JPH03165097A - 電子装置の冷却構造 - Google Patents

電子装置の冷却構造

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Publication number
JPH03165097A
JPH03165097A JP1303105A JP30310589A JPH03165097A JP H03165097 A JPH03165097 A JP H03165097A JP 1303105 A JP1303105 A JP 1303105A JP 30310589 A JP30310589 A JP 30310589A JP H03165097 A JPH03165097 A JP H03165097A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fin
spherical surface
coolant
semiconductor
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1303105A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Go
郷 博
Shizuo Zushi
頭士 鎮夫
Mitsuo Miyamoto
宮本 光男
Kazutoshi Takahashi
一敏 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1303105A priority Critical patent/JPH03165097A/ja
Publication of JPH03165097A publication Critical patent/JPH03165097A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は回路基板の上に複数の半導体を搭載したマルチ
チップモジュール構造を有する電子装置の冷却構造に関
する。
〔従来の技術〕
従来の装置は、特開平1−54800号公報記載のよう
に、半導体に固着したフィンの端面にパツキンを押し付
け、このパツキンで冷却液をシールしていた。
【発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は冷却液を流す際の動圧及び静圧について
配慮がなされていない。即ち、冷却液の移動に伴う動圧
により、フィンが押され、この結果、半導体と基板の間
にせん断方向の力を与える問題がある。又、静圧により
、フィンの軸方向の力が発生し、その結果、半導体が通
水時には基板方向へ押し付けられる問題がある。いずれ
も、半導体と基板の間の信号及び給電のやりとりを行う
接続ピンにストレスを与えることとなり、その接続信頼
性を保つことが実装上の制約となり得る。
本発明の目的は、冷却液を流すことに伴う圧力の影響を
排除し、半導体と基板の間の組み立て誤差をハウジング
との間に設けたOリングのしゆう動性を利用して、冷却
液のシールを実現したままで吸収し、その上で、半導体
にとり付けたフィンに直接冷却液を吹きつけることで効
率的な冷却を行うことにある。
〔課題を解決するための手段〕
冷却液の流れに伴う動圧の影響を排除するために、フィ
ンの両端を支持する構造を採用する。
また、静圧の影響を排除するために、フィンの一端を大
気圧雰囲気中におかれた半導体に接し、他端を大気開放
構造とする。
次に、半導体の基板に対する組み立て誤差を吸収するよ
うに、フィン自身の移動性を確保しつつ大気に対して冷
却液のリークを防止するために、Oリングがとりつけら
れたブツシュを用意し、フィンの軸〜ブツシュ及びブツ
シュ−ハウジングのプレートの2ケ所をシールする。
さらに、フィンの半導体への接触面は球面に仕上げ、半
導体パッケージもこれに対応する球面を用意することで
、半導体の傾きに対しても追従する構造とする。
〔作用〕
フィン及びブツシュが、ハウジングと半導体の上下、左
右、傾き方向の組み立て誤差を吸収する。
また、冷却液のシールは、0リングが行う。半導体で発
生した熱はフィンに伝えられ、冷却液に即座に吸収させ
る。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
回路基−板4の上には、複数の半導体パッケージ3が搭
載されている。該半導体には個々独立にフィン1を押し
つける。該フィンは、ハウジング2に設けられた穴2C
を通して該ハウジングに組み込む、該ハウジングには冷
却液を通す流路が設けられており、冷却液人口2Aから
冷却液出口2Bを経由して流れる冷却液が該フィンの間
隙を流れる際に、該半導体パッケージ3で発生する熱を
吸収する冷却構造をなしている。
第2図は、ハウジング2の断面で見た時のフィン1の組
み込みの様子を示したものである。ハウジングの外壁を
構成するプレート2D及び2Eはそのまま冷却液の流路
を形成する。冷却液のシールとフィンの可動性を保障す
るのが、0リング8A、9A、または8B、9Bを有す
るブツシュ6A及び6Bである。該0リング8A及び8
Bは、プレート2D及び2Eとのシール機能を果たし、
該Oリング9A及び9Bが、フィンとのシール機能を果
たす。ここで、8A及び8Bがそのシール機能を充分に
発揮するために、ばね5が存在する。
ブツシュ6A及び6Bが、左右方向の移動できること、
フィンが上下方向の移動できることから、ハウジングに
対し、フィンは上下、左右の2つの自由度を持つことと
なる。すなわち、ハウジングに対し半導体パッケージ3
の組み立て誤差があっても、フィンはこれに追従して動
くことができる。
また、フィンの先端を球面とし、これに対応する半導体
パンケージ3の表面もこれと組み合う球面に仕上げるこ
とで、該半導体パッケージとハウジングの相対的な傾き
を吸収しつつ、接触熱抵抗をも低減できる。さらに該球
面間に熱的な密着性を高めるために、熱伝導性グリスを
塗布してもよい。
その際、熱的に許されるならば、半導体パッケージ3の
球面を平面にしても、傾きの吸収は、フィンの球面で確
保できる。以上まとめて、ハウジングと半導体パッケー
ジの組立て誤差は、(イ) フィンの上下方向の自由度
、 (ロ) ブツシュの左右方向の自由度、(ハ) フィン
先端の球面による傾き方向の自由度、 の3自由度をもつ構造により、全自由度に対して吸収可
能となる。
なお、板ばね7は、フィンと半導体パッケージの接触面
に適度な接触面圧を与えるものである。
最後に冷却液の動圧及び静圧に対する、本構造の耐性に
ついて述べる。動圧については、(イ) フィン1→ブ
ツシユ6A→プレート2D(ロ) フィン1→ブツシユ
6B→プレート2Eの2点で支持する。また、静圧につ
いては、本構造がフィンの上下方向について対称である
ことにより相殺することで回避できる。
〔発明の効果〕
半導体パッケージから冷却液に至る熱流路を、1つのギ
ャップのみで接続できることから、良好な冷却性能を確
保できる。また、冷却液、を流す際の動圧及び静圧に伴
う応力を半導体パッケージに与えないため、半導体パッ
ケージと回路基板間を接続するピンの接続信頼性を高め
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるマルチチップモジュー
ルの構造図、 第2図はマルチチップモジュールの断面図である。 1・・・フィン、2・・・ハウジング、2A・・・冷却
液入口、2B・・・冷却液出口、3・・・半導体パッケ
ージ、4・・・回路基板、2D及び2E・・・プレート
、5・・・ばね、6A及び6B・・・ブツシュ、7・・
・板ばね、8A及び8B・・・○リヘグ、9A及び9B
・・・Oリング。 招

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.冷却用のフィンと、これに取り付けたOリングを介
    して接するポッシュ、さらにOリングを介して接するプ
    レートから成る密閉したハウジング構造を有し、前記フ
    ィンの先端に形成した円球面をこれに対応する円球面を
    持つ半導体のパッケージ構造に押し付け、ハウジング内
    部に存在するフィン間に冷却液を流すことを特徴とする
    電子装置の冷却構造。
JP1303105A 1989-11-24 1989-11-24 電子装置の冷却構造 Pending JPH03165097A (ja)

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JP1303105A JPH03165097A (ja) 1989-11-24 1989-11-24 電子装置の冷却構造

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JP (1) JPH03165097A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008286500A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 T Rad Co Ltd モジュール型熱交換器のタンク接続構造
JP2012028703A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Denso Corp 電力変換装置

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008286500A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 T Rad Co Ltd モジュール型熱交換器のタンク接続構造
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