JPH03157919A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03157919A JPH03157919A JP29801989A JP29801989A JPH03157919A JP H03157919 A JPH03157919 A JP H03157919A JP 29801989 A JP29801989 A JP 29801989A JP 29801989 A JP29801989 A JP 29801989A JP H03157919 A JPH03157919 A JP H03157919A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- resist
- inner diameter
- tip
- air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に、フォトレジスト
をウェハー上に形成させる塗布装置に関するものである
。
をウェハー上に形成させる塗布装置に関するものである
。
従来、この種のレジスト塗布装置では、まずウェハー上
にレジストを滴下し、その後ウエノ”％−を回転させて
ウェハー上にレジスト膜を形成していた。
にレジストを滴下し、その後ウエノ”％−を回転させて
ウェハー上にレジスト膜を形成していた。
特に、レジストをウェハー上に滴下させる場合、例えば
第３図又は第４図に示すような、ノズル３又は４を用い
、圧縮ポンプ（図示しない）により、指定量のレジスト
５をノズルより押し出す方法が用いられていた。
第３図又は第４図に示すような、ノズル３又は４を用い
、圧縮ポンプ（図示しない）により、指定量のレジスト
５をノズルより押し出す方法が用いられていた。
上述した従来のレジスト塗布装置のノズルは、第３図（
ａ）に示すように、ノズル３の内径が変化してないか又
は第４図（ａ）に示すように、ノズル４の内径が先端部
に行く程小さくなっている。このようなノズル３，４で
レジスト５を圧縮ポンプ（図示しない）で指定量（通常
０．５ ｃｃ〜２ｃｃ）押し出した後、ボタ落ちしない
ようにサックバック（押し出されなかったレジストがウ
ェハー上に落下しないようにポンプの方にわずかに引き
込ませる）を行なうと、従来ノズルの場合、第３図（ｂ
）に示すように、ノズル３先端部内に空気が入り込んで
しまったり、又は第４図（ｂ）に示すように、ノズル４
の先端部にレジスト５が付着したままになったりしてし
まう。
ａ）に示すように、ノズル３の内径が変化してないか又
は第４図（ａ）に示すように、ノズル４の内径が先端部
に行く程小さくなっている。このようなノズル３，４で
レジスト５を圧縮ポンプ（図示しない）で指定量（通常
０．５ ｃｃ〜２ｃｃ）押し出した後、ボタ落ちしない
ようにサックバック（押し出されなかったレジストがウ
ェハー上に落下しないようにポンプの方にわずかに引き
込ませる）を行なうと、従来ノズルの場合、第３図（ｂ
）に示すように、ノズル３先端部内に空気が入り込んで
しまったり、又は第４図（ｂ）に示すように、ノズル４
の先端部にレジスト５が付着したままになったりしてし
まう。
このような状態が生じると、（１）レジスト滴下量の制
御が不安定となったり、（１１）ノズル先端部のレジス
ト状態（特に空気と接触したレジストの乾燥状態）が不
安定となる。
御が不安定となったり、（１１）ノズル先端部のレジス
ト状態（特に空気と接触したレジストの乾燥状態）が不
安定となる。
実際に、第３図（ａ）に示すノズル３を用い、先端部に
空気が入り込んだ状態でウェハー上にレジス） （ＯＦ
’ＰＲ−８００東京応化製レジスト、粘度２０ｃｐ）を
滴下し、４０００ｒｐｍで２５秒間スピン塗布したとこ
ろウェハー内にレジストの塗布ムラが生じ、膜厚を９８
００±３００人の範囲内におさえることは困難であった
。
空気が入り込んだ状態でウェハー上にレジス） （ＯＦ
’ＰＲ−８００東京応化製レジスト、粘度２０ｃｐ）を
滴下し、４０００ｒｐｍで２５秒間スピン塗布したとこ
ろウェハー内にレジストの塗布ムラが生じ、膜厚を９８
００±３００人の範囲内におさえることは困難であった
。
このように、従来のノズルでは、先端部のレジスト状態
を安定させることができないため、レジスト膜厚の均一
性が悪化してしまうという欠点がある。
を安定させることができないため、レジスト膜厚の均一
性が悪化してしまうという欠点がある。
本発明によれば、先端部に行く途中で、ステップ状に内
径が拡がっているノズルを用いて液体の塗布を行う半導
体製造装置を得る。
径が拡がっているノズルを用いて液体の塗布を行う半導
体製造装置を得る。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。同図（ａ）
は、ノズル１の先端から約１〜３ｍｍの長さの部分を通
常よりも２〜３倍に内径を拡げたものである（通常、ノ
ズル内径は０．５〜２ｍｍφである）。次に、従来と同
様の方法でレジスト５を滴下しサックバックを行なうと
、同図（ｂ）に示すようにノズルｌの先端部にレジスト
５が埋め込まれるように残る。このためレジスト押し出
し量や、サックバック量が多少変動してもノズル内部に
空気が入り込むこともなければ、ノズル先端部のレジス
ト表面状態が変動することも少なくできる。
は、ノズル１の先端から約１〜３ｍｍの長さの部分を通
常よりも２〜３倍に内径を拡げたものである（通常、ノ
ズル内径は０．５〜２ｍｍφである）。次に、従来と同
様の方法でレジスト５を滴下しサックバックを行なうと
、同図（ｂ）に示すようにノズルｌの先端部にレジスト
５が埋め込まれるように残る。このためレジスト押し出
し量や、サックバック量が多少変動してもノズル内部に
空気が入り込むこともなければ、ノズル先端部のレジス
ト表面状態が変動することも少なくできる。
第１図（ａ）に示すノズル１を用い、０ＦＰＲ８００（
東京応化製）レジスト（粘度２０ｃｐ）を４００Ｏｒｐ
ｍでスピン塗布した時のウェノ１−内のレジスト膜厚を
調べたところ９８００±６０人が得られ、従来ノズルの
場合と比ベバラツキが低減できることがわかった。
東京応化製）レジスト（粘度２０ｃｐ）を４００Ｏｒｐ
ｍでスピン塗布した時のウェノ１−内のレジスト膜厚を
調べたところ９８００±６０人が得られ、従来ノズルの
場合と比ベバラツキが低減できることがわかった。
第２図は本発明の他の実施例の断面図である。
同図（ａ）は従来ノズル３の先端部を内径の異なるノズ
ル２の中に入れたものである。次に、従来と同様の方法
でレジストを滴下し、サックバックを行なうと同図（ｂ
）に示すように内径がステップ状に拡がっているノズル
先端部に、レジスト５が埋め込まれるように残る。本実
施例においてノズル先端部に行くに従い内径は細くなっ
ているが、ステップ状に拡がる領域を有している限り、
効果は変わらない。
ル２の中に入れたものである。次に、従来と同様の方法
でレジストを滴下し、サックバックを行なうと同図（ｂ
）に示すように内径がステップ状に拡がっているノズル
先端部に、レジスト５が埋め込まれるように残る。本実
施例においてノズル先端部に行くに従い内径は細くなっ
ているが、ステップ状に拡がる領域を有している限り、
効果は変わらない。
本実施例の場合、ノズル先端部が細まっているため、先
端部に残っているレジスト表面の乾燥化を低減できるこ
とおよび従来ノズルを容易に改良することができるとい
う利点がある。
端部に残っているレジスト表面の乾燥化を低減できるこ
とおよび従来ノズルを容易に改良することができるとい
う利点がある。
以上説明したように、本発明は、ノズル先端部の内径を
ステップ状に拡げることによりノズル内への空気の入り
込みを防止し、また先端部レジストの表面状態を安定化
させることで、レジスト滴５− 下量および滴下時のレジスト状態を安定化し、レジスト
膜厚の均一性を向上させるという効果がある。
ステップ状に拡げることによりノズル内への空気の入り
込みを防止し、また先端部レジストの表面状態を安定化
させることで、レジスト滴５− 下量および滴下時のレジスト状態を安定化し、レジスト
膜厚の均一性を向上させるという効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の断面図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例の断
面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）および第４図（ａ）
、 （ｂ）は従来の例を示す断面図である。 １．２，３．４・・・・・・ノズル、訃・・・・・レジ
スト。
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例の断
面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）および第４図（ａ）
、 （ｂ）は従来の例を示す断面図である。 １．２，３．４・・・・・・ノズル、訃・・・・・レジ
スト。
Claims (1)
- 半導体基板上にレジスト膜を形成させるための塗布装置
において、レジストを前記半導体基板上に滴下させるノ
ズルの先端部の内径が、ステップ状に拡がっていること
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29801989A JPH03157919A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29801989A JPH03157919A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157919A true JPH03157919A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17854068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29801989A Pending JPH03157919A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03157919A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610048B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2006-08-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막형성장치 및 막형성방법 |
| JP2008205059A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
| JP5096631B1 (ja) * | 2012-04-04 | 2012-12-12 | テクダイヤ株式会社 | ノズルおよび液体吐出システム |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29801989A patent/JPH03157919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610048B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2006-08-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막형성장치 및 막형성방법 |
| JP2008205059A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
| JP5096631B1 (ja) * | 2012-04-04 | 2012-12-12 | テクダイヤ株式会社 | ノズルおよび液体吐出システム |
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