JPH03139831A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03139831A JPH03139831A JP1277838A JP27783889A JPH03139831A JP H03139831 A JPH03139831 A JP H03139831A JP 1277838 A JP1277838 A JP 1277838A JP 27783889 A JP27783889 A JP 27783889A JP H03139831 A JPH03139831 A JP H03139831A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は自動搬送ロボット等の洗浄手段が用いられる際
のＳｉウェハー洗浄工程が好適に行われる半導体装置の
製造方法に関する。
のＳｉウェハー洗浄工程が好適に行われる半導体装置の
製造方法に関する。
〔従来の技術］
従来、半導体製造のＳｉウェットプロセスにおけるＳｉ
ウェハー洗浄工程では、自動搬送ロボットを備えた洗浄
手段が多用されている。
ウェハー洗浄工程では、自動搬送ロボットを備えた洗浄
手段が多用されている。
洗浄手段では、ＩＰ雰囲気中で自動搬送ロボットのキャ
リアに保持されたＳｉウェハーが、第３図に示されるよ
うに、ＩＰ雰囲気中において、例えばＮＨ４ＯＨ／Ｈ！
Ｏｘ等の薬液槽及び純水槽等間を搬送され、且つ浸漬、
給水等の処理が行なわれる。
リアに保持されたＳｉウェハーが、第３図に示されるよ
うに、ＩＰ雰囲気中において、例えばＮＨ４ＯＨ／Ｈ！
Ｏｘ等の薬液槽及び純水槽等間を搬送され、且つ浸漬、
給水等の処理が行なわれる。
このような洗浄手段は、ＮＨ４ＯＨ／１Ｉｚｏｚ薬液槽
、ガス排気ダクト、ＨＦ循環機構、循環ファン、自動搬
送ロボット等を備えるのが一般的である。
、ガス排気ダクト、ＨＦ循環機構、循環ファン、自動搬
送ロボット等を備えるのが一般的である。
然しなから、前記の従来の技術の半導体装置の製造方法
及びその装置によれば、ＮＨｎＯＨ／Ｈｚ（ｈの処理後
、純水槽の給水洗浄までの間の搬送時に液漏れによる外
周囲のＨＦガスにより、Ｓｉウェハーの表面のＳｉＯ□
層がエツチングされ易い、このためウェハー表面が露出
して、ウェハー及びキャリヤーに付着したＮＨ３ガスに
よる欠陥部を生起するものとなる。更に、ＮＨ４ＯＨ槽
上で、例えば、自動ロボットの搬送が停止された場合、
生起するＮＨｓガスによるエツチングにより欠陥部を生
起する。殊に、エピタキシャル（ｅｐｉ）前の洗浄処理
ではＮＨ，ＯＨの処理が数回行なわれた後、純水槽処理
が行なわれる。このためＳｉウェハー表面に部分的なエ
ツチング欠陥の発生頻度が高（なる等々の不都合を有す
るものとなり、歩留りの点からも、その改善が課題とさ
れていた。
及びその装置によれば、ＮＨｎＯＨ／Ｈｚ（ｈの処理後
、純水槽の給水洗浄までの間の搬送時に液漏れによる外
周囲のＨＦガスにより、Ｓｉウェハーの表面のＳｉＯ□
層がエツチングされ易い、このためウェハー表面が露出
して、ウェハー及びキャリヤーに付着したＮＨ３ガスに
よる欠陥部を生起するものとなる。更に、ＮＨ４ＯＨ槽
上で、例えば、自動ロボットの搬送が停止された場合、
生起するＮＨｓガスによるエツチングにより欠陥部を生
起する。殊に、エピタキシャル（ｅｐｉ）前の洗浄処理
ではＮＨ，ＯＨの処理が数回行なわれた後、純水槽処理
が行なわれる。このためＳｉウェハー表面に部分的なエ
ツチング欠陥の発生頻度が高（なる等々の不都合を有す
るものとなり、歩留りの点からも、その改善が課題とさ
れていた。
本発明は上記の課題に鑑みてなされ、第１の目的とする
ところは、自動搬送ロボットを備えた洗浄手段が採用さ
れる際のＳｉウェハー洗浄工程が好適に行なわれてＳｉ
ウェハー表面の欠陥が有効に低減され、歩留りが向上す
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
ところは、自動搬送ロボットを備えた洗浄手段が採用さ
れる際のＳｉウェハー洗浄工程が好適に行なわれてＳｉ
ウェハー表面の欠陥が有効に低減され、歩留りが向上す
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
前記の課題を解決するために、本発明の半導体装置の製
造方法において、第１の態様として、半導体プロセスに
おけるＳｉウエノ１−のウェット洗浄処理において、前
記Ｓｉウェハーが処理液槽間を搬送する搬送工程と、前
記処理槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウェ
ハーにＮ！ガスを噴出せしめる工程とを含むことを特徴
とする。
造方法において、第１の態様として、半導体プロセスに
おけるＳｉウエノ１−のウェット洗浄処理において、前
記Ｓｉウェハーが処理液槽間を搬送する搬送工程と、前
記処理槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウェ
ハーにＮ！ガスを噴出せしめる工程とを含むことを特徴
とする。
更に第２の態様として、半導体プロセスにおける５３ウ
エハーのウェット洗浄手段において、前記Ｓｉウェハー
を保持し処理槽間を搬送せしめる搬送手段と、前記処理
槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウェハーに
Ｎ、ガスを噴出せしめるガス噴出手段とを備えることを
特徴とする。
エハーのウェット洗浄手段において、前記Ｓｉウェハー
を保持し処理槽間を搬送せしめる搬送手段と、前記処理
槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウェハーに
Ｎ、ガスを噴出せしめるガス噴出手段とを備えることを
特徴とする。
上記の本発明の半導体装置の製造方法において、第１の
ａｌｌに係り、キャリヤー搬送時にあって、Ｓｉウェハ
ー表面にＮｔパージが行なわれ、Ｓｉウェハー表面が保
護される。
ａｌｌに係り、キャリヤー搬送時にあって、Ｓｉウェハ
ー表面にＮｔパージが行なわれ、Ｓｉウェハー表面が保
護される。
これにより、搬送中のＳｉウェハー及びキャリヤー付着
の薬品雰囲気の舞い上がりが上方からのＮ２バージによ
り有効に低減する。
の薬品雰囲気の舞い上がりが上方からのＮ２バージによ
り有効に低減する。
次に、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例を
添付図面を参照して詳細に説明する。
添付図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の実施例におけ
るウェット洗浄工程のフローチャート、第２図は前記実
施例が適用され、半導体装置の製造装置における洗浄装
置を示す概略構成図である。
るウェット洗浄工程のフローチャート、第２図は前記実
施例が適用され、半導体装置の製造装置における洗浄装
置を示す概略構成図である。
第１図においては、ウェット洗浄工程の開始の後、パー
ジ工程（ａ）により、Ｓｉウェハーの表面にＮ！パージ
が行なわれ、次に、ＩＩＦ雰囲気中の搬送缶）が行なわ
れる。そして、パージ工程（Ｃ）により、Ｓｉウェハー
の表面にＮｔパージが行なわれ、更に純水洗浄工程（ｄ
）において、前記Ｓｉウェハーに対して給水洗浄が行な
われる。続いて、パージ工程（ｅ）によす、Ｓｉウェハ
ーの表面にＮｔパージが行なわれ、更にＮＨａ ＯＨ／
Ｒｉｏｔ処理工程（ｆ）において、その処理が行なわれ
る。この後、パージ工程（６）により、Ｓｉウェハーの
表面にＮ８パージが行なわれる。
ジ工程（ａ）により、Ｓｉウェハーの表面にＮ！パージ
が行なわれ、次に、ＩＩＦ雰囲気中の搬送缶）が行なわ
れる。そして、パージ工程（Ｃ）により、Ｓｉウェハー
の表面にＮｔパージが行なわれ、更に純水洗浄工程（ｄ
）において、前記Ｓｉウェハーに対して給水洗浄が行な
われる。続いて、パージ工程（ｅ）によす、Ｓｉウェハ
ーの表面にＮｔパージが行なわれ、更にＮＨａ ＯＨ／
Ｒｉｏｔ処理工程（ｆ）において、その処理が行なわれ
る。この後、パージ工程（６）により、Ｓｉウェハーの
表面にＮ８パージが行なわれる。
次に、前記のウェット洗浄工程を行なう半導体装置の製
造装置における洗浄装置を説明する。
造装置における洗浄装置を説明する。
この例においては、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ！Ｏ□槽１２と、図
示しない純水槽とが配置されると共に、この近傍には排
気口１６．１８が設けられている。そ−して図における
上部には、搬送手段を構成する自動ロボット２０が配置
されており、この自動ロボット２０はＳｉウェハー２１
を保持せしめたキャリヤー２２を拘持するキャリヤチャ
ックアーム２３ａ、２３ｂが備えられている。自動ロボ
ット２０では内部に配設されたモータ等（図示せず）駆
動手段をもってアーム２４ａ、２４ｂが矢印Ｍ、Ｎ及び
Ｖ、Ｐ方向に移動せしめられると共にその全体が矢印Ｑ
、Ｐ方向に移動するように構成されている。
示しない純水槽とが配置されると共に、この近傍には排
気口１６．１８が設けられている。そ−して図における
上部には、搬送手段を構成する自動ロボット２０が配置
されており、この自動ロボット２０はＳｉウェハー２１
を保持せしめたキャリヤー２２を拘持するキャリヤチャ
ックアーム２３ａ、２３ｂが備えられている。自動ロボ
ット２０では内部に配設されたモータ等（図示せず）駆
動手段をもってアーム２４ａ、２４ｂが矢印Ｍ、Ｎ及び
Ｖ、Ｐ方向に移動せしめられると共にその全体が矢印Ｑ
、Ｐ方向に移動するように構成されている。
更に、キャリヤチャンクアーム２３ａ、２３ｂ間にはＮ
２パージノズル２６が設けられておりこのＮ２バージノ
ズル２６は、Ｎ：噴射装置２７に連設されている。そし
て、自動ロボット２０、Ｎｚ噴射装置２７は、半導体装
置の製造装置の全体のシーケンス制御等を行なうシステ
ムコントローラ３０に連接されている。システムコント
ローラ３０は前記第１図に示されるフローチャートに係
る処理手順に対応するプログラムを記憶したＲＡＭと、
ＣＰＵ、Ｉｌｏ等を備え、例えば、マイクロコンピュー
タである。そして、ここでは前記フローチャートに対応
して、アーム２４ａ、２４ｂの矢印Ｍ、Ｎ及びＶ、Ｐ方
向の移動、更に全体の矢印Ｑ、Ｐ方向の移動を行ない、
ウェット洗浄工程が完了せしめられる。
２パージノズル２６が設けられておりこのＮ２バージノ
ズル２６は、Ｎ：噴射装置２７に連設されている。そし
て、自動ロボット２０、Ｎｚ噴射装置２７は、半導体装
置の製造装置の全体のシーケンス制御等を行なうシステ
ムコントローラ３０に連接されている。システムコント
ローラ３０は前記第１図に示されるフローチャートに係
る処理手順に対応するプログラムを記憶したＲＡＭと、
ＣＰＵ、Ｉｌｏ等を備え、例えば、マイクロコンピュー
タである。そして、ここでは前記フローチャートに対応
して、アーム２４ａ、２４ｂの矢印Ｍ、Ｎ及びＶ、Ｐ方
向の移動、更に全体の矢印Ｑ、Ｐ方向の移動を行ない、
ウェット洗浄工程が完了せしめられる。
即ち、装置全体の動作開始後、他の制御手段から連動に
係る制御信号を取り込んだ後、プログラムがスタートし
てウェット洗浄工程が開始される。
係る制御信号を取り込んだ後、プログラムがスタートし
てウェット洗浄工程が開始される。
ここからの制御は下記による。
（１） パージ工程（ａ）に係る制御指示を自動ロボ
ット２０とＮｚ噴射装置２７に行ない、Ｓｉウェハーの
表面にＮｔパージが行なわれる。
ット２０とＮｚ噴射装置２７に行ない、Ｓｉウェハーの
表面にＮｔパージが行なわれる。
（２） 次に、）ＩＰ雰囲気中の搬送（ｂ）の指示自
動ロボット２０に行なわれる。
動ロボット２０に行なわれる。
（３） そして、パージ工程（Ｃ）に係る制御指示を
自動ロボット２０とＮ、噴射装置２７に行ない、Ｓｉウ
ェハーの表面にＮ！パージが行なわれる。
自動ロボット２０とＮ、噴射装置２７に行ない、Ｓｉウ
ェハーの表面にＮ！パージが行なわれる。
（４） 更に純水洗浄工程（ｄ）に係る制御指示を自
動ロボット２０に行ない、前記Ｓｉウェハーに対して給
水洗浄が行なわれる。
動ロボット２０に行ない、前記Ｓｉウェハーに対して給
水洗浄が行なわれる。
（５） 続いて、パージ工程（ｅ）に係る制御指示を
自動ロボット２０とＮ２噴射装置２７に行ない、Ｓｉウ
ェハーの表面にＮ２パージが行われる。
自動ロボット２０とＮ２噴射装置２７に行ない、Ｓｉウ
ェハーの表面にＮ２パージが行われる。
（６） 更にＮＨ４０）１／Ｈ！０□処理工程（ｆ）
に係る制御指示を自動ロボット２０に行ない、その処理
が行なわれる。
に係る制御指示を自動ロボット２０に行ない、その処理
が行なわれる。
（７） この後、パージ工程（（２）に係る制御指示
を自動ロボット２０とＮ、噴射装置２７に行ない、Ｓｉ
ウェハーの表面にＮ２パージが行なわれる。
を自動ロボット２０とＮ、噴射装置２７に行ない、Ｓｉ
ウェハーの表面にＮ２パージが行なわれる。
以上のステップにおいてプログラムに係る一処理工程が
終了する。
終了する。
このようなウェット洗浄工程が行なわれることより、キ
ャリヤー２２の搬送時にＳｉウェハー表面へのＮ２パー
ジにより、Ｓｉウェハー表面が保護されるものとなり、
Ｓ、ウェハー表面の欠陥がなくなる。搬送中のＳｉウェ
ハー及びキャリヤー付着の薬品雰囲気の舞い上がりが上
方からのＮ２パージにより生起しないものとなる。
ャリヤー２２の搬送時にＳｉウェハー表面へのＮ２パー
ジにより、Ｓｉウェハー表面が保護されるものとなり、
Ｓ、ウェハー表面の欠陥がなくなる。搬送中のＳｉウェ
ハー及びキャリヤー付着の薬品雰囲気の舞い上がりが上
方からのＮ２パージにより生起しないものとなる。
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば
、半導体プロセスにおけるＳｉウェハーのウェット洗浄
処理において、前記Ｓｉウェハーが処理液槽間を搬送す
る搬送工程と、前記処理槽間の搬送時の気相状態におい
て、前記ＳｉウェハーにＮ２ガスを噴出せしめる工程と
を含むことを特徴とする。更に半導体プロセスにおける
Ｓｉウェハーのウェット洗浄手段において、前記Ｓｉウ
ェハーを保持し処理槽間を搬送せしめる搬送手段と、前
記処理槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウェ
ハーにＮ２ガスを噴出せしめるガス噴出手段とを備える
ことを特徴とする。
、半導体プロセスにおけるＳｉウェハーのウェット洗浄
処理において、前記Ｓｉウェハーが処理液槽間を搬送す
る搬送工程と、前記処理槽間の搬送時の気相状態におい
て、前記ＳｉウェハーにＮ２ガスを噴出せしめる工程と
を含むことを特徴とする。更に半導体プロセスにおける
Ｓｉウェハーのウェット洗浄手段において、前記Ｓｉウ
ェハーを保持し処理槽間を搬送せしめる搬送手段と、前
記処理槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウェ
ハーにＮ２ガスを噴出せしめるガス噴出手段とを備える
ことを特徴とする。
これにより、自動搬送ロボットを備えた洗浄手段が採用
される際のＳｉウェハー洗浄工程が好適に行なわれてＳ
ｉウェハー表面の欠陥が有効に低減されて歩留りが向上
し、更に加工精度が向上し、その信顛性が高度に得られ
る利点を有している。
される際のＳｉウェハー洗浄工程が好適に行なわれてＳ
ｉウェハー表面の欠陥が有効に低減されて歩留りが向上
し、更に加工精度が向上し、その信顛性が高度に得られ
る利点を有している。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法に係り、実施例
におけるウェット洗浄工程のフローチャート、第２図は
第１図に示される実施例が適用される洗浄手段を備えた
半導体装置の製造装置を示す概略構成図である。第３図
は従来例のフローチャートである。 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｃｌ） （ｅ） （ｆ）
（ｇ） ・・・工程、１２・・・ＮＨａ ＯＨ／ＨｚＯ
□槽、２０・・・自動ロボット、 ２１・・・ウェハ
ー２２・・・キャリヤー ２３ａ、２３ｂ・・・キャリヤチャンクアーム、２６・
・・Ｎ、パージノズル、 ２７・・・Ｎ２噴射装置、 ３０・・・システムコントローラ。 第 １ 図 第 図 ↓ 次工程へ
におけるウェット洗浄工程のフローチャート、第２図は
第１図に示される実施例が適用される洗浄手段を備えた
半導体装置の製造装置を示す概略構成図である。第３図
は従来例のフローチャートである。 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｃｌ） （ｅ） （ｆ）
（ｇ） ・・・工程、１２・・・ＮＨａ ＯＨ／ＨｚＯ
□槽、２０・・・自動ロボット、 ２１・・・ウェハ
ー２２・・・キャリヤー ２３ａ、２３ｂ・・・キャリヤチャンクアーム、２６・
・・Ｎ、パージノズル、 ２７・・・Ｎ２噴射装置、 ３０・・・システムコントローラ。 第 １ 図 第 図 ↓ 次工程へ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体プロセスにおけるＳｉウェハーのウェット洗浄
処理において、 前記Ｓｉウェハーが処理液槽間を搬送する搬送工程と、 前記処理槽間の搬送時の気相状態において、前記Ｓｉウ
ェハーにＮ＿２ガスを噴出せしめる工程と、を含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277838A JPH03139831A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277838A JPH03139831A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03139831A true JPH03139831A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17588972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277838A Pending JPH03139831A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03139831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100304127B1 (ko) * | 1992-07-29 | 2001-11-30 | 이노마다 시게오 | 가반식 밀폐 컨테이너를 사용한 전자기판 처리시스템과 그의 장치 |
| JP2004510573A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの清浄方法 |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP1277838A patent/JPH03139831A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100304127B1 (ko) * | 1992-07-29 | 2001-11-30 | 이노마다 시게오 | 가반식 밀폐 컨테이너를 사용한 전자기판 처리시스템과 그의 장치 |
| JP2004510573A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの清浄方法 |
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