JPH03165578A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH03165578A JPH03165578A JP1305632A JP30563289A JPH03165578A JP H03165578 A JPH03165578 A JP H03165578A JP 1305632 A JP1305632 A JP 1305632A JP 30563289 A JP30563289 A JP 30563289A JP H03165578 A JPH03165578 A JP H03165578A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical group [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
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- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製
造方法に係り、特に光を電力に変換する効率を高めるに
好適な裏面接合及びそれに接触する金属電極の構造を有
する太陽電池及びその製造方法に関する。
造方法に係り、特に光を電力に変換する効率を高めるに
好適な裏面接合及びそれに接触する金属電極の構造を有
する太陽電池及びその製造方法に関する。
従来の太陽電池は素子の両面に電力を取り出す電極を設
けている。光を受ける側の受光面電極は素子面積の４〜
８％を占め出力を低下させている。
けている。光を受ける側の受光面電極は素子面積の４〜
８％を占め出力を低下させている。
これによる遮蔽損失が太陽電池の変換効率の向上を妨げ
る最も大きな要因となっている。この遮蔽損失を無くす
るには、受光面にある金属電極及び接合層を裏面に配置
すれば良く、多接合構造、ポイントコンタクト構造の集
光用太陽電池が開発されている。上記太陽電池の変換効
率は結晶シリコン基板の厚さが少数キャリア拡散長以下
で最大となる。更に、太陽電池内部へ入射した光が裏面
で反射され外部へ飛散することなく受光面で反射して再
び内部へ進入して行き、電力に変換される光閉じ込め構
造（Ｌｉｇｈｔ ｔｒａｐｐｉｎｇ）の太陽電池で゛は
結晶シリコン基板の厚さが薄いほど変換効率は高い、従
って太陽電池は薄い基板を用いて製作することが望まし
い。
る最も大きな要因となっている。この遮蔽損失を無くす
るには、受光面にある金属電極及び接合層を裏面に配置
すれば良く、多接合構造、ポイントコンタクト構造の集
光用太陽電池が開発されている。上記太陽電池の変換効
率は結晶シリコン基板の厚さが少数キャリア拡散長以下
で最大となる。更に、太陽電池内部へ入射した光が裏面
で反射され外部へ飛散することなく受光面で反射して再
び内部へ進入して行き、電力に変換される光閉じ込め構
造（Ｌｉｇｈｔ ｔｒａｐｐｉｎｇ）の太陽電池で゛は
結晶シリコン基板の厚さが薄いほど変換効率は高い、従
って太陽電池は薄い基板を用いて製作することが望まし
い。
上記従来技術は太陽電池の受光面にある金属電極及び接
合層を裏面に配置すると密度が高くなり、それらのパタ
ーンはキャリアの集電抵抗及び電極の接触抵抗による損
失を低減する為に極めて高精細となる。この為太陽電池
の製造に当りＬＳＩの製造に用いるフォトリゾグラフ技
術による微細パターンニング工程が必要であり、複雑で
コストの高いプロセスとなっている。
合層を裏面に配置すると密度が高くなり、それらのパタ
ーンはキャリアの集電抵抗及び電極の接触抵抗による損
失を低減する為に極めて高精細となる。この為太陽電池
の製造に当りＬＳＩの製造に用いるフォトリゾグラフ技
術による微細パターンニング工程が必要であり、複雑で
コストの高いプロセスとなっている。
また、結晶シリコン基板を薄くすると、製造工程で割れ
安くなり２００μｍを最小厚さとしていた。
安くなり２００μｍを最小厚さとしていた。
本発明の目的は、上記接触抵抗による損失を更に低減し
、結晶シリコン基板の厚さを所定の値に保ちながら変換
効率の高い太陽電池とその単純な製造方法を提供するこ
とにある。
、結晶シリコン基板の厚さを所定の値に保ちながら変換
効率の高い太陽電池とその単純な製造方法を提供するこ
とにある。
上記目的は、結晶シリコン基板の何れか一方の面に、ｐ
＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝とを交互に近接して
形成し、該ｐ十層からなる複数の溝を一方の端部に設け
た溝に結合して櫛状を成し。
＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝とを交互に近接して
形成し、該ｐ十層からなる複数の溝を一方の端部に設け
た溝に結合して櫛状を成し。
前記ｎ＋層からなる複数の溝を他方の端部に設けた溝に
結合して櫛状を成し、前記各々の溝内に金属を充填して
電極とした太陽電池を提供することにより達成される。
結合して櫛状を成し、前記各々の溝内に金属を充填して
電極とした太陽電池を提供することにより達成される。
上記目的は、前記ｐ＋層がアルミニウムとシリコンの合
金のｐ＋型シリコン再成長層であり、前記ｐ＋層からな
る溝内に充填した金属がアルミニウム・シリコン合金層
であることにより達成される。
金のｐ＋型シリコン再成長層であり、前記ｐ＋層からな
る溝内に充填した金属がアルミニウム・シリコン合金層
であることにより達成される。
上記目的は、前記ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝
の間の結晶シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成す
ることにより達成される。
の間の結晶シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成す
ることにより達成される。
上記目的は、前記近接するｐ＋層からなる溝とｎ＋層か
らなる溝の各々が、６角形の溝方向に対する斜辺を相互
に結合して延長したパターンであることにより達成され
る。
らなる溝の各々が、６角形の溝方向に対する斜辺を相互
に結合して延長したパターンであることにより達成され
る。
上記目的は、結晶シリコン基板の何れか一方の面に、近
接する複数の溝のパターン以外の部分に印刷法によりエ
ツチングレジストを印刷してエツチングにより溝を形成
し、該複数の溝のうち一つ置きに連続して溝の表面にｐ
＋層を形成し、該ｐ＋層からなる溝と溝の間の溝の表面
にｎ＋層を形成し、該ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からな
る溝に印刷法により金属ペーストを印刷し焼付けて電極
を形成することにより達成される。
接する複数の溝のパターン以外の部分に印刷法によりエ
ツチングレジストを印刷してエツチングにより溝を形成
し、該複数の溝のうち一つ置きに連続して溝の表面にｐ
＋層を形成し、該ｐ＋層からなる溝と溝の間の溝の表面
にｎ＋層を形成し、該ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からな
る溝に印刷法により金属ペーストを印刷し焼付けて電極
を形成することにより達成される。
上記構成によれば、結晶シリコン基板の受光面と反対側
の面に、ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝を形成し
、各々の溝内に金属電極を充填したことにより、ｐ＋層
、ｎ＋層と金属電極との接触面積が増大して接触抵抗が
低減され、金属電極の厚みが増したので金属固有抵抗損
失も低減される。
の面に、ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝を形成し
、各々の溝内に金属電極を充填したことにより、ｐ＋層
、ｎ＋層と金属電極との接触面積が増大して接触抵抗が
低減され、金属電極の厚みが増したので金属固有抵抗損
失も低減される。
また、ｐ＋層、ｎ＋層の溝を形成することにより四部と
結晶シリコン基板の受光面との距離が短縮されて変換効
率が向上したにも拘らず結晶シリコン基板の厚みは変わ
らないので必要な強度は保持される。
結晶シリコン基板の受光面との距離が短縮されて変換効
率が向上したにも拘らず結晶シリコン基板の厚みは変わ
らないので必要な強度は保持される。
更に、印刷法とエツチングにより溝を、印刷法により電
極を形成する単純な工程で製造コストを低減出来る。
極を形成する単純な工程で製造コストを低減出来る。
本発明の実施例を図を用いて説明する。
先ず、太陽電池の構成を以下に説明する。
第１ａ図は第１実施例の太陽電池の断面を示したもので
ある。ここでは１対のｐｎ接合を例にとり説明する。Ｐ
半結晶シリコン基板１５の光が入射する反対側の面に２
種類の溝が接近して形成されている。一方はＰ＋型シリ
コン再成長層１１、他方はｎ＋型型温導体層１３らなる
溝で、Ｐ＋型シリコン再成長層１１の溝内にはアルミニ
ウム・シリコン合金層１２を、ｎ＋型型温導体層１３溝
内にはそれと接する銀の金Ｘ電極１４を有する。
ある。ここでは１対のｐｎ接合を例にとり説明する。Ｐ
半結晶シリコン基板１５の光が入射する反対側の面に２
種類の溝が接近して形成されている。一方はＰ＋型シリ
コン再成長層１１、他方はｎ＋型型温導体層１３らなる
溝で、Ｐ＋型シリコン再成長層１１の溝内にはアルミニ
ウム・シリコン合金層１２を、ｎ＋型型温導体層１３溝
内にはそれと接する銀の金Ｘ電極１４を有する。
Ｐ型結晶シリコン基板１５表面のアルミニウム・シリコ
ン合金層１２と金属電極１４の間にシリコン酸化膜１０
が形成されている。
ン合金層１２と金属電極１４の間にシリコン酸化膜１０
が形成されている。
第１ｂ図は上記の太１１ＪＡ電池の光が入射する反対側
の面に形成したアルミニウム・シリコン合金層１２と金
属電極１４の配置パターンを示したものである。アルミ
ニウム・シリコン合金層１２と金属電極１４はそれぞれ
櫛状で一方の櫛の歯の間に他方の櫛の歯を挿入したパタ
ーンを成している。
の面に形成したアルミニウム・シリコン合金層１２と金
属電極１４の配置パターンを示したものである。アルミ
ニウム・シリコン合金層１２と金属電極１４はそれぞれ
櫛状で一方の櫛の歯の間に他方の櫛の歯を挿入したパタ
ーンを成している。
次に太陽電池を構成する各部材の具体的な構造を説明す
る。Ｐ半結晶シリコン基板１５の厚さはほぼ２００μｍ
で上記溝の深さは約５０μｍ１幅は約１００μｍ、配置
ピッチは１５０μｍとなっている。溝の中にあるアルミ
ニウム・シリコン合金層１２と金属電極１４の厚みはそ
れぞれ約４５μｍで、Ｐ＋型シリコン再成長層１１の厚
さは約５μｍ、ｎ＋型型温導体層１３厚さは約０．３５
μｍでシート抵抗が約５０Ω／平方となっている。
る。Ｐ半結晶シリコン基板１５の厚さはほぼ２００μｍ
で上記溝の深さは約５０μｍ１幅は約１００μｍ、配置
ピッチは１５０μｍとなっている。溝の中にあるアルミ
ニウム・シリコン合金層１２と金属電極１４の厚みはそ
れぞれ約４５μｍで、Ｐ＋型シリコン再成長層１１の厚
さは約５μｍ、ｎ＋型型温導体層１３厚さは約０．３５
μｍでシート抵抗が約５０Ω／平方となっている。
また、Ｐ＋型シリコン再成長層１１とｎ＋型型温導体層
１３接合するのを防止しているシリコン酸化［１０の厚
さは約１μｍである。
１３接合するのを防止しているシリコン酸化［１０の厚
さは約１μｍである。
次に高い変換効率で動作する理由を説明する。
Ｐ＋型シリコン再成長層１１とｎ＋型型温導体層１３溝
状に形成しその中に電極となる部材を充填することによ
り、接触面積が増大し接触抵抗による電力損失が低減さ
れるから、実際の出力／理想の出力比で現わされる曲線
因子が高まる。
状に形成しその中に電極となる部材を充填することによ
り、接触面積が増大し接触抵抗による電力損失が低減さ
れるから、実際の出力／理想の出力比で現わされる曲線
因子が高まる。
Ｐ半結晶シリコン基板１５の少数キャリア拡散長は約１
５０μｍであり、Ｐ半結晶シリコン基板１５の素材とし
ての厚さは約２００μｍあるが。
５０μｍであり、Ｐ半結晶シリコン基板１５の素材とし
ての厚さは約２００μｍあるが。
ｎ十型半導体層１３の溝が約５０μｍあり太陽電池とし
て作動する厚さは約１５０μｍで、基盤の素材厚さを薄
くすることなく受光面に近い領域における生成キャリア
の集電効果が向上する。更に、受光面から入射してアル
ミニウム・シリコン合金層１２で反射された光がＰ＋型
シリコン再成長層１１とｎ＋型型温導体層１３接近して
いる場所で吸収される為集電効果が向上する。
て作動する厚さは約１５０μｍで、基盤の素材厚さを薄
くすることなく受光面に近い領域における生成キャリア
の集電効果が向上する。更に、受光面から入射してアル
ミニウム・シリコン合金層１２で反射された光がＰ＋型
シリコン再成長層１１とｎ＋型型温導体層１３接近して
いる場所で吸収される為集電効果が向上する。
次に太陽電池の製造方法を説明する。
Ｐ半結晶シリコン基板１５は加工する前の厚さは約２５
０μｍ、比抵抗１．５Ωｌ、少数キャリア拡散長は約１
５０μｍである。入射した光が乱反射した後吸収されて
キャリアとなるようにＰ半結晶シリコン基板１５の表面
を無反射化する為の凹凸処理としてアルカリエツチング
を行い、その結束厚さは約２００μｍとなる。Ｐ半結晶
シリコン基板１５の両面を湿式酸化法により約１μｍの
酸化膜を形成する。この後一方の面に溝を形成する為、
第１ｂ図に示す２つの櫛型パターンのピッチ１５０μｍ
で線幅約１００μｍを残しそれ以外の部分にエツチング
レジストを印刷法により塗布する。受光面となる他方の
面はエツチングをしないので同様にエツチングレジスト
を塗布する。レジストを塗布したＰ半結晶シリコン基板
１５をＨＦ／ＨＮ○、系エツチング液に１分浸漬してエ
ツチングし、エツチング後エツチングレジストを除去し
てピッチ１５０μｍで線幅約１００μｍ、深さ５０μｍ
の溝が得られる。Ｐ半結晶シリコン基板１５の溝の外に
形成しであるシリコン酸化膜１０と一方の溝をマスクし
て燐拡散を行い他の溝部に厚さ約０．３５μｍのｎ＋型
型温導体層１３形成する。一方の溝にアルミニウムを含
む印刷用ペーストを厚さ約５０μｍ印刷し、その後アル
ミニウムとシリコンが高温で反応してｐ＋になる再成長
反応を利用し７５０℃の窒素雰囲気中で１０分間加熱し
、厚さ約５μｍのＰ＋型シリコン再成長層１１とこれに
接する厚さ約４５μｍのアルミニウム・シリコン合金層
１２を形成する。他方のｎ＋型型温導体層１３ら成る溝
に銀を含む銀ペーストを厚さ約５０μｍ印刷し、６００
℃の窒素雰囲気中で１分間加熱し、厚さ約４５μｍの金
属電極１４を形成する。このようにして製造された太陽
電池の変換効率は、従来の受光面に接合層及び金属電極
を持たない太陽電池に比べ大幅に向上した。
０μｍ、比抵抗１．５Ωｌ、少数キャリア拡散長は約１
５０μｍである。入射した光が乱反射した後吸収されて
キャリアとなるようにＰ半結晶シリコン基板１５の表面
を無反射化する為の凹凸処理としてアルカリエツチング
を行い、その結束厚さは約２００μｍとなる。Ｐ半結晶
シリコン基板１５の両面を湿式酸化法により約１μｍの
酸化膜を形成する。この後一方の面に溝を形成する為、
第１ｂ図に示す２つの櫛型パターンのピッチ１５０μｍ
で線幅約１００μｍを残しそれ以外の部分にエツチング
レジストを印刷法により塗布する。受光面となる他方の
面はエツチングをしないので同様にエツチングレジスト
を塗布する。レジストを塗布したＰ半結晶シリコン基板
１５をＨＦ／ＨＮ○、系エツチング液に１分浸漬してエ
ツチングし、エツチング後エツチングレジストを除去し
てピッチ１５０μｍで線幅約１００μｍ、深さ５０μｍ
の溝が得られる。Ｐ半結晶シリコン基板１５の溝の外に
形成しであるシリコン酸化膜１０と一方の溝をマスクし
て燐拡散を行い他の溝部に厚さ約０．３５μｍのｎ＋型
型温導体層１３形成する。一方の溝にアルミニウムを含
む印刷用ペーストを厚さ約５０μｍ印刷し、その後アル
ミニウムとシリコンが高温で反応してｐ＋になる再成長
反応を利用し７５０℃の窒素雰囲気中で１０分間加熱し
、厚さ約５μｍのＰ＋型シリコン再成長層１１とこれに
接する厚さ約４５μｍのアルミニウム・シリコン合金層
１２を形成する。他方のｎ＋型型温導体層１３ら成る溝
に銀を含む銀ペーストを厚さ約５０μｍ印刷し、６００
℃の窒素雰囲気中で１分間加熱し、厚さ約４５μｍの金
属電極１４を形成する。このようにして製造された太陽
電池の変換効率は、従来の受光面に接合層及び金属電極
を持たない太陽電池に比べ大幅に向上した。
第２ａ図は本発明の第２実施例の太陽電池の断面を示し
たものである。この太陽電池２は第２ｂ図に示す電流パ
ス部となる六角網目パターンの二辺が接続した凸部１６
に囲まれた凹部１７からなるＰ型結晶シリコン基板１５
と前記凹部内に相互に近接して形成したｐ＋＋シリコン
再成長層１１とｎ＋型型温導体層１３それらと接触する
アルミニウム・シリコン合金層１２と金属電極１４を有
する。また、凸部表面にシリコン酸化膜１０を有する。
たものである。この太陽電池２は第２ｂ図に示す電流パ
ス部となる六角網目パターンの二辺が接続した凸部１６
に囲まれた凹部１７からなるＰ型結晶シリコン基板１５
と前記凹部内に相互に近接して形成したｐ＋＋シリコン
再成長層１１とｎ＋型型温導体層１３それらと接触する
アルミニウム・シリコン合金層１２と金属電極１４を有
する。また、凸部表面にシリコン酸化膜１０を有する。
太陽電池２において、Ｐ型結晶シリコン基板１５は厚さ
がほぼ２００μｍとなっている。凸部１６は幅がほぼ１
００μｍ、次の凸部迄のピッチが６１ｍ１．高さがほぼ
５０μｍとなっている。凸部１６に囲まれた凹部１７は
、厚さがほぼ１５０μｍと薄くなっている。ｐ＋＋シリ
コン再成長層１１の厚さは約５μｍ、ｎ＋型型温導体層
１３厚さは約０．３５μｍでシート抵抗が約５００／平
方となっている。溝の中にあるアルミニウム・シリコン
合金層１２と金属電極１４の厚みはそれぞれ約４５μｍ
で、また、ｐ＋＋シリコン再成長層１１とｎ＋型型温導
体層１３接合するのを防止しているシリコン酸化膜１０
の厚さは約１μｍである。
がほぼ２００μｍとなっている。凸部１６は幅がほぼ１
００μｍ、次の凸部迄のピッチが６１ｍ１．高さがほぼ
５０μｍとなっている。凸部１６に囲まれた凹部１７は
、厚さがほぼ１５０μｍと薄くなっている。ｐ＋＋シリ
コン再成長層１１の厚さは約５μｍ、ｎ＋型型温導体層
１３厚さは約０．３５μｍでシート抵抗が約５００／平
方となっている。溝の中にあるアルミニウム・シリコン
合金層１２と金属電極１４の厚みはそれぞれ約４５μｍ
で、また、ｐ＋＋シリコン再成長層１１とｎ＋型型温導
体層１３接合するのを防止しているシリコン酸化膜１０
の厚さは約１μｍである。
第２実施例の構造では凸部１６のピッチが広いので機械
的強度を高める補強効果が有り、第１実施例の太陽電池
１に比べ製造工程におけるＰ型結晶シリコン基板１５の
割れが極めて少なかった。
的強度を高める補強効果が有り、第１実施例の太陽電池
１に比べ製造工程におけるＰ型結晶シリコン基板１５の
割れが極めて少なかった。
本実施例では、Ｐ型結晶シリコン基板を用いたがこれに
限定されるものでなく、Ｎ型結晶シリコン基板を用いて
も同様の効果が得られる。
限定されるものでなく、Ｎ型結晶シリコン基板を用いて
も同様の効果が得られる。
本発明によれば、結晶シリコン基板の、受光面と反対側
の面に、ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝を形成し
、各々の溝内に金属を充填して電極とすることにより、
抵抗損失を低減することが出来るので高い変換効率を有
する太陽電池が得られ。
の面に、ｐ＋層からなる溝とｎ＋層からなる溝を形成し
、各々の溝内に金属を充填して電極とすることにより、
抵抗損失を低減することが出来るので高い変換効率を有
する太陽電池が得られ。
更に、印刷法とエツチングによる工程で上記溝を、印刷
法により電極を形成するので、単純な製造工程により製
造コストを低減出来る効果が得られる。
法により電極を形成するので、単純な製造工程により製
造コストを低減出来る効果が得られる。
第１ａ図は本発明の第１実施例に係る太陽電池の縦断面
図、第１ｂ図は本発明の第１実施例に係る結晶シリコン
基板の受光面と反対側の面に形成した溝のパターンを示
す正面図、第２ａ図は本発明の第２実施例に係る太陽電
池の縦断面図、第２ｂ図は本発明の第２実施例に係る結
晶シリコン基板の受光面と反対側の面に形成した溝のパ
ターンを示す正面図である。 １・・・太陽電池、２・・・太陽電池、１１・・・ｐ＋
＋シリコン再成長層、 １２・・・アルミニウム・シリコン合金層、１３・・・
ｎ＋＋半導体層、１４・・・金属電極、１５・・・Ｐ型
結晶シリコン基板、 １６・・・凸部。 １７・・・四部
図、第１ｂ図は本発明の第１実施例に係る結晶シリコン
基板の受光面と反対側の面に形成した溝のパターンを示
す正面図、第２ａ図は本発明の第２実施例に係る太陽電
池の縦断面図、第２ｂ図は本発明の第２実施例に係る結
晶シリコン基板の受光面と反対側の面に形成した溝のパ
ターンを示す正面図である。 １・・・太陽電池、２・・・太陽電池、１１・・・ｐ＋
＋シリコン再成長層、 １２・・・アルミニウム・シリコン合金層、１３・・・
ｎ＋＋半導体層、１４・・・金属電極、１５・・・Ｐ型
結晶シリコン基板、 １６・・・凸部。 １７・・・四部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、結晶シリコン基板の何れか一方の面に、ｐ＾＋層か
らなる溝とｎ＾＋層からなる溝とを交互に近接して形成
し、該ｐ＾＋層からなる複数の溝を一方の端部に設けた
溝に結合して櫛状を成し、前記ｎ＾＋層からなる複数の
溝を他方の端部に設けた溝に結合して櫛状を成し、前記
各々の溝内に金属を充填して電極としたことを特徴とす
る太陽電池。 ２、前記ｐ＾＋層がアルミニウムとシリコンの合金のｐ
＾＋型シリコン再成長層であり、前記ｐ＾＋層からなる
溝内に充填した金属がアルミニウム・シリコン合金層で
あることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 ３、前記ｐ＾＋層からなる溝とｎ＾＋層からなる溝の間
の結晶シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成したこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の太陽電池
。 ４、前記近接するｐ＾＋層からなる溝とｎ＾＋層からな
る溝の各々が、６角形の溝方向に対する斜辺を相互に結
合して延長したパターンであることを特徴とする請求項
１、請求項２、請求項３のうち何れかに記載の太陽電池
。 ５、結晶シリコン基板の何れか一方の面に、近接する複
数の溝のパターン以外の部分に印刷法によりエッチング
レジストを印刷しエッチングにより溝を形成し、該複数
の溝のうち一つ置きに連続して溝の表面にｐ＾＋層を形
成し、該ｐ＾＋層からなる溝と溝の間の溝の表面にｎ＾
＋層を形成し、該ｐ＾＋層からなる溝とｎ＾＋層からな
る溝に印刷法により金属ペーストを印刷し焼付けて電極
を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305632A JPH0682854B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305632A JPH0682854B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165578A true JPH03165578A (ja) | 1991-07-17 |
| JPH0682854B2 JPH0682854B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=17947468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305632A Expired - Fee Related JPH0682854B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682854B2 (ja) |
Cited By (18)
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-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305632A patent/JPH0682854B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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