JPH03170862A - ゲルパーミッションクロマトグラフィーのカラム充填物、その製造方法並びにその用途 - Google Patents
ゲルパーミッションクロマトグラフィーのカラム充填物、その製造方法並びにその用途Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、ポリマーゲルで満たされた多孔質粒子、その
製造方法並びにそれをクロマトグラフィー用担体物質と
して用いることに関する。
製造方法並びにそれをクロマトグラフィー用担体物質と
して用いることに関する。
硬い多孔質の母体(Matrix)中に非常に有利な軟
質のポリマーゲルをクロマトグラフィーの目的で入れる
ことによって、このような物質が非常に良好なクロマト
グラフィー効率の他に圧力に極めて安定で、膨潤せず且
つ乾燥状態でも非常に良好に貯蔵できる。
質のポリマーゲルをクロマトグラフィーの目的で入れる
ことによって、このような物質が非常に良好なクロマト
グラフィー効率の他に圧力に極めて安定で、膨潤せず且
つ乾燥状態でも非常に良好に貯蔵できる。
[従来の技術及び発明が解決しようとする問題点1
ゲルパーミッシゴンク口マトグラフィー(G.PC.)
においては、直径が限定され且つ正確に制御できる沢山
の孔を持つ材料のカラム充填物を必要としている。この
前提条件は、無機系の多孔質担体材料、例えばマクロ多
孔質シリカゲル、多孔質ガラスによってまたはマクロ多
孔質ポリマー、例えばスチレン/ジビニルベンゼンーコ
ポリマーによって満足されている。上記の両方の種類は
大きな孔(60〜3000人の直径)を有し、従って高
分子量の物質を分離することを可能としている。低分子
量の物質を分離する為には小さな孔の担体材料が使用さ
れる。これは上記の担体材料では達或できない。この目
的の為には、均一に架橋したポリマーゲルを担体材料と
して用いることができる。この場合、か覧る物質の分離
はポリマー鎖が網目構造またはネット構造を構威しそし
て大きな物質がそれに侵入するのを防止する粒子中で異
なって拡散させることによって行われる。この材料の根
本的欠点は機械的安定性が弱いことである。この粒子は
正に軟らかぐ且つ高圧で変形し得るし、それによってク
ロマトグラフィーカラムが高圧のもとで塞がってしまう
。この欠点の為に、それ自体非常に選択的に均一に架橋
した柔らかなゲルは未だ市販されていない。
においては、直径が限定され且つ正確に制御できる沢山
の孔を持つ材料のカラム充填物を必要としている。この
前提条件は、無機系の多孔質担体材料、例えばマクロ多
孔質シリカゲル、多孔質ガラスによってまたはマクロ多
孔質ポリマー、例えばスチレン/ジビニルベンゼンーコ
ポリマーによって満足されている。上記の両方の種類は
大きな孔(60〜3000人の直径)を有し、従って高
分子量の物質を分離することを可能としている。低分子
量の物質を分離する為には小さな孔の担体材料が使用さ
れる。これは上記の担体材料では達或できない。この目
的の為には、均一に架橋したポリマーゲルを担体材料と
して用いることができる。この場合、か覧る物質の分離
はポリマー鎖が網目構造またはネット構造を構威しそし
て大きな物質がそれに侵入するのを防止する粒子中で異
なって拡散させることによって行われる。この材料の根
本的欠点は機械的安定性が弱いことである。この粒子は
正に軟らかぐ且つ高圧で変形し得るし、それによってク
ロマトグラフィーカラムが高圧のもとで塞がってしまう
。この欠点の為に、それ自体非常に選択的に均一に架橋
した柔らかなゲルは未だ市販されていない。
近頃、正確な製造法が文献から判らない特別の担体材料
がか覧る分子量範囲で用いられている。しかしこの担体
材料は無機系或分を含んでいない。このものはその分離
能力に関して非常に良好であり、圧力安定性も平均的で
あるが、取扱性および貯蔵性に難がありそして価格はH
PLCおよびG.P.C.の分野では最も高価な材料に
属する。このものはPL−Gel, Styragel
, TSK−GelおよびShodex−GPC−Sa
eulenの名称で市販されている。
がか覧る分子量範囲で用いられている。しかしこの担体
材料は無機系或分を含んでいない。このものはその分離
能力に関して非常に良好であり、圧力安定性も平均的で
あるが、取扱性および貯蔵性に難がありそして価格はH
PLCおよびG.P.C.の分野では最も高価な材料に
属する。このものはPL−Gel, Styragel
, TSK−GelおよびShodex−GPC−Sa
eulenの名称で市販されている。
小さな孔を持つ硬い粒子を製造する試みが一般に知られ
ているが、これを市販するまでに到っていない。この場
合には、孔を小さくする為にシリカゲルの孔にポリマー
層が被覆されている[8,Monrabal 、Chr
omatogr.Sci. 13−、79(1981)
1。この場合にはこの層の中への拡散は必要ないかまた
は意図しておらず、それ故に高架橋度の非多孔質ポリマ
ー層が大抵使用されている。
ているが、これを市販するまでに到っていない。この場
合には、孔を小さくする為にシリカゲルの孔にポリマー
層が被覆されている[8,Monrabal 、Chr
omatogr.Sci. 13−、79(1981)
1。この場合にはこの層の中への拡散は必要ないかまた
は意図しておらず、それ故に高架橋度の非多孔質ポリマ
ー層が大抵使用されている。
同様に文献から、GPCで用いる為の多孔質固体物質の
孔表面をポリマーで被覆して不活性化する試みも公知で
ある(例えば、B.Sebille、J.Piquio
n SB.Boussonira, Eur.Pat.
A I. ヨーロッパ特許(^2)第0.225,
829号明細書、1987年6月16日;^. Iva
nov等、Mol.Genet.Mikrobiol
.Virusol. (11) 、39(1987)、
ケミカルアブストラクト108 , 34286 19
8: Y.Komfya , H.Sasaki,K.
Fukano 、特開昭55−5.941号公報、19
80年1月17日]。シリカーゲルの表面で化学的に結
合したポリマー層を有する、イオン交換の為に、逆相ク
ロマトグラフィーの為に、ラセミ化合物の分離の為に用
いるべきカラム充填物を製造する別の沢山の研究も公知
である[例えば、ll.Okμmura , I.κa
to..M.lliraoka ..K.Tortum
i; Ger,Offen. 、ドイツ特許第2.73
0,771号明細書、1978年1月12日; I.S
hinichi, F.Kazuyuki,米国特許第
4.140.653号明細書、1979年2月20日;
H.Figge %^.Deege , J.Koe
hler % G.Schomburg; J.Chr
omato r. 351、393 (1986);
G.WuIff , D.Oberkobusch ,
M.Minarik , Reactive−b土巳
彰13. 261(1985);ダイセル化学工業株
式会社、特開昭57−147, 434号公報、198
2年9月ll日; Y.Kosaka等、特開昭51−
74,694号公報、1976年6月28日;^.ν.
I1ina等、S0 687081 ,1979年9月
25日1 . これら全ての研究において、クロマトグラフィーカラム
での分離は、GPCの原理と違う原理によって行われて
いる。更に、全ての場合に、粒子の自由のままの空間中
への拡散を良好に可能とすることDONOようにするか
を明確に説明する為に、孔表面に薄いポリマー層を多か
れ少なかれ用いている。
孔表面をポリマーで被覆して不活性化する試みも公知で
ある(例えば、B.Sebille、J.Piquio
n SB.Boussonira, Eur.Pat.
A I. ヨーロッパ特許(^2)第0.225,
829号明細書、1987年6月16日;^. Iva
nov等、Mol.Genet.Mikrobiol
.Virusol. (11) 、39(1987)、
ケミカルアブストラクト108 , 34286 19
8: Y.Komfya , H.Sasaki,K.
Fukano 、特開昭55−5.941号公報、19
80年1月17日]。シリカーゲルの表面で化学的に結
合したポリマー層を有する、イオン交換の為に、逆相ク
ロマトグラフィーの為に、ラセミ化合物の分離の為に用
いるべきカラム充填物を製造する別の沢山の研究も公知
である[例えば、ll.Okμmura , I.κa
to..M.lliraoka ..K.Tortum
i; Ger,Offen. 、ドイツ特許第2.73
0,771号明細書、1978年1月12日; I.S
hinichi, F.Kazuyuki,米国特許第
4.140.653号明細書、1979年2月20日;
H.Figge %^.Deege , J.Koe
hler % G.Schomburg; J.Chr
omato r. 351、393 (1986);
G.WuIff , D.Oberkobusch ,
M.Minarik , Reactive−b土巳
彰13. 261(1985);ダイセル化学工業株
式会社、特開昭57−147, 434号公報、198
2年9月ll日; Y.Kosaka等、特開昭51−
74,694号公報、1976年6月28日;^.ν.
I1ina等、S0 687081 ,1979年9月
25日1 . これら全ての研究において、クロマトグラフィーカラム
での分離は、GPCの原理と違う原理によって行われて
いる。更に、全ての場合に、粒子の自由のままの空間中
への拡散を良好に可能とすることDONOようにするか
を明確に説明する為に、孔表面に薄いポリマー層を多か
れ少なかれ用いている。
[問題点を解決するための手段コ
本発明者は、均一なポリマーゲルを完全に満たした多孔
質材料が優れたクロマトグラフィー担体材料であること
を見出した。この場合、孔のポリマーゲル中のポリマー
架橋構造は固体物質の孔の表面の所デ沢山のビニル基含
有の共有結合した付着基によって並びにポリマー鎖の数
及び長さによって決まる。この粒子の製法も同様に本発
明の対象である。
質材料が優れたクロマトグラフィー担体材料であること
を見出した。この場合、孔のポリマーゲル中のポリマー
架橋構造は固体物質の孔の表面の所デ沢山のビニル基含
有の共有結合した付着基によって並びにポリマー鎖の数
及び長さによって決まる。この粒子の製法も同様に本発
明の対象である。
本発明の製法の場合には、重合可能な二重結合を持つ分
子または、重合、重縮合または重付加に適する別の反応
性官能基を持つ分子を0.01〜6μtao II.
/m”の濃度で多孔質固体物質の表面に化学的に結合さ
せる。
子または、重合、重縮合または重付加に適する別の反応
性官能基を持つ分子を0.01〜6μtao II.
/m”の濃度で多孔質固体物質の表面に化学的に結合さ
せる。
多孔質固体物質としては0.1〜3m/!/g(殊に0
.6 〜1.2n+f/g)の内部容積及び6〜500
nm(殊に10〜50 nm)の孔径を有する材料が
適する。
.6 〜1.2n+f/g)の内部容積及び6〜500
nm(殊に10〜50 nm)の孔径を有する材料が
適する。
平均粒度は1〜50μm(殊に3〜10μm〉でありそ
して好ましくは50%より小さい基準偏差を有している
べきである。
して好ましくは50%より小さい基準偏差を有している
べきである。
多孔質材料としては、例えばシリカゲル、酸化アルミニ
ウム、セライト、ゼオライト、多孔質ガラスが適するが
、ビニル−またはビニリデン化合物、メタクリレート、
アクリレート等の七ノマーと適当な架橋剤、例えばジビ
ニルベンゼン、グリコールジメタクリレート、メチレン
ビスアクリルアミド等を基礎とするマクロ多孔質ポリマ
ーも適している。しかしながら原則として、十分な不活
性度及び機械的安定性を有するあらゆる多孔質物質を使
用することができる。
ウム、セライト、ゼオライト、多孔質ガラスが適するが
、ビニル−またはビニリデン化合物、メタクリレート、
アクリレート等の七ノマーと適当な架橋剤、例えばジビ
ニルベンゼン、グリコールジメタクリレート、メチレン
ビスアクリルアミド等を基礎とするマクロ多孔質ポリマ
ーも適している。しかしながら原則として、十分な不活
性度及び機械的安定性を有するあらゆる多孔質物質を使
用することができる。
重合性基の結合は文献から公知の方法で行うことができ
る。殊にシリカゲルの上に例えば3一( トリメトキシ
シリル)プロビルメタクリレートまたは4−(ジメチル
クロロシリル)一スチレンにてハロゲン化−またはアル
コキシーシランを結合させるかまたはポリヒドロキシー
エチレンメタクリレートにメタアクリル無水物を結合ざ
せるのが有利である。
る。殊にシリカゲルの上に例えば3一( トリメトキシ
シリル)プロビルメタクリレートまたは4−(ジメチル
クロロシリル)一スチレンにてハロゲン化−またはアル
コキシーシランを結合させるかまたはポリヒドロキシー
エチレンメタクリレートにメタアクリル無水物を結合ざ
せるのが有利である。
本発明に従う用途目的にとって、孔の表面の重合性基の
濃度を適当に調整することが、後で詳細に説明するが重
要なことである。この濃度を調節する為には、反応の際
に多かれ少なかれ多量に使用するかまたは試薬を重合性
の基を持たない類似の構造の試薬にて希釈する。何れの
場合にも、シリカーゲル、ガラス、ゼオライトまたはセ
ライトの場合には未反応のシラノール基を後で自体公知
の方法でマスクしなければならない。これは例えばヘキ
サメチルジシラザン類または類似の試薬にて行うことが
できる。他の固体物質の場合にも、後の用途目的を妨害
する、表面の基を不活性化しなければならない。
濃度を適当に調整することが、後で詳細に説明するが重
要なことである。この濃度を調節する為には、反応の際
に多かれ少なかれ多量に使用するかまたは試薬を重合性
の基を持たない類似の構造の試薬にて希釈する。何れの
場合にも、シリカーゲル、ガラス、ゼオライトまたはセ
ライトの場合には未反応のシラノール基を後で自体公知
の方法でマスクしなければならない。これは例えばヘキ
サメチルジシラザン類または類似の試薬にて行うことが
できる。他の固体物質の場合にも、後の用途目的を妨害
する、表面の基を不活性化しなければならない。
この様に変性された多孔質固体物質に、易揮発性溶剤に
溶解した重合用モノマーまたはモノマー混合物を固体物
質1g当たり0.1〜10gの量で添加する。固体物質
の空隙体積の5〜100Xほと多い容量のモノマーを使
用するのが有利である。次いで易揮発性溶剤を0.1〜
300mbarの減圧状態でO〜100″Cの温度で除
く。僅かのモノマー量を適用する為には、更にモノマー
を難揮発性不活性溶剤、例えばトルエン、キシレン等で
希釈する。モノマーとしてはラジカル重合に適するモノ
マー(オレフィン類、スチレン誘導体、アクリル誘導体
、メタクリレート誘導体等)が適する。この場合には、
モノマー混合物に適当な開始剤(文献から公知の過酸化
物またはアゾ化合物)を添加する。次に1〜1oo時間
、30〜120 ’Cに加熱する。重合開始の為には、
文献から公知の他の方法も利用できる(アニオンー、カ
チオンー、配位重合)。しかしながらモノマーに、ポリ
マーを合或する為に重縮合または重付加反応が可能であ
るような性質を与えることもできる。
溶解した重合用モノマーまたはモノマー混合物を固体物
質1g当たり0.1〜10gの量で添加する。固体物質
の空隙体積の5〜100Xほと多い容量のモノマーを使
用するのが有利である。次いで易揮発性溶剤を0.1〜
300mbarの減圧状態でO〜100″Cの温度で除
く。僅かのモノマー量を適用する為には、更にモノマー
を難揮発性不活性溶剤、例えばトルエン、キシレン等で
希釈する。モノマーとしてはラジカル重合に適するモノ
マー(オレフィン類、スチレン誘導体、アクリル誘導体
、メタクリレート誘導体等)が適する。この場合には、
モノマー混合物に適当な開始剤(文献から公知の過酸化
物またはアゾ化合物)を添加する。次に1〜1oo時間
、30〜120 ’Cに加熱する。重合開始の為には、
文献から公知の他の方法も利用できる(アニオンー、カ
チオンー、配位重合)。しかしながらモノマーに、ポリ
マーを合或する為に重縮合または重付加反応が可能であ
るような性質を与えることもできる。
重合の後で、化学的に結合していないポリマーは適当な
溶剤(即ち、これらポリマーを良好に溶解する溶剤)に
て徹底的に洗浄し、次いでポリマーで満たされた多孔質
物質を乾燥する。
溶剤(即ち、これらポリマーを良好に溶解する溶剤)に
て徹底的に洗浄し、次いでポリマーで満たされた多孔質
物質を乾燥する。
このように製造された物質は、ゲルバーごツションクロ
マトグラフィーの為のクロマトグラフィーカラムにとっ
て優れた充填物質である。
マトグラフィーの為のクロマトグラフィーカラムにとっ
て優れた充填物質である。
このGPC一材料の本発明に従う特異性の一つは、分離
すべき物質の除外限界を決定するポリマーのネットワー
ク構造が通例の二官能性架橋剤を添加することによって
制御できないことである。
すべき物質の除外限界を決定するポリマーのネットワー
ク構造が通例の二官能性架橋剤を添加することによって
制御できないことである。
ここでは、表面で付着基を介して新しい種類の架橋が問
題と戒っている。第1図から判る通り、製造する際の孔
の表面の付着基の数によってGPCの為の除外限界を調
整できる。これは、一般に架橋剤の添加によっても制御
できるが、その場合にはクロマトグラフィーでの物質移
動が非常に不利である。更に除外限界は孔空間当たりの
ポリマー鎖の数あるいはその重合度によって僅かな程度
制御できる。少ないポリマー鎖数は重合時間を短縮する
ことによって(第2図)または多孔質物質に適用する際
に及び続く重合の際にモノマー混合物を難揮発性不活性
溶剤で希釈することによって(第3図)得られる。
題と戒っている。第1図から判る通り、製造する際の孔
の表面の付着基の数によってGPCの為の除外限界を調
整できる。これは、一般に架橋剤の添加によっても制御
できるが、その場合にはクロマトグラフィーでの物質移
動が非常に不利である。更に除外限界は孔空間当たりの
ポリマー鎖の数あるいはその重合度によって僅かな程度
制御できる。少ないポリマー鎖数は重合時間を短縮する
ことによって(第2図)または多孔質物質に適用する際
に及び続く重合の際にモノマー混合物を難揮発性不活性
溶剤で希釈することによって(第3図)得られる。
鎖の重合度は開始剤の割合、重合の際の連鎖移動剤の添
加または重合温度によって調整できる。
加または重合温度によって調整できる。
これらによっても除外限界が影響を受ける。鎖の重合度
が小さい場合には物質移動に有利であり、材料をカラム
により良好に充填できる。
が小さい場合には物質移動に有利であり、材料をカラム
により良好に充填できる。
こうして製造される材料の別の本発明に従う長所は、自
体軟らかいポリマーゲル相が固体物質の硬い多孔質構造
によて保護されるので、機械的耐久性があることである
。それ故にこのものは、HPLCにおいて一般的に用い
られるあらゆる圧力の場合にも使用することができる。
体軟らかいポリマーゲル相が固体物質の硬い多孔質構造
によて保護されるので、機械的耐久性があることである
。それ故にこのものは、HPLCにおいて一般的に用い
られるあらゆる圧力の場合にも使用することができる。
第5a図が示す通り、高い流速及び高い圧力の場合の分
離効率は非常に良好であり、、III+1/分の場合に
最高を示し、それによって2.4分で分離が終了する。
離効率は非常に良好であり、、III+1/分の場合に
最高を示し、それによって2.4分で分離が終了する。
しかしながら3mll分、388 barの場合にも
未だ良好であり、0.8分後に終了する.粒子は簡単に
且つ良好な品質でカラムに充填でき、カラム内容物は実
質的に膨潤性でない。溶剤はカラムクラマトグラフィー
の間に直接的に交換しそしてこのカラムは品質を損する
ことなく乾燥状態でも保存できる。充填物の入ったカラ
ムはそれどころか長時間開放状態で80℃に加熱するこ
とさえでき、次いで再び利用することができる。分離効
率は変化しない。急激な圧力増加はカラム充填物を悪化
させない。
未だ良好であり、0.8分後に終了する.粒子は簡単に
且つ良好な品質でカラムに充填でき、カラム内容物は実
質的に膨潤性でない。溶剤はカラムクラマトグラフィー
の間に直接的に交換しそしてこのカラムは品質を損する
ことなく乾燥状態でも保存できる。充填物の入ったカラ
ムはそれどころか長時間開放状態で80℃に加熱するこ
とさえでき、次いで再び利用することができる。分離効
率は変化しない。急激な圧力増加はカラム充填物を悪化
させない。
多孔質材料として特に有利なのは、内部容積、孔分布、
粒子形状及び粒度分布に関して良好に制御して工業的に
製造されるマクロ多孔質シリカゲルである。
粒子形状及び粒度分布に関して良好に制御して工業的に
製造されるマクロ多孔質シリカゲルである。
シリカゲルによって補強されたポリマーゲル充填物の製
造は本発明の方法に従って二段階で行う。
造は本発明の方法に従って二段階で行う。
第一段階は公知の方法に一致する今日の技術水準で、た
だし新しい実験条件のもとで行う。
だし新しい実験条件のもとで行う。
この段階で、シリカゲルの表面に所望の濃度で重合性基
を結合させる。この目的の為に乾燥したシリカゲルに、
重合性基を持つ化合物を直接的にまたは溶剤に溶解して
接触させそして化学的反応によってシリカゲルの表面に
結合させる。
を結合させる。この目的の為に乾燥したシリカゲルに、
重合性基を持つ化合物を直接的にまたは溶剤に溶解して
接触させそして化学的反応によってシリカゲルの表面に
結合させる。
変性させるのに適する試薬としては、例えば3( トリ
メトキシシリル〉−ブロビルメタクリレ−}、4−(ジ
メチルクロロシリル)一スチレンまたは4−(トリクロ
ロシリル)一スチレンを用いることができる。4−クジ
メチルクロロシリル)スチレンが特に適している。この
基の濃度は色々な量のトリメチルクロロシランを添加す
ることによって変えることができる。変性したシリカゲ
ルを十分に洗浄した後に、シリカゲル表面の未だ近づき
易い残りのシラノール基を自体公知の方法で適当な試薬
でマスクする。シラノール基をマスクする為の試薬とし
ては例えばトリメチルクロロシラン、1.1.L3,3
.3−ヘキサメチレンジシラザン(}IMDs)または
エトキシトリメチルシランが適している。特にHMDS
が有利である。
メトキシシリル〉−ブロビルメタクリレ−}、4−(ジ
メチルクロロシリル)一スチレンまたは4−(トリクロ
ロシリル)一スチレンを用いることができる。4−クジ
メチルクロロシリル)スチレンが特に適している。この
基の濃度は色々な量のトリメチルクロロシランを添加す
ることによって変えることができる。変性したシリカゲ
ルを十分に洗浄した後に、シリカゲル表面の未だ近づき
易い残りのシラノール基を自体公知の方法で適当な試薬
でマスクする。シラノール基をマスクする為の試薬とし
ては例えばトリメチルクロロシラン、1.1.L3,3
.3−ヘキサメチレンジシラザン(}IMDs)または
エトキシトリメチルシランが適している。特にHMDS
が有利である。
本発明の方法の第二段階では、本発明に従って変性され
たシリカゲルに適当なモノマーを、最初に元のシリカゲ
ルを基準として0.1〜1000重量χの濃度で重合す
る為に添加する。モノマーは既に適当な開始剤を、モノ
マーを基準として0.01〜10重量χの濃度で含有し
ている。モノマーをシリカゲル表面に均一に分布させた
後に重合を行う。実際には、開始剤としてAIBNを用
いて55〜70℃の温度で重合を行う。重合に続いて化
学的に結合していない溶離可能なポリマーを適当な溶剤
で洗浄除去する。この目的にはメチレンクロライド、ト
ルエンまたはテトラヒドロフランが特に適している。
たシリカゲルに適当なモノマーを、最初に元のシリカゲ
ルを基準として0.1〜1000重量χの濃度で重合す
る為に添加する。モノマーは既に適当な開始剤を、モノ
マーを基準として0.01〜10重量χの濃度で含有し
ている。モノマーをシリカゲル表面に均一に分布させた
後に重合を行う。実際には、開始剤としてAIBNを用
いて55〜70℃の温度で重合を行う。重合に続いて化
学的に結合していない溶離可能なポリマーを適当な溶剤
で洗浄除去する。この目的にはメチレンクロライド、ト
ルエンまたはテトラヒドロフランが特に適している。
実際に用いる為の以下の例で本発明の方法を更に詳細に
説明する。しかしこれらは本発明を制限するものではな
い。
説明する。しかしこれらは本発明を制限するものではな
い。
夫旌皿ユ
用いるシリカゲル−Amicon社(西ドイツ、Wit
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 nm、粒度0.QL問)一の活性化を、5%硝
酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄しそして
真空乾燥室で120’Cで乾燥する。
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 nm、粒度0.QL問)一の活性化を、5%硝
酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄しそして
真空乾燥室で120’Cで乾燥する。
こうして前処理した2.5gのシリカゲルを25tan
の蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、0.021m (1の
蒸留ビリジンおよび0.023nF!の4−(ジメチル
クロロシリル)一スチレンを添加した後に室温で2時間
にわたって振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライ
ドで洗浄した後に変性シリカゲルを真空乾燥室で40’
Cで乾燥する。こうして変性したシリカゲルの炭素含有
量は0.9χであり、即ちアンカー基の濃度はアンカー
基で表面を最大限に覆った場合を基準として0.9χで
ある。
の蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、0.021m (1の
蒸留ビリジンおよび0.023nF!の4−(ジメチル
クロロシリル)一スチレンを添加した後に室温で2時間
にわたって振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライ
ドで洗浄した後に変性シリカゲルを真空乾燥室で40’
Cで乾燥する。こうして変性したシリカゲルの炭素含有
量は0.9χであり、即ちアンカー基の濃度はアンカー
基で表面を最大限に覆った場合を基準として0.9χで
ある。
変性したシリカゲルを25mfの蒸留四塩化炭素に懸濁
させた懸濁液に、2.5nlの1.1,1,3.3.3
−ヘキサメチレンジシラザン(HMDS)を添加しそし
て室温で2時間にわたって振盪する。濾去しそしてメチ
レンクロライドで洗浄した後に、真空乾燥室で40″C
で乾燥する。こうして変性しそしてマスクしたシリカゲ
ルの炭素含有量は4.08χである。
させた懸濁液に、2.5nlの1.1,1,3.3.3
−ヘキサメチレンジシラザン(HMDS)を添加しそし
て室温で2時間にわたって振盪する。濾去しそしてメチ
レンクロライドで洗浄した後に、真空乾燥室で40″C
で乾燥する。こうして変性しそしてマスクしたシリカゲ
ルの炭素含有量は4.08χである。
2.2gの変性されマスクされたシリカゲルを25mp
V.の蒸留メチレンクロライドに懸濁させた懸濁液に3
.977 gのスチレンおよび0.209 gのアゾビ
スーイソブチロニトリル(AIBN)を添加する。この
懸濁液を振盪しそしてメチレンクロライドを水流ポンプ
減圧下に回転式蒸発器で除き並びに反応用フラスコを窒
素で数回パージし、次いで約120 mbarの減圧状
態とした後に、重合を70℃で三日間にわたって行う。
V.の蒸留メチレンクロライドに懸濁させた懸濁液に3
.977 gのスチレンおよび0.209 gのアゾビ
スーイソブチロニトリル(AIBN)を添加する。この
懸濁液を振盪しそしてメチレンクロライドを水流ポンプ
減圧下に回転式蒸発器で除き並びに反応用フラスコを窒
素で数回パージし、次いで約120 mbarの減圧状
態とした後に、重合を70℃で三日間にわたって行う。
重合に続いて、シリカゲルーポリマーを50情lのメチ
レンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振盪する
。濾去しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室で40
℃で乾燥する。シリカゲルーポリマーの炭素含有量は2
4.5!であり、即ち、元のシリカゲルを基準として計
算すると全部で37.8″tの有機化合物、即ちポリマ
ーが付加した。
レンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振盪する
。濾去しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室で40
℃で乾燥する。シリカゲルーポリマーの炭素含有量は2
4.5!であり、即ち、元のシリカゲルを基準として計
算すると全部で37.8″tの有機化合物、即ちポリマ
ーが付加した。
尖施員』
用いるシリカゲルーAmicon社(西ドイツ、Wtt
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 nm、粒度0.01 mn+)一の活性化を、
5χ硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 nm、粒度0.01 mn+)一の活性化を、
5χ硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
こうして前処理した7.5gのシリカゲルを75mlの
蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、1.95mffiの蒸留
ピリジンおよび、0.261m lの4−(ジメチルシ
リル)一スチレンと1.910mfのクロロトリメチル
シランとより或る混合物を添加しそして室温で20時間
にわたって時々振盪しながら放置する。濾過し且つ蒸留
メチレンクロライドで洗浄した後に変性シリカゲルを真
空乾燥室で40℃で乾燥する。こうして変性したシリカ
ゲルの炭素含有量は4.77χである。7.0gの変性
したシリカゲルを70mfの蒸留メチレンクロライドに
懸濁させた懸濁液に、16.703gのスチレンおよび
0.879 gのアゾビスーイソブチロニトリル(AI
RN)を添加する。この懸濁物を振盪しそしてメチレン
クロライドを水流ポンプ減圧下に回転式蒸発器で除き並
びに反応用フラスコを窒素で数回パージし、次いで約1
20 mbarの減圧状態とした後に、重合を70℃で
三日間にわたって行う。
蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、1.95mffiの蒸留
ピリジンおよび、0.261m lの4−(ジメチルシ
リル)一スチレンと1.910mfのクロロトリメチル
シランとより或る混合物を添加しそして室温で20時間
にわたって時々振盪しながら放置する。濾過し且つ蒸留
メチレンクロライドで洗浄した後に変性シリカゲルを真
空乾燥室で40℃で乾燥する。こうして変性したシリカ
ゲルの炭素含有量は4.77χである。7.0gの変性
したシリカゲルを70mfの蒸留メチレンクロライドに
懸濁させた懸濁液に、16.703gのスチレンおよび
0.879 gのアゾビスーイソブチロニトリル(AI
RN)を添加する。この懸濁物を振盪しそしてメチレン
クロライドを水流ポンプ減圧下に回転式蒸発器で除き並
びに反応用フラスコを窒素で数回パージし、次いで約1
20 mbarの減圧状態とした後に、重合を70℃で
三日間にわたって行う。
?合に続いて、シリカゲルーポリマーを二回、100m
Aのメチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって
振盪する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥
室で40℃で乾燥する。
Aのメチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって
振盪する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥
室で40℃で乾燥する。
シリカゲルーポリマーの炭素含有量は31.9χである
。元のシリカゲルを基準として計算すると全部で55.
6χの有機化合物、即ちポリマーが付加した。
。元のシリカゲルを基準として計算すると全部で55.
6χの有機化合物、即ちポリマーが付加した。
実施班」
用いるシリカゲル■Amicon社(西ドイツ、Wit
ten)のMatrex Silica St(平均孔
径25 nm,粒度0.01 mm)一の活性化を、5
χ硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄しそ
して真空乾燥室で120℃で乾燥する。
ten)のMatrex Silica St(平均孔
径25 nm,粒度0.01 mm)一の活性化を、5
χ硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄しそ
して真空乾燥室で120℃で乾燥する。
こうして前処理した5gのシリカゲルを50 mlの蒸
留四塩化炭素中に懸濁させ、0.273mAの3−(ト
リメトキシシリル〉−ブロボルメタクリレートを添加し
た後に沸点まで還流しながら8時間にわたって加熱する
。濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄した後に変
性シリカゲルを真空乾燥室で40℃で乾燥する。こうし
て変性したシリカゲルの炭素含有量は5.31%である
。変性したシリカゲルを50m!!.の蒸留四塩化炭素
に懸濁させた懸濁液に、5mAの1.1,L3,3.3
−ヘキサメチレンシラザン(HMDS)を添加し、室温
で2時間にわたって振盪する。濾過しメチレンクロライ
ドで洗浄した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。こう
して変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素含有量は
5.64%である。
留四塩化炭素中に懸濁させ、0.273mAの3−(ト
リメトキシシリル〉−ブロボルメタクリレートを添加し
た後に沸点まで還流しながら8時間にわたって加熱する
。濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄した後に変
性シリカゲルを真空乾燥室で40℃で乾燥する。こうし
て変性したシリカゲルの炭素含有量は5.31%である
。変性したシリカゲルを50m!!.の蒸留四塩化炭素
に懸濁させた懸濁液に、5mAの1.1,L3,3.3
−ヘキサメチレンシラザン(HMDS)を添加し、室温
で2時間にわたって振盪する。濾過しメチレンクロライ
ドで洗浄した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。こう
して変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素含有量は
5.64%である。
4gの変性しマスクしたシリカゲルを50mj!の蒸留
メチレンクロライドに懸濁した懸濁液に?.268 g
の2−ヒドロキシエチルメタクリレートおよび0.08
4 gのアゾビスーイソブチロニトリル(AIBN)を
添加する。この懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下
に回転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応
容器を窒素で数回パージし、次いで約120 mbar
の減圧状態とした後に、重合を70’Cで三日間にわた
って行う。この重合に続いて、シリカゲルーポリマーを
Loomlのメタノールに懸濁させ、6時間にわたって
振盪する。この物質を濾過しそして徹底的に洗浄した後
に真空乾燥室で40℃で乾燥する。このシリカゲルーポ
リマーの炭素含有量は27.67χである。元のシリカ
ゲルを基準として計算すると全部で99.2χの有機化
合物、即ちポリマーが付加した。
メチレンクロライドに懸濁した懸濁液に?.268 g
の2−ヒドロキシエチルメタクリレートおよび0.08
4 gのアゾビスーイソブチロニトリル(AIBN)を
添加する。この懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下
に回転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応
容器を窒素で数回パージし、次いで約120 mbar
の減圧状態とした後に、重合を70’Cで三日間にわた
って行う。この重合に続いて、シリカゲルーポリマーを
Loomlのメタノールに懸濁させ、6時間にわたって
振盪する。この物質を濾過しそして徹底的に洗浄した後
に真空乾燥室で40℃で乾燥する。このシリカゲルーポ
リマーの炭素含有量は27.67χである。元のシリカ
ゲルを基準として計算すると全部で99.2χの有機化
合物、即ちポリマーが付加した。
夫胤炎』
用いるシリカゲル■Macherey & Nagel
社(西ドイツ、Dueren)のNucleosil
300−5(平均孔径30 nm、粒度0.005vn
)■の活性化を、52硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中
和するまで洗浄しそして真空乾燥室で120″Cで乾燥
する。
社(西ドイツ、Dueren)のNucleosil
300−5(平均孔径30 nm、粒度0.005vn
)■の活性化を、52硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中
和するまで洗浄しそして真空乾燥室で120″Cで乾燥
する。
こうして前処理した5.ogのシリカゲルを50’ml
の蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、0.7mj!の蒸留ビ
リジンおよび、0.070 fの4−(ジメチルシリル
)一スチレンと0. 466m lのクロロトリメチル
シランとより或る混合物を添加しそして室温で20時間
にわたって時々振盪しながら放置する。
の蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、0.7mj!の蒸留ビ
リジンおよび、0.070 fの4−(ジメチルシリル
)一スチレンと0. 466m lのクロロトリメチル
シランとより或る混合物を添加しそして室温で20時間
にわたって時々振盪しながら放置する。
濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄した後に変性
シリカゲルを真空乾燥室で40℃で乾燥する。こうして
変性したシリカゲルの炭素含有量は1 . 592であ
る。5.0gの変性したシリカゲルを5On/!の蒸留
メチレンクロライドに懸濁させた懸濁液に、9.09
gのスチレンおよび0.478gのアゾビスーイソブチ
ロニトリル(AIBN)を添加する。この懸濁液を振盪
しそしてメチレンクロライドを水流ポンプ減圧下に回転
式蒸発器で除き並びに反応用フラスコを窒素で数回パー
ジし、次いで約120 mbarの減圧状態とした後に
、重合を70℃で三日間にわたって行う。
シリカゲルを真空乾燥室で40℃で乾燥する。こうして
変性したシリカゲルの炭素含有量は1 . 592であ
る。5.0gの変性したシリカゲルを5On/!の蒸留
メチレンクロライドに懸濁させた懸濁液に、9.09
gのスチレンおよび0.478gのアゾビスーイソブチ
ロニトリル(AIBN)を添加する。この懸濁液を振盪
しそしてメチレンクロライドを水流ポンプ減圧下に回転
式蒸発器で除き並びに反応用フラスコを窒素で数回パー
ジし、次いで約120 mbarの減圧状態とした後に
、重合を70℃で三日間にわたって行う。
重合に続いて、シリカゲルーポリマーを二回、?00m
7!のメチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわた
って振盪する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空
乾燥室で40゛Cで乾燥する。
7!のメチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわた
って振盪する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空
乾燥室で40゛Cで乾燥する。
シリカゲルーポリマーの炭素含有量は16.81χであ
る。元のシリカゲルを基準として計算すると全部で22
.3Xの有機化合物、即ちポリマーが付加した。
る。元のシリカゲルを基準として計算すると全部で22
.3Xの有機化合物、即ちポリマーが付加した。
夫施田』
用いるシリカゲル■Amicon社(西ドイツ、Wit
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 ns、粒度(1.01 mm)一の活性化を、
5z硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 ns、粒度(1.01 mm)一の活性化を、
5z硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
こうして前処理した5gのシリカゲルを50 mlの蒸
留四塩化炭素中に懸濁させ、1.95a+fの蒸留ピリ
ジンおよび2.13+/!の4−(ジメチルクロロシリ
ル)一スチレンを添加した後に室温で2時間にわたって
振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄し
た後に、変性シリカゲルを真空乾燥室で40℃で乾燥す
る,こうして変性したシリカゲルの炭.素含有量は9.
79χである。
留四塩化炭素中に懸濁させ、1.95a+fの蒸留ピリ
ジンおよび2.13+/!の4−(ジメチルクロロシリ
ル)一スチレンを添加した後に室温で2時間にわたって
振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄し
た後に、変性シリカゲルを真空乾燥室で40℃で乾燥す
る,こうして変性したシリカゲルの炭.素含有量は9.
79χである。
変性したシリカゲルを50mj2の蒸留四塩化炭素に懸
濁させた懸濁液に、5.Onf!の1,1,1,3,3
.3−へキサメチレンシラザン(I{MDS)を添加し
、室温で2時間にわたって振盪する。濾過しメチレンク
ロライドで洗浄した後に真空乾燥室で40’Cで乾燥す
る。こうして変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素
含有量は10.0χである。5gの変性しマスクしたシ
リカゲを50mlの蒸留メチレンクロライドに懸濁した
懸濁液に5.966 gのスチレンおよび0.314
gのアゾビスーイソブチロニトリル(AIBN)を添加
する。この懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下に回
転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応容器
を窒素で数回パージし、次いで約120 mbarの減
圧状態とした後に、重合を70℃で三日間にわたって行
う。
濁させた懸濁液に、5.Onf!の1,1,1,3,3
.3−へキサメチレンシラザン(I{MDS)を添加し
、室温で2時間にわたって振盪する。濾過しメチレンク
ロライドで洗浄した後に真空乾燥室で40’Cで乾燥す
る。こうして変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素
含有量は10.0χである。5gの変性しマスクしたシ
リカゲを50mlの蒸留メチレンクロライドに懸濁した
懸濁液に5.966 gのスチレンおよび0.314
gのアゾビスーイソブチロニトリル(AIBN)を添加
する。この懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下に回
転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応容器
を窒素で数回パージし、次いで約120 mbarの減
圧状態とした後に、重合を70℃で三日間にわたって行
う。
この重合に続いて、シリカゲルーポリマーを15mlの
メチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振盪
する。シリカゲルーポリマー?濾過しそして徹底的に洗
浄した後に真空乾燥室で40’Cで乾燥する。このシリ
カゲルーポリマーの炭素含有量は46.71!である。
メチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振盪
する。シリカゲルーポリマー?濾過しそして徹底的に洗
浄した後に真空乾燥室で40’Cで乾燥する。このシリ
カゲルーポリマーの炭素含有量は46.71!である。
即ち、元のシリカゲルを基準として計算すると全部で1
02.6Xの有機化合物、即ちポリマーが付加した。
02.6Xの有機化合物、即ちポリマーが付加した。
尖施監』
用いるシリカゲル■Merck社(西ドイツ、Darn
s tad t)のLiChrosorb Si(平均
孔径10 nm、粒度0.01 mm)一の活性化を、
5z硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
s tad t)のLiChrosorb Si(平均
孔径10 nm、粒度0.01 mm)一の活性化を、
5z硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
こうして前処理した5.0gのシリカゲルを50ml.
の蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、1.94 n+J!の
蒸留ビリジンおよび2.279m lの4−(ジメチル
クロロシリル)一スチレンを添加した後に室温で2時間
にわたって振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライ
ドで洗浄した後に、変性シリカゲルを真空乾燥室で40
℃で乾燥する。こうして変性したシリカゲルの炭素含有
量は9.47χである。
の蒸留四塩化炭素中に懸濁させ、1.94 n+J!の
蒸留ビリジンおよび2.279m lの4−(ジメチル
クロロシリル)一スチレンを添加した後に室温で2時間
にわたって振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライ
ドで洗浄した後に、変性シリカゲルを真空乾燥室で40
℃で乾燥する。こうして変性したシリカゲルの炭素含有
量は9.47χである。
変性したシリカゲルを50mfの蒸留四塩化炭素に懸濁
させた懸濁液に、5.0mj2の1.1,1.3,3.
3−ヘキサメチレンシラザン(}IMDS)を添加し、
室温で2時間にわたって振盪する。濾過しメチレンクロ
ライドで洗浄した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。
させた懸濁液に、5.0mj2の1.1,1.3,3.
3−ヘキサメチレンシラザン(}IMDS)を添加し、
室温で2時間にわたって振盪する。濾過しメチレンクロ
ライドで洗浄した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。
こうして変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素含有
量は9。85%である。5gの変性しマスクしたシリカ
ゲルを50+yj!の蒸留メチレンクロライドに懸濁し
た懸濁液に11.931gのスチレンおよび0.62
gのアゾビスーイソブチロニトリル(AIBN)を添加
する。この懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下に回
転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応容器
を窒素で数回パージし、次いで約120 mbarの減
圧状態とした後に、重合を70″Cで三日間にわたって
行う。
量は9。85%である。5gの変性しマスクしたシリカ
ゲルを50+yj!の蒸留メチレンクロライドに懸濁し
た懸濁液に11.931gのスチレンおよび0.62
gのアゾビスーイソブチロニトリル(AIBN)を添加
する。この懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下に回
転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応容器
を窒素で数回パージし、次いで約120 mbarの減
圧状態とした後に、重合を70″Cで三日間にわたって
行う。
この重合に続いて、シリカゲルーポリマーを75mfの
メチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振盪
する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室で
40゛Cで乾燥する。このシリカゲルーポリマーの炭素
含有量は46.58χである。即ち、元のシリカゲルを
基準として計算すると全部で102%の有機化合物、即
ちポリマーが付加した。
メチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振盪
する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室で
40゛Cで乾燥する。このシリカゲルーポリマーの炭素
含有量は46.58χである。即ち、元のシリカゲルを
基準として計算すると全部で102%の有機化合物、即
ちポリマーが付加した。
尖為拠コ
用いるシリカゲル−Amicon社(西ドイツ、Wit
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 r+m,粒度0.01 mm)一の活性化を、
5χ硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
ten)のMatrex Silica Si(平均孔
径25 r+m,粒度0.01 mm)一の活性化を、
5χ硝酸で2時間煮沸し、蒸留水で中和するまで洗浄し
そして真空乾燥室で120℃で乾燥する。
こうして前処理した5gのシリカゲルを25 miの蒸
留四塩化炭素中に懸濁させ、1.95mffiの蒸留ピ
リジンおよび2. 164m lの4−(ジメチルク口
ロシリル)一スチレンを添加した後に室温で2時間にわ
たって振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで
洗浄した後に、変性シリカゲルを真空乾燥室で40℃で
乾燥する。こうして変性したシリカゲルの炭素含有量は
9.79%である。
留四塩化炭素中に懸濁させ、1.95mffiの蒸留ピ
リジンおよび2. 164m lの4−(ジメチルク口
ロシリル)一スチレンを添加した後に室温で2時間にわ
たって振盪する。濾過し且つ蒸留メチレンクロライドで
洗浄した後に、変性シリカゲルを真空乾燥室で40℃で
乾燥する。こうして変性したシリカゲルの炭素含有量は
9.79%である。
変性したシリカゲルを50mNの蒸留四塩化炭素に懸濁
させた懸濁液に、5nlの1.1,1.3.3.3−ヘ
キサメチレンシラザン(HMDS)を添加し、室温で2
時間にわたって振盪する。濾過しメチレンクロライドで
洗浄した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。こうして
変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素含有量は10
.0$である。4gの変性しマスクしたシリカゲルを4
0s+fの蒸留メチレンクロライドに懸濁した懸濁液に
3.18 gのスチレン、9.104gのトルエンおよ
び0. 167gのアゾビスーイソブチロニトリル(A
IBN)を添加する。この懸濁液を振盪しそして水流ポ
ンプ減圧下に回転式蒸発器でメチレンクロライドを除き
並びに反応容器を窒素で数回パージし、次いで約120
mbarの減圧状態とした後に、重合を70℃で三日
間にわたって行う. この重合に続いて、シリカゲルーポリマーを50o+f
のメチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振
盪する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室
で40℃で乾燥する。このシリカゲルーポリマーの炭素
含有量は31.3 mである。即ち、元のシリカゲルを
基準として計算すると全部で51.52の有機化合物、
即ちポリマーが付加した。
させた懸濁液に、5nlの1.1,1.3.3.3−ヘ
キサメチレンシラザン(HMDS)を添加し、室温で2
時間にわたって振盪する。濾過しメチレンクロライドで
洗浄した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。こうして
変性しそしてマスクしたシリカゲルの炭素含有量は10
.0$である。4gの変性しマスクしたシリカゲルを4
0s+fの蒸留メチレンクロライドに懸濁した懸濁液に
3.18 gのスチレン、9.104gのトルエンおよ
び0. 167gのアゾビスーイソブチロニトリル(A
IBN)を添加する。この懸濁液を振盪しそして水流ポ
ンプ減圧下に回転式蒸発器でメチレンクロライドを除き
並びに反応容器を窒素で数回パージし、次いで約120
mbarの減圧状態とした後に、重合を70℃で三日
間にわたって行う. この重合に続いて、シリカゲルーポリマーを50o+f
のメチレンクロライドに懸濁させ、6時間にわたって振
盪する。濾過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室
で40℃で乾燥する。このシリカゲルーポリマーの炭素
含有量は31.3 mである。即ち、元のシリカゲルを
基準として計算すると全部で51.52の有機化合物、
即ちポリマーが付加した。
裏施斑1
Polymer Standards社(西ドイツ、M
ainz)のHEMA 1000(ヒドロキシエチルー
メタクリレート、平均孔径100 nm)を真空乾燥室
で40℃で乾燥する。
ainz)のHEMA 1000(ヒドロキシエチルー
メタクリレート、平均孔径100 nm)を真空乾燥室
で40℃で乾燥する。
乾燥した5gの}IEMA 1000を100nlの蒸
留メチレンクロライドに懸濁させ、0.1talの蒸留
ビリジンおよび0.05 mlのメタクリル酸クロライ
ドを添加した後に室温で2時間にわたって振盪する。濾
過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄した後に、真空
乾燥室で40℃で乾燥する。
留メチレンクロライドに懸濁させ、0.1talの蒸留
ビリジンおよび0.05 mlのメタクリル酸クロライ
ドを添加した後に室温で2時間にわたって振盪する。濾
過し且つ蒸留メチレンクロライドで洗浄した後に、真空
乾燥室で40℃で乾燥する。
50mj!の蒸留メチレンクロライドと5gの変性HE
MAとより或る懸濁液に、5.0mj!の2−ヒドロキ
シエチルメタクリレートおよび0.263 gのAIB
Nを添加する。懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下
に回転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応
容器を窒素で数回パージし、?いで約120 mbar
の減圧状態とした後に、重合を70℃で三日間にわたっ
て行う。
MAとより或る懸濁液に、5.0mj!の2−ヒドロキ
シエチルメタクリレートおよび0.263 gのAIB
Nを添加する。懸濁液を振盪しそして水流ポンプ減圧下
に回転式蒸発器でメチレンクロライドを除き並びに反応
容器を窒素で数回パージし、?いで約120 mbar
の減圧状態とした後に、重合を70℃で三日間にわたっ
て行う。
この重合に続いて、変性したHEMAを100m lの
メタノールに懸濁させ、6時間にわたって振盪する。濾
過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室で40℃で
乾燥する。
メタノールに懸濁させ、6時間にわたって振盪する。濾
過しそして徹底的に洗浄した後に真空乾燥室で40℃で
乾燥する。
裏腹斑』
シリカゲル■Asicon社(西ドイツ、Wttten
)のMatrex Silica St(平均孔径25
nm,粒度0 . 005s+m)■の活性化、変性
および重合を実施例2と同様に行う。
)のMatrex Silica St(平均孔径25
nm,粒度0 . 005s+m)■の活性化、変性
および重合を実施例2と同様に行う。
実施例2に従ってポリマー変性された3.5gのシリカ
ゲルを125mlの蒸留キシレンに懸濁させ、2.5g
の1.1.1.3,3.3−ヘキサメチルジシラザン(
HMDS)の添加後に還流しながら20時間、沸騰する
まで加熱する。濾過しそしてメチレンクロライドで洗浄
した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。
ゲルを125mlの蒸留キシレンに懸濁させ、2.5g
の1.1.1.3,3.3−ヘキサメチルジシラザン(
HMDS)の添加後に還流しながら20時間、沸騰する
まで加熱する。濾過しそしてメチレンクロライドで洗浄
した後に真空乾燥室で40℃で乾燥する。
この物質の正確なデータ:
基本材料: Matrex Silica Si平均孔
径: 25 nn+ 粒度: 0.005 ae+w 固有表面積: 292 m”/g 変性シリカゲル: 固有表面積: 215.4 to”7g炭素含有1:
4.77! ポリマー変性シリカゲル: 固有表面積: 151.4 m”/g炭素含有量:3
1.9% カラムの充填: カラムの充填をSlurry法によって行った。
径: 25 nn+ 粒度: 0.005 ae+w 固有表面積: 292 m”/g 変性シリカゲル: 固有表面積: 215.4 to”7g炭素含有1:
4.77! ポリマー変性シリカゲル: 固有表面積: 151.4 m”/g炭素含有量:3
1.9% カラムの充填: カラムの充填をSlurry法によって行った。
2.25gのポリマー変性シリカゲル
45mlのメタノール/ジオキサン(2:1)溶出剤:
メタノール/ジオキサン(2:1)圧力: 30(l
bar 流れ:約4.5mC/分 期間:2.5時間 カラムの寸法: 250 X 4 mm回里曵箆里 第l図:アンカー基の濃度のバリエーションGPCの為
のクロマトグラフィー材料の溶出容積の比較。アンカー
基(4−ビニル−フエニルシロキサン)の濃度を変えそ
してその際の種々の物質について異なる除外限界を示す
。対照として未変性のシリカゲル(pur)を挙げる。
メタノール/ジオキサン(2:1)圧力: 30(l
bar 流れ:約4.5mC/分 期間:2.5時間 カラムの寸法: 250 X 4 mm回里曵箆里 第l図:アンカー基の濃度のバリエーションGPCの為
のクロマトグラフィー材料の溶出容積の比較。アンカー
基(4−ビニル−フエニルシロキサン)の濃度を変えそ
してその際の種々の物質について異なる除外限界を示す
。対照として未変性のシリカゲル(pur)を挙げる。
それぞれ分数は最大限に可能なアンカー基濃度を分母と
する現実の濃度を示している(1/3、1/11,1/
3L 1/100)。
する現実の濃度を示している(1/3、1/11,1/
3L 1/100)。
第2図:重合時間のバリエーション
可能な1/l1のアンカー基を有するシリカゲルにて、
その他は同じ条件のもとて重合時間を変えそして得られ
る物質のGPC一挙動を試験した。
その他は同じ条件のもとて重合時間を変えそして得られ
る物質のGPC一挙動を試験した。
第3図:不活性溶剤のバリエーション
製造の際にモノマーを不活性溶剤(トルエン)で色々に
希釈し、その他の条件を同じにして、得られる物質を試
験した。I/Oは無希釈であり、他の実験では1容量部
のモノマーを1、3、7、11および15容量部の不活
性溶剤で希釈した。
希釈し、その他の条件を同じにして、得られる物質を試
験した。I/Oは無希釈であり、他の実験では1容量部
のモノマーを1、3、7、11および15容量部の不活
性溶剤で希釈した。
第4図: AIBN− l度のバリエーション開始剤(
ArBN)の濃度を変え、その他は同じ条件で重合し、
次いで各物質のGPC一挙動を試験した。
ArBN)の濃度を変え、その他は同じ条件で重合し、
次いで各物質のGPC一挙動を試験した。
モノマーを基準として0.1 、1.0 、2.5およ
び5.0重量2のAIBNを用いた。
び5.0重量2のAIBNを用いた。
第5a−=f図:ボリスチレン111 000(PST
−111000)、ボリスチレン5000(PST 5
000) 、}リステアリン、トリアコンタン(Tri
akontan) (C 30)エイコサン(C 20
)、テトラデカン(C 14)、オクタン(C8)およ
びベンゼンを種々の流速でゲルパーξツションク口マト
グラフィー分離した。
−111000)、ボリスチレン5000(PST 5
000) 、}リステアリン、トリアコンタン(Tri
akontan) (C 30)エイコサン(C 20
)、テトラデカン(C 14)、オクタン(C8)およ
びベンゼンを種々の流速でゲルパーξツションク口マト
グラフィー分離した。
カラムは実施例9に従う。
[発明の効果1
本発明によって、非常に良好なクロマトグラフィー効率
の他に圧力に極めて安定で、膨潤せず且つ乾燥状態でも
非常に良好に貯蔵できるカラム充填物が提供された。
の他に圧力に極めて安定で、膨潤せず且つ乾燥状態でも
非常に良好に貯蔵できるカラム充填物が提供された。
図面は本発明のカラム充填物についての種々の実験をグ
ラフ化した図である。即ち、第1図はアンカー基の濃度
を変えた時の、第2図は重合時間を変えた時の、第3図
は不活性溶剤の量を変えた時のそして第4図はAIBN
−濃度を変えた時の得られるそれぞれのカラム充填物の
GPC挙動の結果を示したグラフであり並びに第5a〜
f図は試験液を種々の流速でゲルパーミッションクロマ
トグラフィー分離した結果を示すグラフである。
ラフ化した図である。即ち、第1図はアンカー基の濃度
を変えた時の、第2図は重合時間を変えた時の、第3図
は不活性溶剤の量を変えた時のそして第4図はAIBN
−濃度を変えた時の得られるそれぞれのカラム充填物の
GPC挙動の結果を示したグラフであり並びに第5a〜
f図は試験液を種々の流速でゲルパーミッションクロマ
トグラフィー分離した結果を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)1〜50μmの平均粒度の担体粒子より成り、該担
体粒子の母体が6〜500nmの平均孔径および0.1
〜3ml/gの空隙量の無機または有機のポリマーの硬
い多孔質物質から形成され、但し母体の孔が化学的に結
合したポリマー鎖を有する、ゲルパーミッションクロマ
トグラフィーのカラム充填物において、ポリマー鎖が2
00〜200,000の除外上限のある未架橋の線状の
透過性ポリマーより成り、その際母体の孔がポリマー鎖
によって完全に満たされていることを特徴とする、上記
カラム充填物。 2)担体粒子が10〜200nmの平均孔径、0.3〜
2ml/gの空隙量および3〜20μmの平均粒度を有
する請求項1に記載のカラム充填物。 3)担体粒子の表面に結合した重合性基の数が0.01
〜10mol/m^2である請求項1に記載のカラム充
填物。 4)硬い物質の表面に結合した重合性基の数が0.01
〜10μmol/m^2であり、そうして得られるポリ
マー構造が低分子物質がポリマー中を透過するのに著し
く影響を及ぼす請求項1〜3のいずれか1項に記載のカ
ラム充填物。 5)硬い物質の表面に結合した重合性基の数が0.01
〜3.0μmol/m^2である請求項1〜3のいずれ
か1項に記載のカラム充填物。 6)0.2〜2.5ml/gの空隙量を有するシリカゲ
ル担体粒子中にポリマー鎖を、用いる担体粒子の量を基
準として10〜70重量%、殊に20〜45重量%の量
で有する請求項1に記載のカラム充填物。 7)担体粒子として、不活性で機械的に安定しており且
つ6〜500nmの平均孔径、0.1〜3ml/gの空
隙量および1〜50μmの平均粒度を有する、多孔質シ
リカゲル、酸化アルミニウム、ガラス、ゼオライト、セ
ライトをまたは、ビニル−またはビニリデン化合物、−
ハロゲン化物、−エステル、芳香族−またはヘテロ芳香
族誘導体;メタクリレート、アクリレートと場合によっ
ては通例の架橋剤、例えばジビニルベンゼン、グリコー
ルジメタクリレート、メチレンビスアクリルアミドおよ
びこれらの類似物とを基礎とするマクロ多孔質ポリマー
を用いる請求項1〜3のいずれか一項に記載のカラム充
填物。 8)担体粒子として多孔質のシリカゲルを用いる請求項
1に記載のカラム充填物。 9)ポリマー鎖の為の原料として二重結合を持つ基、カ
ルボキシル基、アミノ基、水酸基または完成ポリマーに
結合する為の基を用いる請求項1に記載のカラム充填物
。 10)重合性鎖の為の原料として、モノマー、例えばス
チレンまたはスチレン誘導体、アクリル誘導体、例えば
アクリルエステル、アクリルアミド、例えばメチルメタ
クリレート、アクリルアミド、ヒドロキシエチレンメタ
クリレートおよびこれらの類似物を場合によっては開始
剤、例えばアゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペ
ルオキシドまたはこれらの類似物と一緒に用いる請求項
1〜9のいずれか1項に記載のカラム充填物。 11)ポリマー鎖が200〜200,000の流出上限
のある未架橋の線状の透過性ポリマーより成り、母体の
孔がポリマー鎖によって完全に満たされており、GPC
についての200〜200,000の間の流出限界範囲
がポリマー鎖構造の密度によって変化し得る請求項1に
記載のカラム充填物。 12)GPC−カラムに充填される請求項1〜11のい
ずれか1項に記載のカラム充填物。 13)請求項1に記載のカラム充填物を製造するに当た
って、担体粒子の孔を孔の表面で化学的に結合したポリ
マー鎖によって満たし、その際にポリマー鎖が溶剤に対
しておよび部分的には溶解した物質に対して透過性であ
ることを特徴とする、上記カラム充填物の製造方法。 14)担体粒子の表面に最初に場合によっては重合可能
なアンカー基を共有結合させ、次いで重合性モノマー混
合物を重合開始剤の存在下に、共有結合したポリマーが
担体粒子の孔の自由空間を満たす程に重合させる請求項
13に記載の方法。 15)モノマー混合物を高沸点不活性溶剤、例えばトル
エン、キシレンまたはこれらの類似物で希釈する請求項
13または14に記載の方法。 16)モノマー混合物を高沸点不活性溶剤、例えばトル
エン、キシレンまたはこれらの類似物で希釈し、それに
よって孔中に生じるポリマーの量を変えることができ、
それによって見掛け空隙率が制御される請求項13また
は14に記載の方法。 17)二重結合を持つ重合性基、カルボキシル基、アミ
ノ基、水酸基または完成ポリマーに結合する為の基を自
体公知の方法で、シリカゲルの表面でシロキサン基を介
してオロガノシランの状態で結合させ、その際にこれの
基の濃度を0.01〜6μmol/m^2調整し、場合
によっては過剰の重合不活性シラン、例えばトリメチル
クロロシランまたはヘキサメチルジシラザンと混合する
かまたは酸性に希釈し、その際に、オリガノシランの結
合後に残留シラノール基を例えばトリメチルクロロシラ
ンまたはヘキサメチレンジシラザンと、例えば四塩化炭
素または類似の溶剤中で室温または100℃までに反応
させることによってできるだけ完全にマスクさせる請求
項13に記載の方法。 18)ポリマー鎖を製造する為の原料としてモノマー、
例えばスチレン、メチルメタクリレート、アクリルアミ
ドまたはヒドロキシエチレンメタクリレートと開始剤、
例えばアゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオ
キシドまたはこれらの類似物との混合物を易揮発性溶剤
、例えばエチレンクロライド、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテルまたはこれらの類似物中で、アンカー基
で変性された多孔質シリカゲルの上にもたらし、溶剤を
減圧下に0〜60℃で50〜0.1mbarの減圧状態
で除き、窒素でパージした後に30〜120℃の温度で
1〜100時間にわたって重合しそしてシリカゲルに未
だ共有結合していない過剰のポリマーを該ポリマーを溶
解する溶剤にて抽出する請求項1に記載の方法。 19)粒子の空隙量に比較して過剰容積のモノマーを1
05〜400%の量で使用することおよび重合後に共有
結合していないポリマー部分を適当な溶剤、例えばメチ
レンクロライド、トルエン、酢酸エステル、メタノール
または水で溶かし出す請求項13に記載の方法。 20)ゲルパーミッションクロマトグラフィーの為に請
求項1に記載のカラム充填物を用いる方法。
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