JPH03148162A - 半導体装置用めっき装置 - Google Patents
半導体装置用めっき装置Info
- Publication number
- JPH03148162A JPH03148162A JP28629789A JP28629789A JPH03148162A JP H03148162 A JPH03148162 A JP H03148162A JP 28629789 A JP28629789 A JP 28629789A JP 28629789 A JP28629789 A JP 28629789A JP H03148162 A JPH03148162 A JP H03148162A
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- Japan
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- plating
- surface area
- plated
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用めっき装置に関する。
従来、樹脂封止した半導体ペレットを有するリードフレ
ームをめっきする場合は、リードフレームをめっき用治
具に保持したのち、第2図に示すように、酸浸漬、アル
カリ浸漬、水洗等を行う前処理部5にて清浄したのち、
めっき槽6にて所定の条件でめっきし、後処理部7にて
清浄に仕上げていた。この時、めっき槽6においては、
リードフレームの被めっき部分の表面積の大きさにより
、めっき用の整流器1の電流もしくは電圧の値を変えて
手入力する機構になっていた。
ームをめっきする場合は、リードフレームをめっき用治
具に保持したのち、第2図に示すように、酸浸漬、アル
カリ浸漬、水洗等を行う前処理部5にて清浄したのち、
めっき槽6にて所定の条件でめっきし、後処理部7にて
清浄に仕上げていた。この時、めっき槽6においては、
リードフレームの被めっき部分の表面積の大きさにより
、めっき用の整流器1の電流もしくは電圧の値を変えて
手入力する機構になっていた。
上述した従来のめっき装置は、樹脂封止されたベレット
を有する複数種類のリードフレームをめっきする場合に
は、被めっき部分の表面積の大きさによりめっき用の整
流器の電流もしくは電圧の値を変えて手入力しなければ
ならないため、工数がかかることと作業者によるための
入力ミスが発生しめつつき膜の厚さにばらつきを生ずる
という欠点がある。
を有する複数種類のリードフレームをめっきする場合に
は、被めっき部分の表面積の大きさによりめっき用の整
流器の電流もしくは電圧の値を変えて手入力しなければ
ならないため、工数がかかることと作業者によるための
入力ミスが発生しめつつき膜の厚さにばらつきを生ずる
という欠点がある。
本発明の半導体装置用めっき装置は、めっき用整流器の
電流または電圧を調整し樹脂封止した半導体ペレットを
有するリードフレームをめっきする半導体装置用めっき
装置において、被めっき部分の表面積を求める画像処理
部と、この画像処理部からの信号により前記めっき用整
流器を制御する制御部とを設けたものである。
電流または電圧を調整し樹脂封止した半導体ペレットを
有するリードフレームをめっきする半導体装置用めっき
装置において、被めっき部分の表面積を求める画像処理
部と、この画像処理部からの信号により前記めっき用整
流器を制御する制御部とを設けたものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
樹脂封止された複数の半導体ペレットを有するリードフ
レームは、めっき前の酸浸漬、アルカリ浸漬化学研磨、
水洗等から成る前処理部5を経て、めっき槽6にてめっ
きされる。めっきされたリードフレームは、水洗、湯洗
等から成る後処理部7にて清浄にされ仕上げられる。
レームは、めっき前の酸浸漬、アルカリ浸漬化学研磨、
水洗等から成る前処理部5を経て、めっき槽6にてめっ
きされる。めっきされたリードフレームは、水洗、湯洗
等から成る後処理部7にて清浄にされ仕上げられる。
この時被めっき物であるリードフレームは、表面積測定
部4において画像処理部N2により表面積を測定される
。測定された表面積の信号は、例えばマイコン等から成
る制御部3に送られ、めっきに必要な電流あるいは電圧
の値に変換され、この変換された信号により整流器1の
電流あるいは電圧は自動的に出力するように制御される
。
部4において画像処理部N2により表面積を測定される
。測定された表面積の信号は、例えばマイコン等から成
る制御部3に送られ、めっきに必要な電流あるいは電圧
の値に変換され、この変換された信号により整流器1の
電流あるいは電圧は自動的に出力するように制御される
。
このように本実施例によれは、被めっき物の表面積によ
り整流器1の電流値もしくは電圧値が自動的に出力され
るため、めっき膜の厚さにばらつきを生ずることはなく
なる。
り整流器1の電流値もしくは電圧値が自動的に出力され
るため、めっき膜の厚さにばらつきを生ずることはなく
なる。
尚、上記実施例においては前処理部5の前に表面積測定
部4を設定したが、前処理部5の後であってもよい。
部4を設定したが、前処理部5の後であってもよい。
以上説明したように本発明は、被めっき部分の表面積を
求める画像処理部とこの画像処理部からの信号によりめ
っき用整流器を制御する制御部とを設けることにより、
従来のように整流器の電流もしくは電圧の値を人手によ
り入力する必要がなくなるため、工数が削減されると共
に、膜厚の均一なめっきが行なえるという効果がある。
求める画像処理部とこの画像処理部からの信号によりめ
っき用整流器を制御する制御部とを設けることにより、
従来のように整流器の電流もしくは電圧の値を人手によ
り入力する必要がなくなるため、工数が削減されると共
に、膜厚の均一なめっきが行なえるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は従来
のめつき装置のブロック図である。 1・・・整流器、2・・・画像処理装置、3・・・制御
部、4・・・表面積測定部、5・・・前処理部、6・・
・めっき槽、7・・・後処理部。
のめつき装置のブロック図である。 1・・・整流器、2・・・画像処理装置、3・・・制御
部、4・・・表面積測定部、5・・・前処理部、6・・
・めっき槽、7・・・後処理部。
Claims (1)
- めっき用整流器の電流または電圧を調整し樹脂封止し
た半導体ペレットを有するリードフレームをめっきする
半導体装置用めっき装置において、被めっき部分の表面
積を求める画像処理部と、この画像処理部からの信号に
より前記めっき用整流器を制御する制御部とを設けたこ
とを特徴とする半導体装置用めっき装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28629789A JP2729090B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置用めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28629789A JP2729090B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置用めっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03148162A true JPH03148162A (ja) | 1991-06-24 |
JP2729090B2 JP2729090B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17702554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28629789A Expired - Lifetime JP2729090B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置用めっき装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2729090B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5578505A (en) * | 1995-12-15 | 1996-11-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for measuring the surface area of a semiconductor wafer |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28629789A patent/JP2729090B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5578505A (en) * | 1995-12-15 | 1996-11-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for measuring the surface area of a semiconductor wafer |
US5899702A (en) * | 1995-12-15 | 1999-05-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for measuring surface area |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2729090B2 (ja) | 1998-03-18 |
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