JP2017028278A - 太陽電池及び太陽電池モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、太陽電池と太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】本発明の一例に係る太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の背面に形成されるエミッタ部と背面電界部、エミッタ部に接続される第１電極、背面電界部に接続される第２電極を含み、第１電極の線幅は、第１方向に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、第２電極の線幅は、第１方向に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、第１電極の線幅と第２電極の線幅は、第１方向に交差する第２方向線上の離隔された２地点で互いに異なるように形成される。【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池及び太陽電池モジュールに関する。
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり。これにより、太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
一般的な太陽電池は、ｐ型とｎ型のように、互いに異なる導電型（conductive type）によってｐ−ｎ接合を形成する半導体部、そして互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
このような太陽電池に光が入射されれば半導体部で複数の電子―正孔対が生成され、生成された電子―正孔対は電荷である電子と正孔にそれぞれ分離され、電子はｎ型の半導体部の方向に移動し正孔はｐ型の半導体部の方向に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれｎ型の半導体部とｐ型の半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続することにより電力を得る。
このような太陽電池は、複数個がインターコネクタによって互に接続されてモジュールに形成することができる。
本発明の目的は、太陽電池と太陽電池モジュールを提供することにある。
本発明の一例に係る太陽電池は、第１導電型の不純物がドーピングされた半導体基板と、第１導電型と反対の第２導電型の不純物がドーピングされ、第１方向に長く伸びたエミッタ部と、半導体基板より第１導電型の不純物を高濃度にドーピングされ、エミッタ部と並行するように第１方向に長く伸びた背面電界部と、エミッタ部に電気的に接続されて第１方向に長く伸びた第１電極と、背面電界部に電気的に接続されて第１方向に長く伸びた第２電極とを含み、第１電極の線幅は、第１方向に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、第２電極の線幅は、第１方向に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、第１電極の線幅と第２電極の線幅は、第１方向に交差する第２方向線上の離隔された２地点で互いに異なる。
ここで、第１電極は、第１方向に進行することにより、第１最大線幅を有する部分と、第１最大線幅より小さい第１最小線幅を有する部分が繰り返し形成され、第２電極は、第１方向に進行することにより、第２最大線幅を有する部分と第２最大線幅より小さい第２最小線幅を有する部分が繰り返し形成され、第１電極の線幅は、第１最小線幅と第１最大線幅の間で漸進的に増加するか減少し、第２電極の線幅は、第２最小線幅と第２最大線幅の間で漸進的に増加するか減少することができる。
さらに具体的には、第１電極が第１最大線幅を有する部分と第２電極が第２最小線幅を有する部分は、第１方向と交差する第２方向に同じライン線上に位置し、第１電極が第１最小線幅を有する部分と第２電極が第２最大線幅を有する部分は、第２方向に同一のライン線上に位置することができる。
さらに、第１電極の線幅が第１最小線幅から第１最大線幅まで増加するとき、第１電極の線幅が増加する角は、第１方向に基づいて、５°〜８５°の間で有り得る。
また、第２電極の線幅が第２最小線幅から第２最大線幅まで増加するとき、第２電極の線幅が増加する角は、第１方向に基づいて、５°〜８５°の間で有り得る。
ここで、第２電極の線幅が増加する角は、第１電極の線幅が増加する角より小さいか同じく、第１最大線幅は、第２最大線幅より大きく、第１最小線幅は、第２最小線幅と同じか、さらに大きくなることがある。
さらに、第１電極の平均線幅は、第２電極の平均線幅より大きく、第２電極の平均線幅対比、第１電極の平均線幅の割合は、１：１．５〜３で有り得る。
また、第１電極から第１最小線幅対比、第１最大線幅の割合は、１：２〜１０であり、第２電極から第２最小線幅対比の第２最大線幅の割合は、１：２〜８で有り得る。
また、エミッタ部と背面電界部のそれぞれは、第１方向に進行することにより、線幅が均一であるストライプ形状で有り得る。
また、エミッタ部と背面電界部の内、いずれか１つの平均線幅は、残りの１つの平均線幅より大きくすることができる。
また、エミッタ部と背面電界部のそれぞれの線幅は、第１方向に進行することにより、漸進的に繰り返し変化することができる。
ここで、エミッタ部は、第１電極が第１最大線幅を有する部分で最大線幅を有し、第１電極が第１最小線幅を有する部分で最小線幅を有し、背面電界部は第２電極が第２最大線幅を有する部分で最大線幅を有し、第２電極が第２最小線幅を有する部分で最小線幅を有することがある。
また、本発明の一例に係る太陽電池モジュールは、半導体基板、及び半導体基板の背面に第１方向に長く伸びて形成された複数の第１、第２電極を含む複数の太陽電池と、複数の太陽電池の内、互いに隣接する２つの太陽電池の内、いずれか１つの第１太陽電池に備えられた複数の第１電極と電気的に接続され、第１方向と交差する第２方向に長く伸びている複数の第１導電性配線と、残りの１つの第２太陽電池に備えられた複数の第２電極と電気的に接続され、第２方向に長く伸びている複数の第２導電性配線とを含み、第１電極の線幅は、第１電極の第１方向線上の内、第１導電性配線と交差する地点と第２導電性配線と交差する地点で互いに異なるように形成され、第２電極の線幅は、第２電極の第１方向線上に位置する第１導電性配線と交差する地点と第２導電性配線と交差する地点で互いに異なるように形成され、第２方向に沿って、第１導電性配線や第２導電性配線と交差する地点で、第１電極の線幅と第２電極の線幅が互いに異なる。
ここで、第１電極の線幅は、第１電極の第１方向線上の内、第１導電性配線と交差して電気的に接続される地点で最大線幅を有し、第２導電性配線と交差し、絶縁される地点で最小線幅を有し、第２電極の線幅は、第２電極の第１方向線上の内、第１導電性配線と交差し、絶縁される地点で、最小線幅を有し、第２導電性配線と交差して電気的に接続される地点で最大線幅を有することがある。
ここで、第２電極の最小線幅対比、第１電極の最大線幅の割合は、１：２〜１０であり、第１電極の最小線幅対比、第２電極の最大線幅の割合は、１：２〜８で有り得る。
また、第２電極の最小線幅対比、第１電極の最大線幅の割合は、第１電極の最小線幅対比、第２電極の最大線幅の割合と互いに異なることがある。
さらに、第１、第２電極のそれぞれは、最大線幅と最小線幅の間で線幅が漸進的に増加するか減少することができる。
また、複数の太陽電池は、第１導電型を有する半導体基板と反対の第２導電型の不純物がドーピングされ、第１方向に長く伸びたエミッタ部と半導体基板より第１導電型の不純物が高濃度にドーピングされ、エミッタ部と並行するように第１方向に長く伸びた背面電界部とを備え、エミッタ部に接続される第１電極の最大線幅は、背面電界部に接続される第２電極の最大線幅より大きくなることがある。
ここで、背面電界部に接続される第２電極の最小線幅は、エミッタ部に接続される第１電極の最小線幅より小さいことがある。
また、エミッタ部に接続される第１電極の平均線幅は、背面電界部に接続される第２電極の平均線幅より大きくなることができる。
また、第１電極は、第１導電性配線との間に導電性接着剤を介して電気的に接続され、第２導電性配線との間には絶縁層によって絶縁され、第２電極は、第２導電性配線との間に導電性接着剤を介して電気的に接続され、第１導電性配線との間は絶縁層によって絶縁することができる。
併せて、エミッタ部の線幅と背面電界部の線幅は、第１方向に沿って均一したり、エミッタ部の線幅と背面電界部の線幅は、第１方向に沿って、第１、第２電極の線幅の変化に対応して増加するか減少することがある。
また、第１太陽電池に接続された複数の第１導電性配線と第２太陽電池に接続された複数の第２導電性配線は、互いに重畳されて接続されたり一体に形成することができる。
しかし、これと違って、第１太陽電池に接続された複数の第１導電性配線と第２太陽電池に接続された複数の第２導電性配線は、第１、第２太陽電池との間で第１方向に長く伸びたインターコネクタに共通に接続されることもできる。
本発明の太陽電池は、各電極のパターンが最大線幅と最小線幅の間で繰り返し変化するように形成することにより、各電極の長さ方向への直列抵抗をさらに減少させることができる。
さらに、本発明に係る太陽電池モジュールは、このような太陽電池に複数の導電性配線を各電極に接続させるが、各電極の最大線幅を有する部分で接続されるようにすることで、電極と導電性配線との間の接触抵抗をさらに減少させることができる。
本発明の一例に係る太陽電池モジュールに適用されるストリングを背面から見た形状である。 図１に適用される太陽電池の一例を示す一部斜視図である。 図２に示された太陽電池の第２方向の断面を示したものである。 図２及び図３に示された半導体基板の背面に配置されたエミッタ部と背面電界部及び第１、第２電極の全体的なパターンの一例を説明するための図である。 図１においてＣＳｘ１−ＣＳｘ１ラインに沿った断面図を示すものである。 本発明の一例に係る太陽電池においてエミッタ部と背面電界部パターンと、第１、第２電極のパターンの一例について、さらに具体的に説明するための図である。 本発明の一例に係る太陽電池において第１、第２電極パターンの他の一例を説明するための図である。 本発明の一例に係る太陽電池においてエミッタ部と背面電界部のパターンの他の一例を説明するための図である。 図６の変更例として、第１、第２電極が第１、第２導電性配線のそれぞれと重畳される部分で第１、第２電極の各線幅が一定の場合を説明するための図である。
以下では、添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、さまざまな異なる形で実現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分には 類似の符号を付与した。
図面で複数の層と領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上に”あるとする時、これは他の部分“真上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆にどの部分が他の部分“真上に”あるとするときは、中間に他の部分がないことを意味する。また、どの部分が他の部分の上に“全体的”に形成されているとするときは、他の部分の全体面に形成されているものだけでなく、端の一部には形成されないことを意味する。
以下で、前面とは、直射光が入射される半導体基板の一面で有り得、背面とは、直射光が入射されないか、直射光ではなく、反射光が入射することができる半導体基板の反対面で有り得る。
図１〜図６は、本発明に係る太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
ここで、図１は、本発明の一例に係る太陽電池モジュールに適用されるストリングを背面から見た形状であり、図２は図１に適用される太陽電池の一例を示す一部斜視図であり、図３は図２に示された太陽電池の第２方向（ｙ）の断面を示したものである。
図１に示すように、本発明に係る太陽電池モジュールは、背面に形成された複数の第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が形成された複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれの背面に形成された複数の第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に接続される複数の第１導電性配線（ＣＷ１）と、複数の第２導電性配線（ＣＷ２）、及び複数の第１、２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）に接続され、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）を直列接続するセル間コネクタ（ＩＣ）を含む。
ここで、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれは、少なくとも半導体基板１１０と半導体基板１１０の背面に互いに離隔され、第１方向（ｘ）に長く伸びて形成される複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）を備える。
さらに、複数の導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）は、複数の太陽電池の内、互いに隣接する２つの太陽電池の内、いずれか１つの太陽電池に備えられた複数の第１電極（Ｃ１４１）と、残りの１つの太陽電池に備えられた複数の第２電極（Ｃ１４２）を互いに電気的に直列に接続することができる。
そのために、複数の導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）は、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向の第１方向（ｘ）と交差する第２方向（ｙ）に長く伸び、複数の太陽電池のそれぞれに接続することができる。
一例として、複数の導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）は、第１導電性配線（ＣＷ１）と第２導電性配線（ＣＷ２）を含むことができ、図１に示すように、第１導電性配線（ＣＷ１）は、各太陽電池に備えられた第１電極（Ｃ１４１）に導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層（ＩＬ）によって第２電極（Ｃ１４２）と絶縁することができる。
さらに、第２導電性配線（ＣＷ２）は、各太陽電池に備えられた第２電極（Ｃ１４２）に導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層（ＩＬ）によって第１電極（Ｃ１４１）と絶縁することができる。
このような複数の第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）は、断面が円形を有する導電性ワイヤの形態であるか、幅が厚さより大きいリボンの形を有することがある。
一例として、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）がリボンの形を有する場合、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれの幅は０．５ｍｍ〜２．５ｍｍの間で形成されることがあり、厚さは０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの間で形成されることがある。
併せて、このような第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれは、複数の太陽電池との間に第１方向（ｘ）に長く伸びて配置されるセル間コネクタ（ＩＣ）に接続することができる。これにより、複数の太陽電池は、第２方向（ｙ）に互いに直列接続することができる。
また、図１においては、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれの数が１０個である場合を一例として示したが、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれの個数は、それぞれの直列抵抗と接触抵抗及び各太陽電池のフィルファクター（ＦＦ）を考慮して、１０個から２０個の間に形成することができる。
さらに、図１には、具体的に示されていないが、導電性配線との接触抵抗及び第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の直列抵抗（luｍped resistance）を下げるために、第１、第２電極（Ｃ１４１ 、Ｃ１４２）のそれぞれの線幅は、長さ方向に進行することにより、変化することができる。
さらに具体的には、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、第１方向（ｘ）に離隔された２地点で異なる形成され、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第１方向（ｘ）に離隔された２地点で異なる形成され、第１方向（ｘ）に交差する第２方向（ｙ）に離隔された２地点で、第１電極（Ｃ１４１）の線幅と第２電極（Ｃ１４２）の線幅が異なるすることができる。これについてより詳細な説明は後述する。
さらに、本発明の一例に係る太陽電池モジュールにおいては、セル間コネクタ（ＩＣ）が含まれている場合を一例として示し、これについて説明しているが、セル間コネクタ（ＩＣ）は、省略されることもあり、このようにセル間コネクタ（ＩＣ）が省略された場合には、第１導電性配線（ＣＷ１）と第２導電性配線（ＣＷ２）が互いに重畳され接続されたり一体に形成されて、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）を直列接続することもできる。
ここで、複数の太陽電池のそれぞれについて、さらに具体的に説明すると、次の通りである。
図２及び図３に示すように、本発明に係る太陽電池の一例は、反射防止膜１３０、半導体基板１１０、トンネル層１８０、エミッタ部１２１、背面電界部（１７２、back surface field、ＢＳＦ）、真性半導体層１５０、パッシベーション層１９０、第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）を備えることができる。
ここで、反射防止膜１３０、真性半導体層１５０、トンネル層１８０及びパッシベーション層１９０は省略されることもあるが、備えられた場合、太陽電池の効率がさらに向上されるため、以下では、備えられた場合を一例として説明する。
半導体基板１１０は、第１導電型の不純物を含有する単結晶シリコン、多結晶シリコンの内、少なくともいずれか１つで形成することができる。一例として、半導体基板１１０は、単結晶シリコンウエハに形成することができる。
ここで、第１導電型は、ｎ型またはｐ型導電型の内いずれか１つで有り得る。
半導体基板１１０がｐ型の導電型を有する場合、ホウ素（Ｂ）、ガリウム、インジウムのような３価元素の不純物が半導体基板１１０にドーピング（doping）される。しかし、半導体基板１１０がｎ型の導電型を有する場合、リン（P）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物が半導体基板１１０にドーピングすることができる。
以下では、このような半導体基板１１０の第１導電型がｎ型である場合を一例に説明する。
このような半導体基板１１０の前面に複数の凹凸面を有することができる。これにより、半導体基板１１０の前面上に位置したエミッタ部１２１もまた凹凸面を有することができる。
このために、半導体基板１１０の前面から反射される光の量が減少して半導体基板１１０の内部に入射される光の量が増加することができる。
反射防止膜１３０は、外部から半導体基板１１０の前面に入射される光の反射を最小化するために、半導体基板１１０の前面の上に位置し、アルミニウム酸化膜（aluｍinuｍ oxide：ＡｌＯｘ）、シリコン窒化膜（silicon nitride：ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）とシリコン酸化窒化膜（silicon oxynitride：ＳｉＯｘＮｙ）の内、少なくとも１つで形成することができる。
トンネル層１８０は、半導体基板１１０の背面全体に直接接触して配置され、誘電体材質を含むことができる。したがって、トンネル層１８０は、図２及び図３に示すように、半導体基板１１０で生成されるキャリアを通過させることができる。
このようなトンネル層１８０は、半導体基板１１０で生成されたキャリアを通過させ、半導体基板１１０の背面のパッシベーションの機能を実行することができる。
さらに、トンネル層１８０は、６００℃以上の高温工程にも耐久性が強いＳｉＣｘまたはＳｉＯｘで形成される誘電体材質で形成することができる。しかし、この他にもシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、水素化されたＳｉＮｘ、アルミニウム酸化膜（ＡｌＯｘ）、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）または水素化されたＳｉＯＮで形成が可能であり、このようなトンネル層１８０の厚さ（Ｔ１８０）は、０．５ｎｍ〜２．５ｎｍの間で形成されることができる。
エミッタ部１２１は、半導体基板１１０の背面に配置され、一例として、トンネル層１８０の背面の一部に直接接触して、複数個が第１方向（ｘ）に長く配置され、第１導電型と反対の第２導電型を有する多結晶シリコン材質で形成することができ、エミッタ部１２１は、トンネル層１８０を間に置いて、半導体基板１１０とｐ−ｎ接合を形成することができる。
各エミッタ部１２１は、半導体基板１１０とｐ−ｎ接合を形成するので、エミッタ部１２１は、ｐ型の導電型を有することができる。
しかし、本発明の一例とは異なり、半導体基板１１０がｐ型の導電型を有する場合、エミッタ部１２１は、ｎ型の導電型を有することができる。
複数のエミッタ部１２１がｐ型の導電型を有する場合エミッタ部１２１には、３価元素の不純物がドーピングされることがあり、逆に複数のエミッタ部１２１がｎ型の導電型を有する場合、エミッタ部１２１には、５価元素の不純物がドーピングされることができる。
背面電界部１７２は、半導体基板１１０の背面に配置され、一例として、トンネル層１８０の背面の中で、前述した複数のエミッタ部１２１のそれぞれと離隔された一部の領域に直接接触して、複数個がエミッタ部１２１と並行するような第１方向（ｘ）に長く位置するように形成することができる。
このような背面電界部１７２は、第１導電型の不純物が半導体基板１１０より高濃度にドーピングされる多結晶シリコン材質で形成することができる。したがって、例えば、基板がｎ型タイプの不純物でドーピングされる場合、複数の背面電界部１７２は、ｎ＋の不純物領域で有り得る。
このような背面電界部１７２は、半導体基板１１０と背面電界部１７２との不純物濃度の差に因する電位障壁によって、電子の移動方向である背面電界部１７２の方向に正孔移動を妨害する一方、背面電界部１７２の方向にキャリア（例えば、電子）の移動を容易にすることができる。
したがって、背面電界部１７２とその付近又は第１及び第２電極（１４１、１４２）で、電子と正孔の再結合に損実する電荷の量を減少させ、電子の移動を加速化させ、背面電界部１７２への電子移動量を増加させることができる。
ここでの図２及び図３においては、エミッタ部１２１と背面電界部１７２がトンネル層の背面に多結晶シリコン材質で形成された場合を一例として説明したが、これと違って、トンネル層が省略された場合、エミッタ部１２１と背面電界部１７２は、半導体基板１１０の背面内に不純物が拡散されてドーピングすることもある。このような場合、エミッタ部１２１と背面電界部１７２は、半導体基板１１０と同じ単結晶シリコン材質で形成することもできる。
さらに、図２及び図３に示すように、エミッタ部１２１の平均線幅は、背面電界部１７２の平均線幅より大きく形成することができる。このようにエミッタ部１２１の平均線幅を背面電極の平均線幅より大きく形成することにより、エミッタ部１２１に移動される正孔の移動量をさらに増加させることができる。
真性半導体層１５０は、エミッタ部１２１と背面電界部１７２との間に露出したトンネル層の背面に直接接触して形成されることがあり、このような真性半導体層１５０は、エミッタ部１２１と背面電界部１７２と異なるように第１導電型の不純物または第２導電型の不純物がドーピングされていない真性多結晶シリコン層で形成することができる。
したがって、このような真性半導体層１５０の形成方法は、第１、第２導電型の不純物がドーピングされること除外し、先のエミッタ部１２１や背面電界部１７２の形成方法と同じに形成されることがあり、エミッタ部１２１と背面電界部１７２が形成されるときに一緒に形成することができる。
したがって、真性半導体層１５０は、トンネル層１８０の背面の内でエミッタ部１２１と背面電界部１７２との間の離隔された空間に形成されるが、図２及び図３に示すようように、真性半導体層１５０の両側面のそれぞれは、エミッタ部１２１の側面と背面電界部１７２の側面に直接接触する構造を有することができる。
パッシベーション層１９０は、背面電界部１７２、真性半導体層１５０及びエミッタ部１２１に形成される多結晶シリコン材質の層の背面に形成されたデングルリングボンド（dangling bond）による欠陥を除去して、半導体基板１１０から生成されたキャリアがデングルリングボンド（dangling bond）によって再結合されて消滅することを防止する役割をすることができる。
このために、パッシベーション層１９０は、真性半導体層１５０の背面を完全に覆って、エミッタ部１２１の背面の内、第１電極（Ｃ１４１）が接続された部分を除外した残りの部分を覆って、背面電界部１７２の背面の内、第２電極（Ｃ１４２）が接続された部分を除外した残りの部分を覆うように形成することができる。
このようなパッシベーション層１９０は、誘電体層に形成されることがあり、例えば、水素化されたシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ：Ｈ）、水素化されたシリコン窒化酸化膜（ＳｉＮｘＯｙ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ：Ｈ）、水素化された非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の内、少なくともいずれか１つで形成することができる。
第１電極（Ｃ１４１）は、エミッタ部１２１または背面電界部１７２の内、いずれか１つに接続し、第１方向（ｘ）に長く伸びて形成することができる。一例として、第１電極（Ｃ１４１）は、エミッタ部１２１に重畳して接続され、エミッタ部１２１方向に移動したキャリア、例えば、正孔を収集することができる。
第２電極（Ｃ１４２）は、エミッタ部１２１または背面電界部１７２の内、残りの１つに接続し、第１電極（Ｃ１４１）と並行するように第１方向（ｘ）に長く伸びて形成されることができる。一例として、第２電極（Ｃ１４２）は、背面電界部１７２に重畳して接続されて、背面電界部１７２方向に移動したキャリア、例えば、電子を収集することができる。
このような複数の第１及び第２電極（１４１、１４２）は、導電性金属材質で形成することができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つの導電性物質からなることもあり、これと違って、透明導電性金属、例えば、ＴＣＯを含みから形成することもできる。
ここで、図２及び図３には示されてなかったが、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、第１方向（ｘ）に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第１方向（ｘ）に離隔された２地点で互いに異なるように形成することができる。
さらに、第１方向（ｘ）に交差する第２方向（ｙ）に離隔された２地点で並行するように形成された第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）の線幅が互いに異なることがある。
これに対して、半導体基板１１０の第１導電型がｎ型であり、第１電極（Ｃ１４１）がエミッタ部１２１に接続され、第２電極（Ｃ１４２）が背面電界部１７２に接続された場合を一例として説明する。
このような本発明の第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のパターンについて、さらに具体的には、次の、図４を参照して説明すると、次の通りである。
図４は、図２及び図３に示された半導体基板１１０の背面に配置されたエミッタ部１２１と背面電界部１７２及び第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の全体的なパターンの一例を説明するための図である。
図４においては、理解の便宜のために、半導体基板１１０の背面に配置されるパッシベーション層の図示は省略した。
図４に示すように、エミッタ部１２１と背面電界部１７２のそれぞれは、第１方向（ｘ）に長く伸びて半導体基板１１０の背面に形成されることがあり、第１電極（Ｃ１４１）は、エミッタ部１２１上に重畳されて第１方向（ｘ）に長く伸びて形成され、第２電極（Ｃ１４２）は、背面電界部１７２上に重畳されて第１方向（ｘ）に長く伸びて形成することができる。
ここで、エミッタ部１２１の線幅（ＷＡ１２１）と背面電界部１７２の線幅（ＷＡ１７２）は、第１方向（ｘ）に進行することにより、均一に形成することができる。すなわち、エミッタ部１２１と背面電界部１７２のそれぞれの線幅（ＷＡ１２１、ＷＡ１７２）は、第１方向（ｘ）に進行することにより変化せずに同一に形成することができる。
ここで、エミッタ部１２１の平均線幅（ＷＡ１２１）は、正孔の移動量をさらに増加させるために、背面電界部１７２の平均線幅（ＷＡ１７２）より大きく形成することができる。
併せて、図４に示すように、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、第１方向（ｘ）に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第１方向（ｘ）に離隔された２地点で互いに異なるように形成することができる。
一例として、第1、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれは、第１方向（ｘ）に進行することにより、最大線幅（ＷＥ１、ＷＥ２）を有する部分と、最大線幅より小さい最小線幅（ＮＥ１、ＮＥ２）を有する部分が繰り返し形成することができる。
さらに具体的には、第１電極（Ｃ１４１）は、第１方向（ｘ）に進行することにより、第１、最大線幅（ＷＥ１）を有する部分と、第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分が繰り返し形成されるすることができる。
さらに、第２電極（Ｃ１４２）は、第１方向（ｘ）に進行することにより、第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分と第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分が繰り返し形成することができる。
ここで、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、第１最小線幅（ＮＥ１）と第１最大線幅（ＷＥ１）との間で漸進的に増加するか減少し、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第２最小線幅（ＮＥ２）と第２最大線幅（ＷＥ２）の間で漸進的に増するか減少することができる。
さらに、第１電極（Ｃ１４１）の線幅と第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第1、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）と交差する第２方向（ｙ）に配置されて、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）が電気的に接続されたり、絶縁される点を考慮して、第２方向（ｙ）線上の離隔された２地点で互いに異なるようにすることができる。
第１、 第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が、このようなパターンを有する場合に、第１第２、 導電性配線（ＣＷ１）は、第１電極（Ｃ１４１）が第１最大線幅（ＷＥ１）を有する部分と電気的に接続され、第２電極（Ｃ１４２）が第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分と絶縁することができる。
さらに、第２導電性配線（ＣＷ２）は、第２電極（Ｃ１４２）が第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分と電気的に接続され、第１電極（Ｃ１４１）が第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分と絶縁することができる。
これにより、第１導電性配線（ＣＷ１）と、第１電極（Ｃ１４１）との間の接触抵抗及び第２導電性配線（ＣＷ２）と第２電極（Ｃ１４２）との間の接触抵抗をより向上させることができ、第１導電性配線（ＣＷ１）と第２電極（Ｃ１４２）との間の絶縁及び第２導電性配線（ＣＷ２）と、第１電極（Ｃ１４１）との間の絶縁をより容易にすることができる。
さらに、相対的に正孔の移動量を考慮して、エミッタ部１２１に接続される第１電極（Ｃ１４１）の平均線幅は、背面電界部１７２に接続される第２電極（Ｃ１４２）の平均線幅より大きくすることができる。
このために、図４に示すように、エミッタ部１２１に接続される第１電極（Ｃ１４１）の第１最大線幅（ＷＥ１）は、背面電界部１７２に接続される第２電極（Ｃ１４２）の第２最大線幅（ＷＥ２）より大きく形成することができる。
さらに、背面電界部１７２に接続される第２電極（Ｃ１４２）の第２最小線幅（ＮＥ２）は、エミッタ部１２１に接続される第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）より小さく形成することができる。
これまでは、半導体基板１１０の第１導電型がｎ型である場合を一例として説明したが、半導体基板１１０の第１導電型がｐ型である場合、エミッタ部１２１は、ｎ型になり、背面電界部１７２は、ｐ＋になるので、背面電界部１７２に正孔が移動することができる。
このような場合、前述したのと反対に、背面電界部１７２の線幅がエミッタ部１２１の線幅よりさらに大きく形成されることがあり、併せて、背面電界部１７２に接続される第２電極（Ｃ１４２）の線幅がエミッタ部１２１に接続される第１電極（Ｃ１４１）の線幅よりさらに大きく形成することができる。
このような構造で製造された本発明に係る太陽電池において、第１電極（Ｃ１４１）を介して収集された正孔と第２電極（Ｃ１４２）を介して収集された電子は、外部の回路装置を介して外部装置の電力として利用することができる。
本発明に係る太陽電池モジュールに適用された太陽電池は、必ず図２及び図３にのみ限定せず、太陽電池に備えられる第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が半導体基板１１０の背面のみ形成される点を除外し、他の構成要素は、いくらでも変更が可能である。
例えば、本発明の太陽電池モジュールには、第１電極（Ｃ１４１）の一部とエミッタ部１２１が半導体基板１１０の前面に位置し、第１電極（Ｃ１４１）の一部が半導体基板１１０に形成されたホールを介して半導体基板１１０の背面に形成された第１電極（Ｃ１４１）の残りの一部と接続されるＭＷＴタイプの太陽電池も適用が可能である。
このような太陽電池が、図１のように導電性の配線とセル間コネクタ（ＩＣ）を利用して、直列接続された断面構造は次の図５と同じである。
図５は、図１においてＣＳｘ１−ＣＳｘ１ラインに沿った断面図を示すものである。
図５に示すように、第１太陽電池（Ｃ１）と第２太陽電池（Ｃ２）を含む複数の太陽電池は、複数個が第２方向（ｙ）に配列することができる。
このとき、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）に備えられる複数の第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向が第１方向（ｘ）に向くように配置することができる。
このように、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）が第２方向（ｙ）に配列された状態で、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）は、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）とセル間コネクタ（ＩＣ）により第２方向（ｙ）に長く伸びて直列接続される１つのストリングを形成することができる。
ここで、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）とセル間コネクタ（ＩＣ）は、導電性金属材質で形成され、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）は、各太陽電池の半導体基板１１０の背面に接続され、太陽電池の直列接続のために、各半導体基板１１０に接続された第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）は、セル間コネクタ（ＩＣ）に接続することができる。
具体的には、複数の第１導電性配線（ＣＷ１）は、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれに備えられた複数の第１電極（Ｃ１４１）に重畳されて、導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層（ＩＬ）により複数の第２電極（Ｃ１４２）と絶縁することができる。
このとき、複数の第１導電性配線（ＣＷ１）それぞれは、図１及び図５に示すように、第１、第２太陽電池との間に配置されたセル間コネクタ（ＩＣ）方向側の半導体基板１１０の外に突出して配置されることができる。
併せて、複数の第２導電性配線（ＣＷ２）は、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれに備えられた複数の第２電極（Ｃ１４２）に重畳されて、導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層（ＩＬ）により複数の第１電極（Ｃ１４１）と絶縁することができる。
このとき、複数の第２導電性配線（ＣＷ２）のそれぞれは、図１及び図５に示すように、第１、第２太陽電池との間に配置されたセル間コネクタ（ＩＣ）方向側の半導体基板１１０の外に突出して配置されることができる。
ここで、導電性接着剤（ＣＡ）は、スズ（Ｓｎ）またはスズ（Ｓｎ）を含む合金が含まれている金属材質を含むことができる。一例として、導電性接着剤（ＣＡ）の金属材質は、ＳｎＩｎ、ＳｎＢｉ、ＳｎＰｂ、Ｓｎ、ＳｎＣｕＡｇまたはＳｎＣｕの内、少なくともいずれか１つが用いられることができる。
このような導電性接着剤（ＣＡ）は、金属材料との間の接着力に優れたはんだペースト、絶縁性樹脂内に金属粒子が含有された導電性接着ペーストまたは導電性接着フィルムの内、いずれか１つの形で利用いられることができる。
ここで、絶縁層（ＩＬ）は、絶縁性材質であればどのようなものでもかまいませんし、一例として、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂またはシリコン系の樹脂の内、いずれか１つの絶縁性樹脂が用いられることができる。
このように、各太陽電池の背面に接続された複数の第１導電性配線（ＣＷ１）及び複数の第２導電性配線（ＣＷ２）の内、各半導体基板１１０の外に突出する部分が図１及び図５に示すように、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）との間に配置されるセル間コネクタ（ＩＣ）の背面に接続することができ、これにより、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）が第２方向（ｙ）に直列接続された１つのストリングに形成することができる。
このようなセル間コネクタ（ＩＣ）は、図５に示すように、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の各半導体基板１１０が投影される領域の外に位置し、各半導体基板１１０と離隔することができ、第１太陽電池（Ｃ１）の第１導電性配線（ＣＷ１）及び第２太陽電池（Ｃ２）の第２導電性配線（ＣＷ２）に直接接続されたり、別の導電性接着剤（図示せず）を介して接続されることができる。
このようなセル間コネクタ（ＩＣ）は、先の図１に示すように、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の各半導体基板１１０との間で第１方向（ｘ）に長く配置されるすることができる。
また、セル間コネクタ（ＩＣ）の幅は、図１に示すように、十分な接触力と接続抵抗を確保するために、複数の第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれの線幅と同じか大きいことができる。
さらに、セル間コネクタ（ＩＣ）の厚さは、複数の第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれの厚さと同じか、さらに大きくすることができる。
したがって、複数個の太陽電池の内、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）と、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）との間に接続不良が発生した太陽電池がある場合、セル間コネクタ（ＩＣ）と複数の第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）との間の接続を解除して、その太陽電池だけ、さらに容易に交換することができる。
以下では、先に説明した各太陽電池の第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のパターンについて、さらに具体的に説明する。
図６は、本発明の一例に係る太陽電池において第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のパターンと、第１、第２導電性配線の接続関係について、さらに具体的に説明するための図であり、図９は、図６の変更例として、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれと重畳する部分で第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の各線幅が一定の場合を説明するための図である。
このような図６は、エミッタ部１２１、背面電界部１７２及び第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が備えられる半導体基板１１０の背面上に、第１、第２導電性配線（ ＣＷ１、ＣＷ２）が接続された一部分の様子を拡大図示したものであり、半導体基板１１０の第１導電型がｎ型、エミッタ部１２１は、ｐ型、背面電界部１７２は、ｎ型であり、エミッタ部１２１上に第１電極（Ｃ１４１）が形成され、背面電界部１７２上に第２電極（Ｃ１４２）が形成された場合を一例として示したものである。
図６に示すように、エミッタ部１２１と背面電界部１７２のそれぞれは、第１方向（ｘ）に進行することにより、線幅が均一なストライプ形状で有り得る。
ここで、エミッタ部１２１と背面電界部１７２の内、いずれか１つの平均線幅は、残りの１つの平均線幅より大きくすることができる。
一例として、図６に示すように、半導体基板１１０の第１導電型がｎ型、エミッタ部１２１は、ｐ型、背面電界部１７２がｎ型である場合、エミッタ部１２１の平均線幅（ＷＡ１２１）は、背面電界部１７２の平均線幅（ＷＡ１７２）より大きくすることができる。
この時、エミッタ部１２１と背面電界部１７２の内、いずれか１つの平均線幅対比残り１つの平均線幅の比は、一例として、１：１．５〜３の間で有り得る。さらに具体的には、エミッタ部１２１及び背面電界部１７２のそれぞれの平均線幅（ＷＡ１２１、ＷＡ１７２）は、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの平均線幅と同じか、さらに大きくすることがあり、背面電界部１７２の平均線幅（ＷＡ１７２）は、エミッタ部１２１の平均線幅（ＷＡ１２１）の１：１．５〜３の間で有り得る。
これにより、相対的に移動距離が短い正孔の移動をさらに容易にすることができる。
しかし、半導体基板１１０の第１導電型がｐ型、エミッタ部１２１は、ｎ型、背面電界部１７２がｐ型である場合、図６と違うように背面電界部１７２の平均線幅（ＷＡ１７２）がエミッタ部１２１の平均線幅（ＷＡ１２１）より大きくすることができる。
また、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、図６に示すように、第１電極（Ｃ１４１）の第１方向（ｘ）線上の内、第１導電性配線（ＣＷ１）と交差する地点と、第２導電性配線（ＣＷ２）と交差する地点で互いに異なるように形成することができる。
一例として、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、第１電極（Ｃ１４１）の第１方向（ｘ）線上の内、第１導電性配線（ＣＷ１）と交差して電気的に接続される点で、第１最大線幅（ＷＥ１）を有し、第２導電性配線（Ｃ１４２）と交差して絶縁される地点で、第２最小線幅（ＮＥ２）を有することができる。
さらに、ここで、第１電極（Ｃ１４１）は、第１方向（ｘ）に進行することにより、最大線幅（ＷＥ１）を有する部分と最小線幅（NE1）を有する部分が繰り返し形成され、漸進的に増加または減少しながら変化することができる。
また、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第２電極（Ｃ１４２）の第１方向（ｘ）線上に位置する第１導電性配線（ＣＷ１）と交差する地点と第２導電性配線（ＣＷ２）と交差する地点で互いに異なるように形成することができる。
一例として、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第２電極（Ｃ１４２）の第１方向（ｘ）線上の内、第１導電性配線（ＣＷ１）と交差して絶縁されている点で、第２最小線幅（ＮＥ２）を有し、第２導電性配線（ＣＷ２）と交差して電気的に接続される地点で、第２最大線幅（ＷＥ２）を有することができる。
さらに、第２電極（Ｃ１４２）は、第１方向（ｘ）に進行することにより、第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分と第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分が繰り返し形成されるが、漸進的にに増加したり減少しながら、変わることができる。
このとき、第２方向（ｙ）に沿って、第１導電性配線（ＣＷ１）や第２導電性配線（ＣＷ２）と交差する地点で、第１電極（Ｃ１４１）の線幅と第２電極（Ｃ１４２）の線幅が互いに異なることができる。
さらに具体的には、第１電極（Ｃ１４１）において第１最大線幅（ＷＥ１）を有する部分と第２電極（Ｃ１４２）から第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分は、第２方向（ｙ）に同じライン線上に位置し、第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分と第２電極（Ｃ１４２）から第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分は、第２方向（ｙ）に同じライン線上に位置することができる。
これにより、第１電極（Ｃ１４１）において第１最大線幅（ＷＥ１）を有する部分と第２電極（Ｃ１４２）から第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分は、第１導電性配線（ＣＷ１）と交差されて重畳され、第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分と第２電極（Ｃ１４２）から第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分は、第２導電性配線（ＣＷ２）と交差されて重畳することができる。
ここで、第１導電性配線（ＣＷ１）は、第１電極（Ｃ１４１）の第１最大線幅（ＷＥ１）を有する部分に導電性接着剤（ＣＡ）によって接続され、第２電極（Ｃ１４２）において第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分とは、絶縁層（ＩＬ）によって絶縁することができる。
さらに、第２導電性配線（ＣＷ２）は、第２電極（Ｃ１４２）において第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分に導電性接着剤（ＣＡ）によって接続され、第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分とは、絶縁層（ＩＬ）によって絶縁することができる。
このように、第１導電性配線（ＣＷ１）は、第１電極（Ｃ１４１）の第１最大線幅（ＷＥ１）を有する部分に電気的に接続され、第２導電性配線（ＣＷ２）は、第２電極（Ｃ１４２）において第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分に電気的に接続されるので、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）と、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）との間のそれぞれの接触抵抗を最小化することができ、物理的な接着力をさらに増加させることができる。
これにより、各太陽電池においてのフィルファクター（Ｆ.Ｆ）と太陽電池モジュールの耐久性をさらに向上させることができる。
さらに、第１導電性配線（ＣＷ１）と第２電極（Ｃ１４２）が交差する部分で、第２電極（Ｃ１４２）が第２最小線幅（ＮＥ２）を有すようにして、第２導電性配線（ＣＷ２）と第１電極（Ｃ１４１）が交差する部分で、第１電極（Ｃ１４１）が第１最小線幅（ＮＥ１）を有するようにして、第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）と第２、１電極との間の絶縁をさらに確実にすることができ、絶縁層（ＩＬ）の消耗量をさらに低減することができ、太陽電池及び太陽電池モジュールの製造コストをさらに低減することができる。
さらに、エミッタ部１２１を介して収集された正孔（＋）が第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分に移動された場合、矢印のように、第１導電性配線（ＣＷ１）の方向に移動すればするほど、第１電極（Ｃ１４１）の線幅が第１最小線幅（ＮＥ１）から第１最大線幅（ＷＥ１）に漸進的に増加するので、第１電極（Ｃ１４１）の長さ方向の第１方向（ｘ）にの直列抵抗（すなわち、luｍped resistance）をさらに下げることができる。
さらに、背面電界部１７２を介して収集された電子（−）が第２電極（Ｃ１４２）の第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分に移動された場合、矢印のように第２導電性配線（ＣＷ２）の方向に移動すればするほど、第２電極（Ｃ１４２）の線幅が第２最小線幅（ＮＥ２）から第２最大線幅（ＷＥ２）に漸進的に増加するので、第２電極（Ｃ１４２）の長さ方向である第１方向（ｘ）にの直列抵抗（すなわち、luｍped resistance）をあらに下げることができる。
これにより、太陽電池のフィルファクター（Ｆ.Ｆ）をさらに向上させることができる。
ここで、第１電極（Ｃ１４１）の平均線幅は、第２電極（Ｃ１４２）の平均線幅よりも大きく、第２平均線幅対比の第１平均線幅の割合は、１：１．５〜３で有り得る。
さらに、第１電極（Ｃ１４１）の線幅が第１最小線幅（ＮＥ１）から第１最大線幅（ＷＥ１）まで増加するとき、第１電極（Ｃ１４１）の線幅が増加する角（θ１）[すなわち、第１電極（Ｃ１４１）のどちらかの側面が第１方向（ｘ）（または第１電極（Ｃ１４１）の中心軸）とのなす角（θ1）]は、第１方向（ｘ）に基づいて、５°〜８５°の間で有り得る。
さらに、第２電極（Ｃ１４２）の線幅が第２最小線幅（ＮＥ２）から第２最大線幅（ＷＥ２）まで増加するとき、第２電極（Ｃ１４２）の線幅が増加する角（θ２）[すなわち、第２電極（Ｃ１４２）のどちらかの側面が第１方向（ｘ）（または第２電極（Ｃ１４２）の中心軸）とのなす角（θ２）]は、第１方向（ｘ）に基づいて、５°〜８５°の間で有り得る。
ここで、さらに好ましくは、第２電極（Ｃ１４２）の線幅が増加する角（θ２）は、前述した数値範囲内で第１電極（Ｃ１４１）の線幅が増加する角（θ１）より小さいか同じで有り得る[すなわち、θ２≦θ１]。
さらに、本発明は、前述したように、第１導電性配線（ＣＷ１）と電気的に接続される部分で、第１電極（Ｃ１４１）の線幅は、第１導電性配線（ＣＷ１）と絶縁される部分で、第２電極（Ｃ１４２）の線幅より大きく、第２導電性配線（ＣＷ２）と電気的に接続される部分で、第２電極（Ｃ１４２）の線幅は、第２導電性配線（ＣＷ２）と絶縁される部分で、第１電極（Ｃ１４１）の線幅より大きいことができる。
第１電極（Ｃ１４１）において第１最小線幅（ＮＥ１）対比、第１最大線幅（ＷＥ１）の割合は、１：２〜１０であり、第２電極（Ｃ１４２）から第２最小線幅（ＮＥ２）対比第２最大線幅（ＷＥ２）の割合は、１：２〜８で有り得る。
一例として、第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）が５０μｍである場合、第１最大線幅（ＷＥ１）は１００μｍ〜５００μｍの間に形成されることがあり、第２電極（Ｃ１４２）において第２最小線幅（ＮＥ２）が５０μｍである場合、第２最大線幅（ＷＥ２）は１００μｍ〜４００μｍの間に形成することができる。
ここで、いずれか１つの第１導電性配線（ＣＷ１）と重畳される第２電極（Ｃ１４２）の第２最小線幅（ＮＥ２）対比第１電極（Ｃ１４１）の第１最大線幅（ＷＥ１）の割合は、１：２〜１０であり、いずれか１つの第２導電性配線（ＣＷ２）と重畳される第１電極（Ｃ１４１）の第１最小線幅（ＮＥ１）対比第２電極（Ｃ１４２）の第２最大線幅（ＷＥ２）の割合は１：２〜８で有り得る。
さらに、このような数値範囲内で、いずれか１つの第１導電性配線（ＣＷ１）と重畳される第２最小線幅（ＮＥ２）対比、第１最大線幅（ＷＥ１）の割合は、いずれか１つの第２導電性配線（ＣＷ２）と重畳される第１最小線幅（ＮＥ１）対比、第２最大線幅（ＷＥ２）の割合と互いに異なることができる。
一例として、いずれか１つの第１導電性配線（ＣＷ１）と重畳される第２最小線幅（ＮＥ２）が１００μｍの場合、第１最大線幅（ＷＥ１）は３６０μｍであり、いずれか１つの第１導電性配線（ＣＷ１）と重畳される第２最小線幅（ＮＥ２）に対比、第１最大線幅（ＷＥ１）の割合が１：３．６で有り得る。
しかし、いずれか１つの第２導電性配線（ＣＷ２）と重畳される第１最小線幅（ＮＥ１）が１００μｍの場合、第２最大線幅（ＷＥ２）は２８０μｍであり、いずれか１つの第２導電性配線（ＣＷ２）と重畳される第１最小線幅（ＮＥ１）に対比、第２最大線幅（ＷＥ２）の割合は、１：２．８で有り得る。
このように、第１最大線幅（ＷＥ１）は、第２最大線幅（ＷＥ２）より大きく、第１最小線幅（ＮＥ１）は、第２最小線幅（ＮＥ２）と同じであることがある。しかし、ここで、第１最小線幅（ＮＥ１）は、第２最小線幅（ＮＥ２）より大きく形成されることも可能である。
さらに、このような図５及び図６においては、半導体基板１１０の第１導電型がｎ型、エミッタ部１２１は、ｐ型、背面電界部１７２は、ｎ型であり、エミッタ部１２１の上に第１電極（Ｃ１４１）が形成され、背面電界部１７２上に第２電極（Ｃ１４２）が形成された場合を一例として説明した。
しかし、これと反対に半導体基板１１０の第１導電型がｐ型、エミッタ部１２１は、ｎ型、背面電界部１７２は、ｐ型であり、エミッタ部１２１上に第１電極（Ｃ１４１）が形成され、背面電界部１７２上に第２電極（Ｃ１４２）が形成された場合、第２電極（Ｃ１４２）の平均線幅が第１電極（Ｃ１４１）の平均線幅より大きくなることができ、第２電極（Ｃ１４２）の第２最大線幅（ＷＥ２）が第１電極（Ｃ１４１）の第１最大線幅（ＷＥ１）より大きくなることがある。
また、ここで、第１最大線幅（ＷＥ１）は、第２最大線幅（ＷＥ２）より大きく、第１最小線幅（ＮＥ１）は、第２最小線幅（ＮＥ２）より大きい場合、第１、第２電極（ Ｃ１４１、Ｃ１４２）との間の距離は誤差の範囲（１０％）内で実質的に同一に形成することができる。
図５及び図６においては、第1、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの両側が第１方向（ｘ）[または第1、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの中心軸]と一定角を形成して、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の線幅が漸進的に増加したり減少する場合を一例として説明したが、これと違って、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のいずれか一方の側面が第１方向（ｘ）[または第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）ののこり一方の側面]と一定角を形成して、第1、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の線幅が漸進的に増加したり、減少しながら繰り返し変化することができる。
さらに、図６においては、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれと重畳される部分で第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の各線幅が変化する場合を一例として示したが、これと違って、図９に示すように、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が第１、第２導電性配線（ＣＷ１、ＣＷ２）それぞれと重畳される部分で第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の各線幅が漸進的に増加したり減少する変化せず一定に保つことができる。
図７は、本発明の一例に係る太陽電池において第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）パターンの他の一例を説明するための図である。
図７に示すように、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）パターンの他の一例は、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のいずれか一方の側面が第１方向（ｘ）（または第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）ののこり一方の側面）と一定角を形成して、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の線幅が漸進的に増加したり、減少しながら繰り返し変化することができる。
これにより、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）は、第１方向（ｘ）に進行することにより、第１、第２最大線幅（ＷＥ１、ＷＥ２）を有する部分と、第１、第２最小線幅（ＮＥ１ 、ＮＥ２）を有する部分が繰り返し形成されるが、漸進的に増加したり、減少しながら、繰り返し変化することができる。
ここで、第１、第２、最大線幅（ＷＥ１、ＷＥ２）及び第１、第２最小線幅（ＮＥ１、ＮＥ２）の具体的な数値の範囲は先の図５で説明したことと同じであることある。
さらに、図６及び図７においては、エミッタ部１２１と背面電界部１７２の線幅は、変化せず、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の線幅だけ繰り返し、漸進的に変化する場合を一例として説明したが、これと違って、エミッタ部１２１と背面電界部１７２の線幅も、第１方向（ｘ）に進行することにより、繰り返し、漸進的に変化するように形成することができる。
図８は、本発明の一例に係る太陽電池のエミッタ部１２１と背面電界部１７２のパターンの他の一例を説明するための図である。
図８に示すように、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の線幅が漸進的に繰り返し変化するように、エミッタ部１２１と背面電界部１７２のそれぞれの線幅も、第１方向（ｘ）に進行することにより、第１、第２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の線幅の変化に対応して、漸進的に繰り返し増加するか減少しながら、変わることができる。
さらに具体的には、エミッタ部１２１は、第１電極（Ｃ１４１）が第１最大線幅（ＷＥ１）を有する部分で最大線幅（Ｗ１２１）を有し、第１電極（Ｃ１４１）が第１最小線幅（ＮＥ１）を有する部分で最小線幅（Ｎ１２１）を有することができる。
さらに、背面電界部１７２は、第２電極（Ｃ１４２）が第２最大線幅（ＷＥ２）を有する部分で最大線幅（Ｗ１７２）を有し、第２電極（Ｃ１４２）が第２最小線幅（ＮＥ２）を有する部分で最小線幅（Ｎ１７２）を有することができる。
以上、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求の範囲で定義している本発明の基本的な概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態また、本発明の権利範囲に属するものである。

Claims (25)

  1. 第１導電型の不純物がドーピングされた半導体基板と、
    前記第１導電型と反対の第２導電型の不純物がドーピングされ、第１方向に長く伸びたエミッタ部と、
    前記半導体基板より前記第１導電型の不純物が高濃度にドーピングされ、前記エミッタ部と並行するように、前記第１方向に長く伸びた背面電界部と、
    前記エミッタ部に電気的に接続され、前記第１方向に長く伸びた第１電極と、
    前記背面電界部に電気的に接続され、前記第１方向に長く伸びた第２電極とを含み、
    前記第１電極の線幅は、前記第１方向に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、
    前記第２電極の線幅は、前記第１方向に離隔された２地点で互いに異なるように形成され、
    前記第１電極の線幅と第２電極の線幅は、前記第１方向に交差する第２方向線上の離隔された２地点で互いに異なる、太陽電池。
  2. 前記第１電極は、前記第１方向に進行することにより、第１最大線幅を有する部分と前記第１最大線幅より小さい第１最小線幅を有する部分が繰り返し形成され、
    前記第２電極は、前記第１方向に進行することにより、第２最大線幅を有する部分と前記第２最大線幅より小さい第２最小線幅を有する部分が繰り返し形成され、
    前記第１電極の線幅は、前記第１最小線幅と前記第１最大線幅の間で漸進的に増加するか減少し、前記第２電極の線幅は、前記第２最小線幅と前記第２最大線幅の間で漸進的に増加するか減少する、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記第１電極が前記第１最大線幅を有する部分と前記第２電極が前記第２最小線幅を有する部分は、前記第１方向と交差する第２方向に同じライン線上に位置し、
    前記第１電極が前記第１最小線幅を有する部分と前記第２電極が前記第２最大線幅を有する部分は、前記第２方向に同一ライン線上に位置する、請求項２に記載の太陽電池。
  4. 前記第１電極の線幅が、前記第１最小線幅から前記第１最大線幅まで増加するとき、前記第１電極の線幅が増加する角は、前記第１方向に基づいて、５°〜８５°の間である、請求項２に記載の太陽電池。
  5. 前記第２電極の線幅が、前記第２最小線幅から前記第２最大線幅まで増加するとき、前記第２電極の線幅が増加する角は、前記第１方向に基づいて、５°〜８５°の間である、請求項４に記載の太陽電池。
  6. 前記第２電極の線幅が増加する角は、前記第１電極の線幅が増加する角より小さいか同じであり、
    前記第１最大線幅は、前記第２最大線幅より大きく、前記第１最小線幅は、前記第２最小線幅と同じか、さらに大きい、請求項５に記載の太陽電池。
  7. 前記第１電極の平均線幅は、前記第２電極の平均線幅より大きく、
    前記第２電極の平均線幅対比、前記第１電極の平均線幅の割合は、１：１．５〜３である、請求項２に記載の太陽電池。
  8. 前記第１電極から前記第１最小線幅対比、前記第１最大線幅の割合は、１：２〜１０であり、
    前記第２電極から前記第２最小線幅対比、前記第２最大線幅の割合は、１：２〜８である、請求項２に記載の太陽電池。
  9. 前記エミッタ部と前記背面電界部のそれぞれは、前記第１方向に進行することにより、線幅が均一であるストライプ形状である、請求項２に記載の太陽電池。
  10. 前記エミッタ部と前記背面電界部の内、いずれか１つの平均線幅は、残りの１つの平均線幅より大きい、請求項９に記載の太陽電池。
  11. 前記エミッタ部と前記背面電界部のそれぞれの線幅は、前記第１方向に進行することにより、漸進的に繰り返し変化する、請求項２に記載の太陽電池。
  12. 前記エミッタ部は、前記第１電極が前記第１最大線幅を有する部分において最大線幅を有し、前記第１電極が前記第１最小線幅を有する部分で最小線幅を有し、
    前記背面電界部は、前記第２電極が前記第２最大線幅を有する部分で最大線幅を有し、前記第２電極が前記第２最小線幅を有する部分で最小線幅を有する、請求項１１に記載の太陽電池。
  13. 半導体基板、及び前記半導体基板の背面に第１方向に長く伸びて形成された複数の第１、第２電極を含む複数の太陽電池と、
    前記複数の太陽電池の内、互いに隣接する２つの太陽電池の内、いずれか１つの第１太陽電池に備えられた複数の第１電極と電気的に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に長く伸びている複数の第１導電性配線と、残りの１つの第２太陽電池に備えられた複数の第２電極と電気的に接続され、前記第２方向に長く伸びている複数の第２導電性配線とを含み、
    前記第１電極の線幅は、前記第１電極の第１方向線上の内、前記第１導電性配線と交差する地点と前記第２導電性配線と交差する地点で互いに異なるように形成され、
    前記第２電極の線幅は、前記第２電極の第１方向線上に位置する前記第１導電性配線と交差する地点と前記第２導電性配線と交差する地点で互いに異なるように形成され、
    前記第２方向に沿って、第１導電性配線や第２導電性配線と交差する地点で、前記第１電極の線幅と前記第２電極の線幅が互いに異なる、太陽電池モジュール。
  14. 前記第１電極の線幅は、前記第１電極の前記第１方向線上の内、前記第１導電性配線と交差して電気的に接続される地点で最大線幅を有し、前記第２導電性配線と交差して絶縁される地点で最小線幅を有し、
    前記第２電極の線幅は、前記第２電極の前記第１方向線上の内、前記第１導電性配線と交差し、絶縁される地点で、最小線幅を有し、前記第２導電性配線と交差して電気的に接続される地点で最大線幅を有する、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
  15. 前記第２電極の最小線幅対比、前記第１電極の最大線幅の割合は、１：２〜１０である、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  16. 前記第１電極の最小線幅対比、前記第２電極の最大線幅の割合は、１：２〜８である、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  17. 前記第２電極の最小線幅対比、前記第１電極の最大線幅の割合は、前記第１電極の最小線幅対比、前記第２電極の最大線幅の割合と互いに異なる、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  18. 前記第１、第２電極のそれぞれは、前記最大線幅と前記最小線幅の間で線幅が漸進的に増加するか減少する、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  19. 前記複数の太陽電池は、
    第１導電型を有する前記半導体基板と反対の第２導電型の不純物がドーピングされ、第１方向に長く伸びたエミッタ部と、前記半導体基板より前記第１導電型の不純物を高濃度にドーピングされ、前記エミッタ部と並行するように、前記第１方向に長く伸びた背面電界部とを備え、
    前記エミッタ部に接続される前記第１電極の最大線幅は、前記背面電界部に接続される前記第２電極の最大線幅より大きい、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  20. 前記背面電界部に接続される前記第２電極の最小線幅は、前記エミッタ部に接続される前記第１電極の最小線幅より小さい、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  21. 前記エミッタ部に接続される前記第１電極の平均線幅は、前記背面電界部に接続される前記第２電極の平均線幅より大きい、請求項１４に記載の太陽電池モジュール。
  22. 前記第１電極は、前記第１導電性配線との間に導電性接着剤を介して電気的に接続され、前記第２導電性配線との間には絶縁層によって絶縁され、
    前記第２電極は、前記第２導電性配線との間に導電性接着剤を介して電気的に接続され、前記第１導電性配線との間には前記絶縁層によって絶縁される、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
  23. 前記エミッタ部の線幅と前記背面電界部の線幅は、前記第１方向に沿って均一したり、前記エミッタ部の線幅と前記背面電界部の線幅は、前記第１方向に沿って前記第１、第２電極の線幅の変化に対応して増加するか減少する、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
  24. 前記第１太陽電池に接続された複数の第１導電性配線と前記第２太陽電池に接続された複数の第２導電性配線は、互いに重畳されて接続されたり一体に形成される、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
  25. 前記第１太陽電池に接続された複数の第１導電性配線と前記第２太陽電池に接続された複数の第２導電性配線は、前記第１、第２太陽電池との間で、前記第１方向に長く伸びたインターコネクタに共通に接続される、請求項１３に記載の太陽電池モジュール。
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