JPH03174357A - 圧電材料 - Google Patents
圧電材料Info
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- JPH03174357A JPH03174357A JP1311807A JP31180789A JPH03174357A JP H03174357 A JPH03174357 A JP H03174357A JP 1311807 A JP1311807 A JP 1311807A JP 31180789 A JP31180789 A JP 31180789A JP H03174357 A JPH03174357 A JP H03174357A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、径方向電気機械結合係数、比誘電率、およ
び圧電定数が大きく、圧電歪を利用した圧電アクチュエ
ータ、圧電ブザー等の材料とじて好適な圧電材料に関す
るものである。
び圧電定数が大きく、圧電歪を利用した圧電アクチュエ
ータ、圧電ブザー等の材料とじて好適な圧電材料に関す
るものである。
(従来の技術)
圧電材料としては、従来ジルコン酸チタン酸鉛Pb(Z
r、TI)O□磁磁器組物物よく知られている。この化
合物は、圧電性が大きいこと、高温まで使用可能である
こと、更には第3戒分を置換あるいは添加することによ
り変性に冨んだ磁器が得られること等の利点を有する。
r、TI)O□磁磁器組物物よく知られている。この化
合物は、圧電性が大きいこと、高温まで使用可能である
こと、更には第3戒分を置換あるいは添加することによ
り変性に冨んだ磁器が得られること等の利点を有する。
特にZr、Tiの一部をMgとNbに置換したPb(M
g+/3Nbx/1)Ox PbTiOs PbZ
r0zの三成分系圧電磁器は、PbOの蒸発が少なく焼
成しやすいこと、主成分に各種の添加物を加えることに
より種々の圧電特性を持たせることが可能であることな
どから、圧電ブザー、周波数フィルタ、圧電着火素子な
どの材料として利用されてきた。また、Pb(NI+z
sTaxzs)03PbTiOz PbZrOsの三
成分系材料は、圧電性、安定性が高く、超音波振動子、
フィルター等の材料として好適である。
g+/3Nbx/1)Ox PbTiOs PbZ
r0zの三成分系圧電磁器は、PbOの蒸発が少なく焼
成しやすいこと、主成分に各種の添加物を加えることに
より種々の圧電特性を持たせることが可能であることな
どから、圧電ブザー、周波数フィルタ、圧電着火素子な
どの材料として利用されてきた。また、Pb(NI+z
sTaxzs)03PbTiOz PbZrOsの三
成分系材料は、圧電性、安定性が高く、超音波振動子、
フィルター等の材料として好適である。
近年、精密機械、光学機器等の分野で精密な変位素子の
必要性が高まり、これに圧電歪を利用した変位駆動用素
子を用いることが試みられている。
必要性が高まり、これに圧電歪を利用した変位駆動用素
子を用いることが試みられている。
このような分野に使用される圧電材料としては径方向電
気機械結合係数、比誘電率および圧電定数が大きいこと
が要求される。
気機械結合係数、比誘電率および圧電定数が大きいこと
が要求される。
従来知られている材料の中、例えば、特公昭42−97
16号公報に開示されているPb(Mg+zJbzzs
)OsPbTiOs PbZrOsは径方向電気機械
結合係数が50〜70%と大きな値をもつにもかかわら
ず、比誘電率は高々2500程度である。比誘電率を大
きくした材料として、特公昭46−28467号公報に
示されているPb(Ni+/zTat7s)03PbT
103 PbZrOsは、比誘電率は最高で約360
0に達するが、逆に径方向電気機械結合係数は40〜6
5%位であり、圧電定数は高々250 (X 10−
” m/V )程度テアル。
16号公報に開示されているPb(Mg+zJbzzs
)OsPbTiOs PbZrOsは径方向電気機械
結合係数が50〜70%と大きな値をもつにもかかわら
ず、比誘電率は高々2500程度である。比誘電率を大
きくした材料として、特公昭46−28467号公報に
示されているPb(Ni+/zTat7s)03PbT
103 PbZrOsは、比誘電率は最高で約360
0に達するが、逆に径方向電気機械結合係数は40〜6
5%位であり、圧電定数は高々250 (X 10−
” m/V )程度テアル。
(発明が解決しようとする課題)
Pb(Zr、Ti)Os圧電材料においては、Pbの一
部をLaで置換することによって比誘電率、径方向電気
機械結合係数を同時に向上させることができるとの報告
がある(Ferroelectrics+ 10(19
76) + 195)。
部をLaで置換することによって比誘電率、径方向電気
機械結合係数を同時に向上させることができるとの報告
がある(Ferroelectrics+ 10(19
76) + 195)。
しかしながら、近年の圧電材料の高性能化の要求に対し
て、前記のようなこれまでに知られている圧電材料は十
分な特性を有していない、即ち、従来の圧電材料は比誘
電率、径方向電気機械結合係数のいずれかが小さく、圧
電定数は十分大きいとは言えない、そのため、これらの
材料を圧電アクチュエータとして使用したとき変位量が
小さく、また駆動電圧が大きくなるという欠点がある。
て、前記のようなこれまでに知られている圧電材料は十
分な特性を有していない、即ち、従来の圧電材料は比誘
電率、径方向電気機械結合係数のいずれかが小さく、圧
電定数は十分大きいとは言えない、そのため、これらの
材料を圧電アクチュエータとして使用したとき変位量が
小さく、また駆動電圧が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、比誘電率、径方向電気機械結合係数お
よび圧電定数がともに大きく、大きな圧電歪を得ること
のできる圧電材料を提供することにある。
よび圧電定数がともに大きく、大きな圧電歪を得ること
のできる圧電材料を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者は、従来から良好な特性が認められているPb
(Mg+/5Nbtzs)Os PbTiO3−Pb
ZrOsとPb(Ni。
(Mg+/5Nbtzs)Os PbTiO3−Pb
ZrOsとPb(Ni。
7sTalz3)03− PbTiO3−PbZrOs
の複合材、すなわちPb(Mg+zJbtzs)Os
Pb(N++zsTamzz)Os PbTi0s
−PbZrOsの四成分系材料について詳しく調べたと
ころ、上記四成分の比率を適正に選ぶとともにPbの一
部をLa、 NdおよびP「のうちの少なくとも一つで
置換することによって、比誘電率、径方向電気機械結合
係数を同時に向上させ、圧電定数の高い材料が得られる
ことを確認した。
の複合材、すなわちPb(Mg+zJbtzs)Os
Pb(N++zsTamzz)Os PbTi0s
−PbZrOsの四成分系材料について詳しく調べたと
ころ、上記四成分の比率を適正に選ぶとともにPbの一
部をLa、 NdおよびP「のうちの少なくとも一つで
置換することによって、比誘電率、径方向電気機械結合
係数を同時に向上させ、圧電定数の高い材料が得られる
ことを確認した。
上記の知見に基づく本発明の要旨は、次の圧電材料にあ
る。
る。
aPb(Mg+/5Nbtzs)Os bPb(Ni
+zsTatzs)Ot−CPbT10s −d Pb
ZrOsで表され、上記のa、b、cおよびdが下記(
1)〜(4)の式を満足し、且つPbのl〜10原子%
がLa、 Nd、 Prの1種以上で置換されているこ
とを特徴とする圧電材料。
+zsTatzs)Ot−CPbT10s −d Pb
ZrOsで表され、上記のa、b、cおよびdが下記(
1)〜(4)の式を満足し、且つPbのl〜10原子%
がLa、 Nd、 Prの1種以上で置換されているこ
とを特徴とする圧電材料。
10≦a+b≦55 ・・・・■
30≦c≦50 ・・・・■
2.5≦d≦60 ・・・・■
0.01≦b / a≦2.0・・・・■ただし、a、
b%C%dはモル%で、a+b十c+d−1ooである
。
b%C%dはモル%で、a+b十c+d−1ooである
。
(作用)
本発明の圧電材料を構成する各成分の比率、即ち、前記
のモル%、a、b、cおよびdを■から■までの式を満
足するように選定したのは、この範囲外では径方向電気
機械結合係数、比誘電率のいずれかが小さくなり、圧電
定数が小さくなるからである。
のモル%、a、b、cおよびdを■から■までの式を満
足するように選定したのは、この範囲外では径方向電気
機械結合係数、比誘電率のいずれかが小さくなり、圧電
定数が小さくなるからである。
また、PbのLa、 NdおよびPrのうちの1種以上
による置換量を1〜10原子%に限定したのは、いずれ
の原子でもl原子%未滴の置換では比誘電率があまり向
上せず、圧電定数の向上が見られず、逆に10原子%を
超えて置換すると径方向電気機械結合係数が著しく低下
し、圧電定数が小さくなるからである。
による置換量を1〜10原子%に限定したのは、いずれ
の原子でもl原子%未滴の置換では比誘電率があまり向
上せず、圧電定数の向上が見られず、逆に10原子%を
超えて置換すると径方向電気機械結合係数が著しく低下
し、圧電定数が小さくなるからである。
本発明の圧電材料は、上記の&ll或を有するものであ
るが、その製造方法は従来のこの種の磁器組成物と同じ
である。即ち、各元素の酸化物、炭酸化物または水酸化
物等を前記の組成となるように配合し成形した後、焼結
することによって製造することができる。
るが、その製造方法は従来のこの種の磁器組成物と同じ
である。即ち、各元素の酸化物、炭酸化物または水酸化
物等を前記の組成となるように配合し成形した後、焼結
することによって製造することができる。
(実施例〉
四成分系組成物を
aPb(Mg+zJbtzs)03 bPb(Ni+
zzTa*zs)Os−c PbTiOs −d Pb
Zr0s(ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b
+c + d =100) とし、PbO,ZrO□TミOH,MgO,NbxOs
、NiOおよびTa2O,。
zzTa*zs)Os−c PbTiOs −d Pb
Zr0s(ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b
+c + d =100) とし、PbO,ZrO□TミOH,MgO,NbxOs
、NiOおよびTa2O,。
に、Lag□s+Ndtos+Pr*o++の1種以上
を加えて第1表に示す組成となるように秤量し、ボール
ミルを用いて十分に混合した。得られた混合物を900
〜1100’Cで約2時間仮焼し、この仮焼物を再びボ
ールミルで十分に粉砕して混合した後、有機バインダー
を混合して造粒した。この造粒粉を約1 h、 /C−
の圧力で直径20閣、厚さ2閣に成形し、これを120
0〜1300″Cの温度で約2時間仮焼した。
を加えて第1表に示す組成となるように秤量し、ボール
ミルを用いて十分に混合した。得られた混合物を900
〜1100’Cで約2時間仮焼し、この仮焼物を再びボ
ールミルで十分に粉砕して混合した後、有機バインダー
を混合して造粒した。この造粒粉を約1 h、 /C−
の圧力で直径20閣、厚さ2閣に成形し、これを120
0〜1300″Cの温度で約2時間仮焼した。
得られた円板状の焼結体両面にil電極を焼付け、40
〜100℃のシリコンオイル中で2〜3 kv/mの直
流電圧を印加して分極処理を行った。
〜100℃のシリコンオイル中で2〜3 kv/mの直
流電圧を印加して分極処理を行った。
このようにして得られた磁器の組成と圧電特性を調べた
結果を第1表に示す0表中の87゜/l・は比誘電率、
Krは径方向電気機械結合係数、aS+は横方向圧電定
数である。
結果を第1表に示す0表中の87゜/l・は比誘電率、
Krは径方向電気機械結合係数、aS+は横方向圧電定
数である。
第1表において、試料隘1〜26はPb原子の一部をL
aで置換し、その置換量を5.0原子%と一定にした上
で、aSb、c、dの値を変化させたものである。HI
考欄に比較例と記したものをみれば、a s b s
Cs dO値が前記のΦ〜■式を満足しない場合はd、
が小さくなることがわかる。
aで置換し、その置換量を5.0原子%と一定にした上
で、aSb、c、dの値を変化させたものである。HI
考欄に比較例と記したものをみれば、a s b s
Cs dO値が前記のΦ〜■式を満足しない場合はd、
が小さくなることがわかる。
試料N1127〜48は、a、b、c、dの値を本発明
で定めた範囲内の一定値にし、Pbの一部をLa、、N
dおよびPrの1種または2種以上で置換し、その置N
AWを変化させたものである。ただし、恥27はこれら
の元素で置換していない比較例である。1F換元素がt
aSNdおよびPrのいずれであっても置換量が1原子
%未満では比誘電率が低く、10原子%を超えて置換す
るとKr、 ’d□が極端に悪化することがわかる。
で定めた範囲内の一定値にし、Pbの一部をLa、、N
dおよびPrの1種または2種以上で置換し、その置N
AWを変化させたものである。ただし、恥27はこれら
の元素で置換していない比較例である。1F換元素がt
aSNdおよびPrのいずれであっても置換量が1原子
%未満では比誘電率が低く、10原子%を超えて置換す
るとKr、 ’d□が極端に悪化することがわかる。
以上の結果から、前記の■から■の式を全て満足し、P
bの一部をLa%NdおよびPrの少なくとも1種以上
で適正!置換すると、高い電気機械結合係数、誘電率を
示し、圧電定数の大きな材料が得られることがわかる。
bの一部をLa%NdおよびPrの少なくとも1種以上
で適正!置換すると、高い電気機械結合係数、誘電率を
示し、圧電定数の大きな材料が得られることがわかる。
(以下、余白)
(発明の効果)
本発明の圧電材料は、実施例にも示したとおり、径方向
電気機械結合係数、比誘電率、圧電定数のすべてにおい
て優れた特性を有し、先に述べた各種の用途向は材料と
して極めて有用なものである。
電気機械結合係数、比誘電率、圧電定数のすべてにおい
て優れた特性を有し、先に述べた各種の用途向は材料と
して極めて有用なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 aPb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O_3b
Pb(Ni_1_/_3Ta_2_/_3)O_3−c
PbTiO_3−dPbZrO_3で表され、上記のa
、b、cおよびdが下記(1)〜(4)の式を満足し、
且つPbの1〜10原子%がLa、Nd、Prの1種以
上で置換されていることを特徴とする圧電材料。 10≦a+b≦55・・・・(1) 30≦c≦50・・・・(2) 2.5≦d≦60・・・・(3) 0.01≦b/a≦2.0・・・・(4) ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b+c+d=
100である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1311807A JPH03174357A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 圧電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1311807A JPH03174357A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 圧電材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03174357A true JPH03174357A (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=18021665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1311807A Pending JPH03174357A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 圧電材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03174357A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001083397A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Rockwell Technologies, Llc | High temperature, high strain piezoelectric plzt ceramics doped with tantalum and niobium |
JP2010537937A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | セラミック材料、セラミック材料を製造する方法、および、セラミック材料を含むエレクトロセラミック構成要素 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311807A patent/JPH03174357A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001083397A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Rockwell Technologies, Llc | High temperature, high strain piezoelectric plzt ceramics doped with tantalum and niobium |
JP2010537937A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | セラミック材料、セラミック材料を製造する方法、および、セラミック材料を含むエレクトロセラミック構成要素 |
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