JPH03134198A - 銀ろう上へのニッケルめっき方法 - Google Patents

銀ろう上へのニッケルめっき方法

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JPH03134198A
JPH03134198A JP27139789A JP27139789A JPH03134198A JP H03134198 A JPH03134198 A JP H03134198A JP 27139789 A JP27139789 A JP 27139789A JP 27139789 A JP27139789 A JP 27139789A JP H03134198 A JPH03134198 A JP H03134198A
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silver solder
silver
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nickel plating
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Tomofumi Kazama
風間 智文
Masako Takeuchi
昌子 竹内
Shinichi Wakabayashi
信一 若林
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は銀ろう上へのニッケルめっき方法に関する。
(従来の技術) ビングリッドアレイタイプの半導体装置用のセラミック
パッケージでは、第4図に示すように、セラミックベー
ス10上に外部導通用のリードビン14を銀ろう16に
よってろう付けし、この銀ろう16並びにリードビン1
4上に耐蝕用のニッケルめっき層18を形成するように
している。
(発明が解決しようとする課題) ところで、銀ろう上へ密着性のよいニッケルめっき層を
形成するのは非常に困難であることが知られている。
通常はシアン系の研摩液に浸漬することで、銀ろう表面
の酸化膜を除去すると共に銀ろう表面1を荒らして凹凸
を形成し、ニッケルめっき層との物理的結合を高めるよ
うにしているのが一般的であるが、これによっても充分
な密着力は得られず、過熱工程を経るとめっきふ(れが
生じ、歩留りが著しく低いのが実情である。
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、密着力の優れたニッケルめっき層を
形成することのできる銀ろう上へのニッケルめっき方法
を提供するにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的による本発明では、コハク酸イミド、グルタル
イミド、プロリン、バルビッール酸、ウラシル、2−ピ
ロリドン、3−ピロリドン、2−ピロリドン−カルボン
酸のように−N−を有する5員環および6員環化合物の
うちから選ばれる一種以上の化合物を含む電解エツチン
グ液により、限ろう表面を電解エツチングし、しかるの
ち銀ろう表面にニッケルめっきを施すことを特徴とじて
いる。
銀ろうは銀と銅の合金からなり、一般的には銀が72%
程度、銅が28%程度の組成のものとなっている。
胴上へは密着性よくニッケルめっきを行うことができる
ことから、銀ろう上へのニッケルめっきを阻害している
のは銀ろう中の銀成分であると考えられる。
従来のシアン系の研摩液は、銀ろう゛表面を荒らして微
細な凹凸を形成するものであるが、この処理では銀ろう
中の銅が主としてエツチングされ、銀ろう表面はかえっ
て銀リッチの状態となり、密着性が改善されないものと
推察される。
本発明では、上記の電解エツチング液を用いることによ
り、銀ろう表面から銀を選択的にエツチングすることが
でき、銀ろう表面を銅リッチの状態とし、これにより銀
ろう表面に密着性のよいニッケルめっき層を形成するこ
とができるのである。
なお、電解エツチングにより銀がエツチングされた跡は
凹面になることから、銀ろう表面が微細な凹凸面となり
、(第1図、第2図、第3図参照)、物理的にもニッケ
ルめっき層の銀ろう表面へ・の密着力が高くなる。
上記の電解エツチング液の主剤である一N−を有する5
員環、6員環化合物は単独でもよく、また2種以上を併
用して用いてもよい。溶媒はいずれも水を用い、また主
剤の添加量は5〜200g/ l、好適には10〜50
 g / lがよい。
上記主剤のみの各水溶液はいずれも弱酸性を呈する。こ
のうち2−ピロリドン−5−カルボン酸は単独の水溶液
であっても、限ろう中の銀を有効にエツチングすること
ができた。
しかし、好適にはいずれの主剤を用いるときも、電気伝
導性を付与するためにKOHSNa叶のようなアルカリ
成分を添加する。このアルカリ成分の添加量は0.1〜
20g/42とする。これにより電解エツチング液の電
気伝導性が良好となり、銀の選択的エツチングがより容
易に行える。
このアルカリ成分の添加により、電解エツチング液のP
Hがアルカリ側になるものもあるが、いぜんとして酸性
側のPH範囲で使用しうるものがある(例えば2−ピロ
リドン−5−カルボン酸)。
このように酸性側で使用しうろことは、例えば、フォト
レジストなどアルカリに弱い材料が素材上に固着されて
いる場合などに、該材料を傷めずに銀のエツチングが行
なえるので有利である。
さらに塩化ラウリルピリジニウム等のピリジニウム塩、
ラウリル硫酸ナトリウム等のアルキルスルホン酸塩、ツ
イーン(商品名)等のポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル、トライトンX(商品名)等のポリオキシ
エチレンアルキルフェノールエーテルのうちの1種以上
の界面活性剤を1■〜10g/f、好適には10■〜1
g/l添加すると銅の表面を荒らすことな(銀のエツチ
ングが行なえる。
(実施例) 表1に示した電解エツチング液を用いて、セラミックベ
ース上に形成したメタライズ層上に銀ろうによりリード
ピンを接合したビングリットアレイクイブのセラミック
パッケージを、常温、0.5A/drdで1分間電解エ
ツチングしたところ、銀ろう表面の酸化膜が除去される
と共に、銀ろう中の銀が選択的にエツチングされ、銀ろ
う表面に銅リッチの粗面が形成された。
銀ろう表面への銀の再付着もなく、また、電解エツチン
グ液によるリードピン、セラミックベース、メタライズ
部の腐蝕は見られなかった。
上記のように銀ろう表面をエツチングしたのち、常法に
より銀ろうおよびリードピン上へニッケルめっきを行っ
たところ、形成されたニッケルめっき層の密着性は良好
で、加熱試験でもめっきふくれは発生せず、実施例の歩
留りはほぼ100%であった。
第1図は、上記実施例で電解エツチングされた限ろう表
面の顕微鏡写真(x 2000)を示す。図で島状に突
出している部分が銅リッチの部分で、凹んでいる部分が
通常の銀ろう成分の銀リッチの部分である。
第2図、第3図は第1図で示される銀ろう表面上をX線
マイクロアナライザーにより面分析を行った写真を示し
、第2図は銀、第3図は銅の面分析を行っている。図中
白い点が多いほど、分析対象の元素が多いことをあられ
している。これらの写真から明らかなように、本実施例
の電解エツチングを行うことによって銀ろう表面の銀が
選択的にエツチングされ、かつ銀ろう表面に微細な凹凸
が形成されることがわかる。
また、実施例1の電解エツチング液に、塩化ラウリルピ
リジニウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ツイーン(商品
名)、トライントンX(商品名)の界面活性剤のうち1
種以上を10■〜Ig//!添加した液を用いたところ
、銅の表面の荒れが抑制され、−層効果的に銀の選択エ
ツチングが行えた。
表2に電解エツチング液の他の実施例を示す。
表 実施例2〜16の電解エツチング液を用いて、銀ろうの
電解エツチングを実施例1と同一の条件で行ったところ
、実施例1と同様、銀ろう中の銀の選択的エツチングを
行うことができた。
上記エツチング処理ののち、銀ろうおよびリードピン上
に常法によりニッケルめっきを行ったところ、得られた
ニッケルめっき層と銀ろうとの密着性は良好であった。
KOHの代りにNaOHを用いても同様の結果が得られ
、またこれらアルカリ分を添加しない場合も恨の選択的
エツチング性が得られた。
また実施例1と同様の界面活性剤を添加した電解エツチ
ング液を用いたところ、銀の選択的エツチングが一層良
好に行えた。
以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、銀ろう表面上の酸化膜を
除去しえ、また銀ろう中の銀を選択的にエツチングする
ことで限ろう表面を銅リッチの状態にして、銀ろう上に
密着性に優れたニッケルめっき層を形成することができ
、めっきふくれをなくすことができるという著効を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は電解エツチング処理したのちの銀ろう表面の顕
微鏡写真、第2図、第3図は同根ろう表面のX線マイク
ロアナライザーによる面分析写真を示す。 第4図はピングリッドアレイタイプのセラミ・ンクパッ
ケージの部分断面図−を示す。 10・・・セラミックベース、  1210.メタライ
ズ層、  14・・・リードビン、16・・・銀ろう、
  18・・・ニッケルめっき層。 第 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.コハク酸イミド、グルタルイミド、プロリン、バル
    ビツール酸、ウラシル、2−ピロリドン、3−ピロリド
    ン、2−ピロリドン−5−カルボン酸のように▲数式、
    化学式、表等があります▼を有する5員環および6員環
    化合物のうちから選ばれる一種以上の化合物を含む電解
    エッチング液により、銀ろう表面を電解エッチングし、
    しかるのち銀ろう表面にニッケルめっきを施すことを特
    徴とする銀ろう上へのニッケルめっき方法。
  2. 2.電解エッチング液が、電気伝導性調整のため、KO
    H、NaOHのようなアルカリ成分を含むことを特徴と
    する請求項1記載の銀ろう上へのニッケルめっき方法。
  3. 3.電解エッチング液が、塩化ラウリルピリジニウム等
    のピリジニウム塩、ラウリル硫酸ナトリウム等のアルキ
    ルスルホン酸塩、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
    エステル、およびポリオキシエチレンアルキルフェノー
    ルエーテルのうちの一種以上の界面活性剤を含むことを
    特徴とする請求項1または2記載の銀ろう上へのニッケ
    ルめっき方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004018954A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Takahisa Deguchi チタン系金属製品の製造方法及びチタン系金属製品
US9961791B2 (en) 2012-06-04 2018-05-01 Hitachi Metals, Ltd. Seal ring and method for manufacturing seal ring
CN110528038A (zh) * 2019-10-16 2019-12-03 中电国基南方集团有限公司 一种提高封装外壳用铜面热沉镀金后焊接性能的方法
CN111705329A (zh) * 2020-07-31 2020-09-25 湖南科技学院 一种5-芳硫基尿嘧啶化合物的电化学合成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004018954A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Takahisa Deguchi チタン系金属製品の製造方法及びチタン系金属製品
JP4570315B2 (ja) * 2002-06-17 2010-10-27 埼玉県 チタン系金属製品の製造方法及びチタン系金属製品
US9961791B2 (en) 2012-06-04 2018-05-01 Hitachi Metals, Ltd. Seal ring and method for manufacturing seal ring
US10188010B2 (en) 2012-06-04 2019-01-22 Hitachi Metals, Ltd. Seal ring and method for manufacturing seal ring
CN110528038A (zh) * 2019-10-16 2019-12-03 中电国基南方集团有限公司 一种提高封装外壳用铜面热沉镀金后焊接性能的方法
CN110528038B (zh) * 2019-10-16 2021-09-03 中电国基南方集团有限公司 一种提高封装外壳用铜面热沉镀金后焊接性能的方法
CN111705329A (zh) * 2020-07-31 2020-09-25 湖南科技学院 一种5-芳硫基尿嘧啶化合物的电化学合成方法

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