JPH0313212B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0313212B2 JPH0313212B2 JP20667183A JP20667183A JPH0313212B2 JP H0313212 B2 JPH0313212 B2 JP H0313212B2 JP 20667183 A JP20667183 A JP 20667183A JP 20667183 A JP20667183 A JP 20667183A JP H0313212 B2 JPH0313212 B2 JP H0313212B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicyclohexylamine
- cyclohexylamine
- reaction
- cyclohexanol
- hydrogen
- Prior art date
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- Expired
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシクロヘキシルアミンとシクロヘキサ
ノールとを原料とするジシクロヘキシルアミンの
製造法に関するものであり、さらに詳しくは液相
一段反応によりジシクロヘキシルアミンを製造す
る方法を提供するものである。
ノールとを原料とするジシクロヘキシルアミンの
製造法に関するものであり、さらに詳しくは液相
一段反応によりジシクロヘキシルアミンを製造す
る方法を提供するものである。
ジシクロヘキシルアミンは気化性防錆剤原料或
いはゴム老化防止剤原料等として有用な物質であ
るが、通常ジシクロヘキシルアミンはシクロヘキ
サノール及び/又はシクロヘキサノンをアミノ化
してシクロヘキシルアミンを製造する際の副生物
として得られている(例えば特公昭41−7575、51
−41627等)。この場合ジシクロヘキシルアミンの
副生比率は最大25%程度であり、需要が増加して
もシクロヘキシルアミンの生産量によつて制約を
受けるという問題があつた。逆にシクロヘキシル
アミンの需要が増加し、一方ジシクロヘキシルア
ミンの需要が低迷している場合には反応条件を適
宜調節することによりジシクロヘキシルアミンの
副生率を抑制することが可能であり問題はない。
いはゴム老化防止剤原料等として有用な物質であ
るが、通常ジシクロヘキシルアミンはシクロヘキ
サノール及び/又はシクロヘキサノンをアミノ化
してシクロヘキシルアミンを製造する際の副生物
として得られている(例えば特公昭41−7575、51
−41627等)。この場合ジシクロヘキシルアミンの
副生比率は最大25%程度であり、需要が増加して
もシクロヘキシルアミンの生産量によつて制約を
受けるという問題があつた。逆にシクロヘキシル
アミンの需要が増加し、一方ジシクロヘキシルア
ミンの需要が低迷している場合には反応条件を適
宜調節することによりジシクロヘキシルアミンの
副生率を抑制することが可能であり問題はない。
従つてジシクロヘキシルアミンの需要増に対応
してジシクロヘキシルアミンを主生成物とする製
造法の開発が必要とされる訳であるが、従来より
知られている方法は高温高圧下でシクロヘキシル
アミンとシクロヘキサノン間で脱水反応を行わし
めジシクロヘキシルイミンを製造し、これとさら
に加圧下で水素添加しジシクロヘキシルアミンを
得る方法である(下式参照)。
してジシクロヘキシルアミンを主生成物とする製
造法の開発が必要とされる訳であるが、従来より
知られている方法は高温高圧下でシクロヘキシル
アミンとシクロヘキサノン間で脱水反応を行わし
めジシクロヘキシルイミンを製造し、これとさら
に加圧下で水素添加しジシクロヘキシルアミンを
得る方法である(下式参照)。
この方法は2段反応である上にいずれの反応も
加圧下で行うため設備が大がかりになると云う欠
点を有しており、さらに中間体であるイミンを蒸
留分離する工程を必要とする上にイミン自体が不
安定な物質で着色しやすく、これがジシクロヘキ
シルアミンの品質に悪影響を及ぼす欠点もある。
加圧下で行うため設備が大がかりになると云う欠
点を有しており、さらに中間体であるイミンを蒸
留分離する工程を必要とする上にイミン自体が不
安定な物質で着色しやすく、これがジシクロヘキ
シルアミンの品質に悪影響を及ぼす欠点もある。
そこで、本発明者等は効率良く低コストでジシ
クロヘキシルアミンを製造する方法につき鋭意検
討を重ね、本発明を完成させることができたので
ある。本発明者等は既に気相でシクロヘキシルア
ミンとシクロヘキサノールとを反応させる方法に
ついて発明を完成し、特許出願したが(特願昭58
−131663号)、本発明はシクロヘキシルアミンと
シクロヘキサノールとを液相で反応させ、イミン
を経ずにジシクロヘキシルアミンを得る方法に関
するものである。
クロヘキシルアミンを製造する方法につき鋭意検
討を重ね、本発明を完成させることができたので
ある。本発明者等は既に気相でシクロヘキシルア
ミンとシクロヘキサノールとを反応させる方法に
ついて発明を完成し、特許出願したが(特願昭58
−131663号)、本発明はシクロヘキシルアミンと
シクロヘキサノールとを液相で反応させ、イミン
を経ずにジシクロヘキシルアミンを得る方法に関
するものである。
即ち、本発明は液相でシクロヘキシルアミンと
シクロヘキサノールとを反応させてジシクロヘキ
シルアミンを製造するに当り、該反応を水素の存
在下で行うことを特徴とするものである。シクロ
ヘキシルアミンとシクロヘキサノールを液相で反
応させ、一段でジシクロヘキシルアミンを製造す
べく反応温度、圧力、触媒等の条件を変更しても
脱水反応はほとんど進行せずジシクロヘキシルア
ミンは生成しない。しかるに反応を水素の存在下
で行うと反応は進行し、ジシクロヘキシルアミン
が生成するのである。
シクロヘキサノールとを反応させてジシクロヘキ
シルアミンを製造するに当り、該反応を水素の存
在下で行うことを特徴とするものである。シクロ
ヘキシルアミンとシクロヘキサノールを液相で反
応させ、一段でジシクロヘキシルアミンを製造す
べく反応温度、圧力、触媒等の条件を変更しても
脱水反応はほとんど進行せずジシクロヘキシルア
ミンは生成しない。しかるに反応を水素の存在下
で行うと反応は進行し、ジシクロヘキシルアミン
が生成するのである。
本発明は触媒の存在下で行うのであるが、触媒
は水素添加用の触媒であればいずれでも用いるこ
とができる。水素添加用触媒としてはニツケル
系、コバルト系、貴金属系のものが通常用いられ
るが、本発明においては特にニツケル系触媒を用
いた場合に良好な結果を得ることができる。
は水素添加用の触媒であればいずれでも用いるこ
とができる。水素添加用触媒としてはニツケル
系、コバルト系、貴金属系のものが通常用いられ
るが、本発明においては特にニツケル系触媒を用
いた場合に良好な結果を得ることができる。
反応は連続、回分いずれの方式であつても良
く、原料のシクロヘキシルアミン及びシクロヘキ
サノールの仕込量比は特に制限はないがシクロヘ
キシルアミンがやや過剰の状態であることが好ま
しい。シクロヘキシルアミン/シクロヘキサノー
ルがモル比で1未満となると転化率の低下が見ら
れ、未反応の量が増加する。また水素量は連続反
応の場合、原料合計仕込量1に対し容量で1〜20
の範囲内であることが好ましく、1未満では転化
率が減少し、20より大きい場合は水素の循環量が
必要以上に多くなり、反応器を大きくする必要が
生ずる。しかし必ずしもこの制限は臨界的でな
い。
く、原料のシクロヘキシルアミン及びシクロヘキ
サノールの仕込量比は特に制限はないがシクロヘ
キシルアミンがやや過剰の状態であることが好ま
しい。シクロヘキシルアミン/シクロヘキサノー
ルがモル比で1未満となると転化率の低下が見ら
れ、未反応の量が増加する。また水素量は連続反
応の場合、原料合計仕込量1に対し容量で1〜20
の範囲内であることが好ましく、1未満では転化
率が減少し、20より大きい場合は水素の循環量が
必要以上に多くなり、反応器を大きくする必要が
生ずる。しかし必ずしもこの制限は臨界的でな
い。
反応温度は140〜170℃の範囲であることが好ま
しい。
しい。
以下実施例により本発明をさらに具体的に説明
する。
する。
実施例 1
頂部にリービツヒ型冷却管を付した容量120ml
の反応器中にNi触媒(日揮化学製N−111)を
100ml充填した。リービツヒ冷却管に水を流し、
水素を流しながら触媒層の温度を150℃迄昇温し
た後シクロヘキシルアミンを55g/h、シクロヘ
キサノールを50g/h、水素を110/minの速度
で反応器底部より仕込んだ。反応部でガス化した
液はリービツヒ冷却管部分で凝縮し、反応部に還
流する様にし、反応液は反応器側面部に設けたオ
ーバーフロー管より捕集した。温度を155℃〜160
℃に保持し、2時間反応を行つた場合の反応液組
成はシクロヘキシルアミン39.4%、シクロヘキサ
ノール30.8%、ジシクロヘキシルアミン24.8%、
ジシクロヘキシルイミン1.2%、残部水であつた。
の反応器中にNi触媒(日揮化学製N−111)を
100ml充填した。リービツヒ冷却管に水を流し、
水素を流しながら触媒層の温度を150℃迄昇温し
た後シクロヘキシルアミンを55g/h、シクロヘ
キサノールを50g/h、水素を110/minの速度
で反応器底部より仕込んだ。反応部でガス化した
液はリービツヒ冷却管部分で凝縮し、反応部に還
流する様にし、反応液は反応器側面部に設けたオ
ーバーフロー管より捕集した。温度を155℃〜160
℃に保持し、2時間反応を行つた場合の反応液組
成はシクロヘキシルアミン39.4%、シクロヘキサ
ノール30.8%、ジシクロヘキシルアミン24.8%、
ジシクロヘキシルイミン1.2%、残部水であつた。
実施例 2
実施例1において、シクロヘキシルアミン仕込
量を65g/h、反応温度を150〜160℃にした場合
の反応液組成はシクロヘキシルアミン40.0%、シ
クロヘキサノール27.8%、ジシクロヘキシルアミ
ン27.8%、ジシクロヘキシルイミン1.2%、残部
水であつた。
量を65g/h、反応温度を150〜160℃にした場合
の反応液組成はシクロヘキシルアミン40.0%、シ
クロヘキサノール27.8%、ジシクロヘキシルアミ
ン27.8%、ジシクロヘキシルイミン1.2%、残部
水であつた。
実施例 3
撹拌機を備えた容量300mlのオートクレーブ中
にシクロヘキシルアミン110g、シクロヘキサノ
ール100g、Ni系触媒(日揮化学製N−113)5gを
入れた。内部を水素置換した後160℃に加熱し、
水素をボンベより仕込み内圧を15Kg/cm2Gに保ち
撹拌をしながら1時間反応させた。反応液の組成
はシクロヘキシルアミン3.8%、ジシクロヘキシ
ルアミン87.2%、及び痕跡量の水であつた。
にシクロヘキシルアミン110g、シクロヘキサノ
ール100g、Ni系触媒(日揮化学製N−113)5gを
入れた。内部を水素置換した後160℃に加熱し、
水素をボンベより仕込み内圧を15Kg/cm2Gに保ち
撹拌をしながら1時間反応させた。反応液の組成
はシクロヘキシルアミン3.8%、ジシクロヘキシ
ルアミン87.2%、及び痕跡量の水であつた。
Claims (1)
- 1 シクロヘキシルアミンとシクロヘキサノール
とを液相で反応させジシクロヘキシルアミンを製
造する方法において、該反応を水素添加用触媒及
び水素の存在下で行うことを特徴とするジシクロ
ヘキシルアミンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20667183A JPS6097941A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ジシクロヘキシルアミンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20667183A JPS6097941A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ジシクロヘキシルアミンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6097941A JPS6097941A (ja) | 1985-05-31 |
JPH0313212B2 true JPH0313212B2 (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16527192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20667183A Granted JPS6097941A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ジシクロヘキシルアミンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6097941A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114805084B (zh) * | 2022-04-24 | 2023-09-19 | 山东达民化工股份有限公司 | 一种二环已胺的合成方法 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20667183A patent/JPS6097941A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6097941A (ja) | 1985-05-31 |
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