JPH0315817B2 - - Google Patents
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- JPH0315817B2 JPH0315817B2 JP59039575A JP3957584A JPH0315817B2 JP H0315817 B2 JPH0315817 B2 JP H0315817B2 JP 59039575 A JP59039575 A JP 59039575A JP 3957584 A JP3957584 A JP 3957584A JP H0315817 B2 JPH0315817 B2 JP H0315817B2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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-
- H—ELECTRICITY
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、LSIを搭載した電子装置の製造方法
に係り、特に、LSIチツプを直接ガラス基板など
に搭載する型の電子装置の製造方法に関する。 〔発明の背景〕 コンピユータをはじめとして、LSIを多数用い
た電子機器が広く用いられる様になるに従つて、
ますます、小型化、多機能化が求められる傾向に
ある。この要求は、LSIの高集積化だけにとどま
らず、LSIチツプ同志あるいは、LSIチツプと他
の周辺装置との接続スペースの縮少にも及んでい
る。 大形計算機の分野では、セラミツク基板に、直
接LSIチツプを搭載し、相互配線の長さを短縮し
ようという動きが見られる（日経エレクトロニク
ス、1981年７月20日号、p118〜144参照）。 一方、液晶表示装置など平面デイスプレイ装置
において、マトリツクス駆動を行なう為、表示情
報量の増大に伴つて、接続端子数が急激に増加
し、接続部の信頼性確保が困難になりつつあり、
これら表示デバイスと、駆動用LSIとを直接接続
実装する技術の検討がなされている。表示デバイ
スの基板であるガラス板上に回路を形成し、LSI
チツプを搭載し、接続を行なうものである。この
ような技術は、液晶表示装置の他、エレクトロル
ミネセンス、エレクトロクロミツクなど平面デイ
スプレイ全般に亘つて求められているものであ
る。 駆動用LSIを表示デバイス基板に直接実装する
方法は、いくつか考えられる。 一つは、LSIチツプをあらかじめ接続ピンを出
して樹脂モールドし、接続ピンと、基板上に設け
られた配線とをハンダ接続する方法がある。この
方法は、従来のLSI実装技術の延長上にあり、技
術的な難しさは少ない。しかし、この方法では、
樹脂モールドLSI素子のサイズが、チツプサイズ
に比べて大きくなる為、スペースを大幅に節減す
ることは難しく、また、コストの面でもメリツト
が出ない。 もう一つは、LSIチツプを直接、基板に接続し
しかる後に、必要な封止処理を行なうもので、新
しい試みに属するものである。また、試行錯誤を
繰り返している段階である為、いくつかの方式が
提案されている。いずれもチツプと配線との接続
の信頼性及び素子の耐環境性を確保することを念
頭に考えられているものである。 〔発明の目的〕 本発明はチツプオンボードにおける樹脂被覆層
の構造の最適化を図つて、樹脂と基板とのはく離
や基板やチツプ裏面でのクラツク発生を防止する
樹脂被覆電子装置の製造方法を提供することを目
的とする。 〔発明の概要〕 本発明の要旨は、LSIチツプ上の端子と、配線
を形成する基板端子とを半田で接続し、LSIチツ
プと基板との間隙を第６図ｂに示すように樹脂で
完全に充填し、かつLSIチツプの周辺部まで樹脂
被覆した樹脂被覆電子装置の製造方法であつて、
LSIチツプをとり囲む円筒形の枠を設置し、その
枠内に被覆樹脂を注入し、更に該被覆樹脂の上端
面が前記基板面或いはLSIチツプ面に平行となる
ように第６図ｄに示すように押圧した後、該樹脂
を硬化させ、次いで上記枠を取り去ることを特徴
とする樹脂被覆電子装置の製造方法である。 また本発明においては、樹脂被覆層が基板面及
びチツプ面を各底面としてほぼ円筒状をなし、か
つその高さが基板面からチツプ裏面までの高さの
２倍を越えないようにしてもよい。 本発明において、基板か樹脂の上端面までの高
さは基板面からチツプ裏面までの高さの２倍を越
えないことが望ましい。また樹脂層の高さはチツ
プ裏面までの高さよりも高いことが望ましい。 基板は例えばソーダガラス、或いは表面処理さ
れたソーダガラスが用いられる。 樹脂層の熱膨脹係数は、接合に用いられるハン
ダの熱膨脹係数とほぼ等しいものであると効果的
である。 また同一基板上に２個以上のLSIチツプを搭載
する場合にも効果的である。 本発明は、特に、最も構造が簡単で、応用範囲
の広いLSIチツプ直接実装型電子装置に関連する
ものである。 本発明では、第１図に示す様な基本構造を有
し、周辺にハンダバンプを形成したLSIチツプ１
と、そのチツプへの電源供給のための配線及びそ
のチツプから駆動信号をとり出すための配線を形
成した基板２とを、上述のハンダバンプを介して
ハンダ３で直接接続し、しかる後にチツプ及びそ
の周辺部を樹脂被覆して保護した電子装置が対象
である。 チツプの実施基板としてガラスを用いること
は、種々の困難が伴なう為、実用化が進んでいな
い。特に大きな問題は、ガラス基板は、ぜい性破
壊し易い材料であり、応力集中によりクラツク破
断が起り易い点である。セラミツクを基板として
用いる場合との大きな違いである。 電子装置実装の場合は、有機材料、無機材料、
金属材料など多種類の材料を複合して用いる為、
熱膨脹率の差などによる応力集中は避けられな
い。 本発明は、これらの諸問題を解決すべくなされ
た検討の結果考案されたもので、これによつて、
ガラスを基板とするLSIチツプ実装を真に実用性
の高いものとなし得た。 ガラスとの熱膨脹率差が最も大きい材料は、最
後に被覆される樹脂材料である。ハンダ接続部の
断線を防ぐという目的があるため、ハンダの熱膨
脹係数に近い値である25×10-6cm／deg前後であ
る。これに対し、ガラスは９×10-6cm／degであ
り、約３分の１である。この条件は、ハンダ接続
部の信頼性確保に不可欠であり、変えることは出
来ない。それだけでなく、樹脂では、硬化収縮が
あり、ガラスとの界面にやはり大きな内部応力が
発生する。これらの内部応力の集中をうまく回避
しなければ、樹脂とガラスの界面ではくりが生ず
るか、接着力が強ければガラスクラツクを惹き起
す。 本発明は、樹脂被覆の形状が、応力集中回避に
大きな効果を及ぼし、厳しい温度サイクル条件下
でもガラスクラツクが起らない電子装置構造とな
し得ることを見出したことに基づいている。 従来よく用いられている構造は、第２図に示す
様なモールド構造である。チツプ部で最も高く、
周辺部に行くに従つて薄くなる半円球状のモール
ド構造（「山形」と称す）である。この構造では、
周辺部先端に大きな応力集中が起り、温度サイク
ル試験で早期に周辺部にガラスクラツクが発生し
た。また、セラミツク基板の場合は、基板のクラ
ツクは発生しないが、その代り、シリコンチツプ
裏側で、クラツク発生が認められた。 周辺部先端における樹脂〜ガラス界面での応力
集中を避けるには、周辺部の樹脂層厚を厚くして
やれば良いと考えられる。厚い樹脂層が、周辺部
に集まる応力を、界面から分散させる役目を果す
ことが期待できるからである。 そこで、第３図、第４図の様に、周辺部の方
が、中央部より若干高くなる構造にしてみた。 ところが期待に反し、やはり周辺部にガラスク
ラツクが発生した。 そこで、こんどは、周辺部と中央部の厚さがほ
ぼ一定となる様な、第５図ａ，ｂに示す円筒状の
モールド構造とした。その結果、初期クラツクが
ないだけでなく、長期に亘る温度サイクル試験を
課しても、ガラスクラツクが発生しないモールド
構造があり得ることを見出した。 このようなモールド構造とすることによつて、
セラミツク基板で発生するシリコンチツプクラツ
クの発生も防止し得ることが判つた。これは、シ
リコンチツプ上の樹脂膜厚が適正化されたためと
考えている。 また、このようなモールド構造で、ガラスクラ
ツクが発生しにくいようにするには、 (1) 出来るだけ真円に近い円筒構造とすること。 (2) ある程度円筒の大きさあるいは高さによつ
て、信頼性に差が生じ、必要な場合は、寸法の
精度管理が必要なこと。 また、樹脂成分として、内部応力緩和に有効な
組成、例えばゴム成分を含むものを用いることは
本発明の電子装置の信頼性向上に有効なことは論
をまたない。 〔発明の実施例〕 以下、具体的な実施例をあげて、本発明の効果
及びモールド構造の最適形状寸法を明らかにす
る。 （電子装置構成） (1) チツプ……5.63×5.63×0.5tシリコンウエハ
ー周辺部に52ケのハンダバンプを配置。 (2) 基板……27×27×1tのソーダガラス基板。表
面にSOG膜を被覆、その上にCr−CuCrの導体
層を形成。 (3) はんだ……Pb−５％Snはんだ。層厚〜50μｍ (4) 樹脂……下記組成 エピコート 100部 ポリブタジエン（CTBN） 15部 ジシアンジアミド 10部 イミダゾール（2P4MHz） ５部 Ａ−187 ２部 石英粉（EMC−Y40） 50vol％ （温度サイクル試験条件） 高温側 150℃、15分 低温側 −55℃、25分 昇、降温 各５分 1h／〓 比較例 １、２ 所定の接続処理を行なつたチツプ付き基板を、
前記した樹脂により、まず、チツプ〜基板間隙に
樹脂注入を行なつたのち、チツプ上に、0.2〜0.4
ｇの樹脂を盛り上げ、恒温槽で120℃、2h硬化さ
せた。その時の形状は、概ね第２図に示す様な山
形の形状であつた。 比較例 ３、４ 所定の接続処理を行なつたチツプ付き基板を、
まず、前記した樹脂によりチツプ〜基板間隙を充
てんする。しかるのちに、チツプ周辺の基板上に
円形にくりぬいた穴を有するテフロン枠を、チツ
プが穴の中心位置を占める様に固定し、チツプ上
に、比較例１と同様に樹脂を盛り付け、恒温槽で
120℃、2h硬化させ、テフロン枠をはずして樹脂
コード半導体素子とした。その時の形状は、周辺
部が若干厚くなつて第３図、第４図の様な形状
（以下「蓮葉状」と称す。）となつた。 実施例 １〜10 比較例と同じチツプ付き基板に、まず、上記し
た樹脂を用いて、チツプ〜基板間隙を充填する
（第６図工程ａ〜ｂ）。次にチツプ上に所定量秤量
した樹脂をのせる。しかる後、第６図に示す工程
で樹脂被覆を行なう。（工程ｃ〜ｄ）。即ち、所定
の厚さ（1.5〜3t）のテフロン枠を、基板周辺部
にセツトする。次に、厚さ３mmのテフロン板で、
テフロン枠に押し付ける様に、樹脂を押し拡げ、
テフロン板とガラス基板をクリツプどめして、恒
温槽で120℃２時間硬化させる。そのあと、テフ
ロン枠、テフロン板をはずし、樹脂被覆電子装置
とした。この時の樹脂被覆形状は、第５図の様に
なつた。（以下「円周状」と称す）。尚、円筒の高
さ及び径は、樹脂量あるいはテフロン枠の厚さを
変えて調節した。 比較例及び実施例について、初期チエツクを行
なつた後、上記した温度サイクル試験を実施し、
ガラスクラツクの発生状況を調べた。その結果
は、表に示す通りである。同表には、樹脂コート
の形状、寸法も併記してある。
に係り、特に、LSIチツプを直接ガラス基板など
に搭載する型の電子装置の製造方法に関する。 〔発明の背景〕 コンピユータをはじめとして、LSIを多数用い
た電子機器が広く用いられる様になるに従つて、
ますます、小型化、多機能化が求められる傾向に
ある。この要求は、LSIの高集積化だけにとどま
らず、LSIチツプ同志あるいは、LSIチツプと他
の周辺装置との接続スペースの縮少にも及んでい
る。 大形計算機の分野では、セラミツク基板に、直
接LSIチツプを搭載し、相互配線の長さを短縮し
ようという動きが見られる（日経エレクトロニク
ス、1981年７月20日号、p118〜144参照）。 一方、液晶表示装置など平面デイスプレイ装置
において、マトリツクス駆動を行なう為、表示情
報量の増大に伴つて、接続端子数が急激に増加
し、接続部の信頼性確保が困難になりつつあり、
これら表示デバイスと、駆動用LSIとを直接接続
実装する技術の検討がなされている。表示デバイ
スの基板であるガラス板上に回路を形成し、LSI
チツプを搭載し、接続を行なうものである。この
ような技術は、液晶表示装置の他、エレクトロル
ミネセンス、エレクトロクロミツクなど平面デイ
スプレイ全般に亘つて求められているものであ
る。 駆動用LSIを表示デバイス基板に直接実装する
方法は、いくつか考えられる。 一つは、LSIチツプをあらかじめ接続ピンを出
して樹脂モールドし、接続ピンと、基板上に設け
られた配線とをハンダ接続する方法がある。この
方法は、従来のLSI実装技術の延長上にあり、技
術的な難しさは少ない。しかし、この方法では、
樹脂モールドLSI素子のサイズが、チツプサイズ
に比べて大きくなる為、スペースを大幅に節減す
ることは難しく、また、コストの面でもメリツト
が出ない。 もう一つは、LSIチツプを直接、基板に接続し
しかる後に、必要な封止処理を行なうもので、新
しい試みに属するものである。また、試行錯誤を
繰り返している段階である為、いくつかの方式が
提案されている。いずれもチツプと配線との接続
の信頼性及び素子の耐環境性を確保することを念
頭に考えられているものである。 〔発明の目的〕 本発明はチツプオンボードにおける樹脂被覆層
の構造の最適化を図つて、樹脂と基板とのはく離
や基板やチツプ裏面でのクラツク発生を防止する
樹脂被覆電子装置の製造方法を提供することを目
的とする。 〔発明の概要〕 本発明の要旨は、LSIチツプ上の端子と、配線
を形成する基板端子とを半田で接続し、LSIチツ
プと基板との間隙を第６図ｂに示すように樹脂で
完全に充填し、かつLSIチツプの周辺部まで樹脂
被覆した樹脂被覆電子装置の製造方法であつて、
LSIチツプをとり囲む円筒形の枠を設置し、その
枠内に被覆樹脂を注入し、更に該被覆樹脂の上端
面が前記基板面或いはLSIチツプ面に平行となる
ように第６図ｄに示すように押圧した後、該樹脂
を硬化させ、次いで上記枠を取り去ることを特徴
とする樹脂被覆電子装置の製造方法である。 また本発明においては、樹脂被覆層が基板面及
びチツプ面を各底面としてほぼ円筒状をなし、か
つその高さが基板面からチツプ裏面までの高さの
２倍を越えないようにしてもよい。 本発明において、基板か樹脂の上端面までの高
さは基板面からチツプ裏面までの高さの２倍を越
えないことが望ましい。また樹脂層の高さはチツ
プ裏面までの高さよりも高いことが望ましい。 基板は例えばソーダガラス、或いは表面処理さ
れたソーダガラスが用いられる。 樹脂層の熱膨脹係数は、接合に用いられるハン
ダの熱膨脹係数とほぼ等しいものであると効果的
である。 また同一基板上に２個以上のLSIチツプを搭載
する場合にも効果的である。 本発明は、特に、最も構造が簡単で、応用範囲
の広いLSIチツプ直接実装型電子装置に関連する
ものである。 本発明では、第１図に示す様な基本構造を有
し、周辺にハンダバンプを形成したLSIチツプ１
と、そのチツプへの電源供給のための配線及びそ
のチツプから駆動信号をとり出すための配線を形
成した基板２とを、上述のハンダバンプを介して
ハンダ３で直接接続し、しかる後にチツプ及びそ
の周辺部を樹脂被覆して保護した電子装置が対象
である。 チツプの実施基板としてガラスを用いること
は、種々の困難が伴なう為、実用化が進んでいな
い。特に大きな問題は、ガラス基板は、ぜい性破
壊し易い材料であり、応力集中によりクラツク破
断が起り易い点である。セラミツクを基板として
用いる場合との大きな違いである。 電子装置実装の場合は、有機材料、無機材料、
金属材料など多種類の材料を複合して用いる為、
熱膨脹率の差などによる応力集中は避けられな
い。 本発明は、これらの諸問題を解決すべくなされ
た検討の結果考案されたもので、これによつて、
ガラスを基板とするLSIチツプ実装を真に実用性
の高いものとなし得た。 ガラスとの熱膨脹率差が最も大きい材料は、最
後に被覆される樹脂材料である。ハンダ接続部の
断線を防ぐという目的があるため、ハンダの熱膨
脹係数に近い値である25×10-6cm／deg前後であ
る。これに対し、ガラスは９×10-6cm／degであ
り、約３分の１である。この条件は、ハンダ接続
部の信頼性確保に不可欠であり、変えることは出
来ない。それだけでなく、樹脂では、硬化収縮が
あり、ガラスとの界面にやはり大きな内部応力が
発生する。これらの内部応力の集中をうまく回避
しなければ、樹脂とガラスの界面ではくりが生ず
るか、接着力が強ければガラスクラツクを惹き起
す。 本発明は、樹脂被覆の形状が、応力集中回避に
大きな効果を及ぼし、厳しい温度サイクル条件下
でもガラスクラツクが起らない電子装置構造とな
し得ることを見出したことに基づいている。 従来よく用いられている構造は、第２図に示す
様なモールド構造である。チツプ部で最も高く、
周辺部に行くに従つて薄くなる半円球状のモール
ド構造（「山形」と称す）である。この構造では、
周辺部先端に大きな応力集中が起り、温度サイク
ル試験で早期に周辺部にガラスクラツクが発生し
た。また、セラミツク基板の場合は、基板のクラ
ツクは発生しないが、その代り、シリコンチツプ
裏側で、クラツク発生が認められた。 周辺部先端における樹脂〜ガラス界面での応力
集中を避けるには、周辺部の樹脂層厚を厚くして
やれば良いと考えられる。厚い樹脂層が、周辺部
に集まる応力を、界面から分散させる役目を果す
ことが期待できるからである。 そこで、第３図、第４図の様に、周辺部の方
が、中央部より若干高くなる構造にしてみた。 ところが期待に反し、やはり周辺部にガラスク
ラツクが発生した。 そこで、こんどは、周辺部と中央部の厚さがほ
ぼ一定となる様な、第５図ａ，ｂに示す円筒状の
モールド構造とした。その結果、初期クラツクが
ないだけでなく、長期に亘る温度サイクル試験を
課しても、ガラスクラツクが発生しないモールド
構造があり得ることを見出した。 このようなモールド構造とすることによつて、
セラミツク基板で発生するシリコンチツプクラツ
クの発生も防止し得ることが判つた。これは、シ
リコンチツプ上の樹脂膜厚が適正化されたためと
考えている。 また、このようなモールド構造で、ガラスクラ
ツクが発生しにくいようにするには、 (1) 出来るだけ真円に近い円筒構造とすること。 (2) ある程度円筒の大きさあるいは高さによつ
て、信頼性に差が生じ、必要な場合は、寸法の
精度管理が必要なこと。 また、樹脂成分として、内部応力緩和に有効な
組成、例えばゴム成分を含むものを用いることは
本発明の電子装置の信頼性向上に有効なことは論
をまたない。 〔発明の実施例〕 以下、具体的な実施例をあげて、本発明の効果
及びモールド構造の最適形状寸法を明らかにす
る。 （電子装置構成） (1) チツプ……5.63×5.63×0.5tシリコンウエハ
ー周辺部に52ケのハンダバンプを配置。 (2) 基板……27×27×1tのソーダガラス基板。表
面にSOG膜を被覆、その上にCr−CuCrの導体
層を形成。 (3) はんだ……Pb−５％Snはんだ。層厚〜50μｍ (4) 樹脂……下記組成 エピコート 100部 ポリブタジエン（CTBN） 15部 ジシアンジアミド 10部 イミダゾール（2P4MHz） ５部 Ａ−187 ２部 石英粉（EMC−Y40） 50vol％ （温度サイクル試験条件） 高温側 150℃、15分 低温側 −55℃、25分 昇、降温 各５分 1h／〓 比較例 １、２ 所定の接続処理を行なつたチツプ付き基板を、
前記した樹脂により、まず、チツプ〜基板間隙に
樹脂注入を行なつたのち、チツプ上に、0.2〜0.4
ｇの樹脂を盛り上げ、恒温槽で120℃、2h硬化さ
せた。その時の形状は、概ね第２図に示す様な山
形の形状であつた。 比較例 ３、４ 所定の接続処理を行なつたチツプ付き基板を、
まず、前記した樹脂によりチツプ〜基板間隙を充
てんする。しかるのちに、チツプ周辺の基板上に
円形にくりぬいた穴を有するテフロン枠を、チツ
プが穴の中心位置を占める様に固定し、チツプ上
に、比較例１と同様に樹脂を盛り付け、恒温槽で
120℃、2h硬化させ、テフロン枠をはずして樹脂
コード半導体素子とした。その時の形状は、周辺
部が若干厚くなつて第３図、第４図の様な形状
（以下「蓮葉状」と称す。）となつた。 実施例 １〜10 比較例と同じチツプ付き基板に、まず、上記し
た樹脂を用いて、チツプ〜基板間隙を充填する
（第６図工程ａ〜ｂ）。次にチツプ上に所定量秤量
した樹脂をのせる。しかる後、第６図に示す工程
で樹脂被覆を行なう。（工程ｃ〜ｄ）。即ち、所定
の厚さ（1.5〜3t）のテフロン枠を、基板周辺部
にセツトする。次に、厚さ３mmのテフロン板で、
テフロン枠に押し付ける様に、樹脂を押し拡げ、
テフロン板とガラス基板をクリツプどめして、恒
温槽で120℃２時間硬化させる。そのあと、テフ
ロン枠、テフロン板をはずし、樹脂被覆電子装置
とした。この時の樹脂被覆形状は、第５図の様に
なつた。（以下「円周状」と称す）。尚、円筒の高
さ及び径は、樹脂量あるいはテフロン枠の厚さを
変えて調節した。 比較例及び実施例について、初期チエツクを行
なつた後、上記した温度サイクル試験を実施し、
ガラスクラツクの発生状況を調べた。その結果
は、表に示す通りである。同表には、樹脂コート
の形状、寸法も併記してある。
以上説明した通り、本発明によれば樹脂と基板
とのはく離や基板・チツプのクラツクが防止され
るという効果がある。
とのはく離や基板・チツプのクラツクが防止され
るという効果がある。
第１図は、本発明の対象となるLSI実装電子装
置の基本構造を示しａは断面図、ｂは平面図、第
２図は、従来の樹脂モールド電子装置の形状のモ
デル図でａは断面図、ｂは平面図、第３図、第４
図は、比較のため検討したモールド形状の例を示
す断面図、第５図は、本発明になる樹脂モールド
電子装置の実施例形状をモデル化した図でａは断
面図、ｂは平面図、第６図は、本発明になる樹脂
モールド電子装置の製造プロセスの例を示したフ
ロー図である。 １……LSIチツプ、２……基板、３……ハンダ
層、４……樹脂層、５……ポリテトラフロロエチ
レン製、６……ポリテトラフロロエチレン製押え
板。
置の基本構造を示しａは断面図、ｂは平面図、第
２図は、従来の樹脂モールド電子装置の形状のモ
デル図でａは断面図、ｂは平面図、第３図、第４
図は、比較のため検討したモールド形状の例を示
す断面図、第５図は、本発明になる樹脂モールド
電子装置の実施例形状をモデル化した図でａは断
面図、ｂは平面図、第６図は、本発明になる樹脂
モールド電子装置の製造プロセスの例を示したフ
ロー図である。 １……LSIチツプ、２……基板、３……ハンダ
層、４……樹脂層、５……ポリテトラフロロエチ
レン製、６……ポリテトラフロロエチレン製押え
板。
Claims (1)
- １ LSIチツプ上の端子と、配線を形成する基板
端子とを半田で接続し、LSIチツプと基板との間
隙を樹脂で完全に充填し、かつLSIチツプの周辺
部まで樹脂被覆した樹脂被覆電子装置の製造方法
であつて、LSIチツプをとり囲む円筒形の枠を設
置し、その枠内に被覆樹脂を注入し、更に該被覆
樹脂の上端面が前記基板面或いはLSIチツプ面に
平行となるように該被覆樹脂を押圧した後、該樹
脂を硬化させ、次いで上記枠を取り去ることを特
徴とする樹脂被覆電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3957584A JPS60182752A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 樹脂被覆電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3957584A JPS60182752A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 樹脂被覆電子装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182752A JPS60182752A (ja) | 1985-09-18 |
| JPH0315817B2 true JPH0315817B2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=12556873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3957584A Granted JPS60182752A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 樹脂被覆電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182752A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669075B2 (ja) * | 1986-11-13 | 1994-08-31 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPH03123040A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214362A (en) * | 1975-07-25 | 1977-02-03 | Hitachi Ltd | Process for production of can-sealed power transistor |
| JPS58135656A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃモジユ−ル |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50117763U (ja) * | 1974-03-09 | 1975-09-26 | ||
| JPS5375067U (ja) * | 1976-11-26 | 1978-06-22 | ||
| JPS58180643U (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-02 | クラリオン株式会社 | 半導体装置のパツケ−ジ |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3957584A patent/JPS60182752A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214362A (en) * | 1975-07-25 | 1977-02-03 | Hitachi Ltd | Process for production of can-sealed power transistor |
| JPS58135656A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃモジユ−ル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60182752A (ja) | 1985-09-18 |
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