特徴とする請求項第（１）項に記載のひ
    ずみ補正回路。
  6. （６）プッシュ・プッシュ増幅器が 入力信号を振幅が等しく符号が反対の信号として第１及
    び第２パスに分割する手段と、 搬送される信号の正の相互変調積を形成するため第１パ
    ス中に設けた第１増幅手段と、 搬送される信号の正の偶数次相互変調積及び負の奇数次
    相互変調積を形成するため第２パス中に設けた第２増幅
    手段と、 相互変調積形成後、第１及び第２パスの信号を加算的に
    再結合することによって奇数次相互変調積成分の少なく
    とも一部を消去する信号合成手段から成ることを特徴と
    する請求項第（５）項に記載のひずみ補正回路。
  7. （７）プッシュ・プッシュ増幅器が奇数次相互変調積が
    完全には消去されないように第１及び第２増幅手段を不
    平衡化することにより、偶数次及び奇数次相互変調積か
    ら成る逆ひずみ信号を形成するバイアス手段をも含むこ
    とを特徴とする請求項第（６）項に記載のひずみ補正回
    路。
  8. （８）バイアス手段が振幅がほぼ一定の偶数次相互変調
    積を維持するため第１増幅手段のバイアス電流に対する
    第１調節方向及び第２増幅手段のバイアス電流に対する
    第２調節方向を含むことを特徴とする請求項第（７）項
    に記載のひずみ補正回路。
  9. （９）変調信号の基本周波数を抑制するための手段を２
    次パスに含むことを特徴とする請求項第（１）項に記載
    のひずみ補正回路。
  10. （１０）前記抑制手段が第１及び第２増幅手段から成る
    ことを特徴とする請求項第（９）項に記載のひずみ補正
    回路。
  11. （１１）入力変調信号を１次及び２次パスに分割する第
    １方向性結合器と、 入力周波数の少なくとも２次の相互変調積を形成するた
    め２次パスと直列に設けたひずみ増幅器と、 １次及び２次パス間の相対位相差を縮小するため１次パ
    ス中に設けた遅延手段と、 １次及び２次パスの信号を再結合することにより、予想
    可能なひずみ特性を有する非直線性デバイスを変調する
    ための単一信号を形成する第２方向性結合器と、 ２次パスにおける相互変調積と非直線性デバイスのひず
    みとの間の相対位相差を補償するため一方のパス中に設
    けた遅延手段 から成ることを特徴とするひずみ補正回路。
  12. （１２）変調信号を逆方向にひずませて非直線形デバイ
    スの周波数依存ひずみと相殺させるように信号の相対振
    幅及び位相を周波数に応じて調節するため、２次パス中
    に設けたフィルタ手段をも含むことを特徴とする請求項
    第（１１）項に記載のひずみ補正回路。
  13. （１３）入力信号が複数の２次パスに分割され、各パス
    が入力変調信号の単数または複数の相互変調積を形成す
    る手段を含むことを特徴とする請求項第（１１）項に記
    載のひずみ補正回路。
  14. （１４）ひずみ増幅器がプッシュ・プッシュ増幅器であ
    ることを特徴とする請求項第（１１）項に記載のひずみ
    補正回路。
  15. （１５）プッシュ・プッシュ増幅器が奇数次相互変調積
    が完全には消去されないように増幅器を不平衡化するこ
    とにより、偶数及び奇数次の相互変調積から成る逆ひず
    み信号を形成するバイアス手段を含むことを特徴とする
    請求項第（１４）項に記載のひずみ補正回路。
  16. （１６）１次パスが入力信号電力の大部分を搬送するこ
    とを特徴とする請求項第（１４）項に記載のひずみ補正
    回路。
  17. （１７）基本周波数を抑制するため各増幅手段と直列に
    設けたフィルタ手段をも含むことを特徴とする請求項第
    （１１）項に記載のひずみ補正回路。
  18. （１８）入力信号の周波数相互変調積を形成する増幅器
    であって、 入力信号を振幅が等しく符号が反対の信号として第１及
    び第２パスに分割する手段と、 搬送される信号の正の相互変調積を形成するため第１パ
    スに設けた第１増幅手段と、 第２パスによって搬送される信号の正の偶数次相互変調
    積及び負の奇数次相互変調積を形成するため第２パスに
    設けた第２増幅手段と、 相互変調積形成後、第１及び第２パスの信号を加算的に
    再結合することにより、奇数次相互変調積成分の少なく
    とも一部を消去する信号合成手段と、 奇数次相互変調積が完全には消去されないように第１及
    び第２増幅手段を不平衡化することにより偶数及び奇数
    次の相互変調積から成る信号を形成するバイアス手段 から成ることを特徴とする増幅器。
  19. （１９）バイアス手段が第１、第２増幅手段のいずれか
    一方のバイアス電流を増大させる手段とこれに比例して
    他方の増幅手段のバイアス電流を低下させる手段とを含
    み、奇数次相互変調積が消去されるのを防ぐと共に偶数
    次相互変調積の振幅が著しく変化するのを防ぐことを特
    徴とする請求項第（１８）項に記載の増幅器。
  20. （２０）入力周波数の２次以上の相互変調積を形成する
    ひずみ増幅器であって、 ソース信号を振幅が等しく符号が互いに反対の信号とし
    て第１及び第２電路に分割する１８０゜スプリッタと、 形成される偶数及び奇数次の相互変調積の符号が互いに
    反対となるように振幅がほぼ等しい入力信号相互変調積
    を形成するため第１及び第２パスのそれぞれに設けた第
    １及び第２増幅手段と、相互変調積形成後、第１及び第
    ２パスの信号を加算的に再結合することにより、基本及
    び奇数次相互変調積成分を消去するゼロ度結合器と、奇
    数次の相互変調積が完全には消去されないように第１及
    び第２増幅手段を不平衡化することにより、偶数及び奇
    数次の相互変調積から成る信号を形成するバイアス手段 から成ることを特徴とするひずみ増幅器。
  21. （２１）バイアス手段が第１及び第２増幅手段のいずれ
    か一方のバイアス電流を増大させる第１手段及び他方の
    増幅手段のバイアス電流を低下させる第２手段を含み、
    形成される偶数次相互変調積の振幅がほとんど変化せず
    、第１及び第２増幅手段から発生する奇数次相互変調積
    の振幅が等しくないから消去されないように第１及び第
    ２バイアス電流手段を充分に整合させたことを特徴とす
    る請求項第（２０）項に記載の増幅器。
  22. （２２）変調信号の基本周波数を抑制するための手段を
    ２次パスに含むことを特徴とする請求項第（２１）項に
    記載のひずみ増幅器。
  23. （２３）非直線性変調デバイスからの振幅変調信号のひ
    ずみを軽減する方法であって、 入力変調信号を１次及び２次パスに分割し、２次パスに
    少なくとも２次の相互変調ひずみを発生させ、この相互
    変調ひずみを、非直線性変調デバイスの固有ひずみと振
    幅が等しく、符号が反対となるように調節し、 ２次パスにおける相互変調積の振幅及び位相を周波数に
    応じて調節して変調デバイスに固有のひずみの周波数依
    存性と整合させ、 １次パスにおける信号の位相を調節して２次パスにおけ
    る最終信号の位相と整合させ、 １次及び２次パス信号を再結合することによって非直線
    性変調デバイスのひずみを相殺するような周波数依存相
    互変調逆ひずみを有する出力信号を形成する ステップから成ることを特徴とする方法。
  24. （２４）相互変調ひずみの振幅を比較的低い周波数にお
    ける非直線性変調デバイスのひずみとほぼ等しくし、比
    較的低い周波数において発生する相互変調ひずみの振幅
    をほとんど変化させることなく比較的高い周波数におい
    て発生する相互変調ひずみの振幅が比較的高い周波数に
    おける非直線性変調デバイスのひずみの振幅とほぼ等し
    くなるようにチルトを調節することを特徴とする請求項
    第（２３）項に記載の方法。
  25. （２５）いずれか一方のパスにおける信号の遅延を、比
    較的高い周波数において比較的高い周波数における非直
    線性デバイスのひずみと１８０゜だけ位相ずれするよう
    に調節することを特徴とする請求項第（２４）項に記載
    の方法。
  26. （２６）２次パスにおいて変調信号の基本周波数を抑制
    するステップをも含むことを特徴とする請求項第（２３
    ）項に記載の方法。
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