JPH10326636A - 電子部品用材料 - Google Patents
電子部品用材料Info
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- JPH10326636A JPH10326636A JP13507197A JP13507197A JPH10326636A JP H10326636 A JPH10326636 A JP H10326636A JP 13507197 A JP13507197 A JP 13507197A JP 13507197 A JP13507197 A JP 13507197A JP H10326636 A JPH10326636 A JP H10326636A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよ
い電子部品用材料を提供する。 【解決手段】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層３と、該下地層の上に形成した錫を主
成分とする表面層４と、を有し、コンプレックスエステ
ルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアル
コール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノ
テトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコール
に溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを
封孔して電子部品用材料を構成した。
い電子部品用材料を提供する。 【解決手段】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層３と、該下地層の上に形成した錫を主
成分とする表面層４と、を有し、コンプレックスエステ
ルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアル
コール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノ
テトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコール
に溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを
封孔して電子部品用材料を構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田付けにより他
の部品や基板、信号線等に接続される接続部分を構成す
る電子部品用材料に関する。
の部品や基板、信号線等に接続される接続部分を構成す
る電子部品用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術のこの種の電子部品用材料で
あるコネクタピンは、半田付けを行って信号線と電気的
に接続される場合が多く、コネクタピンの濡れ性（半田
付け性）を向上させるために、錫−鉛合金、いわゆる半
田がコネクタピンの表面にメッキされている。
あるコネクタピンは、半田付けを行って信号線と電気的
に接続される場合が多く、コネクタピンの濡れ性（半田
付け性）を向上させるために、錫−鉛合金、いわゆる半
田がコネクタピンの表面にメッキされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の技術のコネクタピンにあっては、錫−鉛合
金をコネクタピン表面にメッキしているが、鉛は有害と
なる場合があるので、環境問題等の観点から鉛を用いな
い表面処理を施したコネクタピンが求められている。
ような従来の技術のコネクタピンにあっては、錫−鉛合
金をコネクタピン表面にメッキしているが、鉛は有害と
なる場合があるので、環境問題等の観点から鉛を用いな
い表面処理を施したコネクタピンが求められている。
【０００４】一方、表面処理被膜として鉛の入らない錫
のみのメッキをコネクタピンに施すことも考えられる
が、錫のみのメッキとすると、錫−鉛合金の場合に較べ
て、濡れ性が低下するという問題点があった。
のみのメッキをコネクタピンに施すことも考えられる
が、錫のみのメッキとすると、錫−鉛合金の場合に較べ
て、濡れ性が低下するという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を改善するために成
されたもので、その目的とするところは、表面処理被膜
に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供
することにある。
されたもので、その目的とするところは、表面処理被膜
に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決するために、請求項１記載の発明にあっては、基材で
ある金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、
該下地層の上に形成した錫を主成分とする表面層と、を
有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸の
β−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベン
ゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアル
コールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤によ
り前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴と
するものである。
決するために、請求項１記載の発明にあっては、基材で
ある金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、
該下地層の上に形成した錫を主成分とする表面層と、を
有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸の
β−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベン
ゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアル
コールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤によ
り前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴と
するものである。
【０００７】請求項２記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするものである。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステル
と二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコ
ール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテ
トラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに
溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封
孔してなることを特徴とするものである。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステル
と二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコ
ール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテ
トラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに
溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封
孔してなることを特徴とするものである。
【０００９】請求項４記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により
形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレ
ックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソ
プロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾール
と５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチ
ルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層の
ピンホールを封孔してなることを特徴とするものであ
る。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により
形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレ
ックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソ
プロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾール
と５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチ
ルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層の
ピンホールを封孔してなることを特徴とするものであ
る。
【００１０】請求項５記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した
錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエ
ステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピル
アルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−ア
ミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコ
ールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホー
ルを封孔してなることを特徴とするものである。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した
錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエ
ステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピル
アルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−ア
ミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコ
ールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホー
ルを封孔してなることを特徴とするものである。
【００１１】請求項６記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするものである。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の第一実施の形態を図１を
用いて説明する。図１は電子部品用材料の説明図であ
り、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。図２
は電子部品用材料の要部断面図である。図３は電子部品
用材料の要部断面図である。
用いて説明する。図１は電子部品用材料の説明図であ
り、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。図２
は電子部品用材料の要部断面図である。図３は電子部品
用材料の要部断面図である。
【００１３】電子部品用材料に相当するコネクタピン１
は、図１、図２に示すように、黄銅等の銅系合金の基材
２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成し
た厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、
該下地層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分と
する厚み０．１［μｍ］〜０．５［μｍ］の表面層４
と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホール
を封孔して構成した。
は、図１、図２に示すように、黄銅等の銅系合金の基材
２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成し
た厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、
該下地層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分と
する厚み０．１［μｍ］〜０．５［μｍ］の表面層４
と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホール
を封孔して構成した。
【００１４】封孔処理剤は、ネオペンチルポリオールエ
ステル等のコンプレックスエステル（例えば、日本油脂
株式会社製「ユニスターＣ３３７３Ａ」）を１．０「ｇ
（グラム）／Ｌ（リットル）」〜１０．０「ｇ／Ｌ」、
二塩基酸（例えば、岡村油脂株式会社製「ＳＢ−２
０」）を０．５「ｇ／Ｌ」〜５．０「ｇ／Ｌ」、二塩基
酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩（いわゆる二
塩基酸のイソプロパノールアミン塩）を０．１「ｇ／
Ｌ」〜１．０「ｇ／Ｌ」、５−メチルベンゾトリアゾー
ルを０．１「ｇ／Ｌ」〜１．０「ｇ／Ｌ」、５−アミノ
テトラゾールを０．０５「ｇ／Ｌ」〜０．５「ｇ／Ｌ」
を９５％以上のエチルアルコールに溶解したものであ
る。また、二塩基酸のイソプロパノールアミン塩は５−
アミノテトラゾールの３倍以上となるようにしている。
なお、エチルアルコールは、変性剤を加えた変性アルコ
ールであってもよい。
ステル等のコンプレックスエステル（例えば、日本油脂
株式会社製「ユニスターＣ３３７３Ａ」）を１．０「ｇ
（グラム）／Ｌ（リットル）」〜１０．０「ｇ／Ｌ」、
二塩基酸（例えば、岡村油脂株式会社製「ＳＢ−２
０」）を０．５「ｇ／Ｌ」〜５．０「ｇ／Ｌ」、二塩基
酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩（いわゆる二
塩基酸のイソプロパノールアミン塩）を０．１「ｇ／
Ｌ」〜１．０「ｇ／Ｌ」、５−メチルベンゾトリアゾー
ルを０．１「ｇ／Ｌ」〜１．０「ｇ／Ｌ」、５−アミノ
テトラゾールを０．０５「ｇ／Ｌ」〜０．５「ｇ／Ｌ」
を９５％以上のエチルアルコールに溶解したものであ
る。また、二塩基酸のイソプロパノールアミン塩は５−
アミノテトラゾールの３倍以上となるようにしている。
なお、エチルアルコールは、変性剤を加えた変性アルコ
ールであってもよい。
【００１５】次に第二実施の形態を説明する。電子部品
用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成した銀を主成分とする厚み０．５［μｍ］
〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤に
より前記表面層のピンホールを封孔して構成した。封孔
処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成した銀を主成分とする厚み０．５［μｍ］
〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤に
より前記表面層のピンホールを封孔して構成した。封孔
処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
【００１６】次に第三実施の形態を説明する。電子部品
用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成したパラジウムを主成分とする厚み０．０
５［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封
孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成
した。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用
いている。
用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成したパラジウムを主成分とする厚み０．０
５［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封
孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成
した。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用
いている。
【００１７】次に第四実施の形態を説明する。電子部品
用材料に相当するコネクタピン１は、図３に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成したパラジウムを主成分とする厚み０．０
５［μｍ］〜２．０［μｍ］の中間層５と、該中間層の
上にメッキ処理により形成した金を主成分とする厚み
０．０１［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有
し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔し
て構成した。なお、中間層５はパラジウムに限られるも
のでなく、パラジウムニッケル等のパラジウム合金であ
ってもよい。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のも
のを用いている。
用材料に相当するコネクタピン１は、図３に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成したパラジウムを主成分とする厚み０．０
５［μｍ］〜２．０［μｍ］の中間層５と、該中間層の
上にメッキ処理により形成した金を主成分とする厚み
０．０１［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有
し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔し
て構成した。なお、中間層５はパラジウムに限られるも
のでなく、パラジウムニッケル等のパラジウム合金であ
ってもよい。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のも
のを用いている。
【００１８】次に第五実施の形態を説明する。電子部品
用材料に相当するコネクタピン１は、図３に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成した銀を主成分とする厚み０．５［μｍ］
〜２．０［μｍ］の中間層５と、該中間層の上にメッキ
処理により形成した錫を主成分とする厚み０．１［μ
ｍ］〜０．５［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理
剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。
封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いてい
る。
用材料に相当するコネクタピン１は、図３に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成した銀を主成分とする厚み０．５［μｍ］
〜２．０［μｍ］の中間層５と、該中間層の上にメッキ
処理により形成した錫を主成分とする厚み０．１［μ
ｍ］〜０．５［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理
剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。
封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いてい
る。
【００１９】次に第六実施の形態を説明する。電子部品
用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成した金を主成分とする厚み０．０１［μ
ｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理
剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。
封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いてい
る。
用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すよう
に、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニ
ッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜
５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処
理により形成した金を主成分とする厚み０．０１［μ
ｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理
剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。
封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いてい
る。
【００２０】
（実施例１）コネクタピンの基材上にメッキ処理により
厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層
と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが
０．２［μｍ］の錫の表面層と、を設け、封孔処理剤に
より前記表面層のピンホールを封孔した。
厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層
と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが
０．２［μｍ］の錫の表面層と、を設け、封孔処理剤に
より前記表面層のピンホールを封孔した。
【００２１】封孔処理剤は、封孔処理剤は、ネオペンチ
ルポリオールエステル等のコンプレックスエステル（例
えば、日本油脂株式会社製「ユニスターＣ３３７３
Ａ」）を３．２［ｇ／Ｌ］、二塩基酸（岡村油脂株式会
社製「ＳＢ−２０」）を１．５［ｇ／Ｌ］、二塩基酸の
β−アミノイソプロピルアルコール塩（いわゆる二塩基
酸のイソプロパノールアミン塩）を０．３［ｇ／Ｌ］、
５−メチルベンゾトリアゾールを０．２［ｇ／Ｌ］、５
−アミノテトラゾールを０．１［ｇ／Ｌ］を９５％のエ
チルアルコールに溶解したものである。
ルポリオールエステル等のコンプレックスエステル（例
えば、日本油脂株式会社製「ユニスターＣ３３７３
Ａ」）を３．２［ｇ／Ｌ］、二塩基酸（岡村油脂株式会
社製「ＳＢ−２０」）を１．５［ｇ／Ｌ］、二塩基酸の
β−アミノイソプロピルアルコール塩（いわゆる二塩基
酸のイソプロパノールアミン塩）を０．３［ｇ／Ｌ］、
５−メチルベンゾトリアゾールを０．２［ｇ／Ｌ］、５
−アミノテトラゾールを０．１［ｇ／Ｌ］を９５％のエ
チルアルコールに溶解したものである。
【００２２】（実施例２）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが１．０［μｍ］の銀の表面層と、を設け、封
孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。封
孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが１．０［μｍ］の銀の表面層と、を設け、封
孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。封
孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
【００２３】（実施例３）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．１［μｍ］のパラジウムの表面層と、を
設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔
した。封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いてい
る。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．１［μｍ］のパラジウムの表面層と、を
設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔
した。封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いてい
る。
【００２４】（実施例４）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．１［μｍ］のパラジウムの中間層と、該
中間層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．０５
［μｍ］の金の表面層とを設け、封孔処理剤により前記
表面層のピンホールを封孔した。封孔処理剤は、実施例
１と同じものを用いている。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．１［μｍ］のパラジウムの中間層と、該
中間層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．０５
［μｍ］の金の表面層とを設け、封孔処理剤により前記
表面層のピンホールを封孔した。封孔処理剤は、実施例
１と同じものを用いている。
【００２５】（実施例５）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが１．０［μｍ］の銀の中間層と、該中間層の
上にメッキ処理により形成した厚みが０．２［μｍ］の
錫の表面層とを設け、封孔処理剤により前記表面層のピ
ンホールを封孔した。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが１．０［μｍ］の銀の中間層と、該中間層の
上にメッキ処理により形成した厚みが０．２［μｍ］の
錫の表面層とを設け、封孔処理剤により前記表面層のピ
ンホールを封孔した。
【００２６】（実施例６）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．０５［μｍ］の金の表面層と、を設け、
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。
封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．０５［μｍ］の金の表面層と、を設け、
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。
封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
【００２７】（比較例１）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが３．０［μｍ］の錫鉛合金の表面層と、を設
け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔し
た。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが３．０［μｍ］の錫鉛合金の表面層と、を設
け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔し
た。
【００２８】（比較例２）コネクタピンの基材上にメッ
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．２［μｍ］の錫合金の表面層と、を設
け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔し
た。厚みを０．２［μｍ］としているのは、ウィスカの
発生を防止するためである。
キ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッ
ケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成
した厚みが０．２［μｍ］の錫合金の表面層と、を設
け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔し
た。厚みを０．２［μｍ］としているのは、ウィスカの
発生を防止するためである。
【００２９】そして、上記の実施例１乃至実施例６のコ
ネクタピンと、比較例１、比較例２のコネクタピンをそ
れぞれ、フラックスを用いない条件で、平衡法により濡
れ性試験を行ったところ、比較例１のコネクタピンは濡
れ時間が約３．０秒から５．０秒であり、比較例２では
５．０秒以上（５．０秒以上は計測していない）であっ
た。なお、この濡れ時間は時間が短い程、濡れ性がよい
ことを示す。
ネクタピンと、比較例１、比較例２のコネクタピンをそ
れぞれ、フラックスを用いない条件で、平衡法により濡
れ性試験を行ったところ、比較例１のコネクタピンは濡
れ時間が約３．０秒から５．０秒であり、比較例２では
５．０秒以上（５．０秒以上は計測していない）であっ
た。なお、この濡れ時間は時間が短い程、濡れ性がよい
ことを示す。
【００３０】一方、実施例１のコネクタピンの濡れ時間
は約０．３秒から０．４秒、実施例２のコネクタピンは
濡れ時間が約１．０秒から２．０秒、実施例３のコネク
タピンは濡れ時間は約０．４秒から０．５秒、実施例４
のコネクタピンの濡れ時間は約０．２秒から０．３秒、
実施例５のコネクタピンは約０．３秒から０．４秒であ
った。
は約０．３秒から０．４秒、実施例２のコネクタピンは
濡れ時間が約１．０秒から２．０秒、実施例３のコネク
タピンは濡れ時間は約０．４秒から０．５秒、実施例４
のコネクタピンの濡れ時間は約０．２秒から０．３秒、
実施例５のコネクタピンは約０．３秒から０．４秒であ
った。
【００３１】以上より、実施例１乃至実施例６のコネク
タピンにあっては、鉛を含んでおらず、且つ濡れ性のよ
いものとなっている。
タピンにあっては、鉛を含んでおらず、且つ濡れ性のよ
いものとなっている。
【００３２】また、封孔処理を施してピンホールを無く
しているため、表面層が薄いものであっても、耐食性に
優れたものとなっている。
しているため、表面層が薄いものであっても、耐食性に
優れたものとなっている。
【００３３】
【発明の効果】本発明のコネクタピンは上述のように構
成してあるから、請求項１記載の発明にあっては、請求
項１記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメ
ッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上に形成
した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレック
スエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロ
ピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５
−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルア
ルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピン
ホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理
被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を
提供できるという効果を奏する。
成してあるから、請求項１記載の発明にあっては、請求
項１記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメ
ッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上に形成
した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレック
スエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロ
ピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５
−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルア
ルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピン
ホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理
被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を
提供できるという効果を奏する。
【００３４】請求項２記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずし
て、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効
果を奏する。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずし
て、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効
果を奏する。
【００３５】請求項３記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステル
と二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコ
ール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテ
トラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに
溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封
孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を
含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できる
という効果を奏する。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステル
と二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコ
ール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテ
トラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに
溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封
孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を
含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できる
という効果を奏する。
【００３６】請求項４記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により
形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレ
ックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソ
プロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾール
と５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチ
ルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層の
ピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面
処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材
料を提供できるという効果を奏する。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主
成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により
形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレ
ックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソ
プロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾール
と５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチ
ルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層の
ピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面
処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材
料を提供できるという効果を奏する。
【００３７】請求項５記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した
錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエ
ステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピル
アルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−ア
ミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコ
ールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホー
ルを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜
に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供
できるという効果を奏する。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とす
る中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した
錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエ
ステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピル
アルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−ア
ミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコ
ールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホー
ルを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜
に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供
できるという効果を奏する。
【００３８】請求項６記載の発明にあっては、基材であ
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずし
て、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効
果を奏する。
る金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該
下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とす
る表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基
酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と
５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾー
ルとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した
封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してな
ることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずし
て、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効
果を奏する。
【図１】電子部品用材料の説明図であり、（ａ）は正面
図、（ｂ）は側面断面図である。
図、（ｂ）は側面断面図である。
【図２】電子部品用材料の要部の側面断面図である。
【図３】電子部品用材料の要部の側面断面図である。
１ 電子部品用材料 ２ 基材 ３ 下地層 ４ 表面層 ５ 中間層
Claims (6)
- 【請求項１】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層と、該下地層の上に形成した錫を主成
分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと
二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコー
ル塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテト
ラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶
解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔
してなることを特徴とする電子部品用材料。 - 【請求項２】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により
形成した銀を主成分とする表面層と、を有し、コンプレ
ックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソ
プロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾール
と５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチ
ルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層の
ピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用
材料。 - 【請求項３】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により
形成したパラジウムを主成分とする表面層と、を有し、
コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−ア
ミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリ
アゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコール
とをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記
表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電
子部品用材料。 - 【請求項４】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により
形成したパラジウムを主成分とする中間層と、該中間層
の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面
層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二
塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メ
チルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエ
チルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処
理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなること
を特徴とする電子部品用材料。 - 【請求項５】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により
形成した銀を主成分とする中間層と、該中間層の上にメ
ッキ処理により形成した錫を主成分とする表面層と、を
有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸の
β−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベン
ゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアル
コールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤によ
り前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴と
する電子部品用材料。 - 【請求項６】 基材である金属材料上にメッキ処理によ
り形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により
形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレ
ックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソ
プロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾール
と５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチ
ルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層の
ピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13507197A JP3562212B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 電子部品用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13507197A JP3562212B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 電子部品用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326636A true JPH10326636A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3562212B2 JP3562212B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=15143181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13507197A Expired - Fee Related JP3562212B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 電子部品用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3562212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603205B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-05 | Fcm Co., Ltd. | Material for electronic components, method of connecting material for electronic components, ball grid array type electronic components and method of connecting ball grid array type electronic components |
| JP2010525169A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-22 | エントン インコーポレイテッド | 金属表面の強化 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13507197A patent/JP3562212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603205B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-05 | Fcm Co., Ltd. | Material for electronic components, method of connecting material for electronic components, ball grid array type electronic components and method of connecting ball grid array type electronic components |
| JP2010525169A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-22 | エントン インコーポレイテッド | 金属表面の強化 |
| US8741390B2 (en) | 2007-04-18 | 2014-06-03 | Enthone Inc. | Metallic surface enhancement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3562212B2 (ja) | 2004-09-08 |
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