JP6240267B2 - 太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP6240267B2
JP6240267B2 JP2016134900A JP2016134900A JP6240267B2 JP 6240267 B2 JP6240267 B2 JP 6240267B2 JP 2016134900 A JP2016134900 A JP 2016134900A JP 2016134900 A JP2016134900 A JP 2016134900A JP 6240267 B2 JP6240267 B2 JP 6240267B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
conductive
cell module
electrodes
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016134900A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017022380A (ja
Inventor
チョンヒョン リム
チョンヒョン リム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of JP2017022380A publication Critical patent/JP2017022380A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6240267B2 publication Critical patent/JP6240267B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0481Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/049Protective back sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Description

本発明は、太陽電池モジュールに関する。
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり。これにより、太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
一般的な太陽電池は、p型とn型のように、互いに異なる導電型(conductive type)によってp−n接合を形成する半導体部、そして互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
このような太陽電池に光が入射されれば半導体部で複数の電子―正孔対が生成され、生成された電子―正孔対は電荷である電子と正孔にそれぞれ分離され、電子はn型の半導体部の方向に移動し正孔はp型の半導体部の方向に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれn型の半導体部とp型の半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続することにより電力を得る。
このような太陽電池は、複数個がインターコネクタによって互に接続されてモジュールに形成することができる。
本発明の目的は、太陽電池モジュールを提供することにある。
本発明の太陽電池モジュールは、第1導電性の不純物がドーピングされた半導体基板と、第1導電性と反対の第2導電性の不純物がドーピングされるエミッタ部と、半導体基板より第1導型の不純物を高濃度にドーピングされる背面電界部と、エミッタ部に接続する第1電極と、背面電界部に接続する第2電極と、複数の太陽電池を互いに直列接続するために、第1電極または第2電極の内、いずれか1つの電極に導電性接着剤を介して接続し、他の1つの電極とは、絶縁層によって絶縁される導電性配線とを含み、いずれか1つの電極と導電性の配線の間に位置する導電性接着剤の厚さは、他の1つの電極と導電性の配線の間に位置する絶縁層の厚さより大きく形成される。
ここで、絶縁層と導電性配線の間は、互いに離隔することができる。
さらに、絶縁層と導電性配線との間の離隔された空間には、外部の衝撃から半導体基板を保護する充填材をさらに位置することができる。
ここで、絶縁層は、エポキシ、ポリイミドまたはシリコンの内、少なくともいずれか1つを含むことができる。この時、充填材の材質は、絶縁層の材質とは異なることがある。
一例として、充填材は、EVA(EVA、ethylene vinyl acetate)で有り得る。
さらに、導電性接着剤の材質は、スズ(Sn)を含むことができ、導電性接着剤は、ソルダーペースト(solder paste)、エポキシソルダーペースト(epoxy solder paste)または導電性ペースト(Conductive psate)の内、いずれか1つから形成することができる。
また、第1、第2電極のそれぞれは、導電性接着剤と他の金属材質を含むことができる。
一例として、第1、第2電極のそれぞれは、チタン(Ti)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、ニッケル−バナジウム合金(NiV)、ニッケル、ニッケル−アルミニウム合金(NixAly)、モリブデン(Mo)、スズ(Sn)の内、少なくとも1つの材質が少なくとも1つの層で形成することができる。
また、導電性配線は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)の内、少なくとも1つの材質を含むコアとコアの表面にコーティングされており、スズ(Sn)を含むコーティング層を含むことができる。
一例として、コーティング層は、SnPb、SnAgCu、SnBiAg、SnBi、SnまたはSnAgの内、少なくとも1つを含むことができ、コアの厚さは、50μm〜250μmの間であり、コーティング層の厚さは、1μm〜30μmの間で有り得る。
また、導電性接着剤の厚さは、10μm〜100μmの間であり、絶縁層の厚さは1μm〜50μmの間で有り得る。
本発明に係る太陽電池モジュールは、いずれか1つの電極と導電性の配線の間に位置する導電性接着剤の厚さを前記他の1つの電極と前記導電性の配線の間に位置する絶縁層の厚さよりも厚く形成して、太陽電池モジュールの短絡を防止し、耐久性をさらに向上させることができる。
本発明に係る太陽電池モジュールに適用されるストリングを背面から見た形状の一例である。 図1に適用される太陽電池の一例を示す一部の斜視図である。 図2に示された太陽電池の第2方向(y)の断面を示したものである。 図1においてCSx1−CSx1ラインに沿った断面図を示すものである。 図1及び図4において説明した導電性接着剤(CA)の厚さ(TCA)と絶縁層(IL)の厚さ(TIL)について、さらに具体的に説明するための図である。 導電性接着剤と絶縁層の平面形状を説明するために、図1においてK1の部分を拡大して示した図である。 本発明に係る太陽電池モジュールがラミネート工程によってカプセル化された断面図を示したものである。 ラミネート工程により絶縁層(IL)と導電性配線との間の離隔された空間に充填材(EVA)が満たされた構造を詳細に示したものである。
以下では、添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、さまざまな形で実現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分には同様の符号を付与した。
図面で複数の層と領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上に”あるとする時、これは他の部分“真上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆にどの部分が他の部分“真上に”あるとするときは、中間に他の部分がないことを意味する。また、どの部分が他の部分の上に“全体的”に形成されているとするときは、他の部分の全体面に形成されているものだけでなく、端の一部には形成されないことを意味する。
以下において、前面とは、直射光が入射される半導体基板110の一面で有り得、背面とは、直射光が入射されないか、直射光ではなく、反射光が入射することができる半導体基板110の反対面で有り得る。
図1〜図6は、本発明に係る太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
ここで、図1は、本発明に係る太陽電池モジュールに適用されるストリングを背面から見た形状の一例である。
図1に示すように、本発明に係る太陽電池モジュールは、複数の太陽電池(C1、C2)、複数の太陽電池(C1、C2)の背面に形成された複数の第1、第2電極(C141、C142)に接続される複数の第1導電性配線(CW1)と、複数の第2導電性配線(CW2)、及び複数の第1、第2導電性配線(CW1、CW2)に接続され、複数の太陽電池(C1、C2)を直列接続するセル間コネクタ(IC)を含む。
ここで、複数の太陽電池(C1、C2)のそれぞれは、少なくとも半導体基板110と半導体基板110の背面に互いに離隔され、第1方向(x)に長く伸びて形成される複数の第1電極(C141)と、複数の第2電極(C142)を備える。
さらに、複数の導電性配線(CW1、CW2)は、複数の太陽電池の内、互いに隣接する2つの太陽電池の内、いずれか1つの太陽電池に備えられた複数の第1電極(C141)と、残りの1つの太陽電池に備えた複数の第2電極(C142)を互いに電気的に直列接続することができる。
そのために、複数の導電性配線(CW1、CW2)は、第1、第2電極(C141、C142)の長さ方向の第1方向(x)と交差する第2方向(y)に長く伸び、複数の太陽電池のそれぞれに接続することができる。
一例として、複数の導電性配線(CW1、CW2)は、第1導電性配線(CW1)と第2導電性配線(CW2)を含むことができ、図1に示すように、第1導電性配線(CW1)は、各太陽電池に備えられた第1電極(C141)に導電性接着剤(CA)を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層(IL)によって第2電極(C142)と絶縁することができる。
さらに、第2導電性配線(CW2)は、各太陽電池に備えられた第2電極(C142)に導電性接着剤(CA)を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層(IL)によって第1電極(C141)と絶縁することができる。
併せて、このような第1、第2導電性配線(CW1、CW2)それぞれは、複数の太陽電池との間に第1方向(x)に長く伸びて配置されるセル間コネクタに接続することができる。これにより、複数の太陽電池は、第2方向(y)に互いに直列接続することができる。
このような複数の第1、第2導電性配線(CW1、CW2)は、断面が円形を有する導電性ワイヤの形態であるか、線幅が厚さより大きいリボンの形を有することができる。
一例として、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)がリボンの形を有する場合、第1、第2導電性配線(210、220)のそれぞれの線幅は、導電性配線の線抵抗を十分に低く維持しながら、製造コストが最小になるように考慮し、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)それぞれの線幅は、0.5mm〜2.5mmの間で形成されることがあり、厚さは0.05mm〜0.5mmの間で形成され得る。
さらに、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)の総個数を考慮し、太陽電池モジュールの短絡電流が損なわれないようにするために、第1導電性配線(CW1)と第2導電性配線(CW2)との間の間隔は4mm〜6.5mmの間で形成され得る。
さらに、図1では、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)それぞれの個数が3つの場合を一例として示したが、実質的に、このように、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)それぞれが1つの太陽電池に接続される個数は、10個〜20個で有り得る。したがって、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)が1つの太陽電池に接続される総個数 の合は、20個〜40個で有り得る。
このような本発明に係る太陽電池モジュールにおいて、いずれか1つの電極と導電性配線の間に位置する導電性接着剤(CA)の厚さは、他の1つの電極と導電性の配線の間に位置する絶縁層(IL)の厚さより厚くすることができる。
このようにすることで、複数の導電性配線(CW1、CW2)の一部、導電性の配線が電気的に接続されるべき電極と接続されない断線を予め予防することができ、太陽電池モジュールの不良をさらに下げることができる。これについてさらに詳細な説明は後述する。
さらに、本発明の一例に係る太陽電池モジュールでは、セル間のコネクタが含まれている場合を一例として示し、これについて説明しているが、セル間のコネクタは省略されることもあり、このようにセル間コネクタが省略された場合には、第1導電性配線(CW1)と第2導電性配線(CW2)が直接接続されるか一体に形成され、複数の太陽電池(C1、C2)を直列接続することもできる。
ここで、複数の太陽電池のそれぞれについて、さらに具体的に説明すると、次の通りである。
図2は図1に適用される太陽電池の一例を示す一部斜視図であり、図3は、図2に示された太陽電池の第2方向(y)の断面を示したものである。
図2及び図3に示すように、本発明に係る太陽電池の一例は、反射防止膜130、半導体基板110、トンネル層180、エミッタ部121、背面電界部(172、back surface field、BSF)、真性半導体層150、パッシベーション層190、第1電極(C141)と第2電極(C142)を備えることができる。
ここで、反射防止膜130、真性半導体層150、トンネル層180とパッシベーション層190は省略されることもあるが、備えた場合、太陽電池の効率がさらに向上されるため、以下では、備えられた場合を一例として説明する。
半導体基板110は、第1導電型の不純物を含有する単結晶シリコン、多結晶シリコンのうち、少なくともいずれか1つで形成することができる。一例として、半導体基板110は、単結晶シリコンウエハに形成することができる。
ここで、第1導電型は、n型またはp型導電型のいずれか1つで有り得る。
半導体基板110がp型の導電型を有する場合、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)のような3価元素の不純物が半導体基板110にドーピング(doping)される。しかし、半導体基板110がn型の導電型を有する場合、りん(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)などのように5価元素の不純物が半導体基板110にドーピングすることができる。
以下では、このような半導体基板110の第1導電型がn型である場合を例として説明する。
このような半導体基板110の前面に複数の凹凸面を有することができる。これにより、半導体基板110の前面上に位置したエミッタ部121もまた凹凸面を有することができる。
このために、半導体基板110の前面から反射される光の量が減少して、半導体基板110の内部に入射される光の量が増加することができる。
反射防止膜130は、外部から半導体基板110の前面に入射される光の反射を最小化するために、半導体基板110の前面の上に位置し、アルミニウム酸化膜(aluminum oxide:AlOx)、シリコン窒化膜(silicon nitride:SiNx)、シリコン酸化膜(SiOx)とシリコン酸化窒化膜(silicon oxynitride:SiOxNy)の内、少なくとも1つで形成することができる。
トンネル層180は、半導体基板110の背面全体に直接接触して配置され、誘電体材質を含むことができる。したがって、トンネル層180は、図2及び図3に示すように、半導体基板110で生成されるキャリアを通過させることができる。
このようなトンネル層180は、半導体基板110で生成されたキャリアを通過させ、半導体基板110の背面のパッシベーションの機能を実行することができる。
さらに、トンネル層180は、600℃以上の高温工程にも耐久性が強いSiCxまたはSiOxで形成される誘電体材質で形成することができる。しかし、この他にもシリコン窒化膜(SiNx)、水素化されたシリコン窒化膜(SiNx)、アルミニウム酸化膜(AlOx)、シリコン酸化窒化膜(SiOxNy)または水素化されたSiOxNyで形成が可能であり、このようなトンネル層180の厚さは、0.5nm〜2.5nmの間で形成され得る。
エミッタ部121は、半導体基板110の背面に配置され、一例として、トンネル層180の背面の一部に直接接触して、複数個が第1方向(x)に長く配置され、第1導電型と反対の第2導電型を有する多結晶シリコン材質で形成することができ、エミッタ部121は、トンネル層180を間に置いて、半導体基板110とp−n接合を形成することができる。
各エミッタ部121は、半導体基板110とp−n接合を形成するので、エミッタ部121は、p型の導電型を有することができる。しかし、本発明の一例とは異なり、半導体基板110がp型の導電型を有する場合、エミッタ部121は、n型の導電型を有する。この場合、分離された電子は、複数のエミッタ部121の方向に移動し、分離された正孔は、複数の背面電界部172の方向に移動することができる。
複数のエミッタ部121がp型の導電型を有する場合、エミッタ部121には、3価元素の不純物がドーピングされることがあり、逆に複数のエミッタ部121がn型の導電型を有する場合、エミッタ部121には、5価元素の不純物がドーピングされ得る。
背面電界部172は、半導体基板110の背面に配置され、一例として、トンネル層180の背面の中で、前述した複数のエミッタ部121のそれぞれと離隔された一部の領域に直接接触して、複数個がエミッタ部121と並行する第1方向(x)に長く位置するように形成することができる。
このような背面電界部172は、第1導電型の不純物が半導体基板110より高濃度にドーピングされる多結晶シリコン材質で形成することができる。したがって、例えば、基板がn型タイプの不純物でドーピングされる場合、複数の背面電界部172は、n+の不純物領域で有り得る。
このような背面電界部172は、半導体基板110と背面電界部172との不純物濃度の差に起因する電位障壁によって、電子の移動方向である背面電界部172の方向にの正孔移動を妨害する一方、背面電界部172の方向にのキャリア(例えば、電子)の移動を容易にすることができる。
したがって、背面電界部172とその付近又は第1及び第2電極(C141、C142)で電子と正孔の再結合で失われる電荷の量を減少させ、電子の移動を加速化させて、背面電界部172への電子移動量を増加させることができる。
ここでの図2及び図3では、エミッタ部と背面電界部がトンネル層の背面に多結晶シリコン材質で形成された場合を一例として説明したが、これと違って、トンネル層が省略された場合、エミッタ部と背面電界部は半導体基板110の背面内に不純物が拡散されてドーピングすることもできる。このような場合、エミッタ部と背面電界部は半導体基板110と同じ単結晶シリコン材質で形成することもできる。
真性半導体層150は、エミッタ部と背面電界部の間に露出したトンネル層の背面に形成されることができ、このような真性半導体層150は、エミッタ部121と背面電界部172とは異なるように第1導電型の不純物または第2導電型の不純物がドーピングされない真性多結晶シリコン層で形成することができる。
さらに、図2及び図3に示すように、真性半導体層150の両側面のそれぞれは、エミッタ部121の側面と背面電界部172の側面に直接接触する構造を有することができる。
パッシベーション層190は、背面電界部172、真性半導体層150とエミッタ部121に形成される多結晶シリコン材質の層の背面に形成されたダングリングボンド(dangling bond)による欠陥を除去し、半導体基板110から生成されたキャリアがダングリングボンド(dangling bond)によって再結合されて消滅することを防止する役割をすることができる。
このために、パッシベーション層190は、真性半導体層150の背面を完全に覆って、エミッタ部121の背面の内、第1電極(C141)が接続された部分を除外した残りの部分を覆って、背面電界部172の背面の内、第2電極(C142)が接続された部分を除外した残りの部分を覆うように形成することができる。
このようなパッシベーション層190は、誘電体層に形成されることができ、例えば、水素化されたシリコン窒化膜(SiNx:H)、水素化されたシリコン酸化膜(SiOx:H)、水素化されたシリコン窒化酸化膜(SiNxOy:H)、水素化されたシリコン酸化窒化膜(SiOxNy:H)、水素化された非晶質シリコン膜(a−Si:H)の内、少なくともいずれか1つで形成することができる。
第1電極(C141)は、エミッタ部に接続し、第1方向(x)に長く伸びて形成することができる。このような、第1電極(C141)は、エミッタ部121の方向に移動したキャリア、例えば、正孔を収集することができる。
第2電極(C142)は、背面電界部に接続し、第1電極(C141)と並行するように第1方向(x)に長く伸びて形成することができる。このような、第2電極(C142)は、背面電界部172の方向に移動したキャリア、例えば、電子を収集することができる。
このような図1に示すように、第1、第2電極(C141、C142)のそれぞれは、第1方向(x)に長く伸びて形成されることができ、第1電極(C141)と第2電極( C142)が第2方向(y)に交互して配置することができる。
さらに、第1電極(C141)の厚さ(TE1)は、第2電極(C142)の厚さ(TE2)と同じであることができ、半導体基板110の背面から第1電極(C141)の背面までの高さ(HE1)は、半導体基板110の背面から第2電極(C142)の背面までの高さ(HE2)と同じであることがある。
このような複数の第1及び第2電極(C141、C142)は、導電性配線と導電性接着剤(CA)と他の金属材質を含みから形成することができる。一例として、第1、第2電極(C141、C142)のそれぞれは、チタン(Ti)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、ニッケル−バナジウム合金(NiV)、ニッケル、ニッケル−アルミニウム合金(NixAly)、モリブデン(Mo)、スズ(Sn)の内、少なくとも1つの材質が少なくとも1つの層で形成することができる。
このような第1、第2電極(C141、C142)は、スパッタリング(sputtering)方法、電子ビーム蒸着装置(Electron Beam evaporator)、または無電解/電解めっき法の内、いずれか1つを用いて形成することができる。
このような構造で製造された本発明に係る太陽電池において、第1電極(C141)を介して収集された正孔と第2電極(C142)を介して収集された電子は、外部の回路装置を介して外部装置の電力として利用することができる。
本発明に係る太陽電池モジュールに適用された太陽電池は、必ず図2及び図3にのみ限定せず、太陽電池に備えられる第1、第2電極(C141、C142)が半導体基板110の背面のみ形成される点を除外して、他の構成要素は、いくらでも変更が可能である。
例えば、本発明の太陽電池モジュールには、第1電極(C141)の一部とエミッタ部121が半導体基板110の前面に位置し、第1電極(C141)の一部が半導体基板110に形成されたホールを介して半導体基板110の背面に形成された第1電極(C141)の残りの一部と接続されるMWTタイプの太陽電池も適用が可能である。
このような太陽電池が、図1のように、導電性配線とセル間のコネクタを使用して、直列接続された断面構造は次の図4と同じである。
図4は、図1においてCSx1−CSx1ラインに沿った断面図を示すものである。
図4に示すように、第1太陽電池(C1)と第2太陽電池(C2)を含む複数の太陽電池は、複数個が第2方向(y)に配列することができる。
このとき、第1、第2太陽電池(C1、C2)に備えられる複数の第1、第2電極(C141、C142)の長さ方向が第1方向(x)に向くように配置することができる。
このように、第1、第2太陽電池(C1、C2)が第2方向(y)に配列された状態で、第1、第2太陽電池(C1、C2)は、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)とセル間コネクタ(IC)により第2方向(y)に長く伸びて直列接続される1つのストリングを形成することができる。
ここで、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)とセル間コネクタ(IC)は、導電性金属材質で形成され、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)は、各太陽電池の半導体基板110の背面に接続され、太陽電池の直列接続のために、各半導体基板110に接続された第1、第2導電性配線(CW1、CW2)は、セル間コネクタ(IC)に接続することができる。
併せて、複数の第1、第2導電性配線(CW1、CW2)は、断面が円形を有する導電性ワイヤの形態であるか、幅が厚さより大きいリボンの形を有することができる。
具体的には、複数の第1導電性配線(CW1)は、複数の太陽電池(C1、C2)のそれぞれに備えられた複数の第1電極(C141)に重畳されて、導電性接着剤(CA)を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層(IL)により複数の第2電極(C142)と絶縁することができる。
このとき、複数の第1導電性配線(CW1)それぞれは、図1及び図4に示すように、第1、第2太陽電池との間に配置されたセル間のコネクタ方向の半導体基板110の外に突出して配置することができる。
併せて、複数の第2導電性配線(CW2)は、複数の太陽電池(C1、C2)のそれぞれに備えられた複数の第2電極(C142)に重畳されて、導電性接着剤(CA)を介して接続され、絶縁性材質の絶縁層(IL)により複数の第1電極(C141)と絶縁することができる。
このとき、複数の第2導電性配線(CW2)のそれぞれは、図1及び図4に示すように、第1、第2太陽電池との間に配置されたセル間のコネクタの向き側の半導体基板110の外に突出して配置することができる。
ここで、導電性接着剤(CA)は、スズ(Sn)またはスズ(Sn)を含む合金を含む金属材質で形成することができる。併せて、このような導電性接着剤(CA)は、スズ(Sn)またはスズ(Sn)を含む合金を含む、ソルダーペースト(solder paste)、エポキシにスズ(Sn)またはスズ(Sn)を含む合金が含まれたエポキシソルダーペースト(epoxy solder paste)または導電性ペースト(Conductive psate)の内、いずれか1つの形で形成することができる。
一例として、導電性接着剤(CA)がソルダーペーストの形で適用された場合、ソルダーペーストには、Sn、SnBi、SnIn、SnAgCu、SnPb、SnBiCuCo、SnBiAg、SnPbAgまたはSnAgの内、少なくとも1つの金属材質を含むことができ、導電性接着剤(CA)がエポキシソルダーペーストの形で適用された場合、エポキシ樹脂内にSn、SnBi、SnIn、SnAgCu、SnPb、SnBiCuCo、SnBiAg、SnPbAgまたはSnAgの内、少なくとも1つの金属材質を含みから形成することができる。
さらに、導電性接着剤(CA)が導電性ペーストの形で適用された場合、エポキシのような樹脂内にSn、SnBi、Ag、AgInまたはAgCuの内、少なくとも1つの金属材質を含みから形成することができる。
ここで、絶縁層(IL)は、絶縁性材質であればどのようなものでも構わず、一例として、エポキシ系の樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル系の樹脂やシリコン系の樹脂の内、いずれか1つの絶縁材質が使用されることができる。
このように、各太陽電池の背面に接続された複数の第1導電性配線(CW1)及び複数の第2導電性配線(CW2)の内、各半導体基板110の外に突出する部分が図1及び図4に示すように、第1、第2太陽電池(C1、C2)との間に配置されるセル間コネクタ(IC)の背面に接続することができ、これにより、複数の太陽電池(C1、C2)が第2方向(y)に直列接続された1つのストリングに形成することができる。
このような構造を有する太陽電池モジュールは、複数個の太陽電池の内、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)と、第1、第2電極(C141、C142)との間に接続不良が発生した太陽電池がある場合、セル間コネクタ(IC)と、複数の第1、第2導電性配線(CW1、CW2)との間の接続を解除して、その太陽電池だけ、さらに容易に交替 することができる。
以下では、前述した導電性接着剤(CA)と絶縁層(IL)の厚さに対しさらに具体的に説明する。
図5は、図1及び図4で説明した導電性接着剤(CA)の厚さ(TCA)と絶縁層(IL)の厚さ(TIL)に対して、さらに具体的に説明するための図であり、図6は、導電性接着剤と絶縁層の平面形状を説明するために、図1でK1の部分を拡大して示した図である。
本発明に係る太陽電池モジュールにおいて、電極と導電性の配線の間に位置する導電性接着剤(CA)の厚さ(TCA)は、電極と導電性の配線の間に位置する絶縁層(IL)の厚さ(TIL)より大きく形成することができる。
さらに、電極(C141、C142)の背面から導電性接着剤(CA)の背面までの高さ(HCA)は、電極(C141、C142)の背面から絶縁層(IL)背面までの高さ(HIL)より大きくなることがある。
したがって、第1、第2電極(C141、C142)の厚さが同じである場合、半導体基板110の背面から電極(C141、C142)の上に位置する導電性接着剤(CA)の背面までの高さ(HCA)は、半導体基板110の背面から電極(C141、C142)の上に位置する絶縁層(IL)の背面までの高さ(HIL)より高くなることができる。
ここで、導電性接着剤(CA)の背面や絶縁層(IL)の背面が図5に示されたように異なり均一でない場合、導電性接着剤(CA)の高さ(HCA)は、電極(C141、C142)の背面から導電性接着剤(CA)の背面までの高さの中で最高の高さであることがあり、絶縁層の高さ(HIL)は、電極(C141、C142)の背面から絶縁層(IL)の背面までの高さの内、最高の高さで有り得る。
一例として、太陽電池で導電性接着剤(CA)は、第1電極(C141)と第1導電性配線(CW1)との間、または第2電極(C142)と第2導電性配線(CW2)との間に位置することができ、絶縁層(IL)は、第1電極(C141)と第2導電性配線(CW2)の間、または第2電極(C142)と第1導電性配線(CW1)との間に位置することができる。
この時、一例として、第1電極(C141)と第1導電性配線(CW1)との間に塗布される導電性接着剤(CA)の厚さ(TCA)は、第2電極(C142)と第1導電性配線(CW1)との間に塗布される絶縁層(IL)の厚さ(TIL)より大きいことがあり、逆に、第2電極(C142)と第2導電性配線(CW2)との間に塗布される導電性接着剤(CA)の厚さ(TCA)は、第1電極(C141)と第2導電性配線(CW2)との間に塗布される絶縁層(IL)の厚さ(TIL)より大きくなることができる。
併せて、図5に示すように、各電極(C141、C142)と、各導電性配線(CW1、CW2)との間の間隔は、導電性接着剤(CA)の厚さ(TCA)と同一であるので、絶縁層(IL)と導電性配線の間には、互いに一定間隔(DP)だけ離隔することができる。
ここで、導電性接着剤(CA)は、図6に示すように、半導体基板110の背面の内、第1、第2電極(C141、C142)が位置しない領域には、位置せず、導電性配線と重畳される電極一部分のみを覆うようにいずれか1つの電極上にのみ位置することができる。
すなわち、導電性接着剤(CA)は、第1導電性配線(CW1)と接続する第1電極(C141)の一部分の上にのみ位置するか、第2導電性配線(CW2)と接続する第2電極(C142)の一部分の上にのみ位置することができる。
しかし、絶縁層(IL)は、第2電極(C142)の内、第1導電性配線(CW1)と交差されて、重畳される一部分の上だけでなく、第2電極(C142)の一部分の周りの半導体基板110背面の上にも位置することができ、併せて、第1電極(C141)の内、第2導電性配線(CW2)と交差されて、重畳される一部分の上だけでなく、第1電極(C141)の一部分の周りの半導体基板110背面の上にも位置することができる。
ここで、一例として、電極(C141、C142)の上に位置する導電性接着剤(CA)の平均厚さ(TCA)は、電極(C141、C142)の上に位置する絶縁層(IL)の平均厚さ(TIL)の2倍乃至10倍の間の範囲で形成することができる。
ここで、絶縁層(IL)の厚さ(TIL)は、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)と交差する第1、第2電極(C141、C142)の一部分の上に位置する絶縁層(IL)の厚さ(TIL)を意味する。
一例として、絶縁層(IL)の平均厚さ(TIL)は1μm〜50μmの間に形成されることがあり、導電性接着剤(CA)の平均厚さ(TCA)は、絶縁層(IL)の平均厚さ(TIL)の2倍〜10倍の範囲内で10μm〜100μmの間に形成することができる。
さらに、絶縁層(IL)の面積は、導電性接着剤(CA)の面積より大きく形成することができる。
さらに具体的には、図6に示すように、導電性接着剤(CA)は、第1、第2電極(C141、C142)と第1、第2導電性配線と交差する地点で、第1、第2電極(C141、C142)の上に、第1、第2電極(C141、C142)の長さ方向に沿って位置することができる。
この時、導電性接着剤(CA)の第1方向(x)への幅(CAx)は、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)の線幅と同じか大きく、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)の各線幅の1.2倍以下で有り得る。
さらに、導電性接着剤(CA)の第2方向(y)への幅(CAy)は、第1、第2電極(C141、C142)の線幅より狭いか同じであることがある。
しかし、絶縁層(IL)は、第1、第2電極(C141、C142)と第1、第2導電性配線(CW1、CW2)との間の絶縁をさらに確実にするために、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)と交差する第1、第2電極(C141、C142)の一部分の上だけでなく、第1、第2電極(C141、C142)の一部分の周りの半導体基板110背面の上にも位置することができる。
この時、絶縁層(IL)の第1方向(x)への幅(ILx)は、導電性接着剤(CA)の第1方向(x)への幅(CAx)より大きく、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)それぞれの線幅の3倍より小さいことがある。
さらに、絶縁層(IL)の第2方向(y)への幅(ILy)は、第1、第2電極(C141、C142)の線幅より大きく、互いに離隔した2つの第1電極(C141、C142)との間の間隔や、互いに離隔された2つの第2電極(C141、C142)との間の間隔より小さく形成することができる。
これにより、太陽電池モジュール内で絶縁が必要な電極(C141、C142)と導電性配線(CW1、CW2)との間の短絡を防止し、太陽電池モジュールの耐久性をさらに向上させることがある。
この時、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)のそれぞれはコア(CR)とコーティング層(CT)を含むことができる。
ここで、コア(CR)は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)の内、少なくとも1つの材質を含む形成されることがあり、コーティング層(CT)は、スズ(Sn)を含んで形成することができる。一例として、コーティング層(CT)は、SnPb、SnAgCu、SnBiAg、SnBi、SnまたはSnAgの内、少なくとも1つを含んで形成することができる。
ここで、コア(CR)の厚さは、50μm〜250μmの間であり、コーティング層(CT)の厚さは、1μm〜30μmの間で有り得る。
このような太陽電池モジュールは、複数の太陽電池をカプセル化するラミネート工程中に、絶縁層(IL)と導電性配線との間の離隔された空間に充填材が満たされ得る。以下では、これに対して、さらに具体的に説明する。
図7は、本発明に係る太陽電池モジュールが、ラミネート工程によってカプセル化された断面図を示したものであり、図8は、ラミネート工程により絶縁層(IL)と導電性配線との間の離隔された空間に充填材(EVA)が満たされた構造を詳細に示したものである。
図7に示すように、太陽電池は、前面透明基板(FG)と背面シート(BS)との間に配置された状態で、熱と圧力が同時に加わるラミネート工程によって一体化されてカプセル化することができる。
ここで、前面透明基板(FG)は、透過率が高く、破損防止機能に優れた強化ガラスなどで形成することができる。
背面シート(BS)は、太陽電池の背面において湿気が浸透することを防止して太陽電池を外部環境から保護することができる。このような背面シート(BS)は、水分と酸素の浸透を防止する層、化学的腐食を防止する層のような多層構造を有することができる。
このような背面シート(BS)は、FP(fluoropolymer)/PE(polyeaster)/FP(fluoropolymer)のような絶縁材質からなる薄いシートで形成されるが、他の絶縁物質からなる絶縁シートで有り得る。
このようなラミネート工程は、前面透明基板(FG)と太陽電池との間、及び太陽電池と背面シート(BS)との間にシート状の充填材(EVA)が配置された状態で行われることができる。
ここで、充填材(EVA)の材質は、絶縁層(IL)の材質とは異なるように形成することができ、水分の浸透による腐食を防止し、太陽電池10を衝撃から保護し、そのために衝撃を吸収することができるエチレンビニルアセテート(EVA、ethylene vinyl acetate)のような物質で形成することができる。
したがって、前面透明基板(FG)と太陽電池との間、及び太陽電池と背面基板との間に配置されたシート状の充填材(EVA)は、ラミネーション工程中の熱と圧力により溶融されて、図8に示すように、第1、第2電極(C141、C142)との間の空きスペース、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)との間の空きスペース、および絶縁層(IL)と、第1、第2導電性配線(CW1、CW2)との間の離隔された空間に満たすことができる。
これにより、太陽電池モジュールは、耐久性はさらに向上することができる。
以上、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求の範囲で定義している本発明の基本的な概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態また、本発明の権利範囲に属するものである。

Claims (14)

  1. 第1導電性の不純物がドーピングされた半導体基板と、
    前記第1導電性と反対の第2導電性の不純物がドーピングされるエミッタ部と、
    前記半導体基板より前記第1導電性の不純物を高濃度にドーピングされる背面電界部と、
    前記エミッタ部に接続する第1電極と、
    前記背面電界部に接続する第2電極と、
    それぞれが前記第1、第2電極と交差する方向に長く形成され、前記複数の第1電極と導電性接着剤を介して接続され、前記複数の第2電極と絶縁層によって絶縁される複数の第1導電性配線と、前記複数の第2電極と前記導電性接着剤を介して接続され、前記複数の第1電極と前記絶縁層によって絶縁される複数の第2導電性配線を含み
    前記第1導電性配線と前記第1電極との間及び前記第2導電性配線と前記第2電極との間に位置する前記導電性接着剤の厚さは、前記第1導電性配線と前記第2電極との間及び前記第2導電性配線と前記第1電極との間に位置する前記絶縁層の厚さより厚い、太陽電池モジュール。
  2. 前記絶縁層と、前記第1及び第2導電性配線の間は、互いに離隔されている、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記絶縁層と、前記第1及び第2導電性配線との間の離隔された空間には、外部の衝撃から前記半導体基板を保護する充填材がさらに位置する、請求項2に記載の太陽電池モジュール。
  4. 前記絶縁層は、エポキシ、ポリイミドまたはシリコンのうちの少なくともいずれか1つを含む、請求項3に記載の太陽電池モジュール。
  5. 前記充填材の材質は、前記絶縁層の材質と異なる、請求項4に記載の太陽電池モジュール。
  6. 前記充填材は、EVA(EVA、ethylene vinyl acetate)である、請求項4に記載の太陽電池モジュール。
  7. 前記導電性接着剤の材質は、スズ(Sn)を含む、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  8. 前記導電性接着剤は、ソルダーペースト(solder paste)エポキシソルダーペースト(epoxy solder paste)または導電性ペースト(Conductive psate)の内、いずれか1つで形成される、請求項7に記載の太陽電池モジュール。
  9. 前記第1、第2電極のそれぞれは、前記導電性接着剤と他の金属材質を含む、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  10. 前記第1、第2電極のそれぞれは、チタン(Ti)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、ニッケル−バナジウム合金(NiV)、ニッケル、ニッケル−アルミニウム合金(NixAly)、モリブデン(Mo)、スズ(Sn)の内、少なくとも1つの材質が少なくとも1つの層で形成される、請求項9に記載の太陽電池モジュール。
  11. 前記第1、第2導電性配線は、
    銅(Cu)またはアルミニウム(Al)の内、少なくとも1つの材質を含むコアと、
    前記コアの表面にコーティングされており、スズ(Sn)を含むコーティング層を含む、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  12. 前記コーティング層は、SnPb、SnAgCu、SnBiAg、SnBi、SnまたはSnAgの内、少なくとも1つを含む、請求項11に記載の太陽電池モジュール。
  13. 前記コアの厚さは50μm〜250μmの間であり、前記コーティング層の厚さは1μm〜30μmの間である、請求項11に記載の太陽電池モジュール。
  14. 前記導電性接着剤の厚さは、10μm〜100μmの間であり、前記絶縁層の厚さは1μm〜50μmの間である、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
JP2016134900A 2015-07-08 2016-07-07 太陽電池モジュール Active JP6240267B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0096930 2015-07-08
KR1020150096930A KR101658733B1 (ko) 2015-07-08 2015-07-08 태양 전지 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017022380A JP2017022380A (ja) 2017-01-26
JP6240267B2 true JP6240267B2 (ja) 2017-11-29

Family

ID=56360310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016134900A Active JP6240267B2 (ja) 2015-07-08 2016-07-07 太陽電池モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10516070B2 (ja)
EP (2) EP3570332B1 (ja)
JP (1) JP6240267B2 (ja)
KR (1) KR101658733B1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150100146A (ko) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101820103B1 (ko) * 2014-10-27 2018-01-18 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈, 그 리페어 방법 및 리페어 장치
KR102457928B1 (ko) * 2017-08-04 2022-10-25 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법
DE102018105472A1 (de) * 2018-03-09 2019-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, photovoltaische Solarzelle und Photovoltaikmodul
CN108649087B (zh) * 2018-05-09 2020-11-13 晶澳太阳能有限公司 一种太阳能电池组件及其制备方法
EP3573113B1 (en) * 2018-05-24 2020-04-15 Solyco Technology GmbH Photovoltaic module
CN112397607A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 福建金石能源有限公司 一种硅基柔性电池及其模组的制作方法
CN116722056A (zh) 2022-05-26 2023-09-08 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080216887A1 (en) 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules
JP2008205137A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2009206366A (ja) 2008-02-28 2009-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP5410050B2 (ja) 2008-08-08 2014-02-05 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2011003724A (ja) 2009-06-18 2011-01-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP4678698B2 (ja) * 2009-09-15 2011-04-27 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法
US8840700B2 (en) * 2009-11-05 2014-09-23 Ormet Circuits, Inc. Preparation of metallurgic network compositions and methods of use thereof
KR20140015247A (ko) * 2010-08-05 2014-02-06 솔렉셀, 인크. 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부
JP5140132B2 (ja) 2010-10-29 2013-02-06 シャープ株式会社 配線基板付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法
US20120167978A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US20140124027A1 (en) * 2011-05-31 2014-05-08 Kyocera Corporation Solar cell and method of manufacturing a solar cell
JP5729474B2 (ja) 2011-07-25 2015-06-03 日立化成株式会社 配線部材及びその製造方法、並びに配線部材接着体の製造方法
EP2624303A1 (en) 2012-01-31 2013-08-07 Samsung SDI Co., Ltd. Solar cell module and fabrication method thereof
US9293635B2 (en) * 2012-03-19 2016-03-22 Rec Solar Pte. Ltd. Back junction back contact solar cell module and method of manufacturing the same
WO2014077688A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Dsm Ip Assets B.V. D1531 radiation-curable resin composition for wire coating layer formation
NL2009836C2 (en) * 2012-11-19 2014-05-21 Stichting Energie Back-contacted solar panel and method for manufacturing such a solar panel.
KR101441975B1 (ko) * 2012-12-11 2014-09-25 주식회사 제우스 후면전극형 태양전지모듈과 이것의 제조방법
KR102124520B1 (ko) 2013-10-29 2020-06-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR102132940B1 (ko) * 2013-11-29 2020-07-10 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101576351B1 (ko) 2014-02-17 2015-12-09 현대다이모스(주) 차량 시트용 리클라이닝 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20170012156A1 (en) 2017-01-12
KR101658733B1 (ko) 2016-09-21
EP3116034B1 (en) 2019-09-04
EP3570332A1 (en) 2019-11-20
EP3570332B1 (en) 2020-10-21
EP3116034A1 (en) 2017-01-11
US10516070B2 (en) 2019-12-24
JP2017022380A (ja) 2017-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6240267B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP6367284B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101816164B1 (ko) 태양전지 모듈
US20110132426A1 (en) Solar cell module
KR101642231B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR20120079215A (ko) 태양 전지 모듈
JP6321092B2 (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
KR101694553B1 (ko) 태양 전지 모듈
JP6321099B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR101806978B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101788160B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101788169B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 태양 전지
JP6709981B2 (ja) 太陽電池セル、太陽電池モジュール、および太陽電池セルの製造方法
KR101656622B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101911844B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102474476B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101806972B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102394105B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101975586B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101816151B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101816180B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102619351B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR20170095175A (ko) 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR20160063130A (ko) 태양 전지 및 태양 전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170816

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171102

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6240267

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350