JPH0350156A - 圧電材料 - Google Patents

圧電材料

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JPH0350156A
JPH0350156A JP2022971A JP2297190A JPH0350156A JP H0350156 A JPH0350156 A JP H0350156A JP 2022971 A JP2022971 A JP 2022971A JP 2297190 A JP2297190 A JP 2297190A JP H0350156 A JPH0350156 A JP H0350156A
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JP
Japan
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piezoelectric
compsn
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atomic
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JP2022971A
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English (en)
Inventor
Noboru Isaki
暢 伊崎
Yutaka Ariake
有明 裕
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、径方向電気機械結合係数、比誘電率、およ
び圧電定数が大きく、圧電歪を利用した圧電アクチュエ
ータ、圧電ブザー等の材料として好適な圧電材料に関す
るものである。
(従来の技術) 圧電材料としては、従来ジルコン酸チタン酸鉛、Pb(
Zr、Ti)Os Ta器組成物がよく知られている。
この化合物は、圧電性が大きいこと、高温まで使用可能
であること、更には第3成分をHAあるいは添加するこ
とにより変性に富んだ磁器が得られること等の利点を有
する。特にZr、Tiの一部を?1gとNbに置換した
PbTiOs  PbZr0=  Pb(MgtzJb
tzs)Osの三成分系圧電磁器は、Pboの蒸発が少
なく焼成しやすいこと、主成分に各種の添加物を加える
ことにより種々の圧電特性を持たせることが可能である
ことなどから、圧電ブザー、周波数フィルター、圧電着
火素子などの材料として利用されてきた。また、Pb(
Nl+z*5bzzs)Ox  PbTios−PbT
iOsの三成分系材料は、圧電性、安定性が高く、超音
波振動子、フィルター等の材料として好適である。
近年、精密81械、光学機器等の分野で精密な変位素子
の必要性が高まり、これに圧電歪を利用した変位駆動用
素子を用いることが試みられている。
このような分野に使用される圧電材料としては径方向電
気機械結合係数、比誘電率および圧電定数が大きいこと
が要求される。
従来から知られている材料の中、例えば、特公昭42−
9716号公報に開示されているPb(Mg+/3Nb
*/i)0コーPbTl0i−PbZrOsは径方向電
気機械結合係数が50〜70%と大きな値をもつにもか
かわらず、比誘電率は高々2500程度である。この材
料の比誘電率を向上させたものと−して、Pbの一部を
Sr、 Ba、 Caで置換した材料が特公昭44−1
7103号公報に提案されているが、この種の材料の圧
電定数は300〜315 (X10−”++/V) N
度テアル。
また、特公昭45−35510号公報に開示されている
Pb(Ni+7sSbgzs)Os  PbTiOs 
 PbZr(isは、比誘電率が最高で約3600に達
するが、逆に径方向電気機械結合係数は40〜65%位
であり、圧電定数は高々250 (X 10− ’ ”
m/V )程度である。
(発明が解決しようとする課題) 近年の圧電材料の高性能化の要求に対して、前記のよう
な、これまでに知られている圧電材料は十分な特性を有
していない、即ち、比誘電率、電気機械結合係数のいず
れかが小さ(、圧電定数も十分大きいとは言えない、そ
のため、これらの材料を圧電アクチュエータとして使用
したとき変位置が小さく、また駆動電圧が大きくなると
いう欠点がある。
本発明の目的は、比誘電率、径方向電気機械結合係数お
よび圧電定数がともに大きく、大きな圧電歪を得ること
のできる圧電材料を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明者は、従来から良好な特性が認められているPb
(Mg+zsNb*zs)Os−PbTtO3−PbZ
rO2と、Pb(Ni+zsSbxzi)Os  Pb
TlOs  PbZrOsの複合材、即ち、Pb(Mg
tzJbtzs)Ox−Pb(Nt+7iSbtzs)
Os  PbTtO,−PbZrOsの四成分系に着目
し、その径方向電気機械結合係数、比誘電率および圧電
定数を高めることを目的として、詳しく検討した結果、
上記四成分の比率を適正に選ぶことによって前記の目的
が達成できることが確認された。さらに、四成分の比率
を適正に選び、その上に下記の手段と講じることによっ
て、特性は一層改善されることも確認された。
(a)上記組成中のPbの一部をS「、Bas Ca、
 La5PrおよびNdの1種以上で置き換える。
(b)あるいは上記四成分系の組成物にZn、 Snお
よびBiの1種以上を添加する。
(C)または上記(a)の置換後の組成物にZn、 S
nおよびBiの1種以上を添加する。
ここに本発明の要旨は、次の圧電材料にある。
(1)  a Pb(Mg+zsNbi/5)Ox  
b Pb(Ni+7sSbz/5)Ox−CPbTiO
3−d PbZr0aで表され、上記のa、b、cおよ
びdが下記1〜4の式を満足する圧電材料。
10<a+b≦55・・・・・■ 0.5≦b≦10   ・・・・・■ 30≦c≦50   ・・・・・■ 2.5≦d≦60   ・・・・・■ ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b+c+d=
100である。
(2)  a Pb(Mg+zzNbtzs)Oz  
b Pb(Ni +zzSbxzs)Os−c PbT
iO3−d PbZrO3で表され、上記のa、bSc
およびdが前記1〜4の式を満足し、且つPbの1〜1
0原子%がSr、 Ba、 Ca、 La、 Prおよ
びNdの1種以上で置換されている圧電材料。
(31a Pb(Mg1/3Nb2/s)Os  b 
Pb(Ni+7sSbz/5c PbTiOs  d 
PbZrOsで表され、上記のa、b、cおよびdが前
記1〜4の式を満足する磁器組成物にそれぞれ0.1〜
5原子%のZn、 SnおよびBiの1種以上を添加し
た圧電材料。
(4)  a Pb(Mg+zsNbtzt)Os  
b Pb(Ni+7sSbz/5c PbTi0i −
d PbZrOsで表され、上記のa、b、cおよびd
が前記1〜4の式を満足し、且つPbのl〜10原子%
がSr、 Ba5Ca、 La、 PrおよびNdの1
種以上で置換されている磁器組成物に、それぞれ0.1
〜5原子%のZn、 SnおよびBiの1種以上を添加
した圧電材料。
まず、本発明の基本組成の圧電材料(上記(1)の圧電
材料)について説明する。
この圧電材料を構成する4成分系の基本比率、即ち、前
記のモル%、a、b、c、およびdを■から■までの式
を満足するように選定したのは、この範囲外では径方向
電気機械結合係数、比誘電率のいずれかが低下し、圧電
定数が小さくなるか、結晶構造が変化して全く圧電性を
示さなくなるからである。
後の実施例に示すように、上記の基本組成の材料でも、
従来のものに比べて優れた特性を有するが、その特性は
次のSr、 Ba、 Ca、 La、 Pr、 Ndに
よるPbの置換または/およびZn、 Sn、 Biの
添加によって一層改善される。
Sr、 Ba、 Ca、 La5PrおよびNdの群か
ら選んだ1種以上の元素による置換量をPb環原子1〜
lO原子%とするのは、いずれの元素でも1原子%未満
では基本組成の材料に比べて比誘電率または電気機械結
合係数があまり向上せず、圧電定数の向上が見られない
からであり、逆に、Pb環原子置換量が10原子%を超
えると径方向電気機械結合係数は著しく低下し、基本組
成の材料よりも圧電定数が小さくなるからである。
Zn、 SnおよびBiのうちの1種以上の添加量を0
.1〜5原子%とするのは、いずれの元素でもその添加
量が0.1原子%未満では比誘電率、径方向電気機械結
合係数があまり向上せず、基本組成の材料に比べて圧電
定数の向上が見られず、5原子%を超えると比誘電率、
径方向電気機械結合係数の(、ずれか若しくは両方が著
しく低下し、基本組成の材料よりも圧電定数が小さくな
るからである。
上記のように4成分系の基本比率を適正に選ぶことだけ
でも、従来の圧電材料よりはるかに優れたものが得られ
る。さらに4成分系の基本組成のうちのPb環原子適正
量のSr、 Ba、 Ca5La、 PrおよびNdの
1種以上で置換するか、またはZn、 SnおよびBi
のうちの1種以上の適正量を添加すれば、その特性はよ
り改善され、この置換と添加を同時に行えば特性はより
一層改善される。
本発明の圧電材料は、上記の組成を有するものであるが
、その製造方法は、従来のこの種の磁器組成物と同様で
ある。即ち、各元素の酸化物、炭酸化物または水酸化物
等を前記の組成となるように配合し成形した後、焼結す
ることによって製造することができる。
以下、実施例ならびに比較例として具体的な組成を掲げ
、それらの特性を示す。
(実施例1) 四成分系の基本組成物を a Pb(Mg1/3Nb2/s)Os  b Pb(
Ni+7sSbzzi)Osc PbTiOs  d 
PbZrOs(但し、a + b + c + d =
100)とし、PbO+ Zr0z+ rio、、 M
go、 Nb、oS、 Nio、 sb、o、の各原料
を第1表に示す組成と成るように秤量し、ボールミルを
用いて十分に混合した。得られた混合粉を900〜11
00’Cで約2時間仮焼し、この仮焼物を再びボールミ
ルで十分に粉砕混合した後、有機バインダーを混合して
造粒した。この造粒粉を約1トン/C−の圧力で直径2
0m、厚さ2閤に成形し、これを1200〜1300°
Cの温度で約2時間焼成した。
得られた円板状の焼結体両面にII電橿を焼付け、40
〜100”Cのシリコンオイル中で2〜3kvノlll
11の直流電圧を印加して分極処理を行った。
第1表は、上記によって得られた組成とその電気特性を
示すものである。なお第1表および後述する第2表〜第
4表中のε”ss/ε。は比誘電率、Krは径方向電気
機械結合係数、d3+は横方向圧電定数である。
第1表に示すように、a、b、c、dの値が前記の1〜
4の式を満足しない場合はTolが小さくなるか、試料
阻25のように全く圧電性を示さな(なる、1〜4の条
件を全て満足する場合に、高い電気機械結合係数、比誘
電率を示し、圧電定数の大きな材料が得られている。
(実施例2) 実施例1で使用した原料と、SrCO3,BaCO3,
CaCO3゜LazOs+Pr1O+++Nd*Osと
を使用して、第2表に示す組成と成るように配合し、実
施例1と全く同様にして試料を作り、圧電特性を調べた
第2表より、a、b、c、dの値が前記の1〜4の式を
満足し、置換元素が上記6元素のいずれであっても1〜
10原子%であれば、4成分系の比率を調整しただけの
場合より、圧電特性が向上している。しかし、10原子
%超えるPbの置換は逆に径方向電気機械結合係数を低
下させ、圧電定数が小さくなっている。l原子%未満で
は置換の効果が現れず、その特性は基本組成の材料とほ
ぼ同等である。
(実施例3) 実施例1で使用した原料と、ZnO,SiOx、Bit
Osとを使用して、同じ製法で第3表に示す組成の試料
を作り、圧電特性を調べた。
ここでも第2表と同じ傾向が見られる。即ち、第3表に
示すようにSn、 ZnおよびBIのうちのいずれの元
素であっても添加量が0.1〜5原子%であれば、電気
機械結合係数、比誘電率が向上し、圧電定数は高いが、
5原子%を超えて添加すると径方向電気機械結合係数が
低下し、圧電定数が小さい、0.1原子%未溝の場合も
前記と同様であり、圧電特性は基本組成の材料のそれと
比べて差が認められない。
(実施例4) 実施例2および3の原料を使用して、同じ製法で第4表
に示す組成の試料を作り、圧電特性を調べた。
第4表に示すように、Sr、 Ba、 Ca、 La%
PrおよびNdの1種以上によるPbの置換とZn、 
SnおよびBiの1種以上の添加を併用することによっ
て、いずれか一方だけの場合よりも圧電特性がさらに向
上していることがわかる。
この場合もPbの適正置換量は1〜10原子%であり、
Zn、 SnおよびB1の適正添加量は0.1〜5原子
%である。
(以下、 余白) のa b。
dでモル%。
(以下、余白) (発明の効果) 本発明の圧電材料は、実施例にも示したとおり、径方向
電気機械結合係数、比誘電率、圧電定数のすべてにおい
て優れた特性を有し、先に述べた各種の用途向は材料と
して極めて有用なものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)aPb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O
    _3−bPb(Ni_1_/_3Sb_2_/_3)O
    _3−cPbTiO_3−dPbZrO_3で表され、
    上記のa、b、cおよびdが下記1〜4の式を満足する
    圧電材料。 10<a+b≦55・・・・・1 0.5≦b≦10・・・・・2 30≦c≦50・・・・・3 2.5≦d≦60・・・・・4 ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b+c+d=
    100である。 (2)aPb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O
    _3−bPb(Ni_1_/_3Sb_2_/_3)O
    _3−cPbTiO_3−dPbZrO_3で表され、
    上記のa、b、cおよびdが下記1〜4の式を満足し、
    且つPbの1〜10原子%がSr、Ba、Ca、La、
    PrおよびNdの1種以上で置換されている圧電材料。 10<a+b≦55・・・・・1 0.5≦b≦10・・・・・2 30≦c≦50・・・・・3 2.5≦d≦60・・・・・4 ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b+c+d=
    100である。 (3)aPb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O
    _3−bPb(Ni_1_/_3Sb_2_/_3)O
    _3−cPbTiO_3−dPbZrO_3で表され、
    上記のa、b、cおよびdが下記1〜4の式を満足する
    磁器組成物にそれぞれ0.1〜5原子%のZn、Snお
    よびBiの1種以上を添加した圧電材料。 10<a+b≦55・・・・・1 0.5≦b≦10・・・・・2 30≦c≦50・・・・・3 2.5≦d≦60・・・・・4 ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b+c+d=
    100である。 (4)aPb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O
    _3−bPb(Ni_1_/_3Sb_2_/_3)O
    _3−cPbTiO_3−dPbZrO_3で表され、
    上記のa、b、cおよびdが下記1〜4の式を満足し、
    且つPbの1〜10原子%がSr、Ba、Ca、La、
    PrおよびNdの1種以上で置換されている磁器組成物
    に、それぞれ0.1〜5原子%のZn、SnおよびBi
    の1種以上を添加した圧電材料。 10<a+b≦55・・・・・1 0.5≦b≦10・・・・・2 30≦c≦50・・・・・3 2.5≦d≦60・・・・・4 ただし、a、b、c、dはモル%で、a+b+c+d=
    100である。
JP2022971A 1989-02-01 1990-01-31 圧電材料 Pending JPH0350156A (ja)

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JP1-23345 1989-02-01
JP2334589 1989-02-01
JP1-23347 1989-02-01
JP1-23346 1989-02-01
JP1-23348 1989-02-01
JP1-85533 1989-04-04

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6284355B1 (en) 1998-05-20 2001-09-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Film, laminated film and laminated structure
CN106083039A (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 天津大学 La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法

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US6284355B1 (en) 1998-05-20 2001-09-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Film, laminated film and laminated structure
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