JPH03166344A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
材料を用いて、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を
製造する方法に関するものである。
本的には一般のアルミニウム箔の製造方法と同一である
。即ち、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方
法は、アルミニウム地金から鋳塊を作威する工程、この
鋳塊を500〜600″Cの温度で1〜4時間加熱する
均熱処理工程、温度350〜550’Cで熱間粗圧延す
る工程、温度250〜400’Cで熱間仕上圧延する工
程、常温で冷間圧延を繰り返す工程、所望により温度3
00〜600℃で中間焼鈍又は仕上焼鈍する工程、とよ
りなるものである。 しかしながら、不純物、特にFe及びSiを多く含んで
いるアルミニウム地金を用いて、この方法で電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔を製造すると、静電容量の高
い電極箔が得られなかった。これは、得られた電解コン
デンサ電極用アル旦ニウム箔中に不純物が析出しており
、電極箔製造の際のエッチング時に過溶解が生しるから
である。即ち、過溶解が生じると、箔の表面に粗大孔が
生じ、箔の表面積の拡大が十分に図れず、したがって高
い静電容量の電極箔が得られないのである。 このため、従来は、不純物(Fe及びSt)の極めて少
ないアルミニウム地金を用いて、前記の方法で電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔を製造している。不純物の
少ないアルミニウム地金を用いると、得られた電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔中に不純物が析出しにくく
、エッチング時に過溶解が生じにくくなり、結局得られ
た電極箔も高い静電容量を示すということになる。
は、特別な精製工程を経て得られるものであり、高価な
ものである。特に、AI中から不純物であるFeやSi
を除去する精製は困難であり、その結果得られる高純度
のアルミニウム地金は極めて高価なものとならざるを得
なかった。このように、原材料が高価なため、結局得ら
れる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔も高価なもの
になるという欠点があった。 そこで、本発明は、従来のアルミニウム箔の製造方法と
は全く異なる方法を用いて、電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔を製造することにより、不純物を比較的多く
含んでいるアルミニウム地金を使用しながら、静電容量
の高い電極箔が得られるようにしたものである。 1課題を解決するための手段及び作用】即ち、本発明は
、At純度が99.9%以上で且っFeo.ooi〜0
.05%及びSi 0.001〜0.05%、更に要す
hハcu 0.001〜0.01%を含有するアルミニ
ウム材料よりなる鋳塊を、圧延して電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔を製造する工程において、該工程中該
アルミニウム材料が250’Cを超える温度に加熱され
ないことを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔の製造方法に関するものである。 本発明で使用するアルミニウム材料は、AI純度が99
.9%以上である。AI純度が99.9%未満であると
、不純物があまりにも多すぎ、鋳塊を作威した時点で不
純物による析出物が生じる。そして、この析出物はその
まま残り、電極箔作或の際のエッチング時に過溶解を起
こさせる原因となるため、好ましくない。 不純物であるFe及びSiは、各々アルミニウム材料中
に0.001〜0.05%含有されている。Fe及びS
iを0.001%未満にするには、特別な精製工程を経
てアルミニウム材料を得る必要があり、アルミニウム材
料が高価になるため、好ましくない。また、Fe及びS
tが0.05%を超えると、不純物としては量が多すぎ
て、鋳塊を作威した時点で析出物が生じる恐れがあるた
め、好ましくない。 本発明においては、アルミニウム材料中にCuが添加さ
れていてもよい。Cuは、得られた電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔のエッチング特性を改良するため、特
にエッチング時間を短縮するためのものである。Cuを
添加する場合は、o.ooi〜0.01%アルミニウム
材料中に添加する。Cuがo.oO1%未満であると、
エッチング特性が十分に改良されないため、好ましくな
い。また、Cuが0.01%を超えると、エッチング時
に過溶解が生しる恐れがあるため、好ましくない。 本発明に使用するアルミニウム材料には、不可避的に他
の不純物が含まれていることもある。例えば、MgJP
Zn等が含まれていることがある。なお、本発明におい
て%と表記してあるのは、すべて重量%のことである。 このアルミニウム材料を用いて、従来公知の方法で鋳塊
を作成する。このようにして得られた鋳塊には、Peや
St等の不純物が固溶状態で存在しており、析出物とし
ての形態での存在は非常に少ないものである。但し、こ
の固溶状態は、平衡固溶限以上の量が固溶しており、過
飽和における固溶状態である。 この鋳塊を、250℃を超える温度に加熱されるような
状態に置くことなく、圧延して電解コンデンサ電極用ア
ル果ニウム箔を得る。即ち、従来のアルミニウム製造工
程で採用している均熱処理工程や熱間圧延工程を経るこ
となく、主として冷間圧延のみで電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔を得るのである。従って、鋳塊からアル
ミニウム箔に到るまで、アルミニウム材料は250℃を
超えて加熱されることはないのである。 鋳塊を均熱処理したり、アル旦ニウム板を熱間圧延した
り、或いは中間焼鈍や仕上焼鈍を行って、アルミニウム
材料を250℃を超えて加熱すると、過飽和の状態で固
溶しているFeやSi等の不純物が、Al−Pe−Si
又はAlzPe等の金属間化合物として析出してくる。 そして、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
には析出物が多量に存在し、エッチング時に過溶解を起
こし、高い静電容量の電極箔が得られなくなるため、好
ましくない。 以上の方法によって得られた電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔を、従来公知の方法によってエッチング処理
し、電解コンデンサ電極箔が得られるのである。
よりなるアルミニウム地金を用いて、鋳塊を作成し、こ
の鋳塊に常温で冷間圧延を繰り返し、厚さ90μの電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。 この電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を、56℃の
エッチング溶液(3.4%塩酸と0.5%蓚酸の混合水
溶液)中に浸漬し、交流電流0.2A/cillを与え
ながら、6分間エッチングした。エッチング後、アルミ
ニウム箔を70℃の化戒溶液(8%硼酸水溶液)に浸漬
して80Vで化成した後、キャパシタンスメータを用い
て、静電容量を測定した。 その結果、静電容量は、5.2μF/ciであった。 実施例2 Fe0.0055%. Si0.007Q%,残部AI
よりなるアルミニウム地金を用いて、鋳塊を作威し、こ
の鋳塊に常温で冷間圧延を繰り返し、厚さ90μの電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。 この電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を実施例1と
同一の条件でエッチングし、静電容量を測定したところ
、4.8μF/dであった。 実施例3 Pe0.0040%. Si0.0048%, Cu0
.0030%,残部^lよりなるアルミニウム地金を用
いて、鋳塊を作威し、この鋳塊に常温で冷間圧延を繰り
返し、厚さ90μの電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔を得た。 この電解コンデンサ電極用アル累ニウム箔を実施例1と
同一の条件でエッチングし、静電容量を測定したところ
、5.1μF/dであった。 比較例1 実施例lで用いた鋳塊を、600℃で5時間均熱処理し
、更に温度500℃で熱間圧延し、その後冷間圧延して
厚さ90μの電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得
た。 この電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を実施例1と
同一の条件でエッチングし、静電容量を測定したところ
、3.9μF/ctllであった。 比較例2 実施例2で用いた鋳塊を、比較例1と同一の条件で均熱
処理,熱間圧延,冷間圧延して厚さ90μの電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔を得た。 この電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を実施例1と
同一の条件でエッチングし、静電容量を測定したところ
、3.7μF / ciであった.比較例3 実施例3で用いた鋳塊を、比較例1と同一の条件で均熱
処理,熱間圧延,冷間圧延して厚さ90μの電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔を得た。 この電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を実施例1と
同一の条件でエッチングし、静電容量を測定したところ
、4.2μF/cralであった。
用アルミニウム箔の製造方法は、従来公知のアルミニウ
ム箔の製造方法とは異なり、アルミニウム材料が250
℃を超える温度に加熱されない方法、即ち鋳塊を均熱処
理したり或いはアルミニウム板を熱間圧延しない方法で
ある。この方法により、原材料として使用するアルミニ
ウム中にFeやSi等の不純物が比較的多く含まれてい
ても、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔中
には不純物の析出が少ない。従って、この電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔をエッチング処理した場合、過
溶解が防止でき、ひいては静電容量の高い電極箔が得ら
れるという効果を奏するものである。 また、この方法の場合、不純物が比較的多く含まれてい
る廉価なアルミニウムを用いて、高い静電容量の電極箔
が得られるため、高性能の電極箔が廉価に提供しうると
いう効果も奏する。
Claims (2)
- (1)Al純度が99.9%以上で且つFe0.001
〜0.05%及びSi0.001〜0.05%を含有す
るアルミニウム材料よりなる鋳塊を、圧延して電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔を製造する工程において、
該工程中該アルミニウム材料が250℃を超える温度に
加熱されないことを特徴とする電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔の製造方法。 - (2)Al純度が99.9%以上で且つFe0.001
〜0.05%,Si0.001〜0.05%及びCu0
.001〜0.01%を含有するアルミニウム材料より
なる鋳塊を、圧延して電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔を製造する工程において、該工程中該アルミニウム
材料が250℃を超える温度に加熱されないことを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
。
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|---|---|---|---|
| JP30392389A JP3143904B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30392389A JP3143904B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166344A true JPH03166344A (ja) | 1991-07-18 |
| JP3143904B2 JP3143904B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17926905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30392389A Expired - Fee Related JP3143904B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3143904B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2474374A1 (en) * | 2005-10-28 | 2012-07-11 | Novelis Inc. | Homogenization and heat-treatment of cast metals |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP30392389A patent/JP3143904B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2474374A1 (en) * | 2005-10-28 | 2012-07-11 | Novelis Inc. | Homogenization and heat-treatment of cast metals |
| US8458887B2 (en) | 2005-10-28 | 2013-06-11 | Novelis Inc. | Homogenization and heat-treatment of cast metals |
| US9073115B2 (en) | 2005-10-28 | 2015-07-07 | Novelis Inc. | Homogenization and heat-treatment of cast metals |
| US9802245B2 (en) | 2005-10-28 | 2017-10-31 | Novelis Inc. | Homogenization and heat-treatment of cast metals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3143904B2 (ja) | 2001-03-07 |
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