JPH03145442A - (4―メトキシカルボニル―1―ブテニル)―ビシクロ〔3,3,0〕オクテン誘導体の製造方法 - Google Patents
(4―メトキシカルボニル―1―ブテニル)―ビシクロ〔3,3,0〕オクテン誘導体の製造方法Info
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- JPH03145442A JPH03145442A JP28112889A JP28112889A JPH03145442A JP H03145442 A JPH03145442 A JP H03145442A JP 28112889 A JP28112889 A JP 28112889A JP 28112889 A JP28112889 A JP 28112889A JP H03145442 A JPH03145442 A JP H03145442A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は(4−メトキシカルボニル−1−ブテニル)−
ビシクロ(3,3,0)オクテン誘導体の製造方法に関
するものであり、この化合物は医薬品として有用なプロ
スタグランジンの製造において重要な中間体である。特
に本発明で得られる化合物はプロスタグランジンの中で
も特に生理活性の優れたカルバサイクリン類の重要中間
体となりうる(特開昭60−69051号公報、特開昭
62−153258号公報等を参照)。
ビシクロ(3,3,0)オクテン誘導体の製造方法に関
するものであり、この化合物は医薬品として有用なプロ
スタグランジンの製造において重要な中間体である。特
に本発明で得られる化合物はプロスタグランジンの中で
も特に生理活性の優れたカルバサイクリン類の重要中間
体となりうる(特開昭60−69051号公報、特開昭
62−153258号公報等を参照)。
(従来の技術)
従来、下記一般式(3)で表される化合物を得る方法と
しては、下記の一般式(4)で表わされる化合物を用い
、次いでジアゾメタンおよびその他の手段によりメチル
エステル化する方法が知られている(特開昭60−17
8843号公報参照)。
しては、下記の一般式(4)で表わされる化合物を用い
、次いでジアゾメタンおよびその他の手段によりメチル
エステル化する方法が知られている(特開昭60−17
8843号公報参照)。
OR’
(1)
(3)
(上記式中R1およびR2は水素原子または水酸基の保
護基であり、R3はアルキル基またはアリール基であり
、Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。) (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、かかる従来の方法では反応工程が多段と
なり目的の化合物を収率よく得ることができなかった。
護基であり、R3はアルキル基またはアリール基であり
、Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。) (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、かかる従来の方法では反応工程が多段と
なり目的の化合物を収率よく得ることができなかった。
(問題点を解決するための手段)
そこで、本発明者等は前記の問題点を解決すべく鋭意検
討した結果、特定の化合物を用い低温下で反応させるこ
とにより、従来の問題点が解消することを見出し本発明
に到達した。
討した結果、特定の化合物を用い低温下で反応させるこ
とにより、従来の問題点が解消することを見出し本発明
に到達した。
すなわち、本発明の目的は効率よく、かつ−段の反応工
程で目的の(4−メトキシカルボニル−1−ブテニル)
−ビシクロ(3,3,0)オクテン誘導体を得る方法を
提供することにある。
程で目的の(4−メトキシカルボニル−1−ブテニル)
−ビシクロ(3,3,0)オクテン誘導体を得る方法を
提供することにある。
そして、本発明の要旨は下記一般式(1)で表されるビ
シクロ(3,3,0)オクテニルアルデヒド誘導体と R’P e C00CHs ・X e
−(21下記一般式(2)で表される3−メトキシカル
ボニルプロピルホスホニウムハライドを塩基の存在下、
−50℃以下にて反応させることを特徴とする、下記一
般式(3)で表される(4−メトキシカルボニル−1−
ブテニル)−ビシクロ(3,3,Q)オクテン誘導体の
製造方法に存する。
シクロ(3,3,0)オクテニルアルデヒド誘導体と R’P e C00CHs ・X e
−(21下記一般式(2)で表される3−メトキシカル
ボニルプロピルホスホニウムハライドを塩基の存在下、
−50℃以下にて反応させることを特徴とする、下記一
般式(3)で表される(4−メトキシカルボニル−1−
ブテニル)−ビシクロ(3,3,Q)オクテン誘導体の
製造方法に存する。
(上記式中R1およびR2は水素原子または水酸基の保
護基であり、R3はアルキル基またはアリール基であり
、Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。) 以下、本発明について詳細に説明する。
護基であり、R3はアルキル基またはアリール基であり
、Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。) 以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で用いるビシクロ(3,3,0)オクテニルアル
デヒド誘導体は上記の一般式(1)で表されるものであ
るが、ここでR1およびR8は水素原子または水酸基の
保tl基であり、水酸基の保護基としては具体的にはジ
メチル−t−ブチルシリル基等のトリアルキルシリル基
、テトラヒド口ピラニル基、テトラヒドロフラニル基等
の環状エーテル基、ベンゾイル基、4−ビフェニルカル
ボニル基等の芳香族アシル基等が挙げられる。好ましく
は、R1としてはテトラヒドロピラニル基、R2として
はジメチル−t−ブチルシリル基を用いるのがよい、な
お、一般式(1)で表される化合物は、特開昭60−6
9051号公報に記載の方法に準じて合成される。
デヒド誘導体は上記の一般式(1)で表されるものであ
るが、ここでR1およびR8は水素原子または水酸基の
保tl基であり、水酸基の保護基としては具体的にはジ
メチル−t−ブチルシリル基等のトリアルキルシリル基
、テトラヒド口ピラニル基、テトラヒドロフラニル基等
の環状エーテル基、ベンゾイル基、4−ビフェニルカル
ボニル基等の芳香族アシル基等が挙げられる。好ましく
は、R1としてはテトラヒドロピラニル基、R2として
はジメチル−t−ブチルシリル基を用いるのがよい、な
お、一般式(1)で表される化合物は、特開昭60−6
9051号公報に記載の方法に準じて合成される。
本発明では、かかるアルデヒド誘導体に対して上記の一
般式(2)で表される3−メトキシカルボニルプロピル
ホスホニウムハライドを反応させる。
般式(2)で表される3−メトキシカルボニルプロピル
ホスホニウムハライドを反応させる。
一般式(2)におけるR3は、アルキル基またはアリー
ル基であり、好ましくは01〜C11のアルキル基また
は置換されていてもよいフェニル基がよく、更に好まし
くはフェニル基であり、またXとしては塩素原子、臭素
原子またはヨウ素原子であり、好ましくは臭素原子であ
る。なお、−a式(2)で表される化合物は、公知の方
法により、例えば、アルキルハライドとアリールホスフ
ィンあるいはアルキルホスフィンを有機溶媒中で加熱す
ることにより容易に合成できる。
ル基であり、好ましくは01〜C11のアルキル基また
は置換されていてもよいフェニル基がよく、更に好まし
くはフェニル基であり、またXとしては塩素原子、臭素
原子またはヨウ素原子であり、好ましくは臭素原子であ
る。なお、−a式(2)で表される化合物は、公知の方
法により、例えば、アルキルハライドとアリールホスフ
ィンあるいはアルキルホスフィンを有機溶媒中で加熱す
ることにより容易に合成できる。
上記一般式(L)で表されるビシクロ(3,3,0)オ
クテニルアルデヒド誘導体と上記一般式(2)で表され
る3−メトキシカルボニルプロピルホスホニウムハライ
ドとの反応において、本発明では塩基の存在下、−50
℃以下で反応を行うことが重要である。用いる塩基とし
ては、t−ブトキシカリウム、t−アミルオキシナトリ
ウム、メトキシナトリウム、エトキシナトリウム、ジメ
チルスルホキシドのナトリウム塩またはカリウム塩、ブ
チルリチウム、5ec−ブチルリチウム、t−ブチルリ
チウム、フェニルリチウム、水素化ナトリウム、水素化
カリウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジ
エチルアミド、ナトリウムアミドの如き有機塩基、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムの如き無
機塩基を用いることができる。これらの塩基の使用量は
前記一般式+11で表されるビシクロ(3,3,0)オ
クテニルアルデヒド誘導体に対して1〜3モル当量用い
ればよい。
クテニルアルデヒド誘導体と上記一般式(2)で表され
る3−メトキシカルボニルプロピルホスホニウムハライ
ドとの反応において、本発明では塩基の存在下、−50
℃以下で反応を行うことが重要である。用いる塩基とし
ては、t−ブトキシカリウム、t−アミルオキシナトリ
ウム、メトキシナトリウム、エトキシナトリウム、ジメ
チルスルホキシドのナトリウム塩またはカリウム塩、ブ
チルリチウム、5ec−ブチルリチウム、t−ブチルリ
チウム、フェニルリチウム、水素化ナトリウム、水素化
カリウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジ
エチルアミド、ナトリウムアミドの如き有機塩基、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムの如き無
機塩基を用いることができる。これらの塩基の使用量は
前記一般式+11で表されるビシクロ(3,3,0)オ
クテニルアルデヒド誘導体に対して1〜3モル当量用い
ればよい。
また、反応温度としては一50℃以下、好ましくは一7
2℃以下(メタノール/ドライアイス浴)とすればよい
。
2℃以下(メタノール/ドライアイス浴)とすればよい
。
本発明は溶媒中で行うのが望ましい、用いる溶媒として
は、有機塩基を用いる場合にはテトラヒドロフラン、ジ
メトキシエタン、エチルエーテル、2−メトキシジエチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒、トルエン、ベンゼン等
の芳香族系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)
、ヘキサメチルホスホルアミド(HMPA) 、ジメチ
ルホルムアミド(DMF)等の極性溶媒を使用すること
ができ、無機塩基を用いる場合には塩化メチレン、クロ
ロホルム等のハロゲン系溶媒、トルエン、ベンゼン等の
芳香族系溶媒と水との混合溶媒を用いるのがよい。尚、
無機塩基を用いる場合には反応系が二層となるためこれ
ら塩基を好適に作用させるにはテトラメチルアンモニウ
ムプロミド、テトラブチルアンモニウムヨージド等の相
間移動触媒の存在下で行うと効率よく目的物が得られる
。
は、有機塩基を用いる場合にはテトラヒドロフラン、ジ
メトキシエタン、エチルエーテル、2−メトキシジエチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒、トルエン、ベンゼン等
の芳香族系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)
、ヘキサメチルホスホルアミド(HMPA) 、ジメチ
ルホルムアミド(DMF)等の極性溶媒を使用すること
ができ、無機塩基を用いる場合には塩化メチレン、クロ
ロホルム等のハロゲン系溶媒、トルエン、ベンゼン等の
芳香族系溶媒と水との混合溶媒を用いるのがよい。尚、
無機塩基を用いる場合には反応系が二層となるためこれ
ら塩基を好適に作用させるにはテトラメチルアンモニウ
ムプロミド、テトラブチルアンモニウムヨージド等の相
間移動触媒の存在下で行うと効率よく目的物が得られる
。
また、前記一般式(3)で表される化合物の望まれる立
体配置はE体であるが、本発明の方法によるとE体/Z
体−97/3という高いE体含有率の一般式(3)で表
される化合物が得られる。
体配置はE体であるが、本発明の方法によるとE体/Z
体−97/3という高いE体含有率の一般式(3)で表
される化合物が得られる。
(実施例)
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、
本発明はその要旨を越えないかぎり下記の実施例に限定
されるものではない。
本発明はその要旨を越えないかぎり下記の実施例に限定
されるものではない。
参考例1
メタノール100mlに4−ブロモブタン酸エチルl
Og (51,3mmo jりおよびI)−)JL/I
ンスルホン酸−水和塩0.5 g (2,6mmo j
りを混合し14時間加熱還流した。室温まで冷却後、水
70ml加えエチルエーテルにて抽出を行い、有機層を
水洗、乾燥、溶媒情夫し8.19g(45゜2mmoj
りの4−ブロモブタン酸メチルを得た(収率88%)。
Og (51,3mmo jりおよびI)−)JL/I
ンスルホン酸−水和塩0.5 g (2,6mmo j
りを混合し14時間加熱還流した。室温まで冷却後、水
70ml加えエチルエーテルにて抽出を行い、有機層を
水洗、乾燥、溶媒情夫し8.19g(45゜2mmoj
りの4−ブロモブタン酸メチルを得た(収率88%)。
次に、アセトニトリル40.6 m lに4−ブロモブ
タン酸メチル8.12g (44,9mmol)および
トリフェニルホスフィン11.76 g (44,8m
moi’)を混合し14時間加熱還流した。反応の進行
に伴い無色の結晶が析出した。室温にて析出結晶を濾過
、乾燥し16.92g(収率85%)の3−メトキシ力
ルポニルブロビルホスホニウムブロミドを得た。本化合
物の融点およびfRスペクトルは以下の如くであった。
タン酸メチル8.12g (44,9mmol)および
トリフェニルホスフィン11.76 g (44,8m
moi’)を混合し14時間加熱還流した。反応の進行
に伴い無色の結晶が析出した。室温にて析出結晶を濾過
、乾燥し16.92g(収率85%)の3−メトキシ力
ルポニルブロビルホスホニウムブロミドを得た。本化合
物の融点およびfRスペクトルは以下の如くであった。
m、p、(融点)℃ 166.8−170.3rR(
KBr)cm−’;2860,1717.1585.1
481,1434,1320,1238.1,111,
994,761,741.720,691,636,5
05 実施例1 窒素気流下、上記参考例1で得られた3−メトキシ力ル
ポニルブロピルホスホニウムブロミド2゜3321 g
(5,3mmo A)を無水テトラヒドロフラン5゜
4mlに懸濁させ、−60℃にてt−ブトキシカリ6ム
0.5935 g (5,3mmo &”) (D無
水テトラヒドロフラン溶液(11,1mjりを加えた。
KBr)cm−’;2860,1717.1585.1
481,1434,1320,1238.1,111,
994,761,741.720,691,636,5
05 実施例1 窒素気流下、上記参考例1で得られた3−メトキシ力ル
ポニルブロピルホスホニウムブロミド2゜3321 g
(5,3mmo A)を無水テトラヒドロフラン5゜
4mlに懸濁させ、−60℃にてt−ブトキシカリ6ム
0.5935 g (5,3mmo &”) (D無
水テトラヒドロフラン溶液(11,1mjりを加えた。
−60℃にて30分撹拌した後、!−3=ホルミルー6
−ニキソーt−ブチルジメチルシリルオキシメチル−7
−エンド−テトラヒドロビラニルオキシビシクロ(3,
3,0)オクト−2−エン0.9981 g (2,6
mmo J)の無水テトラヒドロフラン溶液(4,1m
1l)を滴下し、4時間撹拌した。続いて飽和塩化アン
モニウム溶液を加えエチルエーテルにて抽出を行った。
−ニキソーt−ブチルジメチルシリルオキシメチル−7
−エンド−テトラヒドロビラニルオキシビシクロ(3,
3,0)オクト−2−エン0.9981 g (2,6
mmo J)の無水テトラヒドロフラン溶液(4,1m
1l)を滴下し、4時間撹拌した。続いて飽和塩化アン
モニウム溶液を加えエチルエーテルにて抽出を行った。
次に有機層を水洗、乾燥後溶媒情夫し粗の生成物を得た
。粗の生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィーを
用いて精製し、1−3− (4−メトキシカルボニル−
1−ブテニル)−6−ニキソーt −ブチルジメチルシ
リルオキシメチル−7−エンド−テトラヒドロビラニル
オキシビシクロ(3,3,Q)オクト−2−エン1.2
512g(収率100%)を得た。本化合物のNMRス
ペクトルおよびIRスペクトルは以下の如くであり、こ
れは別途合成標品と一敗した。また、NMRスペクトル
により、E体/2体の比率は97/3であった。
。粗の生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィーを
用いて精製し、1−3− (4−メトキシカルボニル−
1−ブテニル)−6−ニキソーt −ブチルジメチルシ
リルオキシメチル−7−エンド−テトラヒドロビラニル
オキシビシクロ(3,3,Q)オクト−2−エン1.2
512g(収率100%)を得た。本化合物のNMRス
ペクトルおよびIRスペクトルは以下の如くであり、こ
れは別途合成標品と一敗した。また、NMRスペクトル
により、E体/2体の比率は97/3であった。
N M R(CD Cls )δppm;0.05 (
6H,s、 CHz ) 、 0.90 (9H。
6H,s、 CHz ) 、 0.90 (9H。
s、 CHs ) 、 1.10〜1.90 (10
H,m)2.20〜3.10 (8H,m) 、 3.
40〜4.05 (4H,m)、3.67 (3H,s
、CHy )4.65 (LH,d、CH)、5.2
9 (IH。
H,m)2.20〜3.10 (8H,m) 、 3.
40〜4.05 (4H,m)、3.67 (3H,s
、CHy )4.65 (LH,d、CH)、5.2
9 (IH。
dt、 CH)、 5.62 (IH,bs、
CH)。
CH)。
6.00 (IH,d、 CH)
IR(nea t)cm−’;2950. 2870
. 1745、 840 (発明の効果) 以上の実施例から明らかなように、本発明の方法による
と、目的化合物である(4−メトキシカルボニル−1−
ブテニル)−ビシクロ(3+3*0〕オクテン誘導体を
、効率よく、かつ−段の反応工程で得ることができ、さ
らに、目的化合物の望まれる立体配置であるE体含有率
が高いという効果がある。
. 1745、 840 (発明の効果) 以上の実施例から明らかなように、本発明の方法による
と、目的化合物である(4−メトキシカルボニル−1−
ブテニル)−ビシクロ(3+3*0〕オクテン誘導体を
、効率よく、かつ−段の反応工程で得ることができ、さ
らに、目的化合物の望まれる立体配置であるE体含有率
が高いという効果がある。
Claims (1)
- (1)下記一般式(1)で表されるビシクロ〔3,3,
0〕オクテニルアルデヒド誘導体と ▲数式、化学式、表等があります▼…(1) 下記一般式(2)で表される3−メトキシカルボニルプ
ロピルホスホニウムハライドを塩基の存在下、−50℃
以下にて反応させることを特徴とする、下記一般式(3
)で表される(4−メトキシカルボニル−1−ブテニル
)−ビシクロ〔3,3,0〕オクテン誘導体の製造方法
。 ▲数式、化学式、表等があります▼…(2) ▲数式、化学式、表等があります▼…(3) (上記式中R^1およびR^2は水素原子または水酸基
の保護基であり、R^3はアルキル基またはアリール基
であり、Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表
す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28112889A JPH03145442A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | (4―メトキシカルボニル―1―ブテニル)―ビシクロ〔3,3,0〕オクテン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28112889A JPH03145442A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | (4―メトキシカルボニル―1―ブテニル)―ビシクロ〔3,3,0〕オクテン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03145442A true JPH03145442A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17634757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28112889A Pending JPH03145442A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | (4―メトキシカルボニル―1―ブテニル)―ビシクロ〔3,3,0〕オクテン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03145442A (ja) |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP28112889A patent/JPH03145442A/ja active Pending
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