JPH0314151A - メモリカードを用いる情報処理システムのリセット方式 - Google Patents
メモリカードを用いる情報処理システムのリセット方式Info
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- JPH0314151A JPH0314151A JP1150037A JP15003789A JPH0314151A JP H0314151 A JPH0314151 A JP H0314151A JP 1150037 A JP1150037 A JP 1150037A JP 15003789 A JP15003789 A JP 15003789A JP H0314151 A JPH0314151 A JP H0314151A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、メモリカードを用いる情報処理システム(
以下メモリカードシステム)のリセット方式に関し、詳
しくは正論理と負論理の2つの信号のチップセレクト信
号を受けて動作するようなメモリカードが挿着される情
報処理システムにおいて、本体装置側がリセットされた
ときに同時にメモリカードの動作停止させてその誤動作
を防出することができるようなメモリカードシステムに
関する。
以下メモリカードシステム)のリセット方式に関し、詳
しくは正論理と負論理の2つの信号のチップセレクト信
号を受けて動作するようなメモリカードが挿着される情
報処理システムにおいて、本体装置側がリセットされた
ときに同時にメモリカードの動作停止させてその誤動作
を防出することができるようなメモリカードシステムに
関する。
[従来の技術]及び[解決しようとする課題]通常、メ
モリカードは、複数のメモリIC(記憶機能を有する集
積回路或はメモリ素子、なお、この明細書ではこれらを
含めてメモIJ I Cという)か搭載されていてデコ
ーダによりこのメモリICの1つを選択するような構成
となっている。その内部には電圧検出回路か内蔵され、
外部から供給される電力が断たれると、内蔵電池に切換
えられ、メモIJ I Cに電力が供給されて記憶デー
タが保持される。
モリカードは、複数のメモリIC(記憶機能を有する集
積回路或はメモリ素子、なお、この明細書ではこれらを
含めてメモIJ I Cという)か搭載されていてデコ
ーダによりこのメモリICの1つを選択するような構成
となっている。その内部には電圧検出回路か内蔵され、
外部から供給される電力が断たれると、内蔵電池に切換
えられ、メモIJ I Cに電力が供給されて記憶デー
タが保持される。
複数のメモリIC或は単数のメモリICで構成されたこ
の種の従来のメモリカードは、情報処理装置に挿7Iさ
れてその外部メモリ或は内部メモリとして利用される。
の種の従来のメモリカードは、情報処理装置に挿7Iさ
れてその外部メモリ或は内部メモリとして利用される。
そして、このメモリカードに対するチップセレクト信号
(C8)は、その内部構成に依存するが、これを2つ(
C8,、C82或はCEl、CF2 )受け、それぞれ
がHIGHレベル(以下“H”)或はLOWレベル(以
■“L”)で有意となり、これら2つの信号の組み合わ
せで動作するメモリカードがある。
(C8)は、その内部構成に依存するが、これを2つ(
C8,、C82或はCEl、CF2 )受け、それぞれ
がHIGHレベル(以下“H”)或はLOWレベル(以
■“L”)で有意となり、これら2つの信号の組み合わ
せで動作するメモリカードがある。
一方、メモリカードが挿着される情報処理装置側には、
通常、電源投入時或は遮断時とも規定電圧範囲に入らな
ければ、リセッ) (Jj号をそのマイクロプロセッサ
(以下MPU)のリセット端子に出し続けるイニシャル
リセット回路が設けられている。
通常、電源投入時或は遮断時とも規定電圧範囲に入らな
ければ、リセッ) (Jj号をそのマイクロプロセッサ
(以下MPU)のリセット端子に出し続けるイニシャル
リセット回路が設けられている。
[解決しようとする課題]
第3図(a)は、そのイニンヤルリセット回路21とM
PU22、そして挿着されたメモリカード23との関係
を示すものである。イニシャルリセット回路21は、内
部に電圧検出回路を有していて、情報処理装置20に対
する電源電圧を検出し、それか電源投入時或は遮断時と
も規定電圧範囲に入らなければMPU22をリセット状
態にする。一方、メモリカード23は、情報処理装置2
0から供給される電源供給線(Vcc)24から電力と
内蔵された電池からの電力とを切換えるために供給電圧
のレベルを検出する電源電圧検出回路23aが設けられ
ている。そして、この場合、イニシャルリセット回路2
1の電圧検出回路及びメモリカード23の電圧検:11
回路23aは、それぞれ独立に電圧検出レベルが設定さ
れていて独qに動作する。
PU22、そして挿着されたメモリカード23との関係
を示すものである。イニシャルリセット回路21は、内
部に電圧検出回路を有していて、情報処理装置20に対
する電源電圧を検出し、それか電源投入時或は遮断時と
も規定電圧範囲に入らなければMPU22をリセット状
態にする。一方、メモリカード23は、情報処理装置2
0から供給される電源供給線(Vcc)24から電力と
内蔵された電池からの電力とを切換えるために供給電圧
のレベルを検出する電源電圧検出回路23aが設けられ
ている。そして、この場合、イニシャルリセット回路2
1の電圧検出回路及びメモリカード23の電圧検:11
回路23aは、それぞれ独立に電圧検出レベルが設定さ
れていて独qに動作する。
このような構成において、第3図(b)の(イ)の電源
供給電圧Vcc(電源供給線(Vcc)24に対応させ
てその電圧をVccとする)に示すように、本体側であ
る情報処理装置20の電源電圧が電圧検出の所定値以ド
に降下したときには(ロ)のリセット信号(R8T)が
発生し、電源供給線(Vcc)24のメモリカード23
に対する供給電圧も降下することになる。そこで、MP
U22がイニンヤルリセット回路21によりリセットさ
れるが、MPU22側がリセットされても、メモリカー
ド23の電圧検出回路23aがその降下を検出しなけれ
ばメモリカード23側は動作状態のままとなる。すなわ
ぢ、(イ)の電源供給電圧Vccがさらに低下した時点
でメモリカード23側の電源電圧検出回路23aが検出
動作をして同図の(ハ)に示すようにデコーダ等のイネ
ーブル信号(“L“有意)の発生が停止し、ここではじ
めてメモリカード23が動作を停止する。
供給電圧Vcc(電源供給線(Vcc)24に対応させ
てその電圧をVccとする)に示すように、本体側であ
る情報処理装置20の電源電圧が電圧検出の所定値以ド
に降下したときには(ロ)のリセット信号(R8T)が
発生し、電源供給線(Vcc)24のメモリカード23
に対する供給電圧も降下することになる。そこで、MP
U22がイニンヤルリセット回路21によりリセットさ
れるが、MPU22側がリセットされても、メモリカー
ド23の電圧検出回路23aがその降下を検出しなけれ
ばメモリカード23側は動作状態のままとなる。すなわ
ぢ、(イ)の電源供給電圧Vccがさらに低下した時点
でメモリカード23側の電源電圧検出回路23aが検出
動作をして同図の(ハ)に示すようにデコーダ等のイネ
ーブル信号(“L“有意)の発生が停止し、ここではじ
めてメモリカード23が動作を停止する。
このようなときには、MPU22から送出されるチップ
セレクト信号(σ丁)やり一ド・ライト制御信号(R/
W)が不安定となり、(ニ)に示すように、チップセレ
クト信号 になることがある。そこで、リセッl’ 4’i(f
”’Jの発生とイネーブル信号の発生との間に書込み1
丁能期間か生じ、メモリカード23に対する潜込み条件
か成立してメモリICに記憶されている内部データが幣
換えられてしまう事故が発生する。
セレクト信号(σ丁)やり一ド・ライト制御信号(R/
W)が不安定となり、(ニ)に示すように、チップセレ
クト信号 になることがある。そこで、リセッl’ 4’i(f
”’Jの発生とイネーブル信号の発生との間に書込み1
丁能期間か生じ、メモリカード23に対する潜込み条件
か成立してメモリICに記憶されている内部データが幣
換えられてしまう事故が発生する。
この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、メモリカードが挿着されている本体側がリ
セットされたときにはメモリカード側を非動作状態にす
ることができるメモリカードシステムのリセット方式を
提供することを目的とする。
のであって、メモリカードが挿着されている本体側がリ
セットされたときにはメモリカード側を非動作状態にす
ることができるメモリカードシステムのリセット方式を
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
このような目的を達成するためのこの発明のメモリカー
ドシステムのリセットの特徴は、マイクロプロセッサと
電源電圧が所定値以下になったときにこのマイクロプロ
セッサをリセットするりセント回路とを有する情報処理
装置と、この情報処− 理装置に挿着されるメモリカードとを備える情報処理シ
ステムにおいて、メモリカードが第1及び第2のチップ
セレクト端子を有していて、マイクロプロセッサから第
1のチップセレクト端子にメモリの選択信号を受け、リ
セット回路から第2のチップセレクト端子にリセット信
号を受け、このリセット信号を受けたときにはメモリカ
ードが非動作状態になり、このリセット信号を受けてい
ないときには選択信号を受けたときにメモリカードが動
作状態になるものである。
ドシステムのリセットの特徴は、マイクロプロセッサと
電源電圧が所定値以下になったときにこのマイクロプロ
セッサをリセットするりセント回路とを有する情報処理
装置と、この情報処− 理装置に挿着されるメモリカードとを備える情報処理シ
ステムにおいて、メモリカードが第1及び第2のチップ
セレクト端子を有していて、マイクロプロセッサから第
1のチップセレクト端子にメモリの選択信号を受け、リ
セット回路から第2のチップセレクト端子にリセット信
号を受け、このリセット信号を受けたときにはメモリカ
ードが非動作状態になり、このリセット信号を受けてい
ないときには選択信号を受けたときにメモリカードが動
作状態になるものである。
[作用]
このように2つのチップセレクト信号を受ける端子を持
つメモリカードの一方を装置本体側のMPUからのチッ
プセレクト信号とし、他方を本体側で発生するリセット
信号を受ける端子に割当て、リセット信号によりメモリ
カードが選択されないようにすることで、本体側がリセ
ットされたときには、同時にメモリカード側を非動作状
態にすることができる。
つメモリカードの一方を装置本体側のMPUからのチッ
プセレクト信号とし、他方を本体側で発生するリセット
信号を受ける端子に割当て、リセット信号によりメモリ
カードが選択されないようにすることで、本体側がリセ
ットされたときには、同時にメモリカード側を非動作状
態にすることができる。
その結果、メモリカードが挿着された情報処理装置の電
源電圧が低下しても、また、停電等で遮断されても、メ
モリカードがそれによって誤書込みを受けることがなく
、メモリカード側の記憶データを保護することができる
。
源電圧が低下しても、また、停電等で遮断されても、メ
モリカードがそれによって誤書込みを受けることがなく
、メモリカード側の記憶データを保護することができる
。
[実施例]
以下、この発明の−・実施例について図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は、この発明を適用したメモリカードシステムの
一実施例のブロック図であり、第2図(a)及び(b)
は、それぞれ、そのリセット動作のタイミングチャート
及びメモリカード側の動作状態の説明図である。なお、
第3図と同等のものは同一の符号で示す。
一実施例のブロック図であり、第2図(a)及び(b)
は、それぞれ、そのリセット動作のタイミングチャート
及びメモリカード側の動作状態の説明図である。なお、
第3図と同等のものは同一の符号で示す。
第1図において、10は、メモリカードであって、その
コネクタ11を介して情報処理装置20のコネクタ12
と接続されて情報処理装置20に挿着される。図は、こ
の挿着された状態を示していて、メモリカード10は、
4つのメモリIC(A)、メモリIC(B)、 メモ
リI C(C) 、 メモリIC(D)から構成され
るメモリIC部1とアドレスデコーダ8、電源回路9と
を有している。
コネクタ11を介して情報処理装置20のコネクタ12
と接続されて情報処理装置20に挿着される。図は、こ
の挿着された状態を示していて、メモリカード10は、
4つのメモリIC(A)、メモリIC(B)、 メモ
リI C(C) 、 メモリIC(D)から構成され
るメモリIC部1とアドレスデコーダ8、電源回路9と
を有している。
メモリIC部1の各メモリIC(A)、(B)。
(CL (D)のデータ、アドレス、リード/ライト
、リードの各端子は、それぞれデータバス2、アドレス
バス3、リード/ライト信号線(R/W)4、リード信
号線(OE)5を介して対応するコネクタ11側の端子
と接続されている。
、リードの各端子は、それぞれデータバス2、アドレス
バス3、リード/ライト信号線(R/W)4、リード信
号線(OE)5を介して対応するコネクタ11側の端子
と接続されている。
アドレスデコーダ8は、アドレスバス3の上位2ビツト
と負論理チップセレクト信号線(C8l)6、正論理チ
ップセレクト信号線(C82)7にそれぞれ接続されい
て、これらの信号を受けて、その出力にメモリIC部1
のうちからメモリIC(A)、(B)、(C)、(D)
の1つを選択する選択信号(素子に対するチップセレク
ト信号)を発生して、メモリIC選択線8aにそれを送
出する。
と負論理チップセレクト信号線(C8l)6、正論理チ
ップセレクト信号線(C82)7にそれぞれ接続されい
て、これらの信号を受けて、その出力にメモリIC部1
のうちからメモリIC(A)、(B)、(C)、(D)
の1つを選択する選択信号(素子に対するチップセレク
ト信号)を発生して、メモリIC選択線8aにそれを送
出する。
メモリカード10の前記の各線(後述するVcc。
GNDを含めて)は、例えば、ホストコンピュータとか
、端末装置等の情報処理装置20にメモリカード10が
挿着されたときにコネクタ11のそれぞれの端子を介し
て情報処理装置20の対応する端子と接続される。また
、Do−D7は、情報処理装置20からデータバス2に
送出られ、或はメモリカード10から情報処理装置20
に送出されるデータを示していて、Ao ”Al 7は
、そのアドレス信号を示している。
、端末装置等の情報処理装置20にメモリカード10が
挿着されたときにコネクタ11のそれぞれの端子を介し
て情報処理装置20の対応する端子と接続される。また
、Do−D7は、情報処理装置20からデータバス2に
送出られ、或はメモリカード10から情報処理装置20
に送出されるデータを示していて、Ao ”Al 7は
、そのアドレス信号を示している。
ここで、情報処理装置20のイニシャルリセ。
ト回路21のリセット端子(R8T)は、リセット線2
1aを介してMPU22のリセット端子(R8T)に接
続されているとともに、メモリカード10が挿着された
ときに、メモリカード10のiE論理チップセレクト信
号線(C82)7が接続されている端子に接続されてい
る。そこで、メモリカード10が挿着されると、正論理
チップセレクト信号線(C82)7にイニシャルリセッ
ト回路21のリセット信号が供給される。
1aを介してMPU22のリセット端子(R8T)に接
続されているとともに、メモリカード10が挿着された
ときに、メモリカード10のiE論理チップセレクト信
号線(C82)7が接続されている端子に接続されてい
る。そこで、メモリカード10が挿着されると、正論理
チップセレクト信号線(C82)7にイニシャルリセッ
ト回路21のリセット信号が供給される。
ここで、イニシャルリセット回路21は、“l、 +1
有意のリセット信号を送出し、通常は、高インピーダン
ス状態になっている。したがって、この回路がリセット
信号を発生していないときには、正=10 論理チップセレクト信号線(C82)7は、メモリカー
ド10において決定される論理レベルとなる。図に示す
ように、メモリカード10内部において、1F論論理チ
ップセレクト伝信線(C82) 7及び負論理チップセ
レクト信号線(C8I )6はともに抵抗R1+ R2
により電源電圧Vccに対してプルアップされ、“H”
に維持されている。
有意のリセット信号を送出し、通常は、高インピーダン
ス状態になっている。したがって、この回路がリセット
信号を発生していないときには、正=10 論理チップセレクト信号線(C82)7は、メモリカー
ド10において決定される論理レベルとなる。図に示す
ように、メモリカード10内部において、1F論論理チ
ップセレクト伝信線(C82) 7及び負論理チップセ
レクト信号線(C8I )6はともに抵抗R1+ R2
により電源電圧Vccに対してプルアップされ、“H”
に維持されている。
メモリカード10の電源回路9は、電圧検出回路91と
、イネーブル信号発生回路92、電源切換回路93、そ
してバックアップ電池94とからなり、電源供給線(V
cc)9aとグランド線(GNr))9bに接続され、
これらの線はコネクタ11の対応するそれぞれの端子に
接続されている。
、イネーブル信号発生回路92、電源切換回路93、そ
してバックアップ電池94とからなり、電源供給線(V
cc)9aとグランド線(GNr))9bに接続され、
これらの線はコネクタ11の対応するそれぞれの端子に
接続されている。
この回路は、外部から供給される電源電圧を監視し、電
源供給線(Vcc)9aの電圧からメモリカード10が
情報処理装置20に接続されたか否かを電圧検出回路9
1により判定する。そして、情報処理装置20に接続さ
れていないときは電源切換回路93によりバックアップ
電/ll!94の電力かメモリIC部1に供給されるよ
うに電力が切換えられ、メモIJ I C部1に記憶さ
れたデータか失われないように保護する。また、メモリ
カード10か情報処理装置20に挿着されたときには、
電圧検出回路91の検出出力に応じてそれから所定のタ
イミングでアドレスデコーダ8に対してイネーブル信号
(e)を送出する。
源供給線(Vcc)9aの電圧からメモリカード10が
情報処理装置20に接続されたか否かを電圧検出回路9
1により判定する。そして、情報処理装置20に接続さ
れていないときは電源切換回路93によりバックアップ
電/ll!94の電力かメモリIC部1に供給されるよ
うに電力が切換えられ、メモIJ I C部1に記憶さ
れたデータか失われないように保護する。また、メモリ
カード10か情報処理装置20に挿着されたときには、
電圧検出回路91の検出出力に応じてそれから所定のタ
イミングでアドレスデコーダ8に対してイネーブル信号
(e)を送出する。
電圧検出回路91は、電源線9a(Vcc)の電圧か所
定の検出電圧になったときに、それを検出して検出信号
を発生し、それをイネーブル信号発生回路92と電源切
換回路93とに送出する。
定の検出電圧になったときに、それを検出して検出信号
を発生し、それをイネーブル信号発生回路92と電源切
換回路93とに送出する。
イネーブル信号発生回路92は、検出信号・を受けてか
ら外部から制御信号(C3I 、C82,R/W等)を
受ける各制御端子の電圧が安定する時間Tだけ遅延させ
てイネーブル信号を発生し、それをアドレスデコーダ8
に送出してアドレスデコーダ8を動作状態にする。この
イネーブル信号の発生タイミングは各制御端子の電圧か
チャ、タリング状態にある期間を越える期間であり、外
部から供給される負論理有意のチップセレクト信号(C
81)とり−ド・ライト信弓(R/W)がこのイネーブ
ル4’E<”J発生時点ではすでに安定し、“′Hパを
維持している。このことによりメモリカード挿入時のチ
ャツタリングよるメモリカード10に対する書込み誤動
作を防止できる。
ら外部から制御信号(C3I 、C82,R/W等)を
受ける各制御端子の電圧が安定する時間Tだけ遅延させ
てイネーブル信号を発生し、それをアドレスデコーダ8
に送出してアドレスデコーダ8を動作状態にする。この
イネーブル信号の発生タイミングは各制御端子の電圧か
チャ、タリング状態にある期間を越える期間であり、外
部から供給される負論理有意のチップセレクト信号(C
81)とり−ド・ライト信弓(R/W)がこのイネーブ
ル4’E<”J発生時点ではすでに安定し、“′Hパを
維持している。このことによりメモリカード挿入時のチ
ャツタリングよるメモリカード10に対する書込み誤動
作を防止できる。
電源切換回路93は、電圧検出回路91から検出信号を
受けると、前記のイネーブル信号発生回路92の動作と
は独立にバックアップ電池94から、情報処理装置20
から電源供給線(Vcc) 9aに供給される供給電源
へと切換えて内部電源としての電源線(VDD)9Cに
出力を発生し、この線を介してアドレスデコーダ8及び
メモリIC部1に電力を供給する。
受けると、前記のイネーブル信号発生回路92の動作と
は独立にバックアップ電池94から、情報処理装置20
から電源供給線(Vcc) 9aに供給される供給電源
へと切換えて内部電源としての電源線(VDD)9Cに
出力を発生し、この線を介してアドレスデコーダ8及び
メモリIC部1に電力を供給する。
このような回路において、アドレスデコーダ8によるメ
モリIC部1の各メモリIC(A)、(B)、(CL
(D)の選択は、正論理チップセレクト信シシ・線(
C82)7がH11で負論理チップセレクト信号線(C
31)6か“l、 Hのときに、アドレス信5うA16
とAt 7の値に応じて行われ、メモリICの1つか選
択されて動作状態となる。
モリIC部1の各メモリIC(A)、(B)、(CL
(D)の選択は、正論理チップセレクト信シシ・線(
C82)7がH11で負論理チップセレクト信号線(C
31)6か“l、 Hのときに、アドレス信5うA16
とAt 7の値に応じて行われ、メモリICの1つか選
択されて動作状態となる。
したがって、正論理チップセレクト信号線(C82)7
が′°L′”のとき、或は、負論理チップセレクト信号
線(C8l)8が”H11のときにには、アドレスデコ
ーダ8か動作状態であっても、各メモリIC(A)、(
B)、(C)、(1’))に対する選択信号かアドレス
デコーダ8から発生しないので、各メモリICは非動作
状態のままとなる。
が′°L′”のとき、或は、負論理チップセレクト信号
線(C8l)8が”H11のときにには、アドレスデコ
ーダ8か動作状態であっても、各メモリIC(A)、(
B)、(C)、(1’))に対する選択信号かアドレス
デコーダ8から発生しないので、各メモリICは非動作
状態のままとなる。
一方、イニシャルリセット回路21がリセット信号(°
“L I+で有意)を発生したときには、正論理チップ
セレクト信号線(C82)7が“L nとナル。その結
果、アドレスデコーダ8から選択信号が発生しなくなり
メモリカード10は非動作状態になる。
“L I+で有意)を発生したときには、正論理チップ
セレクト信号線(C82)7が“L nとナル。その結
果、アドレスデコーダ8から選択信号が発生しなくなり
メモリカード10は非動作状態になる。
すなわち、第2図(a)の(イ)の電源供給電圧VCC
に示すように、本体側である情報処理装置20の電源電
圧が電圧検出の所定値以下に降下したときには(ロ)の
リセット信号(R8T)か発生ずる。このとき、MPU
22がイニシャルリセット回路21によりリセットされ
るとともに、(ニ)に示すように、チップセレクト信号
リθ’i (CS2 )もL”となるので、アドレスデ
コーダ8のメモ3− 4 IJ I C選択信号か発生しなくなる。そこで、(ホ
)、(へ)に示すように、チップセレクl−(m号(C
81)、リード・ライト制御信号(R/W)かたとえ“
l、 +1となっるときがあっても影響を受けない。電
源供給線(Vcc)24のメモリカード23に対する供
給電圧がさらに降−ドしてメモリカード23の電圧検出
回路91がその降下を検出して(ハ)に示すように後か
らイネーブル信号が発生しても一アドレスデコーダ8が
選択信号を発生しないので問題は生じない。
に示すように、本体側である情報処理装置20の電源電
圧が電圧検出の所定値以下に降下したときには(ロ)の
リセット信号(R8T)か発生ずる。このとき、MPU
22がイニシャルリセット回路21によりリセットされ
るとともに、(ニ)に示すように、チップセレクト信号
リθ’i (CS2 )もL”となるので、アドレスデ
コーダ8のメモ3− 4 IJ I C選択信号か発生しなくなる。そこで、(ホ
)、(へ)に示すように、チップセレクl−(m号(C
81)、リード・ライト制御信号(R/W)かたとえ“
l、 +1となっるときがあっても影響を受けない。電
源供給線(Vcc)24のメモリカード23に対する供
給電圧がさらに降−ドしてメモリカード23の電圧検出
回路91がその降下を検出して(ハ)に示すように後か
らイネーブル信号が発生しても一アドレスデコーダ8が
選択信号を発生しないので問題は生じない。
また、イニシャルリセット回路21がリセット信号を発
生していないときには、正論理チップセレクト信号線(
C82)7がH”となり、負論理チップセレクト信号線
(C8l)6の信号によりメモリカード10が動作する
か否かが選択される。
生していないときには、正論理チップセレクト信号線(
C82)7がH”となり、負論理チップセレクト信号線
(C8l)6の信号によりメモリカード10が動作する
か否かが選択される。
第2図(b)は、このようなメモリカード10に対する
情報処理装置20の選択動作を示したものである。なお
、図中、「L」は、“L“に対応し、「H」は、“”H
”に対応している。また、「×」は、状態が確定しない
ことを意味している。
情報処理装置20の選択動作を示したものである。なお
、図中、「L」は、“L“に対応し、「H」は、“”H
”に対応している。また、「×」は、状態が確定しない
ことを意味している。
以上のようにすることで、メモリカード10か情報処理
装置20に挿着されて使用される場合には、チップセレ
クト信号(C8l)により制御されてその書込み/読出
しがなされ、MPU22がリセットされてその動作を停
止するときには、必ずメモリカード10もその動作を停
止する。
装置20に挿着されて使用される場合には、チップセレ
クト信号(C8l)により制御されてその書込み/読出
しがなされ、MPU22がリセットされてその動作を停
止するときには、必ずメモリカード10もその動作を停
止する。
以上説明してきたが、実施例の電源回路9における電圧
検出回路とイネーブル信号発生回路は、イニシャルリセ
ット回路を用いてもよく、この場合には、そのリセット
信号をそのまま或はその反転信号をデコーダに対するイ
ネーブル信号として用いることができる。
検出回路とイネーブル信号発生回路は、イニシャルリセ
ット回路を用いてもよく、この場合には、そのリセット
信号をそのまま或はその反転信号をデコーダに対するイ
ネーブル信号として用いることができる。
実施例では、イニシャルリセット回路を使用しているが
、これは、単なるリセット回路であってもよく、リセッ
ト信号を発生していないときには、リセット端子が高イ
ンピーダンス七なっているか、リセット端子は、このと
き高インピーダンスに換えて、“HIIとなっていても
よい。
、これは、単なるリセット回路であってもよく、リセッ
ト信号を発生していないときには、リセット端子が高イ
ンピーダンス七なっているか、リセット端子は、このと
き高インピーダンスに換えて、“HIIとなっていても
よい。
また、実施例で使用した、“Hパ、“L”の論理信号は
、論理信号を受ける相手回路等との関係で決めることが
でき、いずれを採用してもよいので、この発明は、“H
”、“L”の論理信号の条件に影響されるものではない
。
、論理信号を受ける相手回路等との関係で決めることが
でき、いずれを採用してもよいので、この発明は、“H
”、“L”の論理信号の条件に影響されるものではない
。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明では、2つのチップセレ
クト信号を受ける端子を持つメモリカードの一力を装置
本体側のMPUからのチップセレクト信号とし、他方を
本体側で発生するリセット信号を受ける端子に割当て、
リセット信号によりメモリカードが選択されないように
することで、本体側がリセットされたときには、同時に
メモリカード側を非動作状態にすることができる。
クト信号を受ける端子を持つメモリカードの一力を装置
本体側のMPUからのチップセレクト信号とし、他方を
本体側で発生するリセット信号を受ける端子に割当て、
リセット信号によりメモリカードが選択されないように
することで、本体側がリセットされたときには、同時に
メモリカード側を非動作状態にすることができる。
その結果、メモリカーFが挿着された情報処理装置の電
源電圧が低下しても、また、停電等で遮断されても、メ
モリカードがそれによって誤書込みを受けることがなく
、メモリカード側の記憶データを保護することができる
。
源電圧が低下しても、また、停電等で遮断されても、メ
モリカードがそれによって誤書込みを受けることがなく
、メモリカード側の記憶データを保護することができる
。
第1図は、この発明を適用したメモリカードシステムの
一実施例のブロック図であり、第2図(a)及び(b)
は、それぞれ、そのリセット動作のタイミングチャート
及びメモリカード側の動作状態の説明図、第3図(a)
及び(b)は、従来のメモリカードシステムのリセット
回路を中心としたブロック図及びそのリセット動作のタ
イミングチャートである。 1・・・メモリIC部、2・・・データバス、3−′−
・アドレスバス、4・・・リード/ライト信号線、5・
・・リード信号線、6・・・負論理チップセレクト信号
線、7・・・正論理チップセレクト信号線、8・・・ア
ドレスデコーダ、8a・・・メモリIC選択線、9・・
・電源回路、91・・・電圧検出回路、92・・・イネ
ーブル信号発生回路、 93・・・電源切換回路、20・・・情報処理装置、2
1・・・イニシャルリセット回路、 22・・・MPU123・・・メモリカード。
一実施例のブロック図であり、第2図(a)及び(b)
は、それぞれ、そのリセット動作のタイミングチャート
及びメモリカード側の動作状態の説明図、第3図(a)
及び(b)は、従来のメモリカードシステムのリセット
回路を中心としたブロック図及びそのリセット動作のタ
イミングチャートである。 1・・・メモリIC部、2・・・データバス、3−′−
・アドレスバス、4・・・リード/ライト信号線、5・
・・リード信号線、6・・・負論理チップセレクト信号
線、7・・・正論理チップセレクト信号線、8・・・ア
ドレスデコーダ、8a・・・メモリIC選択線、9・・
・電源回路、91・・・電圧検出回路、92・・・イネ
ーブル信号発生回路、 93・・・電源切換回路、20・・・情報処理装置、2
1・・・イニシャルリセット回路、 22・・・MPU123・・・メモリカード。
Claims (2)
- (1)マイクロプロセッサと電源電圧が所定値以下にな
ったときにこのマイクロプロセッサをリセットするリセ
ット回路とを有する情報処理装置と、この情報処理装置
に挿着されるメモリカードとを備える情報処理システム
において、前記メモリカードは、第1及び第2のチップ
セレクト端子を有していて、前記マイクロプロセッサか
ら第1のチップセレクト端子にメモリの選択信号を受け
、前記リセット回路から第2のチップセレクト端子にリ
セット信号を受け、このリセット信号を受けたときには
非動作状態になり、このリセット信号を受けていないと
きには前記選択信号を受けたときに動作状態になること
を特徴とするメモリカードを用いる情報処理システムの
リセット方式。 - (2)第2のチップセレクト端子はメモリカードの内部
においてプルアップ或はプルダウンされていて外部から
信号を受けないときには動作状態の論理レベルに維持さ
れ、リセット回路がリセット信号を発生しないときには
前記リセット回路のリセット信号出力端子が高インピー
ダンスとなっていることを特徴とする請求項1記載のメ
モリカードを用いる情報処理システムのリセット方式。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1150037A JPH0314151A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | メモリカードを用いる情報処理システムのリセット方式 |
US08/368,766 US5537584A (en) | 1989-06-13 | 1995-01-04 | Power instability control of a memory card and a data processing device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1150037A JPH0314151A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | メモリカードを用いる情報処理システムのリセット方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0314151A true JPH0314151A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15488120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1150037A Pending JPH0314151A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | メモリカードを用いる情報処理システムのリセット方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0314151A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5853597A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-29 | Kawasaki Steel Corporation | Method of and apparatus for discharging sedimentary solid particles |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168062A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-29 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | メモリ保護装置 |
JPS63123185A (ja) * | 1987-08-26 | 1988-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカ−ド |
JPS63158682A (ja) * | 1987-11-05 | 1988-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1150037A patent/JPH0314151A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168062A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-29 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | メモリ保護装置 |
JPS63123185A (ja) * | 1987-08-26 | 1988-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカ−ド |
JPS63158682A (ja) * | 1987-11-05 | 1988-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5853597A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-29 | Kawasaki Steel Corporation | Method of and apparatus for discharging sedimentary solid particles |
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