JPH03136392A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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JPH03136392A
JPH03136392A JP27683589A JP27683589A JPH03136392A JP H03136392 A JPH03136392 A JP H03136392A JP 27683589 A JP27683589 A JP 27683589A JP 27683589 A JP27683589 A JP 27683589A JP H03136392 A JPH03136392 A JP H03136392A
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JP
Japan
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metal frame
frame
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heat radiation
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Yoshitaka Watabe
渡部　義隆
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NEC Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トランスファーモールドタイプの混成集積回
路（以下、ハイブリッドＩＣ）に関し、特に複数の高電
力素子（以下、Ｐｏ素子）を搭載したハイブリッドＩＣ
に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のハイブリッドＩＣは、第３図（ａ）、（
ｂ）に示すように複数のＰｏ素子７を搭載していること
から、Ｐａ素子相互の絶縁性を確保するため、配線基板
５上にダイボンディングした構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のハイブリッドＩＣは、Ｐｏ素子が配線基
板上にグイボンディングされていたなめ、放熱特性が十
分に得られないという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、金属フレームと配線基板と各種半導体部品か
らなるトランスファーモールド型混成集積回路において
、金属フレームを分割し複数の高電力素子を金属フレー
ムに直接搭載し、かつモールド樹脂外部に金属フレーム
を露出させたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明↓こついて図面を参照して説明する。第１
図は、本発明の一実施例を示す立体図であり、第２図は
第１図のＡＡ’断面図である。図に示すように、直接Ｐ
ｏ素子７がダイボンディングされる金属フレーム１と各
種半導体部品６を搭載した配線基板５を搭載するため金
属フレーム１′とを有し、Ｐｏ素子７の放熱特性を向上
させるため、Ｐｏ素子７がダイボンディングされている
金属フレーム１を外装樹脂３より露出させ放熱板兼用と
している。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、金属フレームを分割する
ことにより金属フレームに直接Ｐ。素子をダイボンディ
ングし、複数のＰ、素子搭載を可能とすると共に、Ｐｏ
素子を直接ダイボンディングした金属フレームを外装樹
脂外部に露出させているので、放熱特性を良好にする効
果がある。
ハイブリッドＩＣの断面図である。
１．１′・・・金属フレーム、２・・・リード端子、３
・・外装樹脂、４・・・金属細線、５・・・配線基板、
６半導体部品、７・・・高電力素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属フレームと配線基板と各種半導体部品からなるト
    ランスファーモールド型混成集積回路において、金属フ
    レームを分割し複数の高電力素子を金属フレームに直接
    搭載し、かつモールド樹脂外部に金属フレームを露出さ
    せたことを特徴とする混成集積回路。
JP27683589A 1989-10-23 1989-10-23 混成集積回路 Expired - Lifetime JPH0693533B2 (ja)

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JPH0693533B2 JPH0693533B2 (ja) 1994-11-16

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005007208A1 (ja) 2003-07-17 2005-01-27 Gunze Limited 自動縫合器用縫合補綴材

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005007208A1 (ja) 2003-07-17 2005-01-27 Gunze Limited 自動縫合器用縫合補綴材
US8177797B2 (en) 2003-07-17 2012-05-15 Gunze Limited Suture reinforement material for automatic suturing device

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