JPH0313828Y2 - - Google Patents
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- JPH0313828Y2 JPH0313828Y2 JP1984200869U JP20086984U JPH0313828Y2 JP H0313828 Y2 JPH0313828 Y2 JP H0313828Y2 JP 1984200869 U JP1984200869 U JP 1984200869U JP 20086984 U JP20086984 U JP 20086984U JP H0313828 Y2 JPH0313828 Y2 JP H0313828Y2
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- circuit
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 42
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- Emergency Alarm Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は水位検知機能や水温検知機能などを
有する風呂用警報装置に関する。
有する風呂用警報装置に関する。
最近、各家庭の多くにお風呂が設けられるよう
になつた。
になつた。
ところで、風呂をわかす場合浴槽に所定量の水
を入れ、これを所定温度まで加熱するようになる
が、このように浴槽の所定水位まで水を入れるに
はたびたび水の量を確認しなければならず、さら
にこれを所定温度まで加熱するにも湯加減をたび
たびみなければならず、このために多大の手間が
かかる。
を入れ、これを所定温度まで加熱するようになる
が、このように浴槽の所定水位まで水を入れるに
はたびたび水の量を確認しなければならず、さら
にこれを所定温度まで加熱するにも湯加減をたび
たびみなければならず、このために多大の手間が
かかる。
これに対して浴槽の水量が所定水位まで達した
とき警報を発する水位検知器と、浴槽中の水の温
度が所定値に達すると警報を発する水温検知器な
どが発売されている。
とき警報を発する水位検知器と、浴槽中の水の温
度が所定値に達すると警報を発する水温検知器な
どが発売されている。
ところが、このような検知器を別々に用意する
のでは取扱が面倒であるだけでなく価格的にも高
価になつてしまう欠点があつた。
のでは取扱が面倒であるだけでなく価格的にも高
価になつてしまう欠点があつた。
そこで、最近水位検知機能と水位検知機能の両
方を兼ね備えたものが考えられている。
方を兼ね備えたものが考えられている。
しかして、従来この種の風呂用警報装置として
実開昭58−101137に開示された第2図に示すもの
がある。
実開昭58−101137に開示された第2図に示すもの
がある。
すなわち、図において1は電源、2は警報発生
回路、3,4はNAND回路、SW1は水位検知設
定スイツチ、SW2は水温検知設定スイツチ、
SW3は水位が設定水位に達したときオンされる
フロートスイツチ、Th1はサーミスタ、R1,
R2は抵抗、VR1は可変抵抗およびD1〜D4
はダイオードである。
回路、3,4はNAND回路、SW1は水位検知設
定スイツチ、SW2は水温検知設定スイツチ、
SW3は水位が設定水位に達したときオンされる
フロートスイツチ、Th1はサーミスタ、R1,
R2は抵抗、VR1は可変抵抗およびD1〜D4
はダイオードである。
しかして、このものはいま水位検知設定スイツ
チSW1が投入されると、このとき浴槽の水位が
所定位置に達しておらずフロートスイツチSW3
がオフのままだと、NAND回路3では入力端子
が“L”レベルとなり、一方入力端子は
“H”レベルになつているので出力端子にに
“H”レベルが発生する。これによりNAND回路
4の入力端子は“H”レベルとなるが、入力端
子もダイオードD1を介して“H”レベルにな
るので出力端子は“L”レベルとなり警報発生
回路2は付勢されない。この状態から浴槽の水位
が上昇し設定水位に達しフロートスイツチSW3
がオンするとNAND回路3の入力端子が“H”
レベルになるので出力端子は“L”レベルとな
りこれによりNAND回路4の入力端子も“L”
レベルとなるので出力端子が“H”レベルとな
る。したがつて警報発生回路2は付勢され警報を
発生する。次にこの状態で加熱に入り水温検知設
定スイツチSW2が投入されると、このときフロ
ートスイツチSW3がオンしているのでNAND回
路3の入力端子は“H”レベルとなるが入力端
子はスイツチSW1が開放したのでで“L”レ
ベルとなるので出力端子は“H”レベルとなり
NAND回路4の入力端子も“H”レベルとな
る。この状態でNAND回路4の入力端子には
サーミスタTh1が接続される。この場合サーミ
スタTh1にはスイツチSW2、ダイオードD4、
フロートスイツチSW3、ダイオードD2、可変
抵抗VR1、抵抗R2を通して電源1より電流が
流れているが可変抵抗VR1にて設定された温度
になるまでサーミスタTh1は高抵抗を呈してい
る。これによりNAND回路4の入力端子は
“H”レベルとなり出力端子は“L”レベルと
なつている。その後浴槽の水温が上昇し設定温度
に達するとサーミスタTh1が低抵抗となり、こ
れにより入力端子が“L”レベルで出力端子
が“H”レベルになり警報発生回路2は付勢され
警報を発する。
チSW1が投入されると、このとき浴槽の水位が
所定位置に達しておらずフロートスイツチSW3
がオフのままだと、NAND回路3では入力端子
が“L”レベルとなり、一方入力端子は
“H”レベルになつているので出力端子にに
“H”レベルが発生する。これによりNAND回路
4の入力端子は“H”レベルとなるが、入力端
子もダイオードD1を介して“H”レベルにな
るので出力端子は“L”レベルとなり警報発生
回路2は付勢されない。この状態から浴槽の水位
が上昇し設定水位に達しフロートスイツチSW3
がオンするとNAND回路3の入力端子が“H”
レベルになるので出力端子は“L”レベルとな
りこれによりNAND回路4の入力端子も“L”
レベルとなるので出力端子が“H”レベルとな
る。したがつて警報発生回路2は付勢され警報を
発生する。次にこの状態で加熱に入り水温検知設
定スイツチSW2が投入されると、このときフロ
ートスイツチSW3がオンしているのでNAND回
路3の入力端子は“H”レベルとなるが入力端
子はスイツチSW1が開放したのでで“L”レ
ベルとなるので出力端子は“H”レベルとなり
NAND回路4の入力端子も“H”レベルとな
る。この状態でNAND回路4の入力端子には
サーミスタTh1が接続される。この場合サーミ
スタTh1にはスイツチSW2、ダイオードD4、
フロートスイツチSW3、ダイオードD2、可変
抵抗VR1、抵抗R2を通して電源1より電流が
流れているが可変抵抗VR1にて設定された温度
になるまでサーミスタTh1は高抵抗を呈してい
る。これによりNAND回路4の入力端子は
“H”レベルとなり出力端子は“L”レベルと
なつている。その後浴槽の水温が上昇し設定温度
に達するとサーミスタTh1が低抵抗となり、こ
れにより入力端子が“L”レベルで出力端子
が“H”レベルになり警報発生回路2は付勢され
警報を発する。
したがつて、このものによれば水位検知設定ス
イツチSW1と温度検知設定スイツチSW2を切
換えるのみで水位検知と温度検知を行なうことが
できることになる。
イツチSW1と温度検知設定スイツチSW2を切
換えるのみで水位検知と温度検知を行なうことが
できることになる。
ところが、かかる第2図に示すものではスイツ
チSW1による水位検知の際にNAND回路3,4
を全て使用するのをはじめ水温検知のためのサー
ミスタTh1をも接続したままにしているので
NAND回路3,4での消費電流に加えサーミス
タTh1にも不必要な電流が流れつづける。この
ため電源1として電池を用いる場合これら
NAND回路3,4およびサーミスタTh1での消
費電流はかなりのものになり電池寿命を大巾に縮
める欠点があつた。しかもこれらNAND回路3,
4およびサーミスタTh1は頻繁に付勢され使用
されるのでこれらの故障原因にもなり易く、装置
を長期にわたつて安定して使用できない欠点もあ
つた。
チSW1による水位検知の際にNAND回路3,4
を全て使用するのをはじめ水温検知のためのサー
ミスタTh1をも接続したままにしているので
NAND回路3,4での消費電流に加えサーミス
タTh1にも不必要な電流が流れつづける。この
ため電源1として電池を用いる場合これら
NAND回路3,4およびサーミスタTh1での消
費電流はかなりのものになり電池寿命を大巾に縮
める欠点があつた。しかもこれらNAND回路3,
4およびサーミスタTh1は頻繁に付勢され使用
されるのでこれらの故障原因にもなり易く、装置
を長期にわたつて安定して使用できない欠点もあ
つた。
この考案は上記欠点を除去するためになされた
もので、消費電流を少なくして電池の長寿命を得
られ、しかも装置を長期にわたつて安定して使用
できる風呂用警報装置を提供することを目的とす
る。
もので、消費電流を少なくして電池の長寿命を得
られ、しかも装置を長期にわたつて安定して使用
できる風呂用警報装置を提供することを目的とす
る。
(考案の概要〕
この考案にかかる風呂用警報装置は切換操作に
より夫々風呂の水位検知および水温検知を設定す
る切換スイツチを有し、このスイツチによる水位
検知設定の際風呂の水位が所定位置に達したとき
オンされる水位検知スイツチのオン動作により電
池より直接警報発生手段を付勢せしめ、また上記
スイツチによる水温検知設定の際上記水位検知ス
イツチと風呂の水温を検知する温度感知素子より
論理和回路に入力を与え上記風呂の水温が所定温
度に達したときの上記温度感知素子からの入力に
応じた上記論理和回路の出力により上記警報発生
手段を付勢せしめるようにしている。
より夫々風呂の水位検知および水温検知を設定す
る切換スイツチを有し、このスイツチによる水位
検知設定の際風呂の水位が所定位置に達したとき
オンされる水位検知スイツチのオン動作により電
池より直接警報発生手段を付勢せしめ、また上記
スイツチによる水温検知設定の際上記水位検知ス
イツチと風呂の水温を検知する温度感知素子より
論理和回路に入力を与え上記風呂の水温が所定温
度に達したときの上記温度感知素子からの入力に
応じた上記論理和回路の出力により上記警報発生
手段を付勢せしめるようにしている。
この考案によれば切換スイツチによる水位検知
の際水温検知のために使用する論理和回路や温度
感知素子などを切り離すようになつているので、
かかる水位検知待期時の不必要な電力消費をなく
すことができる。ちなみに、電源として9Vの電
池を用い、論理和回路としてNAND回路に
CMOS(相補形金属酸化膜半導体)を用いた場合
の消費電流は従来例のものでは200μAにもなるの
に対し1μA以下に大幅に減少できることが判つ
た。これにより電池寿命をより長くできることに
なる。また、これら論理和回路や温度感知素子は
不必要に電流が与えられ付勢されることがないの
でこれらの寿命もより長くでき、装置を長期にわ
たつて安定して使用することもできる。
の際水温検知のために使用する論理和回路や温度
感知素子などを切り離すようになつているので、
かかる水位検知待期時の不必要な電力消費をなく
すことができる。ちなみに、電源として9Vの電
池を用い、論理和回路としてNAND回路に
CMOS(相補形金属酸化膜半導体)を用いた場合
の消費電流は従来例のものでは200μAにもなるの
に対し1μA以下に大幅に減少できることが判つ
た。これにより電池寿命をより長くできることに
なる。また、これら論理和回路や温度感知素子は
不必要に電流が与えられ付勢されることがないの
でこれらの寿命もより長くでき、装置を長期にわ
たつて安定して使用することもできる。
以下、この考案の一実施例を図面に従い説明す
る。
る。
第1図において11は電源電池で、この電池1
1の正極端子をダイオードD11を介して切換ス
イツチSW11は可動接片に接続している。こ
こで、スイツチSW11は可動接片に対して固
定端子b,c,dを有するもので、を電源オ
フ、を温度検知、を水位検知に夫々設定して
いる。
1の正極端子をダイオードD11を介して切換ス
イツチSW11は可動接片に接続している。こ
こで、スイツチSW11は可動接片に対して固
定端子b,c,dを有するもので、を電源オ
フ、を温度検知、を水位検知に夫々設定して
いる。
スイツチSW11の固定端子と上記電池11
の負極端子の間に警報発生回路12を接続すると
ともにダイオードD12、可変抵抗VR11,
VR12、温度感知手段例えばサーミスタTh11
の直列回路および水位が所定位置に達したときオ
ンされる例えばフロート式水位検知手段のリード
スイツチSW13、抵抗R11の直列回路を夫々
接続している。
の負極端子の間に警報発生回路12を接続すると
ともにダイオードD12、可変抵抗VR11,
VR12、温度感知手段例えばサーミスタTh11
の直列回路および水位が所定位置に達したときオ
ンされる例えばフロート式水位検知手段のリード
スイツチSW13、抵抗R11の直列回路を夫々
接続している。
そして、上記リードスイツチSW13と抵抗R
11の接続点を抵抗R12を介して論理和回路列
えばNAND回路13の入力端子に接続し、上
記可変抵抗VR11とVR12の接続点を上記
NAND回路13の入力端子に接続している。
11の接続点を抵抗R12を介して論理和回路列
えばNAND回路13の入力端子に接続し、上
記可変抵抗VR11とVR12の接続点を上記
NAND回路13の入力端子に接続している。
ここでNAND回路13は切換スイツチSW11
が温度感知の設定位置にあるときは、切換スイツ
チSW11の接点を介し固定端子を経て電源電
池11の電力が供給されており、複数の入力端子
a,bがすべて“H”レベルのとき出力端子は
“L”レベルとなる論理回路であるが、負論理す
なわち“L”レベルを状態“1”とすると複数の
入力端子a,bのうち1つでも“L”レベルすな
わち状態“1”となると出力が“H”レベルとな
る論理和回路である。また、上記ダイオードD1
2と可変抵抗VR11の接続点を上記切換スイツ
チSW11の固定端子に接続している。
が温度感知の設定位置にあるときは、切換スイツ
チSW11の接点を介し固定端子を経て電源電
池11の電力が供給されており、複数の入力端子
a,bがすべて“H”レベルのとき出力端子は
“L”レベルとなる論理回路であるが、負論理す
なわち“L”レベルを状態“1”とすると複数の
入力端子a,bのうち1つでも“L”レベルすな
わち状態“1”となると出力が“H”レベルとな
る論理和回路である。また、上記ダイオードD1
2と可変抵抗VR11の接続点を上記切換スイツ
チSW11の固定端子に接続している。
切換スイツチSW11が水位検知の設定位置に
あるときは、電源電池側の切換スイツチSW11
の温度感知用の固定端子と水位検知用の固定端
子との間に接続されているダイオードD12
で、水位検知時に温度感知素子のサーミスタTh
11やNAND回路13へ流れる電流を遮断して
いる。また、切換スイツチSW11が水温検知の
設定位置にあるときは、ダイオードD12を通し
て電源電池11の電力をリードスイツチSW13
および警報発生回路12側に供給するようにして
いる。
あるときは、電源電池側の切換スイツチSW11
の温度感知用の固定端子と水位検知用の固定端
子との間に接続されているダイオードD12
で、水位検知時に温度感知素子のサーミスタTh
11やNAND回路13へ流れる電流を遮断して
いる。また、切換スイツチSW11が水温検知の
設定位置にあるときは、ダイオードD12を通し
て電源電池11の電力をリードスイツチSW13
および警報発生回路12側に供給するようにして
いる。
SW12は上記切換スイツチSW11と連動す
る他の切換スイツチで、このスイツチSW12も
可動接片に対して固定端子b,c,dを有し、
このうちを電源オフ、を温度検知用、を水
位検知用に夫々設定している。
る他の切換スイツチで、このスイツチSW12も
可動接片に対して固定端子b,c,dを有し、
このうちを電源オフ、を温度検知用、を水
位検知用に夫々設定している。
そして、このスイツチSW12の可動接片を
遅延回路14を介して上記警報発生回路12の入
力端子に接続し、また固定端子を上記電池11
の負極端子に、固定端子を上記NAND回路1
3の入力端子に、固定端子を上記リードスイ
ツチSW13と抵抗12の接続点に夫々接続して
いる。ここで、遅延回路14は抵抗R13とコン
デンサC11を有するもので、水位あるいは温度
が設定値に達してから一定時間後に警報発生回路
12に信号を与えることにより動作を確実にして
いる。
遅延回路14を介して上記警報発生回路12の入
力端子に接続し、また固定端子を上記電池11
の負極端子に、固定端子を上記NAND回路1
3の入力端子に、固定端子を上記リードスイ
ツチSW13と抵抗12の接続点に夫々接続して
いる。ここで、遅延回路14は抵抗R13とコン
デンサC11を有するもので、水位あるいは温度
が設定値に達してから一定時間後に警報発生回路
12に信号を与えることにより動作を確実にして
いる。
次にその動作を説明する。
いま、図示のように切換スイツチSW11、
SW12の夫々の可動接片が固定端子に接触
しているものとすると電源オフとなつている。
SW12の夫々の可動接片が固定端子に接触
しているものとすると電源オフとなつている。
この状態でまず水位検知を行なうには切換スイ
ツチSW11,SW12を連動させ夫々の可動接
片を固定端子に接触させる。
ツチSW11,SW12を連動させ夫々の可動接
片を固定端子に接触させる。
この場合浴槽の水位がいまだ所定位置まで達し
ていないと、リードスイツチSW13がオフのま
まなので警報発生回路12には信号が加わらず警
報は発生せられない。
ていないと、リードスイツチSW13がオフのま
まなので警報発生回路12には信号が加わらず警
報は発生せられない。
その後、浴槽の水位が上昇し設定位置に達する
とリードスイツチSW13がオンする。すると、
電池11よりダイオードD11、スイツチSW1
1、リードスイツチSW13、スイツチSW12、
遅延回路14を通して警報発生回路12の入力端
子に“H”レベルの信号が与えられ、これにより
警報発生回路12は付勢され警報を発し、浴槽に
所定水量がたまつたことを報知する。
とリードスイツチSW13がオンする。すると、
電池11よりダイオードD11、スイツチSW1
1、リードスイツチSW13、スイツチSW12、
遅延回路14を通して警報発生回路12の入力端
子に“H”レベルの信号が与えられ、これにより
警報発生回路12は付勢され警報を発し、浴槽に
所定水量がたまつたことを報知する。
次にこの状態から加熱に入り水温検知を行なう
には切換スイツチSW11,SW12を連動させ、
夫々の可動接片を固定端子に接触させる。
には切換スイツチSW11,SW12を連動させ、
夫々の可動接片を固定端子に接触させる。
この場合リードスイツチSW13がすでにオン
しているので電池11よりダイオードD11、切
換スイツチSW11、リードスイツチ13、抵抗
12を通してNAND回路13の入力端子に
“H”レベルの信号が与えられている。
しているので電池11よりダイオードD11、切
換スイツチSW11、リードスイツチ13、抵抗
12を通してNAND回路13の入力端子に
“H”レベルの信号が与えられている。
一方、NAND回路13の入力端子にはサー
ミスタTh11が接続されている。このサーミス
タTR11にはダイオードD11、スイツチSW
11、可変抵抗VR11,VR12を通して電池
11より電流が流れるが、可変抵抗VR11にて
設定された温度になるまでサーミスタTh11は
高抵抗を呈している。これによりNAND回路1
3の入力端子は“H”レベルとなり、上記入力
端子の“H”レベルとあいまつて出力端子は
“L”レベルになつている。したがつて、この状
態では警報発生回路12より警報は発せられな
い。
ミスタTh11が接続されている。このサーミス
タTR11にはダイオードD11、スイツチSW
11、可変抵抗VR11,VR12を通して電池
11より電流が流れるが、可変抵抗VR11にて
設定された温度になるまでサーミスタTh11は
高抵抗を呈している。これによりNAND回路1
3の入力端子は“H”レベルとなり、上記入力
端子の“H”レベルとあいまつて出力端子は
“L”レベルになつている。したがつて、この状
態では警報発生回路12より警報は発せられな
い。
ところが、この状態で仮に浴槽に水漏れが発生
し水位が所定水位より低下してしまうと、リード
スイツチSW13が再びオフしてしまう。すると
NAND回路13の入力端子は“L”レベルと
なるので出力端子は“H”レベルとなり警報発
生回路12は付勢され警報を発し水漏れ事故の発
生を報知する。
し水位が所定水位より低下してしまうと、リード
スイツチSW13が再びオフしてしまう。すると
NAND回路13の入力端子は“L”レベルと
なるので出力端子は“H”レベルとなり警報発
生回路12は付勢され警報を発し水漏れ事故の発
生を報知する。
一方、水漏れの発生がない場合浴槽の水温が上
昇し設定温度に達すると、サーミスタTh11が
低抵抗になりNAND回路13の入力端子は
“L”レベルになる。これにより出力端子が
“H”レベルとなり警報発生回路12は付勢され
警報を発し、浴槽の水温が所定値まで加熱された
ことを報知する。
昇し設定温度に達すると、サーミスタTh11が
低抵抗になりNAND回路13の入力端子は
“L”レベルになる。これにより出力端子が
“H”レベルとなり警報発生回路12は付勢され
警報を発し、浴槽の水温が所定値まで加熱された
ことを報知する。
したがつて、このようにしても切換スイツチ
SW11,SW12の切換操作により水位検知機
能や水温検知機能を得られることになるが、ここ
では切換スイツチSW11,SW12による水位
検知設定の際水温検知のためのNAND回路13
およびサーミスタTh11は切り離されており、
この状態でリードスイツチSW13のオン動作を
まつて直接警報発生回路12に信号を与えるよう
になつている。これにより、かかる水位検知待期
時にNAND回路13およびサーミスタTh11側
に不必要な電流が流れつづけることがないので消
費電流を大巾に少なくでき、電池寿命をより長く
できる。しかもNAND回路やサーミスタTh11
自身の寿命もより長くできるので装置を長期にわ
たつて安定して使用できる。さらに、回路構成的
にも従来NAND回路を2個用いるのに比べ1個
にできるので構成の簡単化をも得られる利点があ
る。
SW11,SW12の切換操作により水位検知機
能や水温検知機能を得られることになるが、ここ
では切換スイツチSW11,SW12による水位
検知設定の際水温検知のためのNAND回路13
およびサーミスタTh11は切り離されており、
この状態でリードスイツチSW13のオン動作を
まつて直接警報発生回路12に信号を与えるよう
になつている。これにより、かかる水位検知待期
時にNAND回路13およびサーミスタTh11側
に不必要な電流が流れつづけることがないので消
費電流を大巾に少なくでき、電池寿命をより長く
できる。しかもNAND回路やサーミスタTh11
自身の寿命もより長くできるので装置を長期にわ
たつて安定して使用できる。さらに、回路構成的
にも従来NAND回路を2個用いるのに比べ1個
にできるので構成の簡単化をも得られる利点があ
る。
なお、この考案は上記実施例にのみ限定されず
要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施でき
る。例えば上述ではフロート式水位検知手段のリ
ードスイツチについて述べたが他の検知手段の水
位検知スイツチを用いてもよい。
要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施でき
る。例えば上述ではフロート式水位検知手段のリ
ードスイツチについて述べたが他の検知手段の水
位検知スイツチを用いてもよい。
第1図はこの考案の一実施例を示す回路図、第
2図は従来の風呂用警報装置の一例を示す回路図
である。 1……電源、2……警報発生回路、3,4……
NAND回路、SW1,SW2……設定スイツチ、
SW3……フロートスイツチ、Th1……サーミス
タ、D1〜D4……ダイオード、R1,R2……
抵抗、VR1……可変抵抗、11……電池、12
……警報発生回路、13……NAND回路、14
……延遅回路、SW11,SW12……切換スイ
ツチ、D11,D12……ダイオード、SW13
……リードスイツチ、R11〜R13……抵抗、
VR11,VR12……可変抵抗、Th11……サ
ーミスタ、C11……コンデンサ。
2図は従来の風呂用警報装置の一例を示す回路図
である。 1……電源、2……警報発生回路、3,4……
NAND回路、SW1,SW2……設定スイツチ、
SW3……フロートスイツチ、Th1……サーミス
タ、D1〜D4……ダイオード、R1,R2……
抵抗、VR1……可変抵抗、11……電池、12
……警報発生回路、13……NAND回路、14
……延遅回路、SW11,SW12……切換スイ
ツチ、D11,D12……ダイオード、SW13
……リードスイツチ、R11〜R13……抵抗、
VR11,VR12……可変抵抗、Th11……サ
ーミスタ、C11……コンデンサ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 電源用電池と、風呂の水位が所定の水位に達
したときオンして水位を検知する水位検知スイ
ツチと、風呂の水温が所定の水温に達したとき
特性が変化して水温を検知する温度感知素子
と、これら検知手段により検出される風呂の水
位または水温がそれぞれ前記所定の水位または
水温に達したとき前記検知手段の出力により警
報を発する警報発生手段とを具備する風呂用警
報装置において、 風呂の水位検知または水温検知を切換操作に
より夫々に設定する二連の切換スイツチと、こ
の切換スイツチによる水温検知設定時において
のみ上記電源用電池の電力が供給される前記温
度感知素子および論理和回路とを備え、この論
理和回路は上記水位検知スイツチおよび上記温
度感知素子より入力が与えられ出力側は水温検
知設定時上記切換スイツチを介して上記警報発
生手段に接続され、上記水位検知スイツチは水
位検知設定時上記切換スイツチを介して上記警
報発生手段に直接接続されることを特徴とする
風呂用警報装置。 (2) 上記温度感知素子はサーミスタよりなること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記
載の風呂用警報装置。 (3) 上記論理和回路はNAND回路よりなること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項又
は第2項記載の風呂用警報装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984200869U JPH0313828Y2 (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984200869U JPH0313828Y2 (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61120996U JPS61120996U (ja) | 1986-07-30 |
JPH0313828Y2 true JPH0313828Y2 (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=30762121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984200869U Expired JPH0313828Y2 (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0313828Y2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133U (ja) * | 1976-06-22 | 1978-01-05 | ||
JPS5543338A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bath buzzer |
JPS5744468U (ja) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP1984200869U patent/JPH0313828Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133U (ja) * | 1976-06-22 | 1978-01-05 | ||
JPS5543338A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bath buzzer |
JPS5744468U (ja) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61120996U (ja) | 1986-07-30 |
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