JPH03163879A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH03163879A JPH03163879A JP1303902A JP30390289A JPH03163879A JP H03163879 A JPH03163879 A JP H03163879A JP 1303902 A JP1303902 A JP 1303902A JP 30390289 A JP30390289 A JP 30390289A JP H03163879 A JPH03163879 A JP H03163879A
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- JP
- Japan
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- transistor
- photodiode
- collector
- grounded
- photoelectric transducer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 101000979912 Homo sapiens Sphingomyelin phosphodiesterase 2 Proteins 0.000 abstract 1
- 102100024550 Sphingomyelin phosphodiesterase 2 Human genes 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 101100277915 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DMC1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は発光素子と組合せて使用する光結合回路よりな
る光電変換装置に関するものである。
る光電変換装置に関するものである。
（従来の技術）
餡４図は、受光素子とトランジスタとよりなる従来の光
電変換装置の一例の回路図である。ＮＰＮトランジスタ
Ｑ４のコレクタは定電流源８に接続され、そのエミッタ
は接地されている。トランジスタＱ４のベース（ｄ：ソ
ートダイオード７を介して接地され、斗た負荷抵抗Ｒ８
によってそのコし／クｌ タと接続されている。
電変換装置の一例の回路図である。ＮＰＮトランジスタ
Ｑ４のコレクタは定電流源８に接続され、そのエミッタ
は接地されている。トランジスタＱ４のベース（ｄ：ソ
ートダイオード７を介して接地され、斗た負荷抵抗Ｒ８
によってそのコし／クｌ タと接続されている。
第５図は第４図に示されるフォトダイオード７の一例の
略断面図である。サブストレートとしてＰ型の基板ＩＯ
を用い、その表面に形或されたＮ型のエビタキシャル層
９と基板１０との間にＰＮ接台が形威さ？Ｌ，点線で示
されるようにダイオードが構威される。その表面は酸化
膜Ｉ１で覆われ、エビタキシャル層９の表面の一部にＮ
＋型領域１２を設け、その表面には酸化膜Ｉ１を貫いて
カソード電極１８を設ける。Ｎ型のエビタキシャル層９
の表面は受光面となり、それ以外の部分は遮光膜１４で
覆われる。前記のフォトダイオードは波長の長い光、特
に赤夕｝光に対する感度を高めるため、モノリシック内
に形成されるもっとも深い結合、すなわち前記のＮ型の
エビタキシャル層９と基板１０との間のＰＮ接合で形成
される。
略断面図である。サブストレートとしてＰ型の基板ＩＯ
を用い、その表面に形或されたＮ型のエビタキシャル層
９と基板１０との間にＰＮ接台が形威さ？Ｌ，点線で示
されるようにダイオードが構威される。その表面は酸化
膜Ｉ１で覆われ、エビタキシャル層９の表面の一部にＮ
＋型領域１２を設け、その表面には酸化膜Ｉ１を貫いて
カソード電極１８を設ける。Ｎ型のエビタキシャル層９
の表面は受光面となり、それ以外の部分は遮光膜１４で
覆われる。前記のフォトダイオードは波長の長い光、特
に赤夕｝光に対する感度を高めるため、モノリシック内
に形成されるもっとも深い結合、すなわち前記のＮ型の
エビタキシャル層９と基板１０との間のＰＮ接合で形成
される。
第４図の回路において、出力電圧Ｊ ｖｏａ は、Ａ
Ｖｏ ａ ＝ Ｉ ｓｃｒ Ｘ Ｒ ｓ ・・
・｛ｌ）ここでＩＳＣ７：フ才トダイオード７に発生す
る光市流 である。
Ｖｏ ａ ＝ Ｉ ｓｃｒ Ｘ Ｒ ｓ ・・
・｛ｌ）ここでＩＳＣ７：フ才トダイオード７に発生す
る光市流 である。
（発明が解決しようとする課題）
従来の回路Ｋ釦いて、感度を向上しようとするとき、次
の手段がある。
の手段がある。
（Ｌ） 負荷抵抗Ｒ８の増加
〈２）７ォトダイオード７の面積の増加しかしながら、
モノリシック内に形威される抵抗値には限界があって、
通常はＩＭΩ程度が限界である。このためフォトダイオ
ード７の面積を増加せざる得す、小型化に支障があった
。
モノリシック内に形威される抵抗値には限界があって、
通常はＩＭΩ程度が限界である。このためフォトダイオ
ード７の面積を増加せざる得す、小型化に支障があった
。
（課題を解決するための手段）
本発明にかいては、前記の課題を解決するため、フォト
ダイオードのカソードをＰＮＰ ｝ランジスタのベース
へ、１たフォトダイオードのアノードをＰＮＰ ｝ラン
ジスタのコレクタに接続した。
ダイオードのカソードをＰＮＰ ｝ランジスタのベース
へ、１たフォトダイオードのアノードをＰＮＰ ｝ラン
ジスタのコレクタに接続した。
（作 用）
フォトダイオードで発生した光電流がトランジスタＰｃ
よって増幅されるから、フォトダイオードの面積の増加
を少くすることができる。
よって増幅されるから、フォトダイオードの面積の増加
を少くすることができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の回路図である。フォトダイ
オードｌのアノードは接地され、そのカンードｉｄＰＮ
Ｉ’｝ランジスタＱｌのベースに接続されており、ＰＮ
Ｐ ｝ランジスタＱ１のエミツタは電源Ｋ接続されてか
り、そのコレクタは抵抗Ｒ１を介して接地されている。
オードｌのアノードは接地され、そのカンードｉｄＰＮ
Ｉ’｝ランジスタＱｌのベースに接続されており、ＰＮ
Ｐ ｝ランジスタＱ１のエミツタは電源Ｋ接続されてか
り、そのコレクタは抵抗Ｒ１を介して接地されている。
出力％Ｆ圧ＪＶＯＩはコレクタ｛ｌｌｌから取り出され
る。
る。
出力電圧ａｖＱｌｉ．ｉ：、
” ｖＯ １ ”’ Ｉ ＳＣＩ ’．＜ ＩＩＦＥＩ
ンＲ Ｉ −−゛−（２）ココでＩ ＳＣ：Ｉ ：フ
ォトダイオード１に発生する光電流 ｂＦＥ］ ： ＰＮＰ ｝ランジスタＱｌの直流”＋’
ａ． ′／）ｆ増幅率 である。
ンＲ Ｉ −−゛−（２）ココでＩ ＳＣ：Ｉ ：フ
ォトダイオード１に発生する光電流 ｂＦＥ］ ： ＰＮＰ ｝ランジスタＱｌの直流”＋’
ａ． ′／）ｆ増幅率 である。
式（２）によって明らかｋよう１て、フォトダイオート
１に発生する光電流ＩＳＣｌが、？Ｎ’？ ＋・ランジ
スタＱＩＶこよって増幅されるＣ１ 第２図は他の実施例の回路図である。フォトトランジス
タ２のカソードはＰＮＰ ｌ−５ンジスタＱ８のベース
に接続され、そのアノードは接地されている。ＰＮＰ
｝ランジスタＱ８の工くツタは、他のＮＰＮ ｝ランジ
スタＱ２の工くツタに接続され、そのコレクタは接地さ
れている。ＮＰＮ｝ランジスタＱ２のペースは定電圧電
源に接続され、そのコレクタは抵抗Ｒ２を介してある電
位に接続されている。この回路の出力電圧ａｖ０２はＮ
ＰＮ｝ランジスタＱ２のコレクタ側から取り出される。
１に発生する光電流ＩＳＣｌが、？Ｎ’？ ＋・ランジ
スタＱＩＶこよって増幅されるＣ１ 第２図は他の実施例の回路図である。フォトトランジス
タ２のカソードはＰＮＰ ｌ−５ンジスタＱ８のベース
に接続され、そのアノードは接地されている。ＰＮＰ
｝ランジスタＱ８の工くツタは、他のＮＰＮ ｝ランジ
スタＱ２の工くツタに接続され、そのコレクタは接地さ
れている。ＮＰＮ｝ランジスタＱ２のペースは定電圧電
源に接続され、そのコレクタは抵抗Ｒ２を介してある電
位に接続されている。この回路の出力電圧ａｖ０２はＮ
ＰＮ｝ランジスタＱ２のコレクタ側から取り出される。
その大きさは、
ｊ！ｌｌＶＯ２ ” ＩＳＣ２ ＸｈＦＥ８ ＸＲ２こ
こでＩｓｃ２：フォトダイオード２に発生する光電流 ｈｐｇｇ：Ｐ Ｎ Ｐ ｝ランジスタＱ８の直流電流増
幅率 である。
こでＩｓｃ２：フォトダイオード２に発生する光電流 ｈｐｇｇ：Ｐ Ｎ Ｐ ｝ランジスタＱ８の直流電流増
幅率 である。
第２図の場合は、ＰＮＰトランジスタＱ８のコレクタが
抵抗を介することなく接地されているが、第Ｉ図の場合
と同様に、フォトダイオード２Ｋよって発生した光市流
Ｉ ＳＣ２がＰＮＰトランジスタＱｓＫよって増幅され
る。
抵抗を介することなく接地されているが、第Ｉ図の場合
と同様に、フォトダイオード２Ｋよって発生した光市流
Ｉ ＳＣ２がＰＮＰトランジスタＱｓＫよって増幅され
る。
第８図は第２図の点線で包囲した部分８を具体化した一
例で、一枚のＰ型の基板６Ｋ形成したＮ型のエビタキシ
ャル＃５の一部にＰ型領域４及び他の一部にＮ＋型領域
１２を形威し、表面Ｋ形成された酸化ｉｌｌを貫いて、
それぞれの領域にカソド電極Ｉ８及びエミッタ電極１５
が設けられている。飴２図のフォトダイオード２は、第
８図にお６てエビタキシャル層５と基板６とのＰＮ接合
によって構威されている。第２図のＰＮＰ ｝ランジス
タＱ８は、Ｐ型領域４とエビタキシャル層５と基板６と
によってＰＮＰ ｌ−ランジスタが構成されている。こ
のような構或によって、フォトダイオードとＰＮＰ｝ラ
ンジスタとを同一素子に組込むことができる。
例で、一枚のＰ型の基板６Ｋ形成したＮ型のエビタキシ
ャル＃５の一部にＰ型領域４及び他の一部にＮ＋型領域
１２を形威し、表面Ｋ形成された酸化ｉｌｌを貫いて、
それぞれの領域にカソド電極Ｉ８及びエミッタ電極１５
が設けられている。飴２図のフォトダイオード２は、第
８図にお６てエビタキシャル層５と基板６とのＰＮ接合
によって構威されている。第２図のＰＮＰ ｝ランジス
タＱ８は、Ｐ型領域４とエビタキシャル層５と基板６と
によってＰＮＰ ｌ−ランジスタが構成されている。こ
のような構或によって、フォトダイオードとＰＮＰ｝ラ
ンジスタとを同一素子に組込むことができる。
（発明の効果）
本発明によれば、高感度の小型な光電変換装置を得るこ
とができる。
とができる。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は他の実施
例の回路図、第３図はフォトダイオードとＰＮＰ ｝ラ
ンジスタを一体化した略断而図、第４図は従来の例の回
路図、第５図は第４図に使用されるフォトダイオードの
略断面図である。
例の回路図、第３図はフォトダイオードとＰＮＰ ｝ラ
ンジスタを一体化した略断而図、第４図は従来の例の回
路図、第５図は第４図に使用されるフォトダイオードの
略断面図である。
Claims (1)
- １、トランジスタのベースをこれと同じ導電型を有する
フォトダイオードの一極に接続し、前記のトランジスタ
のコレクタと前記のフォトダイオードの他の極を接続し
たものを同一のチップ上に形成した光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303902A JPH03163879A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303902A JPH03163879A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163879A true JPH03163879A (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=17926644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1303902A Pending JPH03163879A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163879A (ja) |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1303902A patent/JPH03163879A/ja active Pending
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