JPH0317066B2 - - Google Patents
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- JPH0317066B2 JPH0317066B2 JP5064284A JP5064284A JPH0317066B2 JP H0317066 B2 JPH0317066 B2 JP H0317066B2 JP 5064284 A JP5064284 A JP 5064284A JP 5064284 A JP5064284 A JP 5064284A JP H0317066 B2 JPH0317066 B2 JP H0317066B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、クラツド容器に関するものである。
従来、Mo又はMo合金の容器は高温ガラスや
金属酸化物を含む鉱石溶解用るつぼや真空蒸着用
のトレー、ボートなどに広く用いられていた。こ
れは、Moの融点が約2610℃と非常に高く、延性
展性に富むため容易に加工できるからである。と
ころが、Moは500℃をこえると空気中の酸素と
反応して酸化物を作り、この酸化物が蒸発しやす
いため不活性雰囲気で使用しなければならないと
いうわずらわしさがあつた。さらに、このような
不活性雰囲気中で使用しても、金属酸化物を含む
ガラスや鉱石又は酸素を含んだ金属、合金などを
溶解する場合には、溶融物の中に含まれる酸素と
Moが結合して酸化物を作り、容器のMoが溶出
して容器の寿命が短かいという欠点があつた。こ
のため他の金属を加えて合金として耐消耗性の向
上が図られているが、Moの酸化を防止するに足
る合金が発見されていないのが実情である。
金属酸化物を含む鉱石溶解用るつぼや真空蒸着用
のトレー、ボートなどに広く用いられていた。こ
れは、Moの融点が約2610℃と非常に高く、延性
展性に富むため容易に加工できるからである。と
ころが、Moは500℃をこえると空気中の酸素と
反応して酸化物を作り、この酸化物が蒸発しやす
いため不活性雰囲気で使用しなければならないと
いうわずらわしさがあつた。さらに、このような
不活性雰囲気中で使用しても、金属酸化物を含む
ガラスや鉱石又は酸素を含んだ金属、合金などを
溶解する場合には、溶融物の中に含まれる酸素と
Moが結合して酸化物を作り、容器のMoが溶出
して容器の寿命が短かいという欠点があつた。こ
のため他の金属を加えて合金として耐消耗性の向
上が図られているが、Moの酸化を防止するに足
る合金が発見されていないのが実情である。
本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり、
耐消耗性の優れた長寿命の容器を提供することを
目的とする。
耐消耗性の優れた長寿命の容器を提供することを
目的とする。
本発明は、Mo又はMo合金の表面にIr又はIr合
金が被覆されていることを特徴とするクラツド容
器である。
金が被覆されていることを特徴とするクラツド容
器である。
本発明において、Ir又はIr合金を用いるのは、
Irの融点が2454℃とMoと同様に高く、しかも高
温における耐酸化性特に金属酸化物に対する耐酸
化性に優れているからである。しかし、IrやIr合
金を板にするなどの加工が困難なため被覆するこ
ととした。被覆はイオンプレーテイングやスパツ
タリングや蒸着などの物理的蒸着が湿式メツキよ
りも良い。これは、物理的蒸着によればMo容器
の表面層にIr原子が埋没されてMo原子とIr原子
のなじみが良い結果Ir−Mo合金の接合面の密着
硬度が高くなり、機械的強度の高いクラツド容器
が得られるからである。このように、Ir又はIr合
金を被覆したルツボは耐酸化性に優れ、機械的強
度も優れていることから長寿命のものとなる。な
お、Ir合金としては、Ir−Mo、Ir−Wなどがあ
る。
Irの融点が2454℃とMoと同様に高く、しかも高
温における耐酸化性特に金属酸化物に対する耐酸
化性に優れているからである。しかし、IrやIr合
金を板にするなどの加工が困難なため被覆するこ
ととした。被覆はイオンプレーテイングやスパツ
タリングや蒸着などの物理的蒸着が湿式メツキよ
りも良い。これは、物理的蒸着によればMo容器
の表面層にIr原子が埋没されてMo原子とIr原子
のなじみが良い結果Ir−Mo合金の接合面の密着
硬度が高くなり、機械的強度の高いクラツド容器
が得られるからである。このように、Ir又はIr合
金を被覆したルツボは耐酸化性に優れ、機械的強
度も優れていることから長寿命のものとなる。な
お、Ir合金としては、Ir−Mo、Ir−Wなどがあ
る。
以下、実施例と従来例について説明する。
実施例 1
肉厚5mm、高さ100mm、内径80mmの断面コの字
形Mo製るつぼの内壁に次の条件でIrを厚さ10μm
までイオンプレーテイングした。
形Mo製るつぼの内壁に次の条件でIrを厚さ10μm
までイオンプレーテイングした。
圧力:Arガス2.0×10-4mmHg
電圧:400V
電流:1A
電子ビーム溶解:9kv、300mA
熱電子:10V、100A
これを実施品1とする。
実施例 2
実施例1と同一形状のMo製るつぼの内外壁に
次の条件でIr−W合金を厚さ0.1mmマグネトロン
スパツタリングした。
次の条件でIr−W合金を厚さ0.1mmマグネトロン
スパツタリングした。
圧力:Arガス3×10-3mmHg
電圧:400V
電流:1A
高周波電源:13.56MHz
これを実施品2とする。
従来例
実施例1で用いたMo製るつぼを従来品とし
た。
た。
次に、上記実施品1、2と従来品にSiO2−
Al2O3ガラスを500g入れAr雰囲気、温度約2200
℃×60分間で使用した。これを10回くり返したと
ころ、従来品は60μmそのMo容器の表面から削
られたのに対し、実施品1は5μm、実施品2は
3μm削られたにとどまつた。
Al2O3ガラスを500g入れAr雰囲気、温度約2200
℃×60分間で使用した。これを10回くり返したと
ころ、従来品は60μmそのMo容器の表面から削
られたのに対し、実施品1は5μm、実施品2は
3μm削られたにとどまつた。
次に、実施品1と2の容器の底部を大気中で直
接ヒーター加熱して温度約1000℃で10時間保持し
たところ、実施品1はMoが酸化され、蒸発して
12g減量したのに対し、実施品2は減量しなかつ
た。
接ヒーター加熱して温度約1000℃で10時間保持し
たところ、実施品1はMoが酸化され、蒸発して
12g減量したのに対し、実施品2は減量しなかつ
た。
なお、従来品の表面層の硬度と実施品1、2の
境界層の硬度はそれぞれ150Hv、250Hv、300Hv
であつた。
境界層の硬度はそれぞれ150Hv、250Hv、300Hv
であつた。
これらのことから本発明のクラツドるつぼは従
来品に比べて金属酸化物の溶解用るつぼとして著
しく耐酸化性が優れ、しかも外壁までIr合金被覆
した実施品2は大気加熱しても耐酸化性が優れて
いることがわかる。また、実施品の境界層の硬度
は従来品の表面層の硬度よりはるかに高いことか
ら、実施品は機械的強度に優れていることがわか
る。特に実施品2は、2つの硬度の高いIr−Mo
合金層にMo層がはさまれたサンドイツチ構造を
とつているため特に機械的強度が優れていること
がわかる。
来品に比べて金属酸化物の溶解用るつぼとして著
しく耐酸化性が優れ、しかも外壁までIr合金被覆
した実施品2は大気加熱しても耐酸化性が優れて
いることがわかる。また、実施品の境界層の硬度
は従来品の表面層の硬度よりはるかに高いことか
ら、実施品は機械的強度に優れていることがわか
る。特に実施品2は、2つの硬度の高いIr−Mo
合金層にMo層がはさまれたサンドイツチ構造を
とつているため特に機械的強度が優れていること
がわかる。
以上詳述したように本発明によれば、耐消耗性
の優れた長寿命のクラツド容器を提供することが
できる。しかも、Mo製容器を完全に被覆すれば
大気中でも長寿命のものがえられ、高価な設備を
必要とせず、高価なIrが少量ですむことと併せて
安価なものとなる。
の優れた長寿命のクラツド容器を提供することが
できる。しかも、Mo製容器を完全に被覆すれば
大気中でも長寿命のものがえられ、高価な設備を
必要とせず、高価なIrが少量ですむことと併せて
安価なものとなる。
Claims (1)
- 1 Mo又はMo合金の表面にIr又はIr合金が被覆
されていることを特徴とするクラツド容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5064284A JPS60194086A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | クラツド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5064284A JPS60194086A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | クラツド容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60194086A JPS60194086A (ja) | 1985-10-02 |
JPH0317066B2 true JPH0317066B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=12864602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5064284A Granted JPS60194086A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | クラツド容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60194086A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2565934B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1996-12-18 | 田中貴金属工業株式会社 | クラッド容器 |
JPH01219179A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-01 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラッド容器 |
JPH01275779A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラッド容器 |
US6422861B1 (en) * | 2000-11-20 | 2002-07-23 | General Electric Company | Quartz fusion furnace and method for forming quartz articles |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5064284A patent/JPS60194086A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60194086A (ja) | 1985-10-02 |
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