JPH03145148A - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH03145148A JPH03145148A JP28170489A JP28170489A JPH03145148A JP H03145148 A JPH03145148 A JP H03145148A JP 28170489 A JP28170489 A JP 28170489A JP 28170489 A JP28170489 A JP 28170489A JP H03145148 A JPH03145148 A JP H03145148A
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- JP
- Japan
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- shank
- bonding
- heat
- tool
- bonding tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的」
（産業上の利用分野）
本発明は、テープキャリアに半導体チップを熱圧着によ
り接合する際に用いるボンディングツールに関する。
り接合する際に用いるボンディングツールに関する。
（従来の技術）
近年、電子機器の小形化に伴い半導体チップの実装にあ
たり、絶縁テープ上に導体パターンを形成したテープキ
ャリアのリードと半導体チップの突起状の電極（バンブ
〉を接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が多く用いられている。
たり、絶縁テープ上に導体パターンを形成したテープキ
ャリアのリードと半導体チップの突起状の電極（バンブ
〉を接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が多く用いられている。
ＴＡＢ方式においては、テープキャリア上のリードと半
導体チップのバンブを位置合せした後、゛加熱したボン
ディングツールにより圧力を加えて、複数のリードと複
数のバンブとを一括して熱圧着する。
導体チップのバンブを位置合せした後、゛加熱したボン
ディングツールにより圧力を加えて、複数のリードと複
数のバンブとを一括して熱圧着する。
従来の加熱圧着するためのボンディングツールは、第３
図に示すように、シャンク２と呼ばれる支持体と、シャ
ンク２の圧着面側に熱圧着するための伝熱材３を有する
。またシャンク２には、熱を供給するためのヒータが挿
入されるヒータ用ホール４が設けられている。シャンク
２に使われる材料にはモリブデンやインコネルなどの熱
膨張率の小さな金属が選ばれる。また伝熱材３には厳密
な平坦度が要求され、かつ繰り返しのボンディング衝撃
にも耐えなければならないため、硬質で熱伝導性に優れ
たダイアモンドが一般に使用される。
図に示すように、シャンク２と呼ばれる支持体と、シャ
ンク２の圧着面側に熱圧着するための伝熱材３を有する
。またシャンク２には、熱を供給するためのヒータが挿
入されるヒータ用ホール４が設けられている。シャンク
２に使われる材料にはモリブデンやインコネルなどの熱
膨張率の小さな金属が選ばれる。また伝熱材３には厳密
な平坦度が要求され、かつ繰り返しのボンディング衝撃
にも耐えなければならないため、硬質で熱伝導性に優れ
たダイアモンドが一般に使用される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上述の構成のボンディングツールでは、熱
がシャンク２の表面から逃げてしまうため、ボンディン
グツール自体の温度を温度調整装置により調整しても伝
熱材３の温度が設定値に対して安定しない。さらに繰り
返しボンディングによって圧着後に伝熱材３の表面温度
の低下が起こるが、温度が設定値に回復するまでの温度
の立ち上がり時間が長い。
がシャンク２の表面から逃げてしまうため、ボンディン
グツール自体の温度を温度調整装置により調整しても伝
熱材３の温度が設定値に対して安定しない。さらに繰り
返しボンディングによって圧着後に伝熱材３の表面温度
の低下が起こるが、温度が設定値に回復するまでの温度
の立ち上がり時間が長い。
この結果、テープキャリアのリードと半導体チップのバ
ンブとの接合状態が大きく変化して接合不良を起こした
り、温度の立ち上がり時間が長く生産性が低下するとい
う問題があった。
ンブとの接合状態が大きく変化して接合不良を起こした
り、温度の立ち上がり時間が長く生産性が低下するとい
う問題があった。
この発明は、ボンディングツールから半導体チップへ供
給される熱量を安定させ、温度の立ち上がり時間が速く
、リードとバンブの接続を極めて安定にでき、確実な接
続を生産性良く行うことができるボンディングツールを
提供することを目的とする。
給される熱量を安定させ、温度の立ち上がり時間が速く
、リードとバンブの接続を極めて安定にでき、確実な接
続を生産性良く行うことができるボンディングツールを
提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、加熱圧着するためのボンディングツールにお
いて、シャンク表面をシャンクの熱伝導率よりも熱伝導
率が低い物質で覆ったことを特徴とするボンディングツ
ールである。
いて、シャンク表面をシャンクの熱伝導率よりも熱伝導
率が低い物質で覆ったことを特徴とするボンディングツ
ールである。
（作 用）
シャンク表面をシャンクの熱伝導率よりも熱伝導率が低
い物質で覆うことにより、シャンクに与えられた熱がシ
ャンク表面から熱が逃げ難くなり、熱がシャンクに閉じ
込められ、熱の流出する場所がボンディングツールの伝
熱材に限定される。
い物質で覆うことにより、シャンクに与えられた熱がシ
ャンク表面から熱が逃げ難くなり、熱がシャンクに閉じ
込められ、熱の流出する場所がボンディングツールの伝
熱材に限定される。
これにより、伝熱材の温度が極めて安定になり、テープ
キャリアと半導体チップのバンブの接続を安定にして、
かつ繰り返しボンディングによって圧着後に温度の低下
した伝熱材の表面温度の回復時間を短縮でき、生産性が
高く、確実なボンディングが可能となる。
キャリアと半導体チップのバンブの接続を安定にして、
かつ繰り返しボンディングによって圧着後に温度の低下
した伝熱材の表面温度の回復時間を短縮でき、生産性が
高く、確実なボンディングが可能となる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例のボンディングツールの断面
図を示す。
図を示す。
ボンディングツール１のシャンク２はモリブデンで形成
されており、圧着面側にはダイヤモンドで構成された伝
熱材３が設けられている。またシャンク２の圧着面側近
傍にはシャンク２を加熱するためのヒータを取付けるヒ
ータ用ホール４が設けられている。そして、シャンク２
の伝熱材３の形成面及びヒータ用ホール４の内面を除い
た表面には、Ｓ Ｉ Ｏ２からなる絶縁物の被膜５が形
成されている。
されており、圧着面側にはダイヤモンドで構成された伝
熱材３が設けられている。またシャンク２の圧着面側近
傍にはシャンク２を加熱するためのヒータを取付けるヒ
ータ用ホール４が設けられている。そして、シャンク２
の伝熱材３の形成面及びヒータ用ホール４の内面を除い
た表面には、Ｓ Ｉ Ｏ２からなる絶縁物の被膜５が形
成されている。
被膜５を形成する際には、伝熱材３の表面及びヒータ用
ホール４の内面にレジストを保護膜として形成し、表面
に被膜５が形成されないようにしておき、例えばＣＶＤ
、（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法により、５１０２を堆積させる。ＣＶＤ法は、
気相成長であるため曲面を持つものに対しても−様な膜
を形成できるので、シャンク２はどのような形をしてい
ても良い。
ホール４の内面にレジストを保護膜として形成し、表面
に被膜５が形成されないようにしておき、例えばＣＶＤ
、（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法により、５１０２を堆積させる。ＣＶＤ法は、
気相成長であるため曲面を持つものに対しても−様な膜
を形成できるので、シャンク２はどのような形をしてい
ても良い。
被膜５はなるべく厚い方が良く、本実施例では約２０μ
ｍの膜厚とした。なお、被膜５としては５１０２に限ら
ず、ＡＩＮなどを用いても良く、シャンク２を構成する
物質の熱伝導率よりも熱伝導率の小さなものを選べば良
い。
ｍの膜厚とした。なお、被膜５としては５１０２に限ら
ず、ＡＩＮなどを用いても良く、シャンク２を構成する
物質の熱伝導率よりも熱伝導率の小さなものを選べば良
い。
第２図は他の実施例の断面図を示し、被膜５の上にもう
一層、これと異なる熱伝導率を持つ被膜６を形成したも
のである。被膜６の熱伝導率は被ｌ１Ｉ５の熱伝導率よ
り小さい方が好ましい。この実施例では被膜６としてＡ
ＩＮを用い、約２０μｍの膜厚に形成した。
一層、これと異なる熱伝導率を持つ被膜６を形成したも
のである。被膜６の熱伝導率は被ｌ１Ｉ５の熱伝導率よ
り小さい方が好ましい。この実施例では被膜６としてＡ
ＩＮを用い、約２０μｍの膜厚に形成した。
なお、本発明ではシャンク２はモリブデンに限らず、イ
ンコネル、ステンレス合金など、その他の金属を用いる
ことができる。
ンコネル、ステンレス合金など、その他の金属を用いる
ことができる。
なお、上記した各物質の熱伝導率は、モリブデンは０．
３２ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｅ ・’Ｃ、インコネルは０．
１５ｃａｌ／ｃｌ−８ｅｃ・℃、ステンレス合金は０．
１４ｃａｆ／ｃｍ”ｓｅｅ”Ｃ１Ｓ ｉ Ｏ２は０．０
１４ｃａｌ／ｃｍ −５ｅｅ ・’Ｃ１ＡＩＮは０．０
０４２ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｅ ＊ ”Ｃである。
３２ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｅ ・’Ｃ、インコネルは０．
１５ｃａｌ／ｃｌ−８ｅｃ・℃、ステンレス合金は０．
１４ｃａｆ／ｃｍ”ｓｅｅ”Ｃ１Ｓ ｉ Ｏ２は０．０
１４ｃａｌ／ｃｍ −５ｅｅ ・’Ｃ１ＡＩＮは０．０
０４２ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｅ ＊ ”Ｃである。
［発明の効果］
本発明のボンディングツールによれば、伝熱材の温度を
一定に、またボンディングにより低下した伝熱材の表面
温度の立ち上がり時間を速くできるので、テープキャリ
アのリードと半導体チップのバンブの接合を極めて安定
にして接続不良をなくシ、かつ生産性を向上させること
ができる。
一定に、またボンディングにより低下した伝熱材の表面
温度の立ち上がり時間を速くできるので、テープキャリ
アのリードと半導体チップのバンブの接合を極めて安定
にして接続不良をなくシ、かつ生産性を向上させること
ができる。
第１図は本発明の一実施例のボンディングツールの断面
図、第２図は他の実施例のボンディングツールの断面図
、第３図は従来例のボンディングツールの断面図である
。 １・・・ボンディングツール ２・・・シャンク ３・・・伝熱材 ４・・・ヒータ用ホール ５・・・被膜 ６・・・被膜
図、第２図は他の実施例のボンディングツールの断面図
、第３図は従来例のボンディングツールの断面図である
。 １・・・ボンディングツール ２・・・シャンク ３・・・伝熱材 ４・・・ヒータ用ホール ５・・・被膜 ６・・・被膜
Claims (1)
- 加熱圧着するためのボンディングツールにおいて、シ
ャンクの表面をシャンクの熱伝導率よりも熱伝導率が低
い物質で覆ったことを特徴とするボンディングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28170489A JPH03145148A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28170489A JPH03145148A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | ボンディングツール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145148A true JPH03145148A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17642818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28170489A Pending JPH03145148A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03145148A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308429A (en) * | 1992-09-29 | 1994-05-03 | Digital Equipment Corporation | System for bonding a heatsink to a semiconductor chip package |
| US5653376A (en) * | 1994-03-31 | 1997-08-05 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | High strength bonding tool and a process for the production of the same |
| KR20210138279A (ko) * | 2020-05-12 | 2021-11-19 | 한국야금 주식회사 | 다이아몬드 피복 본딩 공구 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP28170489A patent/JPH03145148A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308429A (en) * | 1992-09-29 | 1994-05-03 | Digital Equipment Corporation | System for bonding a heatsink to a semiconductor chip package |
| US5653376A (en) * | 1994-03-31 | 1997-08-05 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | High strength bonding tool and a process for the production of the same |
| KR20210138279A (ko) * | 2020-05-12 | 2021-11-19 | 한국야금 주식회사 | 다이아몬드 피복 본딩 공구 |
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