JPH0474897A - メッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、リードフレームに搭載された半導体ＩＣのり
−ト等に電気メッキ法によりメッキな施ず装りに関する
。

〈従来の技術〉 第５図は、この種のメッキ装置の従来例を示す概略構成
図である。

図の様に、メッキ液２１を満たすメッキ槽２２には、被
メッキ物であるＩＣのソートフレーム２３を上記メッキ
液２１中に投入するとともに取出す投入機構として、複
数対の送りローラ２４か付設されている。これらの送り
ローラ２４は、ローラモータ２５から与えられた回転力
によりリードフレーム２３を挟持圧送するもので、図示
はしないかメッキ槽２２内にも等間隔に配置されている
。そしてこの送りローラ２４により、メッキ槽２２の投
入口２６から−っずつ連続的に投入したリードフレーム
２３を、メッキ液２１に浸しなから」定速度で送り、取
出口２７から取出す様に構成されている。

又、上記投入口２５からメッキ槽２２内を通って取出口
２７へ抜けるワイヤ２８か張設されている。このワイヤ
２８は、上記送りローラ２４によって送られるリードフ
レーム２３上のＩＣのリートと電気的に接続された状態
で、ワイヤモータ２９によりソートフレーム２３と共に
同速度で走行する。

更に、メッキ槽２２の外部には定電圧を源から成るメッ
キ電源３０か設置されている。このメッキ電源３０の陽
極は、メッキ槽２２内に設けられたメツシュ電極３１に
接続され、その陰極は、テンションローラ３２を介して
上記ワイヤ２８に接続されている。よってソートフレー
ム２３上のＩＣのソートも陰極となる。

上記構成において、メツシュ電極３１にメッキ材料であ
る半田チップ３３を添付して、そのメツシュ電極３１と
ワイヤ２８間にメッキ電源３０により電圧を印加し、そ
の状態て、ソートフレーム２３をメッキ液２１に浸しな
から一定速度で送る。すると半田チップ３３かメッキ液
２１により電気分解して、リードフレーム２３上のＩＣ
のソート表面に被膜形成する。

上記メッキ処理では、メッキ表面の精粗は、通常、メツ
シュ電極３１とＩＣのり−１〜との間に流れるメッキ電
流の大きさによって決まる。しかもそのメッキ電流の大
きさは、被メッキ物の全表面積の大小て変わることから
、メッキ槽２２内のリードフレーム２３の数、及び搭載
されたＩＣの種類の違いによるリードフレーム２３の品
種により変わってくる。従ってメッキ表面の精粗を一定
とする為には、リードフレーム２３の数と品種に応し、
メッキ電源３０に設けられた可変抵抗から成る電流調整
装置３０ａを調整してメッキ電流の値を適宜に設定する
必要がある。

又、メッキ厚は、メッキ時間、つまりリードフレーム２
３をメッキ液２１に浸す時間により決まる。

よってメッキ厚を一定とする為には、送りローラ２４の
ローラモータ２５を制御してメッキ時間を適宜に設定す
る必要がある。

〈発明か解決しようとする課題〉 しかし従来のメッキ装置においては、メッキ電流を設定
するにあたり、オペレータが、メッキ槽２２内に投入さ
れたり−トフレームｚ３の品種と数を認識してメッキ電
＠３０の電流調整装置３０ａを調整していた。或いは予
め品種ごとのメッキ電流値を、メッキ槽２２における最
大処理数に対して設定しておき、メッキ槽２２内のソー
トフレーム２３の数が最大処理数に満たない場合にはダ
ミーのソートフレームを投入していた。

又、所定のメッキ時間に設定する為に、やはりオペレー
タか、一つのり−トフレーム２３の投入から取出しまで
の時間を計測しなからローラモータ２５を制御して、送
りローラ２４の送り速度を調整していた。

この様に従来のメッキ装置では、メッキ電流やメッキ時
間といったメッキ条件の設定に手間かかかり、それたけ
処理部率か悪かった。又、人手による為に、メッキ条件
を指定通りに正確に設定することは困難である。しかも
操作ミスからメッキ品質を低下させ、製品歩留りを低下
させるという危険性も高かった。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は上記種々の問題点を解決すべく提案されたもの
で、本発明に係るメッキ装置では、投入機構により投入
されたメッキ槽内の被メッキ物の数を検出する手段を設
け、更に、その検出手段て検出したメッキ槽内の被メッ
キ物の数と、外部からのデータに基づいて認識したメッ
キ槽内の被メッキ物の品種とに応してメッキ電源を制御
することによりメッキ電流を設定するとともに、上記投
入機構を制御することによりメッキ時間を指定された値
に設定するコンピュータを設けた。

〈作用〉 上記構成によれば、コンピュータの制御によって、メッ
キ槽内の被メッキ物の品種と数とに応じた所定のメ・ン
キ電流か自動的に設定されるとともに、メッキ時間も指
定された値に自動的に設定されてメッキ処理が行われ、
所望の精粗のメッキ表面と所望のメッキ厚か得られる。

〈実施例〉 以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。

第１図は、本発明に係るメッキ装置の構成を示すフロッ
ク図である。

図の様に本発明のメッキ装置は、第５図に示した従来の
メッキ装置に、フレーム検出装置１とコンピュータ２と
を付加して成るものである。このフレーム検出装置ｌと
コンピュータ２以外の構成については従来と相違なく、
よって第５図を参照することとし、説明を省略する。

上記フレーム検出装置１は、メッキ槽２２内の被メッキ
物であるリードフレーム２３の数を検出する為のものて
、例えば第２図の説明図に示す様に、一つのフォトセン
サ等て構成され、メッキ槽２２の投入口２６に配置され
る。このフレーム検出装置ｌか、後述の如く設定された
送り速度て送りローラ２４により送られるリードフレー
ム２３を検出してから一定時間ｔ１後に、そのフレーム
２３はメッキ槽２２内に完全に入り、又一定時間ｔ２後
には、その同しフレーム２３はメッキ槽２２から完全に
出る。

従ってフレーム検出装置ｌか一つのフレーム２３を検出
してから、一定時間ｔ、後にカウントをプラス１、一定
時間ｔ２後にカウントをマイナス１とすれば、メッキ槽
２２内のり−トフレーム２３の数を検出することかてき
る。このカウントは、コンピュータ２か行うことになる
。

一方、上記コンピュータ２は第１図に示す様に、制御装
置であるマイクロプロセッサ３と、記憶装置であるＲＯ
Ｍ４．ＲＡＭ５と、端末機６と、メッキ電源インターフ
ェイス７と、複数の入出力装置８とを備えている。そし
てこのコンピュータ２の複数の入出力装置８には別個に
、上記フレーム検出装置１と、送りローラ２４のローラ
モータ２５と、ワイヤ２８のワイヤモータ２９とが接続
されるとともに、上記メッキ電源インターフェイス７を
介してメッキ電源３０の電流調整装置３０ａが接続され
ている。更に別の入出力装置８の一つには、ＩＣの製造
工程全体を統括する上位コンピュータから、メッキ処理
されるリードフレーム２３の品種に関する外部データを
受けるデータライン９か接続されている。つまりこの場
合、上記コンピュータ２は上位コンピュータとオンライ
ンで結ばれることになる。

上記ＲＯＭ４には、このコンピュータ２の制御プロクラ
ムか記憶され、又上記ＲＡＭ５には、メッキ電流の値を
設定する処理データテーブルが記憶されている。

この処理データテーブルは、第３図の説明図に示す様に
、メッキ槽２２内のり−トフレーム２３の数と、その数
に対して所望の精粗のメッキ表面か得られるメッキ電流
の値とを、フレーム２３の品種Ａ、Ｂ・・・ごとに対応
付けだものて、上記端末機６から予め入力される。尚、
コンピュータ２か複数のメッキ装置を制御する場合には
、上記処理データテーブルは、各メッキ装置に対応して
ＲＡＭ　５に記憶される。

更に上記ＲＡＭ５には、所望のメッキ厚か得られるメッ
キ時間か記憶されている。このメッキ時間も、上記端末
機６から予め指定される。

次に上記構成のメッキ装置におけるメッキ処理動作を、
第４図のフローチャートを参照しつつ説明する。

コンピュータ２の端末機６から処理開始を指示すると、
マイクロプロセッサ３は先ず、制御プロクラムにしたが
って、ＲＡＭ５に記憶された指定メッキ時間となる様に
送りローラ２４のローラモータ２５、及びワイヤ２８の
ワイヤモータ２９を制御する。するとり−トフレーム２
３は、一定速度で走行し、一つずつ投入口２６からメッ
キ槽２２内へ進入していく（ステップ５−１）。その際
、メッキ槽２２内へ進入するフレーム２３は、フレーム
検出袋ｗｌて検出される。

次いてマイクロプロセッサ３は、上記フレーム検出装置
１によるリードフレーム２３の検出信号と、検出からの
時間に基づいて、上述の如くメッキ槽２２内のフレーム
２３の数を検出する（Ｓ−２）。この時、もしフレーム
２３の数か０てあれば（Ｓ−３）、メッキ処理を終了す
ることになる。

フレーム２３の数が０てなければ、マイクロプロセッサ
３は、検出したフレームｚ３の数と、データライン９か
らの外部データに基づいて認識したフレーム２３の品種
とに対応する、指定されたメッキ電流の値を、ＲＡＭ５
に記憶された処理チータテ−フルから呼び出して設定す
る（Ｓ−４）。そしてマイクロプロセッサ３は、その設
定した値のメッキ電流かメツシュ電極３１とＩＣのり−
トとの間に流れる様に、メッキ電［”ＩＯの電流調整装
置３０ａを制御する（Ｓ−５）。

上記ステップ２〜５を、メッキ槽２２内のり−トフレー
ム２３か無くなるまで繰返すことにより、メッキ処理が
行われる。基本となるメッキ方法については従来と同様
である為、説明を省略する。

又メッキ材料については、半田等、種々の金属を使用す
ることがてきる。

上述の如く本発明のメッキ装置ては、メッキ槽２２内の
り−トフレーム２３の品種と数とに応した所定のメッキ
電流が自動的に設定されるとともにメッキ時間も指定さ
れた値に自動的に設定されてメッキ処理か行われ、所望
の精粗のメッキ表面と所望のメッキ厚か得られる。

尚、本実施例ては、リードフレーム２３をメッキ槽２２
内て走行させる方式のメッキ装置について説明したか、
昇降式の投入機構により多数のソートフレームを一度に
メッキ槽内のメッキ液に浸す方式のメッキ装置であって
も、この方式に合った構成のフレーム検出装置を設ける
ことにより、本実施例と同様にメッキ電流とメッキ時間
とを自動的に設定することができる。

〈発明の効果〉 以上述べた様に本発明のメッキ装置によれば、メッキ電
流やメッキ時間といったメッキ条件か自動的に設定され
る為に、オペレータの手間か省かれ、処理能率が大幅に
向上する。更に、このメッキ装置のコンピュータを半導
体ＩＣの製造工程全体を統括する上位コンピュータとオ
ンライン化することにより、ＩＣ製造の自動化か促進さ
れて製造効率が大幅に向上する。

その上、メッキ条件か指定通りに正確に設定されて、品
質が一定に保たれる為、製品歩留りも向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例を示すフロック図、第２図は
、実施例におけるフレーム検出装置の説明図、 ８３図は、実施例における処理データテーブルの説明図
、 第４図は、実施例における動作を説明するフローチャー
ト、 第５図は、従来例を示す概略構成図である。 ■・・・フレーム検出装置、　２・・・コンピュータ。 ３・・・マイクロプロセッサ、　５・・・ＲＡＭ。 ６・・・端末機、２２・・・メッキ槽。 ２４・・・送りローラ、３０・・・メッキ電源。 特許出願人　　　　　沖電気工業株式会社代理人　　　
　　　　　弁理士　船　橋　國　則不を質／′）寿研／
タ／２．広グフＤ／りＢ第１図 ７ム一ム着カゴ１（」ｔのｌ乞弓ゲに４箪２閉 芙ｌβツだ）５／グ３７０−ノ〒つｂ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被メッキ物をメッキ槽内のメッキ液中に投入する
   とともに取出す投入機構と、被メッキ物とメッキ槽内の
   電極との間にメッキ電流を流すメッキ電源とを備えたメ
   ッキ装置において、 上記投入機構により投入されたメッキ槽内の被メッキ物
   の数を検出する手段と、 その検出手段で検出したメッキ槽内の被メッキ物の数と
   、外部からのデータに基づいて認識したメッキ槽内の被
   メッキ物の品種とに応じて上記メッキ電源を制御するこ
   とによりメッキ電流を設定するとともに、上記投入機構
   を制御することによりメッキ時間を指定された値に設定
   するコンピュータとを設けたことを特徴とするメッキ装
   置。
2. （２）上記コンピュータには、メッキ槽内の被メッキ物
   の数とメッキ電流の値とを被メッキ物の品種ごとに対応
   付けた処理データテーブルを入力するとともに、メッキ
   時間を指定する端末機と、その端末機から入力された処
   理データテーブルと指定されたメッキ時間とを記憶する
   記憶装置と、 上記投入機構により投入された被メッキ物の品種と上記
   被メッキ物数検出手段の検出結果と上記記憶装置内の処
   理データテーブルとに基づいて上記メッキ電源を制御す
   るとともに、上記記憶装置内の指定されたメッキ時間に
   基づいて上記投入機構を制御する制御装置とを設けたこ
   とを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
3. （３）上記コンピュータには、メッキ槽内の被メッキ物
   の品種に関する外部データを上位コンピュータから受け
   るデータラインを接続したことを特徴とする請求項１記
   載のメッキ装置。