JPH03166726A - 酸化シリコン形成方法および形成装置 - Google Patents
酸化シリコン形成方法および形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は酸化シリコン形成方法および形成装置に関する
。
。
［従来の技術およびその課題］
従来、シリコン酸化膜の形成方法は、シリコン基板の熱
酸化もしくは気相或長によるものであったニシリコン基
板の熱酸化によれば高品質のシリコン酸化膜が得られ、
また界面はシリコン基板内に形成されるため界面単位密
度も少ない。しかし、熱酸化のためには８００℃以上の
高温を必要とし、熱酸化の過程で不純物の拡故によって
、基板内に形成した不純物プロファイルが崩れてしまう
という欠点がある。
酸化もしくは気相或長によるものであったニシリコン基
板の熱酸化によれば高品質のシリコン酸化膜が得られ、
また界面はシリコン基板内に形成されるため界面単位密
度も少ない。しかし、熱酸化のためには８００℃以上の
高温を必要とし、熱酸化の過程で不純物の拡故によって
、基板内に形成した不純物プロファイルが崩れてしまう
という欠点がある。
一方、気相或長によれば低温の酸化膜形成が可能ではあ
る。しかし、この気相或長では気相中でシリコンと酸素
の反応が起こり、ＳｉＯｚ粒子となって基板上に降り積
もるため、酸化膜中にはボイドが多数存在する。このた
め、気相戊長によって形成した酸化膜は、熱酸化膜に比
べて耐圧が低くリーク電流も多い。さらに、シリコン表
面の清浄化が行われないため、界面準位密度が多く、Ｍ
ＯＳデバイスのゲート酸化膜等、高品質の酸化膜が要求
ざれる箇所には使用することができないという問題点が
あった。
る。しかし、この気相或長では気相中でシリコンと酸素
の反応が起こり、ＳｉＯｚ粒子となって基板上に降り積
もるため、酸化膜中にはボイドが多数存在する。このた
め、気相戊長によって形成した酸化膜は、熱酸化膜に比
べて耐圧が低くリーク電流も多い。さらに、シリコン表
面の清浄化が行われないため、界面準位密度が多く、Ｍ
ＯＳデバイスのゲート酸化膜等、高品質の酸化膜が要求
ざれる箇所には使用することができないという問題点が
あった。
さらに、ＭＯＳデバイスのゲート酸化膜は、ＬＳＩの高
密度化に伴い薄膜化の傾向にあり、近い将来には１００
入あるいはそれ以下の膜厚が必要になると予想される。
密度化に伴い薄膜化の傾向にあり、近い将来には１００
入あるいはそれ以下の膜厚が必要になると予想される。
特にＤＲＡＭでは、α線によるソフトエラーを防止する
ために容量を少なくすることが困難な状況にあり、従っ
て微細化に伴う容量の減少を酸化膜の薄膜化で補う必要
がある。
ために容量を少なくすることが困難な状況にあり、従っ
て微細化に伴う容量の減少を酸化膜の薄膜化で補う必要
がある。
ざらに、チップサイズの大型化によりゲート領域の占め
る面積も広くなりつつあり、大面積にわたって耐圧不良
のない電気的絶縁性の優れた酸化膜が要求ざれる。一方
、酸化膜厚が薄くなっても動作電圧を下げることは実用
上困難であり、酸化膜は従来よりも高い電界強度のもと
で使用される傾向にある。しかし、熱酸化膜は膜厚が薄
くなると、ピンホールやウィークスポットなど絶縁不良
を引き起こす欠陥が多数発生する。この原因は、３ｉと
ＳｉＯ２の界面に存在するＳ ｔ Ｏｘ層の影響が酸化
膜厚が薄くなってくると無視し得なくなってくること、
また微粒子、有機物、油脂あるいはバクテリアの付着な
どによる表面の汚染であると考えられている。
る面積も広くなりつつあり、大面積にわたって耐圧不良
のない電気的絶縁性の優れた酸化膜が要求ざれる。一方
、酸化膜厚が薄くなっても動作電圧を下げることは実用
上困難であり、酸化膜は従来よりも高い電界強度のもと
で使用される傾向にある。しかし、熱酸化膜は膜厚が薄
くなると、ピンホールやウィークスポットなど絶縁不良
を引き起こす欠陥が多数発生する。この原因は、３ｉと
ＳｉＯ２の界面に存在するＳ ｔ Ｏｘ層の影響が酸化
膜厚が薄くなってくると無視し得なくなってくること、
また微粒子、有機物、油脂あるいはバクテリアの付着な
どによる表面の汚染であると考えられている。
そこで、本発明者は先に分子状の３ｉと電子サイクロト
ロン・（ＥＣＲ）によって発生した酸素プラズマを同時
に基板に供給したところ、低温で酸化膜が形成できるこ
とを見い出した。また、この方法では気相或艮による酸
化膜の堆積と異なり分子線領域で行うため、気相反応で
はなく表面での３ｉの酸化であり、気相戒長に比べてよ
り緻密な膜の形成を行うことができることがわかった。
ロン・（ＥＣＲ）によって発生した酸素プラズマを同時
に基板に供給したところ、低温で酸化膜が形成できるこ
とを見い出した。また、この方法では気相或艮による酸
化膜の堆積と異なり分子線領域で行うため、気相反応で
はなく表面での３ｉの酸化であり、気相戒長に比べてよ
り緻密な膜の形成を行うことができることがわかった。
さらに、ＳｉＯ２形成前にＳｉＭＢＥでＳｉのバツファ
ーエピタキシャル層を或長することによってＳｉＯｚ／
Ｓｉ界面を原子オーダーで平坦にすることができ、界面
の凹凸による電界集中に起因する耐圧の低下を減少させ
ることができた。このようにして形成した酸化膜の耐圧
およびリーク電流は同じ厚さの熱酸化膜と同等であった
。
ーエピタキシャル層を或長することによってＳｉＯｚ／
Ｓｉ界面を原子オーダーで平坦にすることができ、界面
の凹凸による電界集中に起因する耐圧の低下を減少させ
ることができた。このようにして形成した酸化膜の耐圧
およびリーク電流は同じ厚さの熱酸化膜と同等であった
。
しかし、この方法は低温でのＳ ｉ ０２の堆積である
ため、基板３ｉ表面を清浄化しても上層３ｉ０２と３ｉ
基板表面とが完全にはつながらず、界面にダングリング
ボンドが残り、このダングリングボンドに起因する界面
単位が発生するという問題があった。この界面単位密度
は熱酸化膜の場合に比べると約１０倍多く、ＭＯＳのゲ
ート酸化膜としては用いることができなかった。
ため、基板３ｉ表面を清浄化しても上層３ｉ０２と３ｉ
基板表面とが完全にはつながらず、界面にダングリング
ボンドが残り、このダングリングボンドに起因する界面
単位が発生するという問題があった。この界面単位密度
は熱酸化膜の場合に比べると約１０倍多く、ＭＯＳのゲ
ート酸化膜としては用いることができなかった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、低温形成でき、かつ界面単位の少ない酸化シリコンを
形成する方法および形成装置を提供することにある。
、低温形成でき、かつ界面単位の少ない酸化シリコンを
形成する方法および形成装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、清浄面を出したシリコン基板上に、真空中で
原子体水素（Ｈ）または原子体水素（Ｈ〉を含む水素分
子線（Ｈ２）を照躬する工程と、引き続いてシリコン分
子線を照射しながら、酸素イオン（Ｏ−）、原子状酸素
（Ｏ）または酸素イオンあるいは原子状酸素を含む酸素
分子線（Ｏ２〉を同時に照射する工程とを有することを
特徴とする酸化シリコン形成方法、および真空槽内にシ
リコン分子線発生用の電子銃式蒸着装置と、原子状水素
および酸素イオン発生用の電子サイクロトロン共鳴型（
ＥＣＲ型）プラズマ源とを備えてなることを特徴とする
酸化シリコン形成装置である。
原子体水素（Ｈ）または原子体水素（Ｈ〉を含む水素分
子線（Ｈ２）を照躬する工程と、引き続いてシリコン分
子線を照射しながら、酸素イオン（Ｏ−）、原子状酸素
（Ｏ）または酸素イオンあるいは原子状酸素を含む酸素
分子線（Ｏ２〉を同時に照射する工程とを有することを
特徴とする酸化シリコン形成方法、および真空槽内にシ
リコン分子線発生用の電子銃式蒸着装置と、原子状水素
および酸素イオン発生用の電子サイクロトロン共鳴型（
ＥＣＲ型）プラズマ源とを備えてなることを特徴とする
酸化シリコン形成装置である。
［作用］
本発明の原理について説明する。原子状酸素もしくは酸
素イオンをシリコン基板に照射すると、室温近傍の低温
でも容易に清浄表面上に吸着する。
素イオンをシリコン基板に照射すると、室温近傍の低温
でも容易に清浄表面上に吸着する。
しかし、従来の基板熱酸化では、酸化はＳ１０２と基板
Ｓｉ結晶界面において起こっているため、酸素のＳｉＯ
２中での拡散と基板結晶３ｉのバックボンドを切るため
に多くのエネルギーを必要とし、これが酸化温度と時間
を決定している。
Ｓｉ結晶界面において起こっているため、酸素のＳｉＯ
２中での拡散と基板結晶３ｉのバックボンドを切るため
に多くのエネルギーを必要とし、これが酸化温度と時間
を決定している。
第３図（ａ）に示すように、表面側から分子状の３ｉと
原子状酸素もしくは酸素イオンを同時に供給すると、酸
化はいつも表面で起こり、しかも結晶を組んでいるシリ
コン基板３１のバックボンドを切る必要がないため、低
温でシリコン酸化膜３２が形成できる。しかし、以上の
ような酸化膜形成方法では低温でのＳｉＯ２の堆積であ
るため、第３図（ｂ）に示すように、シリコン基板３１
表面を清浄化しても上層ＳｉＯ２と３ｉ基板表面とが完
全にはつながらず、界面にダングリングボンド３３が残
り、このダングリングボンド３３に起因する界面単位が
発生する。
原子状酸素もしくは酸素イオンを同時に供給すると、酸
化はいつも表面で起こり、しかも結晶を組んでいるシリ
コン基板３１のバックボンドを切る必要がないため、低
温でシリコン酸化膜３２が形成できる。しかし、以上の
ような酸化膜形成方法では低温でのＳｉＯ２の堆積であ
るため、第３図（ｂ）に示すように、シリコン基板３１
表面を清浄化しても上層ＳｉＯ２と３ｉ基板表面とが完
全にはつながらず、界面にダングリングボンド３３が残
り、このダングリングボンド３３に起因する界面単位が
発生する。
そこで、本発明においては、界面に残るダングリングボ
ンドを終端させるために、第１図（ａ）に示すように、
清浄化した基板表面に予め原子状水素を照射した後、第
１図（ｂ）に示すようにシリコン分子線を照躬しながら
、酸素イオンもしくは原子状酸素を照射してシリコン酸
化膜１３を堆積させる。このようにすると、清浄面上の
ダングリングボンドが水素によって終端され、Ｓｉと分
子線で或長したＳｉＯ２との界面における界面単位が、
水素終端処理を行わない場合に比較して飛躍的に減少す
る。このようにして或長した膜では或長温度が室温でも
、耐圧、リーク電流、界面単位密度共に、熱酸化によっ
て形成された酸化膜と同程度のものを作ることができる
。予め照射する水素が分子（Ｈ２）状態の時は、水素分
子はシリコン清浄面で解離吸着せず、ダングリングボン
ドの終端効果はなかった。
ンドを終端させるために、第１図（ａ）に示すように、
清浄化した基板表面に予め原子状水素を照射した後、第
１図（ｂ）に示すようにシリコン分子線を照躬しながら
、酸素イオンもしくは原子状酸素を照射してシリコン酸
化膜１３を堆積させる。このようにすると、清浄面上の
ダングリングボンドが水素によって終端され、Ｓｉと分
子線で或長したＳｉＯ２との界面における界面単位が、
水素終端処理を行わない場合に比較して飛躍的に減少す
る。このようにして或長した膜では或長温度が室温でも
、耐圧、リーク電流、界面単位密度共に、熱酸化によっ
て形成された酸化膜と同程度のものを作ることができる
。予め照射する水素が分子（Ｈ２）状態の時は、水素分
子はシリコン清浄面で解離吸着せず、ダングリングボン
ドの終端効果はなかった。
また本方法は、基板３ｉを酸化するのではなく３ｉも表
面側から供給するために、基板はＳｉである必要はなく
、化合物半導体基板上でも同様な酸化膜が得られる。
面側から供給するために、基板はＳｉである必要はなく
、化合物半導体基板上でも同様な酸化膜が得られる。
［実施例］
次に本発明の実施例について具体的に説明する。
第２図は本発明による酸化シリコン形成装置の一例を示
したものである。真空容器１として４０ＣＣの電子銃式
３ｉ蒸着装置５および１００ ＷのＥＣＲ型プラズマ源
４を備えたＭＢＥ装置を用いて酸化シリコンの形成を行
った。ＥＣＲ型プラズマ源４に供給するガスは目２ボン
ベ７および０２ボンベ６より供給ざれる水素と酸素であ
り、バルブ８によって切り替えられるようになっている
。ＥＣＲ型プラズマ源４には、この他、発振器２６、導
波管２７、アンテナ２８オよびマグネット２５が設置さ
れている。
したものである。真空容器１として４０ＣＣの電子銃式
３ｉ蒸着装置５および１００ ＷのＥＣＲ型プラズマ源
４を備えたＭＢＥ装置を用いて酸化シリコンの形成を行
った。ＥＣＲ型プラズマ源４に供給するガスは目２ボン
ベ７および０２ボンベ６より供給ざれる水素と酸素であ
り、バルブ８によって切り替えられるようになっている
。ＥＣＲ型プラズマ源４には、この他、発振器２６、導
波管２７、アンテナ２８オよびマグネット２５が設置さ
れている。
基板３として４インチｎ型Ｓｉ （１００ ） １０
〜２０Ωｃｍ基板を用い、基板保持部２に設置する。
〜２０Ωｃｍ基板を用い、基板保持部２に設置する。
基板３はＲＣＡ洗浄後、形成室内に搬送し、１０六のａ
−Ｓｉを堆積後、８００℃、１分間の清浄化を行って、
清浄面を出し、或長温度５００℃でバッファ層であるエ
ビタキシャル層を３０００ Ａ或長じた。基板温度を室
温に下げた後、清浄面にＥＣＲ型プラズマ源４から水素
プラズマを１０分間照射して水素原子によるダングリン
グボンドの終端処理を行った。この時、反射高速電子線
回折（Ｒ口ＥＥＤ）パターンが清浄面を示す２×１から
水素が吸着していることを示す１×１に変化することを
確認した。形成室内の水素分圧は５ Ｘ １０−５ Ｔ
Ｏｒｒであった。次に、この表面上にＥＣＲ型プラズマ
源４から酸素プラズマを照射しながら、電子銃式３ｉ蒸
着装置５からＳｉ０２の形成速度換算で０．５５ Ａ／
Ｓの３ｉ分子線を照射し、酸化膜を形成した。酸素分圧
は５ Ｘ １０−５ Ｔｏｒｒであった。形成温度は室
温であり、形成膜厚は約１００八であった。
−Ｓｉを堆積後、８００℃、１分間の清浄化を行って、
清浄面を出し、或長温度５００℃でバッファ層であるエ
ビタキシャル層を３０００ Ａ或長じた。基板温度を室
温に下げた後、清浄面にＥＣＲ型プラズマ源４から水素
プラズマを１０分間照射して水素原子によるダングリン
グボンドの終端処理を行った。この時、反射高速電子線
回折（Ｒ口ＥＥＤ）パターンが清浄面を示す２×１から
水素が吸着していることを示す１×１に変化することを
確認した。形成室内の水素分圧は５ Ｘ １０−５ Ｔ
Ｏｒｒであった。次に、この表面上にＥＣＲ型プラズマ
源４から酸素プラズマを照射しながら、電子銃式３ｉ蒸
着装置５からＳｉ０２の形成速度換算で０．５５ Ａ／
Ｓの３ｉ分子線を照射し、酸化膜を形成した。酸素分圧
は５ Ｘ １０−５ Ｔｏｒｒであった。形成温度は室
温であり、形成膜厚は約１００八であった。
はじめに、形成された酸化膜の界面準位を調べるために
ＭＯＳキャパシターを試作し、Ｃｖ測定によるターマン
法により界面単位密度を求めた。
ＭＯＳキャパシターを試作し、Ｃｖ測定によるターマン
法により界面単位密度を求めた。
表−１に水素終端処理を行った場合と行わない場合およ
び熱酸化膜の界面準位の比較を示す。
び熱酸化膜の界面準位の比較を示す。
表 − １
表からわかるように、水素終端処理を行わない場合には
、１０１２〜１０１３ｃｍ−２であった界面準位が水素
終端処理を行うことによって約１桁下がって１０１１，
，，２となり、ほぼ熱酸化膜と同程度まで界面準位密度
を下げることができた。
、１０１２〜１０１３ｃｍ−２であった界面準位が水素
終端処理を行うことによって約１桁下がって１０１１，
，，２となり、ほぼ熱酸化膜と同程度まで界面準位密度
を下げることができた。
第４図は同サンプルのＩＶ測定の結果を示す図である。
図中、実線は本発明の方法によって水素終端処理を行っ
たもの、破線は水素終端処理を行わなかったもの、一点
鎖線は熱酸化によるものをそれぞれ示す。リーク電流は
３種のサンプルとも同程度で、ＥＣＲ酸素プラズマとＳ
ｉ分子線を用いて形成した膜は熱酸化膜と同じく欠陥が
少なく、リーク電流も少ないことがわかった。
たもの、破線は水素終端処理を行わなかったもの、一点
鎖線は熱酸化によるものをそれぞれ示す。リーク電流は
３種のサンプルとも同程度で、ＥＣＲ酸素プラズマとＳ
ｉ分子線を用いて形成した膜は熱酸化膜と同じく欠陥が
少なく、リーク電流も少ないことがわかった。
最後に、本方法で形威したＳｉＯ２／Ｓｉ界面の平坦性
を評価するために、３ｉ（１００）面上に５００℃で３
００Ｏ Ａのエビタキシャルバッフ７一層を成長後、基
板温度を室温に下げ、次いで清浄面にＥＣＲ型プラズマ
源から水素プラズマを１０分間照躬して水素によるダン
グリングボンドの終端処理を行い、次にこの表面上にＥ
ＣＲ型プラズマ源から酸素プラズマを照射しながら電子
銃式３ｉ蒸着装置から＄１分子線を照射して５０ Ａの
ＳｉＯ２を形成し、界面の断面格子像を観察した。ＭＢ
Ｅでバッファ−層を或長じているため界面ば極めて平坦
であり、界面の乱れは通常の３ｉ（１００）ウエハを用
いた場合、数１０ＯＡごとに観察される１原子層ステッ
プだけであった。これはもとのＭＢＥ成長バッフ７一層
上に存在するものである。
を評価するために、３ｉ（１００）面上に５００℃で３
００Ｏ Ａのエビタキシャルバッフ７一層を成長後、基
板温度を室温に下げ、次いで清浄面にＥＣＲ型プラズマ
源から水素プラズマを１０分間照躬して水素によるダン
グリングボンドの終端処理を行い、次にこの表面上にＥ
ＣＲ型プラズマ源から酸素プラズマを照射しながら電子
銃式３ｉ蒸着装置から＄１分子線を照射して５０ Ａの
ＳｉＯ２を形成し、界面の断面格子像を観察した。ＭＢ
Ｅでバッファ−層を或長じているため界面ば極めて平坦
であり、界面の乱れは通常の３ｉ（１００）ウエハを用
いた場合、数１０ＯＡごとに観察される１原子層ステッ
プだけであった。これはもとのＭＢＥ成長バッフ７一層
上に存在するものである。
この１原子層ステップの密度はウエハ表面の傾きに依存
し、正確に（ｉｏｏ）面であるウエハを使った場合、数
１０００ Ａの平坦なテラスを得ることができた。
し、正確に（ｉｏｏ）面であるウエハを使った場合、数
１０００ Ａの平坦なテラスを得ることができた。
なお、本実施例ではシリコンウエハを対象としたが、本
発明の方法は表面にのみシリコンが存在するＳＯＳ （
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板や、
さらに一般に３Ｑ Ｉ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ ＞基板等にも当然適用できる。また、
本方法は、基板Ｓｉを．酸化するのではなく、３ｉも表
面側から供給するために、本質的に基板はＳｉである必
要はなく、化合物半導体上でも同様に良質な酸化膜が得
られる。
発明の方法は表面にのみシリコンが存在するＳＯＳ （
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板や、
さらに一般に３Ｑ Ｉ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ ＞基板等にも当然適用できる。また、
本方法は、基板Ｓｉを．酸化するのではなく、３ｉも表
面側から供給するために、本質的に基板はＳｉである必
要はなく、化合物半導体上でも同様に良質な酸化膜が得
られる。
［発明の効果］
以上、詳細に述べたとおり、本発明によれば電気的に熱
酸化膜と同等な界面単位の極めて少ない酸化膜の形成を
室温で行うことができる酸化シリコン形成方法および形
成装置が得られる。
酸化膜と同等な界面単位の極めて少ない酸化膜の形成を
室温で行うことができる酸化シリコン形成方法および形
成装置が得られる。
第１図は本発明の方法の作用を説明するための説明図、
第２図は本発明の酸化シリコン形成装置の一例の概略構
或図、第３図は従来技術による酸化シリコン形成方法の
作用を説明するための説明図、第４図はＳｉＯ２形成方
法の相違によるＩ■特性の相違を示す特性図である。
第２図は本発明の酸化シリコン形成装置の一例の概略構
或図、第３図は従来技術による酸化シリコン形成方法の
作用を説明するための説明図、第４図はＳｉＯ２形成方
法の相違によるＩ■特性の相違を示す特性図である。
Claims (2)
- （１）清浄面を出したシリコン基板上に、真空中で原子
体水素（Ｈ）または原子状水素（Ｈ）を含む水素分子線
（Ｈ＿２）を照射する工程と、引き続いてシリコン分子
線を照射しながら、酸素イオン（Ｏ＾−）、原子状酸素
（Ｏ）または酸素イオンあるいは原子状酸素を含む酸素
分子線（Ｏ＿２）を同時に照射する工程とを有すること
を特徴とする酸化シリコン形成方法。 - （２）真空槽内にシリコン分子線発生用の電子銃式蒸着
装置と、原子状水素および酸素イオン発生用の電子サイ
クロトロン共鳴型（ＥＣＲ型）プラズマ源とを備えてな
ることを特徴とする酸化シリコン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304926A JPH03166726A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 酸化シリコン形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304926A JPH03166726A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 酸化シリコン形成方法および形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166726A true JPH03166726A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17938977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1304926A Pending JPH03166726A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 酸化シリコン形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03166726A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243266A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ヘテロ界面形成方法 |
| EP1077480A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to enchance properties of Si-O-C low K films |
| US6602806B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1304926A patent/JPH03166726A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243266A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ヘテロ界面形成方法 |
| EP1077480A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to enchance properties of Si-O-C low K films |
| US6602806B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film |
| US6635575B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus to enhance properties of Si-O-C low K films |
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