JPH03155100A - 放射光反射ミラー制御装置 - Google Patents
放射光反射ミラー制御装置Info
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- JPH03155100A JPH03155100A JP29401689A JP29401689A JPH03155100A JP H03155100 A JPH03155100 A JP H03155100A JP 29401689 A JP29401689 A JP 29401689A JP 29401689 A JP29401689 A JP 29401689A JP H03155100 A JPH03155100 A JP H03155100A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シンクロトロン放射光の照射野を拡大する
ために、該放射光を所定方向にスキャンする放射光反射
ミラー制御装置に関する。
ために、該放射光を所定方向にスキャンする放射光反射
ミラー制御装置に関する。
半導体の高集積化技術の進歩に伴い、マスク上のパター
ンをレジストの付着したウェハ等の上に転写する半導体
リングラフィ装置でも、従来用いられていた紫外線に代
わり、これよりも波長の短いＸＢＣ特に軟Ｘ１ｌ）を利
用する技術が提案されている。
ンをレジストの付着したウェハ等の上に転写する半導体
リングラフィ装置でも、従来用いられていた紫外線に代
わり、これよりも波長の短いＸＢＣ特に軟Ｘ１ｌ）を利
用する技術が提案されている。
第４図は、線幅がサブミクロンクラスとなる超ＬＳＩの
マスクパターンをウェハ等の被露光板状物に転写する際
、平行性が良く且つ強いＸ線が得られるため、次期Ｘ線
源として期待されているシンクロトロン放射光を用いた
Ｘ線露光装置の概略を示すものである。
マスクパターンをウェハ等の被露光板状物に転写する際
、平行性が良く且つ強いＸ線が得られるため、次期Ｘ線
源として期待されているシンクロトロン放射光を用いた
Ｘ線露光装置の概略を示すものである。
放射光源である高真空の電子蓄積リング（１００）内で
は、電子ビームを電磁石で曲げて略リング状に回転させ
ているが、光速に近い速さの電子を偏向電磁石（１０１
）の磁界により曲げたときに軌道の接線方向にシンクロ
トロン放射光が放射される。この放射光は、ビームライ
ン（１１０）からＸ線転写装置（１２０）内に導かれ、
その内部でＸ線マスク（図示なし）やウェハ能動ステー
ジ（図示なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを
被露光板状物の表面（この場合はウェハの上に被覆され
たレジスト）に転写する。
は、電子ビームを電磁石で曲げて略リング状に回転させ
ているが、光速に近い速さの電子を偏向電磁石（１０１
）の磁界により曲げたときに軌道の接線方向にシンクロ
トロン放射光が放射される。この放射光は、ビームライ
ン（１１０）からＸ線転写装置（１２０）内に導かれ、
その内部でＸ線マスク（図示なし）やウェハ能動ステー
ジ（図示なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを
被露光板状物の表面（この場合はウェハの上に被覆され
たレジスト）に転写する。
この電子蓄積リング（１００）から放射されるシンクロ
トロン放射光は、電子の軌道面（水平面）に垂直な方向
への発散角が小さいため、照射面が横長の扁平になって
しまう。そこで第５図に示されるように、放射光反射ミ
ラーＸ等をビームライン（１１０）の途中に設けて、放
射光が前記転写装置（１２０）に至る前にこれを上下に
走査し、照射面積を拡大する等の工夫がなされている。
トロン放射光は、電子の軌道面（水平面）に垂直な方向
への発散角が小さいため、照射面が横長の扁平になって
しまう。そこで第５図に示されるように、放射光反射ミ
ラーＸ等をビームライン（１１０）の途中に設けて、放
射光が前記転写装置（１２０）に至る前にこれを上下に
走査し、照射面積を拡大する等の工夫がなされている。
（発明が解決しようとする問題点〕
この反射ミラーＸにおけるシンクロトロン放射光の反射
は、その鏡面入射角が）°程度に調整されてはじめて全
反射が可能であり、そのため反射ミラーＸの振動による
放射光の走査も非常に微妙な制御によりなされることに
なる。
は、その鏡面入射角が）°程度に調整されてはじめて全
反射が可能であり、そのため反射ミラーＸの振動による
放射光の走査も非常に微妙な制御によりなされることに
なる。
一方、シンクロトロン放射光は電子蓄積リング（１００
）に電子が入射されるたび垂直方向の位置変動が起こる
ことが知られている。このような変動が起こった場合、
鏡面の小さな反射ミラーＸでは、第６図に示されるよう
に該反射ミラーＸ鏡面での反射が困難になってしまう。
）に電子が入射されるたび垂直方向の位置変動が起こる
ことが知られている。このような変動が起こった場合、
鏡面の小さな反射ミラーＸでは、第６図に示されるよう
に該反射ミラーＸ鏡面での反射が困難になってしまう。
従って反射ミラーＸには鏡面の大きなもの（光軸方向に
長い）が用いられ、そのためにビームライン（１１０）
の全長が長くならざるを得す、又反射ミラーｘｌｔｔ面
の粗さをなくすことやうねりをなくして平面度を向上さ
せることも難しくなる。
長い）が用いられ、そのためにビームライン（１１０）
の全長が長くならざるを得す、又反射ミラーｘｌｔｔ面
の粗さをなくすことやうねりをなくして平面度を向上さ
せることも難しくなる。
更に反射ミラーＸの走査のためにこれを振動せしめる駆
動機構も大型なものにならざるを得ない。
動機構も大型なものにならざるを得ない。
又、この反射ミラーＸはシンクロトロン放射光の平均的
な放射光路に合わせてその鏡面中心位置が固定され、そ
の中心位置局りにこれを振動的に回転せしめて放射光の
走査が行なわれる。
な放射光路に合わせてその鏡面中心位置が固定され、そ
の中心位置局りにこれを振動的に回転せしめて放射光の
走査が行なわれる。
ところが、このような放射光の光路変動があると、第７
図（ａ）（ｂ）に示されるように放射光が反射ミラーＸ
の鏡面中心位置から外れた所で反射するため、該反射ミ
ラーＸの振動的回動による放射光照射位置及び照射範囲
の変動幅が大きくなり、時には転写装置（１２０）側に
おける放射光露光量が著しく減少して十分な露光が得な
れなくなってしまう可能性もある。
図（ａ）（ｂ）に示されるように放射光が反射ミラーＸ
の鏡面中心位置から外れた所で反射するため、該反射ミ
ラーＸの振動的回動による放射光照射位置及び照射範囲
の変動幅が大きくなり、時には転写装置（１２０）側に
おける放射光露光量が著しく減少して十分な露光が得な
れなくなってしまう可能性もある。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案された
もので、シンクロトロン放射光の光路変動に応じて反射
ミラーの鏡面中心位置をこれに一致せしめることができ
る装置構成を提案し、これにより上記の問題を解決せん
とするものである。
もので、シンクロトロン放射光の光路変動に応じて反射
ミラーの鏡面中心位置をこれに一致せしめることができ
る装置構成を提案し、これにより上記の問題を解決せん
とするものである。
そのため本発明はシンクロトロン放射光が反射ミラーに
照射された時に発生する光電子を利用して、放射光光路
と反射ミラーの鏡面中心位置を一致させるよう制御する
ことができる装置構成を提案するもので、その具体的構
成は以下のようになる。
照射された時に発生する光電子を利用して、放射光光路
と反射ミラーの鏡面中心位置を一致させるよう制御する
ことができる装置構成を提案するもので、その具体的構
成は以下のようになる。
即ち、本発明の放射光反射ミラー制御装置は、反射ミラ
ーの鏡面位置を変更せしめるミラー位置変更装置と、該
反射ミラーにおいて発生する光電子電流を測定する光電
子電流検出器と、該光電子電流検出器による検出値に基
づき前記ミラー位置変更装置を制御し、光電子電流が最
大となる位置へ反射ミラーの鏡面を移動せしめる位置制
御回路とを有することを基本的特徴としている。
ーの鏡面位置を変更せしめるミラー位置変更装置と、該
反射ミラーにおいて発生する光電子電流を測定する光電
子電流検出器と、該光電子電流検出器による検出値に基
づき前記ミラー位置変更装置を制御し、光電子電流が最
大となる位置へ反射ミラーの鏡面を移動せしめる位置制
御回路とを有することを基本的特徴としている。
該構成の原理は、シンクロトロン放射光が物質表面に当
った時に光電子を放出する現象を利用するもので、該放
射光が反射ミラー中心に当っている場合、光電子発生量
が最大となることから、逆にこの反射ミラーにおける光
電子電流が最大値を示す時、シンクロトロン放射光はミ
ラー中心に当っていることになる。従って上記位置制御
回路が、ミラー位置変更装置を制御してこの光電子電流
が最大値となる位置に反射ミラーの鏡面を移動せしめる
ようにするものである。
った時に光電子を放出する現象を利用するもので、該放
射光が反射ミラー中心に当っている場合、光電子発生量
が最大となることから、逆にこの反射ミラーにおける光
電子電流が最大値を示す時、シンクロトロン放射光はミ
ラー中心に当っていることになる。従って上記位置制御
回路が、ミラー位置変更装置を制御してこの光電子電流
が最大値となる位置に反射ミラーの鏡面を移動せしめる
ようにするものである。
一方、上記の装置構成では、放射光源たる電子蓄積リン
グ側の蓄積電流が低下して該放射光源から放射されるシ
ンクロトロン放射光の放射量が減ると、当然反射ミラー
で生ずる光電子電流も低下することになるので、放射光
光路変動が生じていない場合でも、反射ミラーの鏡面位
置調整をなすように誤動作してしまう可能性がある。
グ側の蓄積電流が低下して該放射光源から放射されるシ
ンクロトロン放射光の放射量が減ると、当然反射ミラー
で生ずる光電子電流も低下することになるので、放射光
光路変動が生じていない場合でも、反射ミラーの鏡面位
置調整をなすように誤動作してしまう可能性がある。
第２発明では、上記装置構成の他に校正回路を備え、そ
のような誤動作の発生を未然に防ぐようにした。即ち、
第１発明の装置構成の他に、放射光源の蓄積電流の測定
を行なう蓄積電流検出器と、前記光電子電流検出器で検
出される光電子電流が減少した際、蓄積電流検出器で検
出される蓄積電流の減少に比例せずに、該光電子電流が
減少する場合にのみ前記位置制御回路を作動させて反射
ミラーの鏡面位置を変更せしめるようにする校正回路と
を有することとし、単に放射光源における蓄積電流が減
少して光電子電流が弱くなっただけの場合には、鏡面位
置調整が行なわれないようにするものである。
のような誤動作の発生を未然に防ぐようにした。即ち、
第１発明の装置構成の他に、放射光源の蓄積電流の測定
を行なう蓄積電流検出器と、前記光電子電流検出器で検
出される光電子電流が減少した際、蓄積電流検出器で検
出される蓄積電流の減少に比例せずに、該光電子電流が
減少する場合にのみ前記位置制御回路を作動させて反射
ミラーの鏡面位置を変更せしめるようにする校正回路と
を有することとし、単に放射光源における蓄積電流が減
少して光電子電流が弱くなっただけの場合には、鏡面位
置調整が行なわれないようにするものである。
以下、添付図面に基づき具体的実施例につき説明する。
第１図は本願第２発明の構成を備えた放射光反射ミラー
制御装置の一実施例を示す概略図である。
制御装置の一実施例を示す概略図である。
図中、（１１０）は放射光源たる電子蓄積リング（１０
０）から放射されるシンクロトロン放射光を取り出し、
転写装置（図示なし）側に導くビームラインであり、途
中にミラーチャンバ（１１１）が設けられ、その中にシ
ンクロトロン放射光を反射させ更にこれを振動的に回動
せしめて放射光を上下に走査する反射ミラーＸと回動用
の駆動機構Ｙが設けられている。
０）から放射されるシンクロトロン放射光を取り出し、
転写装置（図示なし）側に導くビームラインであり、途
中にミラーチャンバ（１１１）が設けられ、その中にシ
ンクロトロン放射光を反射させ更にこれを振動的に回動
せしめて放射光を上下に走査する反射ミラーＸと回動用
の駆動機構Ｙが設けられている。
本実施例では、前記駆動機構Ｙに併設されたミラー位置
変更装置（１）と、反射ミラーＸの鏡面にリード線を引
いて結線された光電子電流検出器（２）と、該光電子電
流検出器（２）の検出値を入力し、前記ミラー位置変更
装置（１）へ作動制御信号を出力する位置制御回路（３
）と、前記電子蓄積リング（１００）側に設けられた蓄
積電流検出器（４）と、光電子電流検出器（２）及び該
蓄積電流検出器（４）の検出値を入力し、必要に応じて
位置制御回路（３）へ制御信号を出力する校正回路（５
）とを備えている。
変更装置（１）と、反射ミラーＸの鏡面にリード線を引
いて結線された光電子電流検出器（２）と、該光電子電
流検出器（２）の検出値を入力し、前記ミラー位置変更
装置（１）へ作動制御信号を出力する位置制御回路（３
）と、前記電子蓄積リング（１００）側に設けられた蓄
積電流検出器（４）と、光電子電流検出器（２）及び該
蓄積電流検出器（４）の検出値を入力し、必要に応じて
位置制御回路（３）へ制御信号を出力する校正回路（５
）とを備えている。
前記ミラー位置変更装置（１）は５反射ミラーＸ回動用
の駆動機構Ｙに併設されていて、そこから該反射ミラー
Ｘに回動用に延出しているロッドＹ′を昇降せしめ、該
ロッドＹ′に支持されている反射ミラーＸをミラーチャ
ンバ（１０）内で上下に昇降できるようにしている。
の駆動機構Ｙに併設されていて、そこから該反射ミラー
Ｘに回動用に延出しているロッドＹ′を昇降せしめ、該
ロッドＹ′に支持されている反射ミラーＸをミラーチャ
ンバ（１０）内で上下に昇降できるようにしている。
前記光電子電流検出器（２）は、第２図に示されるよう
に、反射ミラーＸに直列に接続される直流電源（２０）
と電流計（２１）から構成され、その他端でアースが取
られている。この光電子電流検出器（２）は、直流電源
（２０）によって反射ミラーＸに負の電位が与えられ、
シンクロトロン放射光の照射によってミラー鏡面から光
電子が放出されると、上記電流計（２１）に放射光の強
度に比例した電流が流れることから、光電子の発生によ
り生ずる電流を電流計（２１）で測定し、光電子発生量
を検出するものである。
に、反射ミラーＸに直列に接続される直流電源（２０）
と電流計（２１）から構成され、その他端でアースが取
られている。この光電子電流検出器（２）は、直流電源
（２０）によって反射ミラーＸに負の電位が与えられ、
シンクロトロン放射光の照射によってミラー鏡面から光
電子が放出されると、上記電流計（２１）に放射光の強
度に比例した電流が流れることから、光電子の発生によ
り生ずる電流を電流計（２１）で測定し、光電子発生量
を検出するものである。
前記位置制御回路（３）は、光電子電流検出器（２）で
検出された光電子電流の検出値に基づき、前記ミラー位
置変更装置（１）の作動を制御する回路であり、内部に
上記検出値の比較演算部とミラー位置変更装置（１）の
作動制御部を備えている。この回路によるミラー位置変
更装置（１）の作動制御は、反射ミラーＸを適宜昇降さ
せながらそこに発生する光電子電流が最大値となる位置
にその鏡面を移動せしめるようにするものである。
検出された光電子電流の検出値に基づき、前記ミラー位
置変更装置（１）の作動を制御する回路であり、内部に
上記検出値の比較演算部とミラー位置変更装置（１）の
作動制御部を備えている。この回路によるミラー位置変
更装置（１）の作動制御は、反射ミラーＸを適宜昇降さ
せながらそこに発生する光電子電流が最大値となる位置
にその鏡面を移動せしめるようにするものである。
前記蓄積電流検出器（４）は、電子蓄積リング（１００
）の軌道途中に設けられた電流モニタから成り、該軌道
中を周回している電子ビームの強度を測定する。
）の軌道途中に設けられた電流モニタから成り、該軌道
中を周回している電子ビームの強度を測定する。
更に前記校正回路（５）は、光電子電流検出器（２）で
検出される反射ミラーＸの光電子電流検出値が次第に減
少してくる場合に演算を開始し、この光電子電流と前記
蓄積電流検出！（４）で検出された電子蓄積リング（１
００）側の蓄積電流との関連を求め、位置制御回路（３
）による反射ミラーＸの鏡面位置制御を行なうか否かの
決定を行なうことによって該位置制御回路（３）の作動
を校正するもので、内部に光電子電流の比較演算部と蓄
積電流の比較演算部と両型流変化の比較演算部及び位置
制御回路（３）の作動制御部を備えている。この回路に
よる位置制御回路（３）の制御は、第３図に示されるよ
うに、まず光電子電流の減少が前記光電子電流比較演算
部で感知されると、それまで？５積主電流較演算部で捉
えられていた蓄積電流の変化（減少）とこの光電子電流
の変化（減少）とを前記の両型流比較演算部で比較判定
する。この比較判定では、上記の両型流の減少が比例し
て変化しているか否かを判定する。その結果比例せずに
変化していると判定される場合は、校正回路（５）の前
記作動制御部は何も出力せず位置制御回路（３）をその
まま作動せしめ、該回路（３）による反射ミラーＸの鏡
面位置調整を行なわしめる。反対に互いが比例して変化
していると判定される場合、該作動制御部は作動停止信
号を位置制御回路（３）に出力するという校正作業を行
なう。
検出される反射ミラーＸの光電子電流検出値が次第に減
少してくる場合に演算を開始し、この光電子電流と前記
蓄積電流検出！（４）で検出された電子蓄積リング（１
００）側の蓄積電流との関連を求め、位置制御回路（３
）による反射ミラーＸの鏡面位置制御を行なうか否かの
決定を行なうことによって該位置制御回路（３）の作動
を校正するもので、内部に光電子電流の比較演算部と蓄
積電流の比較演算部と両型流変化の比較演算部及び位置
制御回路（３）の作動制御部を備えている。この回路に
よる位置制御回路（３）の制御は、第３図に示されるよ
うに、まず光電子電流の減少が前記光電子電流比較演算
部で感知されると、それまで？５積主電流較演算部で捉
えられていた蓄積電流の変化（減少）とこの光電子電流
の変化（減少）とを前記の両型流比較演算部で比較判定
する。この比較判定では、上記の両型流の減少が比例し
て変化しているか否かを判定する。その結果比例せずに
変化していると判定される場合は、校正回路（５）の前
記作動制御部は何も出力せず位置制御回路（３）をその
まま作動せしめ、該回路（３）による反射ミラーＸの鏡
面位置調整を行なわしめる。反対に互いが比例して変化
していると判定される場合、該作動制御部は作動停止信
号を位置制御回路（３）に出力するという校正作業を行
なう。
以上のような構成を有する本実施例の放射光反射ミラー
制御装置が、シンクロトロン放射光を利用した半導体リ
ングラフィ実験装置に実際に使用された結果、電子蓄積
リング（１００）側の蓄積電流の変化による影響を前記
校正回路（５）が排除するため、誤動作せずにシンクロ
トロン放射光の垂直方向の位置変動があった場合に位置
制御回路（３）が作動し、該放射光の位置変動に追随し
て反射ミラーＸの鏡面を移動させ、その中心位置を放射
光光路に一致せしめることができるようになった。その
ため、該反射ミラーＸはコンパクトなものが使用され、
前記ビームライン（１１０）全体の小型化を可能にした
。
制御装置が、シンクロトロン放射光を利用した半導体リ
ングラフィ実験装置に実際に使用された結果、電子蓄積
リング（１００）側の蓄積電流の変化による影響を前記
校正回路（５）が排除するため、誤動作せずにシンクロ
トロン放射光の垂直方向の位置変動があった場合に位置
制御回路（３）が作動し、該放射光の位置変動に追随し
て反射ミラーＸの鏡面を移動させ、その中心位置を放射
光光路に一致せしめることができるようになった。その
ため、該反射ミラーＸはコンパクトなものが使用され、
前記ビームライン（１１０）全体の小型化を可能にした
。
又、このようなミラーのコンパクト化が可能になったた
め、反射ミラーＸの表面加工精度を向上させることがで
き、レジスト面上での露光強度分布の制御性を良好なも
のにすることができるようになった。
め、反射ミラーＸの表面加工精度を向上させることがで
き、レジスト面上での露光強度分布の制御性を良好なも
のにすることができるようになった。
（発明の効果〕
以上詳述したように本発明の放射光反射ミラー制御装置
によれば、シンクロトロン放射光が常に反射ミラー鏡面
の中心に位置するように該鏡面の位置が適宜制御される
ため、小型の反射ミラーを用いることが可能となる。従
ってビームライン全体をコンパクトにでき、又該反射ミ
ラーの平滑度・平面度を向上させることが可能となり、
更に反射ミラーの走査のための陸動機構も小さくて済む
ことになる。加えて放射光は前述のように常に反射ミラ
ーの鏡面の中心位置に照射されるため、該反射ミラーの
走査による放射光の照射位置及び照射範囲は適切なもの
に制御され、転写装置側における放射露光量を一定に保
つことが可能となる。
によれば、シンクロトロン放射光が常に反射ミラー鏡面
の中心に位置するように該鏡面の位置が適宜制御される
ため、小型の反射ミラーを用いることが可能となる。従
ってビームライン全体をコンパクトにでき、又該反射ミ
ラーの平滑度・平面度を向上させることが可能となり、
更に反射ミラーの走査のための陸動機構も小さくて済む
ことになる。加えて放射光は前述のように常に反射ミラ
ーの鏡面の中心位置に照射されるため、該反射ミラーの
走査による放射光の照射位置及び照射範囲は適切なもの
に制御され、転写装置側における放射露光量を一定に保
つことが可能となる。
第１図は本願第２発明の放射光反射ミラー制御装置が半
導体リソグラフィ実験装置に設けられた実施例を示す概
略図、第２図は本実施例に用いられた光電子電流検出器
の構成を示す説明図、第３図は校正装置の比較演算及び
制御の状態を示すフローチャート図、第４図はシンクロ
トロン放射光を用いた露光装置の一例を示す概略構成図
、第５図は当該露光装置に用いられる放射光の照射面積
拡大のための構成の一例を示す説明図、第６図は放射光
の垂直方向位置変動が起こった場合の反射ミラー付近の
放射光光路の状態を示す説明図、第７図（ａ）（ｂ）は
同じく放射光の垂直方向位置変動が起こった場合の反射
ミラーによる放射光照射位置及び範囲の変動状態を示す
説明図である。 図中、（１）はミラー位置変更装置、（２）は光電子電
流検出器、（３）は位置制御回路、（４）は蓄積電流検
出器、（５）は校正回路、Ｘは反射ミラーＹは駆動機構
を各示す。
導体リソグラフィ実験装置に設けられた実施例を示す概
略図、第２図は本実施例に用いられた光電子電流検出器
の構成を示す説明図、第３図は校正装置の比較演算及び
制御の状態を示すフローチャート図、第４図はシンクロ
トロン放射光を用いた露光装置の一例を示す概略構成図
、第５図は当該露光装置に用いられる放射光の照射面積
拡大のための構成の一例を示す説明図、第６図は放射光
の垂直方向位置変動が起こった場合の反射ミラー付近の
放射光光路の状態を示す説明図、第７図（ａ）（ｂ）は
同じく放射光の垂直方向位置変動が起こった場合の反射
ミラーによる放射光照射位置及び範囲の変動状態を示す
説明図である。 図中、（１）はミラー位置変更装置、（２）は光電子電
流検出器、（３）は位置制御回路、（４）は蓄積電流検
出器、（５）は校正回路、Ｘは反射ミラーＹは駆動機構
を各示す。
Claims (2)
- （１）放射光源からシンクロトロン放射光を取り出すビ
ームライン中に放射光スキャン用に設けられた反射ミラ
ーの鏡面位置を変更せしめるミラー位置変更装置と、該
反射ミラーにおいて発生する光電子電流を測定する光電
子電流検出器と、該光電子電流検出器による検出値に基
づき前記ミラー位置変更装置を制御し、光電子電流が最
大値となる位置へ反射ミラーの鏡面を移動せしめる位置
制御回路とを有することを特徴とする放射光反射ミラー
制御装置。 - （２）放射光源からシンクロトロン放射光を取り出すビ
ームライン中に放射光スキャン用に設けられた反射ミラ
ーの鏡面位置を変更せしめるミラー位置変更装置と、該
反射ミラーにおいて発生する光電子電流を測定する光電
子電流検出器と、該光電子電流検出器による検出値に基
づき前記ミラー位置変更装置を制御し、光電子電流が最
大値となる位置へ反射ミラーの鏡面を移動せしめる位置
制御回路と、放射光源の蓄積電流を測定する蓄積電流検
出器と、前記光電子電流検出器で検出される光電子電流
が減少した際、蓄積電流検出器で検出される蓄積電流の
減少に比例せずに該光電子電流が減少する場合にのみ前
記位置制御回路を作動させて反射ミラーの鏡面位置を変
更せしめるようにする校正回路とを有することを特徴と
する放射光反射ミラー制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29401689A JPH0634109B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 放射光反射ミラー制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29401689A JPH0634109B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 放射光反射ミラー制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155100A true JPH03155100A (ja) | 1991-07-03 |
| JPH0634109B2 JPH0634109B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17802164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29401689A Expired - Lifetime JPH0634109B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 放射光反射ミラー制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634109B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0540178A2 (en) * | 1991-09-30 | 1993-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP29401689A patent/JPH0634109B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0540178A2 (en) * | 1991-09-30 | 1993-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| US5448612A (en) * | 1991-09-30 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634109B2 (ja) | 1994-05-02 |
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