JPH03142857A - Wiring method for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Wiring method for semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPH03142857A
JPH03142857A JP27964389A JP27964389A JPH03142857A JP H03142857 A JPH03142857 A JP H03142857A JP 27964389 A JP27964389 A JP 27964389A JP 27964389 A JP27964389 A JP 27964389A JP H03142857 A JPH03142857 A JP H03142857A
Authority
JP
Japan
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wiring
circuit
block
blocks
level
Prior art date
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Pending
Application number
JP27964389A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sachiko Kurosawa
黒沢 幸子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP27964389A priority Critical patent/JPH03142857A/en
Publication of JPH03142857A publication Critical patent/JPH03142857A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To restrict the detour of wiring between blocks to the minimum degree and to reduce the interconnecting area by using the different wiring layers for the wiring in a circuit cell or in a circuit block and between the circuit cells or between the circuit blocks. CONSTITUTION:For example, in a semiconductor integrated circuit constituted of three block levels, a plurality of circuit cells 1 are assembled, and a circuit block 2 at the first block level is formed. Then, a plurality of the circuit blocks 2 at the first block level are assembled, and a circuit block 3 at the second block level which is the upper level is formed. Then, a plurality of the circuit blocks 3 at the second block level are assembled, and a circuit block 4 at the third level which is the upper level is further formed. Thus, the intended integrated circuit can be obtained. That is, the wirings in the circuit cell or in the circuit block are performed by using the two layers, and the interconnections between the circuit cells or between the circuit blocks are performed by using the two layers thereon.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

[発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、多層配線を用いたビルディングブロック方
式のスタンダードセル方式もしくは、ゲートアレイ方式
の半導体集積回路の配線方法に関する。 (従来の技術) スタンダードセル方式もしくはゲートアレイ方式の半導
体集積回路の配線の設計方法としてビルディングブロッ
ク方式が提案されている。これは、論理機能や記憶機能
の回路を一般的には矩形をなす回路ブロックと称される
領域に構成し、複数の回路ブロックをチップ内に配置し
て、各ブロツク間を配線することにより所望の回路動作
を得るものである。回路ブロックとしては、RAM/R
OM、PLA、ALU、CPU或いはポリセルで構成さ
れるものを自由に取り扱うことができる。 このビルディングブロック方式を二層配線に適用した場
合の概略図を第4図に示す。チップ上は、素子領域であ
る複数の回路ブロック5各回路ブロック5間にある配線
領域6に分けられている。配線領域6は各回路ブロック
5の入出力端子間の結線を行う配線を設ける領域である
。各回路ブロック5内及び回路ブロック5間の配線は共
に第1層配線及び第2層配線を使用し、例えば第1層配
線には横方向(水平方向)、第2層配線には縦方向(垂
直方向)の配線が割当てられる。この様な半導体集積回
路においては以下の手順により配線経路を決定する。即
ち、■各ブロック内の配置・配線を行なう。■ブロック
間配線を行う為の第1のコンタクト7を回路ブロック5
の境界上に決定する。■配線領域6を複数のチャネル8
に分け、接続されるべき2つの回路ブロック5のコンタ
クト7の位置関係よりチャネル8の境界上に第2のコン
タクト9を決定する。■一方の回路ブロック5の第1の
コンタクト7から第2のコンタクト9を通って、接続さ
れるべきもう一方の第1のコンタクト7まで配線を行な
う。■他の配線経路についても同様の手順をくり返す。 以上の様な2層の半導体集積回路の配線方法においては
、第1のコンタクト7を設ける場合に回路ブロック5の
内部の所定位置から回路ブロック5の境界まで配線が必
要となり、その際既に配線済みの経路を迂回して配線す
る為、配線面積の増加をひきおこしていた。 また、各回路ブロック5間の配線を行なう場合に、回路
ブロック5上を使用できず配線領域6のみしか使用でき
ない為、同様に配線面積が増加し、回路ブロック5間の
配線が複雑なものとなっていた。この配線面積の増加は
、チップ面積の増加につながり微細な半導体集積回路を
実現できず、配線の複雑化には、配線を設計するのに時
間を要し、また信頼性のある半導体集積回路を得られな
いという問題点があった。 (発明が解決しようとする課題) 以上の様に従来のビルディングブロック方式の半導体集
積回路の配線の設計方法においては、各回路ブロックの
境界に接続端子を設ける為、回路ブロック内部から回路
ブロック境界上まで配線が必要となり、その際既に配線
された経路を迂回して配線する為配線面積の増加及び配
線の複雑化をひきおこす。また、各回路ブロック間の配
線を行なう場合に配線領域のみを使用し、回路ブロック
上を使わない為、同様に配線面積の増加及び配線の複雑
化は、チップ面積の増加につながり微細な半導体集積回
路を実現できない。また配線の複雑化をひきおこす。こ
の配線面積の増加及び配線の複雑化は、配線を設計する
のに時間を要し信頼性のある半導体集積回路を得ること
ができない。 という問題点があった。 本発明は、この様な課題を解決する半導体集積回路の配
線の設計方法を得ることを目的とする。
[Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a wiring method for a building block standard cell type or gate array type semiconductor integrated circuit using multilayer wiring. (Prior Art) A building block method has been proposed as a wiring design method for a standard cell type or gate array type semiconductor integrated circuit. This is achieved by configuring circuits for logic functions and memory functions in generally rectangular areas called circuit blocks, arranging multiple circuit blocks within a chip, and wiring each block. The circuit operation obtained is as follows. As a circuit block, RAM/R
It is possible to freely handle anything composed of OM, PLA, ALU, CPU, or polycell. FIG. 4 shows a schematic diagram when this building block method is applied to two-layer wiring. The chip is divided into a plurality of circuit blocks 5, which are element regions, and a wiring region 6 between each circuit block 5. The wiring area 6 is an area where wiring for connecting input and output terminals of each circuit block 5 is provided. The wiring within each circuit block 5 and between the circuit blocks 5 uses first layer wiring and second layer wiring. For example, the first layer wiring uses the horizontal direction (horizontal direction), and the second layer wiring uses the vertical direction (horizontal direction). vertical) wiring is assigned. In such a semiconductor integrated circuit, wiring routes are determined by the following procedure. That is, (1) Arrangement and wiring within each block are performed. ■Connect the first contact 7 to the circuit block 5 for wiring between blocks.
Determine on the boundary of . ■Connection area 6 to multiple channels 8
A second contact 9 is determined on the boundary of the channel 8 based on the positional relationship of the contacts 7 of the two circuit blocks 5 to be connected. (2) Wiring is performed from the first contact 7 of one circuit block 5 through the second contact 9 to the other first contact 7 to be connected. ■Repeat the same procedure for other wiring routes. In the wiring method for a two-layer semiconductor integrated circuit as described above, when providing the first contact 7, wiring is required from a predetermined position inside the circuit block 5 to the boundary of the circuit block 5, and in this case, the wiring has already been completed. The wiring route was bypassed, which caused an increase in the wiring area. Furthermore, when wiring between each circuit block 5, the upper part of the circuit block 5 cannot be used and only the wiring area 6 can be used, which similarly increases the wiring area and makes the wiring between the circuit blocks 5 complicated. It had become. This increase in wiring area leads to an increase in chip area, making it impossible to realize fine semiconductor integrated circuits, and the increased complexity of wiring requires time to design wiring, and it is difficult to realize reliable semiconductor integrated circuits. There was a problem that I couldn't get it. (Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional building block type semiconductor integrated circuit wiring design method, connection terminals are provided at the boundaries of each circuit block. In this case, the wiring must be routed by detouring the route that has already been routed, resulting in an increase in the wiring area and complication of the wiring. In addition, when wiring between each circuit block, only the wiring area is used and the area above the circuit block is not used, so the increase in the wiring area and the complexity of the wiring also lead to an increase in the chip area and the need for fine semiconductor integration. The circuit cannot be realized. It also makes the wiring more complicated. This increase in wiring area and complication of the wiring requires time to design the wiring, making it impossible to obtain a reliable semiconductor integrated circuit. There was a problem. It is an object of the present invention to provide a method for designing wiring for a semiconductor integrated circuit that solves these problems.

【発明の構成】[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、第1の発明
は、複数の回路セルあるいは回路ブロックの配線を行な
い上位レベルの回路ブロックを形成する際に、回路セル
内あるいは回路ブロック内の配線と回路セル間あるいは
回路ブロック間の配線を異なる配線層を用いて実現する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法を提供する
ものである。 また、第2の発明は、回路セル内あるいは回路ブロック
内に配線接続端子を決定して前記回路セル間あるいは前
記回路ブロック間の配線を行なう際に、この配線接続端
子決定予定の回路セルあるいは回路ブロックを選択し、
この選択された回路セル内あるいは回路ブロック内で複
数の配線接続可能端子を抽出し、この選択された回路セ
ルあるいは回路ブロック以外の回路セ・ル内あるいは回
路ブロック内で配線板接続端子を抽出し、複数の配線接
続可能端子と配線板接続端子または既に決定された配線
接続端子との位置関係及び配線の混雑度に基づき複数の
配線接続可能端子内から配線接続端子を決定することを
特徴とする半導体集積回路の配線方法を提供するもので
ある。 (作  用) この様に第1の発明によれば、回路セル内あるいは回路
ブロック内の配線を二層を使って行い、さらにその上の
二層を使って回路セル間あるいは回路ブロック間の配線
を行って行くという方法を繰り返すことにより、二層配
線の考え方の拡張で多層配線を行うことが可能であり、
配線−設計が単純化され容易となる為、未配線を防止で
き信頼性のある半導体集積回路を得ることができる。ま
た、ブロック内とブロック間の配線層が異なるため、ブ
ロック上もブロック間配線に使うことが可能でなり配線
面積を縮小することができ半導体集積回路を微細化でき
る。また、各二層ごとの配線において、配線分布の均一
化を図ることによって多層配線で起こる段差の問題を緩
和することができる。 また、第1.第2の発明によればブロック内からブロッ
ク間配線への接続位置をブロック境界上に設ける必要が
なく、最適な接続位置が選べるため、迂回を最小限に抑
えることができ配線面積を縮小することができ微細な半
導体集積回路を得ることができる。 (実施例) 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。 第1図は本発明の配線方法が適用される半導体集積回路
の概略構成図である。ここでは、3つのブロックレベル
から構成される半導体集積回路について考える。回路セ
ル1(以下セルと略す)が複数個集まり第1ブロツクレ
ベルの回路ブロック2が形成される。また第1ブロツク
レベルの回路ブロック2が複数個集まり上位レベルの第
2ブロツクレベルの回路ブロック3が形成される。また
第2ブロツクレベルの回路ブロック3が複数個集まり更
に上位レベルの第3ブロツクレベルの回路ブロック4が
形成され、所望の半導体集積回路を得ることができる。 例えば16ビツトのマルチプライヤを考えた場合、セル
1としてはNAND。 NOR回路が考えられ、第1ブロツクレベルの回路ブロ
ック2としては、セル1を用いて形成されたADDER
,LATCH回路等が考えられる。 更に、第2ブロツクレベルの回路ブロック3としては、
第1ブロツクレベルの回路ブロック2を用いて形成され
たシフトレジスタ、4bitのマルチプライヤ回路等が
考えられる。更に、第3ブロツクレベルの回路ブロック
4として、第2ブロツクレベルの回路ブロック3を用い
て形成された16bitのマルチプライヤ回路が得られ
る。 以下、本発明の配線方法を上記構成の半導体集積回路に
適用する場合について述べる、まず、第1層、第2層の
配線層を使ってセル1内が配線されている。ここで例え
ば第1層は横方向(水平方向)、第2層は縦方向(垂直
方向)の配線に割当てられている。このとき、他のセル
1と接続するネットの配線については、従来の様にセル
1の境界まで配線を伸ばす必要はない。また、セル1が
複数個集められ所定の位置に配置され、第1ブロツクレ
ベルの回路ブロック2が形成されている。 ここで、第3層、第4層の配線層を使って、第1ブロツ
クレベルの回路ブロック2内でのセル1間の配線が行な
われている。各セル1内の配線とセル1からなる第1ブ
ロツクレベルの回路ブロック2内での複数のセル1間の
配線は、配線層が異なるためセル1間の配線はセル1上
を通過することができる。また、複数のセル1間を接続
する際の端子の位置はセル1の境界に設ける必要がない
為最適な位置を選ぶことができセル1間をまたがるネッ
トの配線の回り道を避けることができる。更に、第1層
、第2層及び第3層、第4層の2組の配線層を使った配
線の際に、配線の局所的集中を避けることにより多層配
線で生じる段差を避けることができる。 また第1ブロツクレベルの回路ブロック2が複数個集ま
り所定の位置に配置され第2ブロツクレベルの回路ブロ
ック3が形成されている。ここで。 第5層、第6層の配線層を使って、第2ブロツクレベル
の回路ブロック内での複数の第1ブロツクレベルの回路
ブロック2間の配線が行なわれてぃる。ここでも上記と
同様に、各第1ブロツクレベルの回路ブロック2内の配
線と第1ブロツクレベルの回路ブロック2からなる第2
ブロツクレベルの回路ブロック3内での複数の第1ブロ
ツクレベルの回路ブロック2間の配線は、配線層が異な
るため第1ブロツクレベルの回路ブロック2間の配線は
第1ブロツクレベルの回路ブロック2上を通過すること
ができる。また、第1ブロツクレベルの回路ブロック2
間を接続する際の端子の位置は第1ブロツクレベルの回
路ブロック2の境界に設ける必要がない為最適な位置を
選ぶことができ、第1ブロツクレベルの回路ブロック2
をまたがるネットの配線の回り道を避けることができる
。 同様に、第2ブロツクレベルの回路ブロック3が複数個
集まり所定の位置に配置され第3ブロツクレベルの回路
ブロック4が形成されている。ここで第7層、第8層の
配線層を使って、第3ブロツクレベルの回路ブロック4
内での複数の第2ブロツクレベルの回路ブロック3間の
配線が行なわれている。以上により、所望の半導体集積
回路を得ることができる。 以上述べた様な半導体集積回路の配線方法によれば、セ
ル内あるいは回路ブロック内の配線とセル間あるいは回
路ブロック間の配線は異なる配線層を使っているのでブ
ロック間配線の接続端子位置をセル上あるいはブロック
上に設けると共に、セル上あるいはブロック上領域もセ
ル間あるいはブロック間の配線に使うことができるため
、セル間あるいはブロック間配線の迂回を最小限におさ
えることができる。また、ブロック内配線、ブロック間
配線のそれぞれにおいて配線の均一化を図ることによっ
て配線層の段差を減らすことができる。 なお、ブロッ
クレベルは必ずしも3つである必要はなく、回路構成に
応じて2つあるいは4つ以上でもかまわない。 第2図は本発明の配線方法が適用される半導体集積回路
のセル間あるいはブロック間配線を行なう際の端子を決
定するための方法を説明した概略構成図、第3図は端子
位置決定のための処理手順を示すフローチャートである
。第2図に基づいて、第2ブロツクレベルの回路ブロッ
ク3内で複数の第1ブロツクレベルの回路ブロック2間
の配線を行なう場合について説明する。 複数の第1ブロツクレベルの回路ブロック21゜2 .
2 .2 .2 .2 .2 .2  のな28458
7g かて回路ブロック2 .2 .2 .2  間の配l 
 4 5 8 線を行なうとする。まず、第3層、第4層の配線層を使
ってブロック内の配線が既に行なわれている複数の第1
ブロツクレベルの回路ブロック21゜2、−2.2.2
.2.2.2 、の 2345678 配置を行なう。(ステップ301) 次に、各回路ブロック2 .2 .2 .2845 に対して、ブロックの形状、ブロック内の配線の状況等
から配線板接続端子(以下仮接続端子と略す)100,
400,500.800を決定する。 (ステップ302) 次に、回路ブロック2、の配線接続端子(以下接続端子
と略す)を決定する為に、回路ブロック2 内で他の回
路ブロック2,2.−2  と配置         
  4 5 8 線接続可能端子(以下接続可能端子と略す)101、 
102. 103. 104. 105゜106.10
7を設定する。 次に、他の回路ブロック2,25.28の中で既に接続
端子が決まっている回路ブロックに対しては、この接続
端子を抽出し、決まってい□ない回路ブロックに対して
は、仮接続端子を設定する。 この場合、回路ブロック2 .2 .2  はいず4 
5 8 れもまだ接続端子が決定されないため、仮接続端子40
0,500.800を設定する。次に、回路ブロック2
、の接続可能端子101,102゜103.104,1
05,106.107と回路ブロック2,2.28に仮
接続端子400゜5 500.800の位置関係及び配線を行なう第5層、第
6層の混雑度から回路ブロック2、内の接続端子として
107を決定する。(ステップ303) 次に、回路ブロック24の接続端子を決定する為に回路
ブロック24内で他のブロック21゜2.28と接続可
能な接続可能端子4o1゜402.403,404.を
設定する。次に、他の回路ブロックの中で既に接続端子
が決ま、っている回路ブロック21については接続端子
107゜決っていない回路ブロック2.2Bについては
仮接続端子500,800を設定する。回路ブロック2
4の接続可能端子401,402,403゜404と回
路ブロック2、の接続端子107及び回路ブロック2.
2 の仮接続端子500゜8 800の位置関係及び配線を行なう第5層、第6層の混
雑度から回路ブロック24内の接続端子として401を
決定する。以下同様の手順をくり返し回路ブロック2.
2 の接続端子501゜8 801を決定する。(ステップ304〉以上は1つの配
線ネットの説明であるが、他の配線ネットに対しても同
様の手順により接続端子を決定する。(スナップ305
) 次に、これらの接続端子間を配線することにより第2ブ
ロツクレベルの回路ブロック内に設けられた複数の第1
ブロツクレベルの回路ブロック2間の配線を実現するこ
とができる。(ステップ306) 以上述べた様な半導体集積回路のブロック間配線の為の
接続端子決定方法及び配線方法によれば、第1ブロツク
レベルの回路ブロック2内の配線と複数の第1ブロツク
レベルの回路ブロック2間の配線は、配線層が異なるた
め、ブロック間配線の為の接続端子を第1ブロツクレベ
ルの回路ブロック2の境界上に設ける必要がなく最適な
接続位置を選ぶことができる。また、第1ブロツクレベ
ルの回路ブロック上を配線が「通過」することができる
。よって配線の迂回を最小限に抑えることができるため
配線面積を縮小することが可能となり、微細な半導体集
積回路を得ることができる。 なお、ここでは第2ブロツクレベルの回路ブロック3内
での複数の第ルベルの回路ブロック2間の配線方法につ
いて説明したが、これに限る必要はなく、第1ブロツク
レベルの回路ブロック2内での複数のセル1間の配線、
第3ブロツクレベルの回路ブロック4内での複数の第2
ブロツクレベルの回路ブロック3間の配線あるいは更に
上位レベルの回路ブロック間の配線についても適用可能
なのは言うまでもない。 [発明の効果] 以上述べた様に本発明に依ればブロック内の配線層とブ
ロック間の配線層が異なるため、プロッ領域もブロック
間の配線に使え、また、ブロック配線のコンタクト位置
がブロック上領域にあり、かつ、ブロック間配線のコン
タクト位置の選出において他ブロックの接続位置との関
係を考慮することにより、ブロック間配線の迂回を最小
限に抑えることが可能であり配線面積を縮小することが
でき微細な半導体集積回路を得ることができる。
(Means for Solving the Problems) The present invention has been made in view of the above circumstances. The present invention provides a wiring method for a semiconductor integrated circuit, characterized in that wiring within a circuit cell or circuit block and wiring between circuit cells or circuit blocks are realized using different wiring layers. Further, the second invention provides a method for determining a wiring connection terminal within a circuit cell or a circuit block and performing wiring between the circuit cells or between the circuit blocks. Select the block and
Extract multiple wiring connectable terminals within this selected circuit cell or circuit block, and extract wiring board connection terminals within a circuit cell or circuit block other than this selected circuit cell or circuit block. , the wiring connection terminal is determined from among the plurality of wiring connectable terminals based on the positional relationship between the plurality of wiring connectable terminals and the wiring board connection terminal or the already determined wiring connection terminal and the congestion level of the wiring. The present invention provides a wiring method for semiconductor integrated circuits. (Function) As described above, according to the first invention, wiring within a circuit cell or circuit block is performed using two layers, and furthermore, two layers above the wiring are used to conduct wiring between circuit cells or between circuit blocks. By repeating this method, it is possible to perform multilayer wiring by expanding the two-layer wiring concept.
Since wiring design is simplified and facilitated, unwired circuits can be prevented and a reliable semiconductor integrated circuit can be obtained. Furthermore, since the wiring layers within a block and between blocks are different, the tops of the blocks can also be used for inter-block wiring, reducing the wiring area and miniaturizing the semiconductor integrated circuit. Further, by making the wiring distribution uniform in each two-layer wiring, it is possible to alleviate the problem of the step difference that occurs in multilayer wiring. Also, 1st. According to the second invention, there is no need to provide a connection position from within a block to an inter-block wiring on a block boundary, and the optimum connection position can be selected, so detours can be minimized and the wiring area can be reduced. As a result, fine semiconductor integrated circuits can be obtained. (Example) Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor integrated circuit to which the wiring method of the present invention is applied. Here, a semiconductor integrated circuit composed of three block levels will be considered. A plurality of circuit cells 1 (hereinafter abbreviated as cells) are assembled to form a circuit block 2 at a first block level. Further, a plurality of circuit blocks 2 at the first block level are assembled to form a circuit block 3 at the second block level at the upper level. Further, a plurality of circuit blocks 3 at the second block level are assembled to form a circuit block 4 at a third block level at a higher level, thereby making it possible to obtain a desired semiconductor integrated circuit. For example, when considering a 16-bit multiplier, cell 1 is NAND. A NOR circuit is considered, and as the circuit block 2 at the first block level, an ADDER circuit formed using the cell 1 is considered.
, LATCH circuit, etc. can be considered. Furthermore, as the circuit block 3 at the second block level,
A shift register formed using the circuit block 2 of the first block level, a 4-bit multiplier circuit, etc. can be considered. Furthermore, a 16-bit multiplier circuit formed using the circuit block 3 of the second block level is obtained as the circuit block 4 of the third block level. The case where the wiring method of the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit having the above structure will be described below. First, the interior of the cell 1 is wired using the first and second wiring layers. Here, for example, the first layer is allocated to horizontal wiring, and the second layer is allocated to vertical wiring. At this time, regarding the wiring of the net connecting to other cells 1, it is not necessary to extend the wiring to the boundary of the cell 1 as in the conventional case. Further, a plurality of cells 1 are collected and arranged at predetermined positions to form a circuit block 2 at a first block level. Here, wiring between cells 1 within circuit block 2 at the first block level is performed using the third and fourth wiring layers. The wiring within each cell 1 and the wiring between a plurality of cells 1 in the circuit block 2 at the first block level consisting of cells 1 are in different wiring layers, so the wiring between cells 1 cannot pass over the cell 1. can. Further, since the terminal position for connecting a plurality of cells 1 does not need to be provided at the boundary of the cells 1, the optimum position can be selected, and a detour of the wiring of the net spanning between the cells 1 can be avoided. Furthermore, when wiring uses two sets of wiring layers: the first layer, the second layer, and the third layer and the fourth layer, by avoiding local concentration of wiring, it is possible to avoid steps that occur in multilayer wiring. . Further, a plurality of circuit blocks 2 at the first block level are assembled and arranged at a predetermined position to form a circuit block 3 at the second block level. here. Wiring between a plurality of circuit blocks 2 at the first block level within a circuit block at the second block level is performed using the fifth and sixth wiring layers. Here, similarly to the above, the wiring within each first block level circuit block 2 and the second line consisting of the first block level circuit block 2 are connected.
The wiring between the plurality of circuit blocks 2 at the first block level within the circuit block 3 at the block level is on different wiring layers, so the wiring between the circuit blocks 2 at the first block level is on the circuit block 2 at the first block level. can pass through. Also, the circuit block 2 at the first block level
Since it is not necessary to provide the terminal position at the boundary of the circuit block 2 of the first block level when connecting between the terminals, the optimal position can be selected, and the position of the terminal can be selected between the circuit blocks 2 and
You can avoid detours for net wiring that straddles the network. Similarly, a plurality of circuit blocks 3 at the second block level are assembled and arranged at predetermined positions to form a circuit block 4 at the third block level. Here, using the wiring layers of the 7th and 8th layers, the circuit block 4 of the 3rd block level is constructed.
Wiring is performed between a plurality of circuit blocks 3 at the second block level within the circuit. Through the above steps, a desired semiconductor integrated circuit can be obtained. According to the wiring method for semiconductor integrated circuits as described above, the wiring within a cell or circuit block and the wiring between cells or circuit blocks use different wiring layers, so the connection terminal position of the wiring between blocks is In addition to being provided above or on blocks, the area above cells or blocks can also be used for wiring between cells or blocks, so detours of wiring between cells or blocks can be minimized. Further, by making the wiring uniform in each of the intra-block wiring and the inter-block wiring, it is possible to reduce the level difference in the wiring layer. Note that the number of block levels does not necessarily have to be three, and may be two or four or more depending on the circuit configuration. Figure 2 is a schematic configuration diagram illustrating a method for determining terminals when wiring between cells or blocks of a semiconductor integrated circuit to which the wiring method of the present invention is applied, and Figure 3 is a diagram for determining terminal positions. 2 is a flowchart showing a processing procedure. Based on FIG. 2, a case will be described in which wiring is performed between a plurality of circuit blocks 2 at the first block level within the circuit block 3 at the second block level. A plurality of first block level circuit blocks 21.2.
2. 2. 2. 2. 2. 2 Nona 28458
7g Circuit block 2. 2. 2. The arrangement between 2
Suppose you want to do 4 5 8 lines. First, first, connect multiple first
Block level circuit block 21°2, -2.2.2
.. 2.2.2, perform the 2345678 arrangement. (Step 301) Next, each circuit block 2. 2. 2. 2845, wiring board connection terminals (hereinafter abbreviated as temporary connection terminals) 100,
Determine 400,500.800. (Step 302) Next, in order to determine wiring connection terminals (hereinafter abbreviated as connection terminals) of circuit block 2, other circuit blocks 2, 2. −2 and placement
4 5 8 wire connectable terminal (hereinafter abbreviated as connectable terminal) 101,
102. 103. 104. 105°106.10
Set 7. Next, for circuit blocks for which connection terminals have already been determined among other circuit blocks 2, 25, and 28, this connection terminal is extracted, and for circuit blocks that have not been determined, temporary connection terminals are extracted. Set. In this case, circuit block 2. 2. 2 is 4
5 8 Since the connection terminal has not yet been determined, the temporary connection terminal 40
Set 0,500.800. Next, circuit block 2
Connectable terminals 101, 102° 103, 104, 1
05, 106.107 and circuit blocks 2, 2.28 as connection terminals in circuit block 2, based on the positional relationship of 400°5 500.800 and the degree of congestion in the 5th and 6th layers for wiring. 107 is determined. (Step 303) Next, in order to determine the connection terminals of the circuit block 24, connectable terminals 4o1゜402, 403, 404, . Set. Next, among the other circuit blocks, the connection terminal 107 is set for the circuit block 21 whose connection terminal has already been determined, and the temporary connection terminal 500, 800 is set for the circuit block 2.2B whose connection terminal has not yet been determined. circuit block 2
4 connectable terminals 401, 402, 403, 404 and circuit block 2, connection terminal 107 of circuit block 2.
The connection terminal 401 is determined as the connection terminal in the circuit block 24 based on the positional relationship of the temporary connection terminals 500.8 and 800 and the degree of congestion in the fifth and sixth layers where wiring is performed. The same procedure is repeated for circuit block 2.
2 connection terminal 501°8801 is determined. (Step 304> The above is a description of one wiring net, but the connection terminals are determined using the same procedure for other wiring nets. (Snap 305)
) Next, by wiring between these connection terminals, a plurality of first
Wiring between circuit blocks 2 at block level can be realized. (Step 306) According to the connection terminal determination method and wiring method for wiring between blocks of a semiconductor integrated circuit as described above, the wiring in the circuit block 2 at the first block level and the plurality of circuits at the first block level Since the wiring between the blocks 2 is in different wiring layers, there is no need to provide connection terminals for inter-block wiring on the boundaries of the circuit blocks 2 at the first block level, and an optimal connection position can be selected. Also, wiring can "pass" over the circuit block at the first block level. Therefore, detours of the wiring can be minimized, so the wiring area can be reduced, and a fine semiconductor integrated circuit can be obtained. Although the wiring method between a plurality of circuit blocks 2 at the first level within the circuit block 3 at the second block level has been described here, it is not limited to this, and the wiring method within the circuit block 2 at the first block level is explained. Wiring between multiple cells 1,
A plurality of second circuits within the circuit block 4 at the third block level.
Needless to say, the present invention can also be applied to wiring between circuit blocks 3 at a block level or wiring between circuit blocks at a higher level. [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the wiring layer within a block and the wiring layer between blocks are different, the plotted area can also be used for wiring between blocks, and the contact position of block wiring can be By considering the relationship with the connection position of other blocks when selecting the contact position of the inter-block wiring, it is possible to minimize the detour of the inter-block wiring and reduce the wiring area. As a result, fine semiconductor integrated circuits can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例の半導体集積回路の配線方法の
概略構成図、第2図は、本発明の実施例の半導体集積回
路の配線方法を示す図。第3図は、本発明の実施例の配
線方法の処理フローを示すフローチャート、第4図は従
来例の半導体集積回路の配線方法を示す図である。 図において、 1・・・セル、2・・・第1ブロツクレベルの回路ブロ
ック、3・・・第2ブロツクレベルの回路ブロック、4
・・・第3ブロツクレベルの回路ブロック、5・・・回
路ブロック、6・・・配線領域、7・・・第1コンタク
ト、8・・・チャネル、9・・・第2コンタクト、10
,40゜50.80・・・ネットnに接続するブロック
、100.400,500,800・・・仮接続端子、
101.102,103,104,106,107・・
・ブロック10のネットnの他ブロックとの接続可能端
子、401,501,801・・・ネットnに接続する
ブロック40,50.80の接続端子。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring method for a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a wiring method for a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a flowchart showing a processing flow of a wiring method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing a conventional wiring method for a semiconductor integrated circuit. In the figure, 1...Cell, 2...Circuit block at first block level, 3...Circuit block at second block level, 4
... Third block level circuit block, 5... Circuit block, 6... Wiring area, 7... First contact, 8... Channel, 9... Second contact, 10
,40゜50.80...Block connected to net n, 100.400,500,800...Temporary connection terminal,
101.102,103,104,106,107...
- Terminals that can connect net n of block 10 with other blocks, 401, 501, 801... Connection terminals of blocks 40, 50, and 80 that connect to net n.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の回路セルあるいは回路ブロックの配線を行
ない、上位レベルの回路ブロックを形成する際に、前記
回路セル内あるいは前記回路ブロック内の配線と前記回
路セル間あるいは前記回路ブロック間の配線を異なる配
線層を用いて実現することを特徴とする半導体集積回路
の配線方法。
(1) When wiring multiple circuit cells or circuit blocks to form an upper level circuit block, the wiring within the circuit cell or circuit block and the wiring between the circuit cells or between the circuit blocks is A wiring method for a semiconductor integrated circuit, which is realized using different wiring layers.
(2)前記回路セル内あるいは前記回路ブロック内に配
線接続端子を決定して前記回路セル間あるいは前記回路
ブロック間の配線を行なう際に、この配線接続端子決定
予定の前記回路セルあるいは前記回路ブロックを選択し
、この選択された前記回路セル内あるいは前記回路ブロ
ック内で複数の配線接続可能端子を抽出し、この選択さ
れた前記回路セルあるいは前記回路ブロック以外の前記
回路セル内あるいは前記回路ブロック内で配線板接続端
子を抽出し、前記複数の配線接続可能端子と前記配線板
接続端子または既に決定された前記配線接続端子との位
置関係及び配線の混雑度に基づき前記複数の配線接続可
能端子内から前記配線接続端子を決定することを特徴と
する請求項1記載の半導体集積回路の配線方法。
(2) When determining a wiring connection terminal within the circuit cell or the circuit block and wiring between the circuit cells or between the circuit blocks, the circuit cell or the circuit block for which the wiring connection terminal is scheduled to be determined. , extract a plurality of wiring connectable terminals within the selected circuit cell or circuit block, and extract a plurality of terminals that can be connected to wiring within the selected circuit cell or circuit block, and The wiring board connection terminals are extracted in the plurality of wiring connectable terminals based on the positional relationship between the plurality of wiring connectable terminals and the wiring board connecting terminal or the already determined wiring connection terminal and the degree of wiring congestion. 2. The wiring method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the wiring connection terminal is determined from the following.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671858B2 (en) 2001-07-10 2003-12-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of designing hierarchical layout of semiconductor integrated circuit, and computer product
US6725440B2 (en) 2000-03-27 2004-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device comprising a plurality of semiconductor devices formed on a substrate

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