JPH03127020A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
- Publication number
- JPH03127020A JPH03127020A JP26668889A JP26668889A JPH03127020A JP H03127020 A JPH03127020 A JP H03127020A JP 26668889 A JP26668889 A JP 26668889A JP 26668889 A JP26668889 A JP 26668889A JP H03127020 A JPH03127020 A JP H03127020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- type
- areas
- incident light
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001467 acupuncture Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電気光学効果を利用した導波路形光変調器に
関するものである。
関するものである。
第２図はいわゆる超格子構造を有する従来の光変調器を
示す斜視図である０図において、（１００）は半絶縁性
ＧａＡｓ基板、（２０１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（１
０Ｇ）上に形成されたｎ−ＡｌＧａＡｓ層、（２０２）
はｎ−ＡｌＧａＡｓ層（２０１）上に形成されたいわゆ
る多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｗｅｌｌ、以下ＭＱＷと称す＞ｍ造で、厚さが１００人
程度の半絶縁性１−ＧａＡｓ層（１）。
示す斜視図である０図において、（１００）は半絶縁性
ＧａＡｓ基板、（２０１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（１
０Ｇ）上に形成されたｎ−ＡｌＧａＡｓ層、（２０２）
はｎ−ＡｌＧａＡｓ層（２０１）上に形成されたいわゆ
る多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｗｅｌｌ、以下ＭＱＷと称す＞ｍ造で、厚さが１００人
程度の半絶縁性１−ＧａＡｓ層（１）。
（３）、（５１・・・と、厚さが同じ＜１００人程度の
半絶縁性ｉ−Ａ ｌＧａＡｓ層（２）、（４）、（６）
・・・とを交互に配置したものからなっている。 （２
０３）はＭＱＷ構造（２０２）上に形成されたＰ−八１
ＧａＡｓＪｌで、ｎ−Ａ ｌＧａＡｓ層（２０１）とで
ＭＱＷ構造（２０２）を上下から挾み込んでいる。そし
て、入射光Ｌ１はＭＱＷ構造（２０２）の結晶成長層に
沿って伝搬し出射光Ｌ２として出力される。
半絶縁性ｉ−Ａ ｌＧａＡｓ層（２）、（４）、（６）
・・・とを交互に配置したものからなっている。 （２
０３）はＭＱＷ構造（２０２）上に形成されたＰ−八１
ＧａＡｓＪｌで、ｎ−Ａ ｌＧａＡｓ層（２０１）とで
ＭＱＷ構造（２０２）を上下から挾み込んでいる。そし
て、入射光Ｌ１はＭＱＷ構造（２０２）の結晶成長層に
沿って伝搬し出射光Ｌ２として出力される。
次に動作について説明する。先ず、ｎ−ＡＩＧａＡＪｌ
（２０１）とｐ−ＡｌＧａＡｓ層（２０３）との間に電
圧を印加しない状態で、ＭＱＷｉｌ造（２０２）によっ
て定まるエキシトンピークに一致する波長の光を入射光
Ｌｌとして入射すると、大部分の光は吸収を受は出射光
Ｌ２の強度は掻く低い値となる０次に、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ層（２０３）に負、ｎ−ＡＩＧａＡｓＪｌｉ（２０１
）に正の電圧を印加し、光変調器を逆バイアス状態にす
ると、ＭＱＷ構造（２０２）のエキシトンピークの波長
は入射光Ｌｌの波長からシフトするので、入射光Ｌｌは
吸収を受けることな（、ＭＱＷ構造（２０２）を透過し
、出射光Ｌ２の強度は高い値となる。即ち、電圧を制御
することにより、出射光Ｌ２の強度を変化させる光変調
動作が実現される訳である。
（２０１）とｐ−ＡｌＧａＡｓ層（２０３）との間に電
圧を印加しない状態で、ＭＱＷｉｌ造（２０２）によっ
て定まるエキシトンピークに一致する波長の光を入射光
Ｌｌとして入射すると、大部分の光は吸収を受は出射光
Ｌ２の強度は掻く低い値となる０次に、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ層（２０３）に負、ｎ−ＡＩＧａＡｓＪｌｉ（２０１
）に正の電圧を印加し、光変調器を逆バイアス状態にす
ると、ＭＱＷ構造（２０２）のエキシトンピークの波長
は入射光Ｌｌの波長からシフトするので、入射光Ｌｌは
吸収を受けることな（、ＭＱＷ構造（２０２）を透過し
、出射光Ｌ２の強度は高い値となる。即ち、電圧を制御
することにより、出射光Ｌ２の強度を変化させる光変調
動作が実現される訳である。
従来の光変調器は以上のように構成されているので、一
定の条件内では所定の光変調動作が得られるが、例えば
入射光Ｌｌの強度範囲、またその波長変動等により必ず
しも満足のいく光変調特性が得られないという問題点が
あった。
定の条件内では所定の光変調動作が得られるが、例えば
入射光Ｌｌの強度範囲、またその波長変動等により必ず
しも満足のいく光変調特性が得られないという問題点が
あった。
即ち、入射光Ｌｌの強度が一定以上強くなると、ＭＱＷ
Ｉ造（２０２）におけるエキシトン（励起子）による吸
収効果が飽和し、変調機能を喪失する。また、エキシト
ンの吸収スペクトルが急峻であるため、入射光Ｌｌの波
長や光変調器の環境温度の変化によって光変調器の透過
特性従って変調特性が大きく変動するという問題点があ
った。
Ｉ造（２０２）におけるエキシトン（励起子）による吸
収効果が飽和し、変調機能を喪失する。また、エキシト
ンの吸収スペクトルが急峻であるため、入射光Ｌｌの波
長や光変調器の環境温度の変化によって光変調器の透過
特性従って変調特性が大きく変動するという問題点があ
った。
これらの問題を避けるため、入射光Ｌｌの波長をエキシ
トンによる吸収端より長波長側にずらし、主としてＭＱ
Ｗｌ’ｉ造（２０２）の屈折率変化を利用する方法が考
えられる。しかし、この場合、前述した吸収効果の飽和
の問題は解消されるが、この屈折率の変化量は小さく、
そのままでは光変調器として大きな変調度を期待するこ
とができない。
トンによる吸収端より長波長側にずらし、主としてＭＱ
Ｗｌ’ｉ造（２０２）の屈折率変化を利用する方法が考
えられる。しかし、この場合、前述した吸収効果の飽和
の問題は解消されるが、この屈折率の変化量は小さく、
そのままでは光変調器として大きな変調度を期待するこ
とができない。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、入射光の強度や波長の変動による影響が小さ
く、しかも高い変調度が得られる光変調器を得ることを
目的とする。
たもので、入射光の強度や波長の変動による影響が小さ
く、しかも高い変調度が得られる光変調器を得ることを
目的とする。
この発明に係る光変調器は、電気光学効果を有する半導
体基板に形成された光導波路内に、光の伝搬方向に沿っ
て交互にｐおよびｎ形導波領域を１組以上形成しかつそ
の各導波領域の伝搬方向の幅を伝搬光の鍼波長の整数倍
にするとともに、上記光導波路に接し伝搬方向と直角の
方向に所定の間隔を設けてｐおよびｎ形電極領域を形成
したものである。
体基板に形成された光導波路内に、光の伝搬方向に沿っ
て交互にｐおよびｎ形導波領域を１組以上形成しかつそ
の各導波領域の伝搬方向の幅を伝搬光の鍼波長の整数倍
にするとともに、上記光導波路に接し伝搬方向と直角の
方向に所定の間隔を設けてｐおよびｎ形電極領域を形成
したものである。
例えば、各導波領域の屈折率を等しく設定しておくと、
画電極領域間に電圧を印加しない状態では入射光は先導
波路内をほとんど吸収されることなくそのまま透過する
０次に、両Ｔｔ極領域間に電圧を印加すると、ｐおよび
ｎ形導波領域の屈折率に差が生じ、入射光に対してこれ
ら導波領域はいわゆるブラッグ反射器として作用し入射
光を遮断して出射光の強度が大きく低下する。
画電極領域間に電圧を印加しない状態では入射光は先導
波路内をほとんど吸収されることなくそのまま透過する
０次に、両Ｔｔ極領域間に電圧を印加すると、ｐおよび
ｎ形導波領域の屈折率に差が生じ、入射光に対してこれ
ら導波領域はいわゆるブラッグ反射器として作用し入射
光を遮断して出射光の強度が大きく低下する。
第１図はこの発明の一実施例による光変調器を示す斜視
図である８図において、（１００）は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、（３０１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（１００）上
に分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｇ
＋ Ｅｐｉｔａｘｙ、以下ＭＢＥと称す）成長法等によ
り形成された１−ＡｔＧａＡｓ層、（３０２）は１−Ａ
ｔＧａＡｓ層（３０１）上にやはりＭＢＥ成長法等によ
り形成された１−ＧａＡｓ層で、光導波路を構成し、高
次モードの励起を避けるため０．２μ園程度の厚みに設
定される。そして、この１−ＧａＡｓ層（３０２）には
イオン注入法や集束イオンビーム注入法を用いてｐ形導
波領域であるｐ−ＧａＡｓ層（３１０（３１３）・・・
と、ｎ形導波領域であるｎ−ＧａＡｓＪ１！ｆ （３１
２）（３１０・・・とが交互に形成される。このｐおよ
びｎ形導波領域は例えば５０組程度形成される。また、
各導波領域の光伝搬方向の幅寸法は、伝搬光の波長のｈ
とする０例えば、入射光Ｌｌの波長が９０００人で、１
−ＧａＡｓ層＜３０２）の屈折率が３の場合、上記幅寸
法は７５０人程度となる。この点、従来の１−ＧａＡｓ
層（１）等に比較して幅寸法が大きいので、製法もその
分容易となる。更に、ｐ−ＧａＡｓ１ （３１１）等の
不純物濃度は、ｐ−ＧａＡｓＪｌ （３１１）等の屈折
率とｎ−ＧａＡｓＮＩ（３１２）等の屈折率とが等しく
なる条件、例えば８Ｘ １０１１０ｌ７’程度に設定す
る。不純物としては、ｐ−ＧａＡｓ層（３１１）等には
Ｂｅ、 ｎ−（２ａＡｓ層（３１２）等にはＳｉなどを
用いると良いが、これらに限定されるものではない。
図である８図において、（１００）は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、（３０１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（１００）上
に分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｇ
＋ Ｅｐｉｔａｘｙ、以下ＭＢＥと称す）成長法等によ
り形成された１−ＡｔＧａＡｓ層、（３０２）は１−Ａ
ｔＧａＡｓ層（３０１）上にやはりＭＢＥ成長法等によ
り形成された１−ＧａＡｓ層で、光導波路を構成し、高
次モードの励起を避けるため０．２μ園程度の厚みに設
定される。そして、この１−ＧａＡｓ層（３０２）には
イオン注入法や集束イオンビーム注入法を用いてｐ形導
波領域であるｐ−ＧａＡｓ層（３１０（３１３）・・・
と、ｎ形導波領域であるｎ−ＧａＡｓＪ１！ｆ （３１
２）（３１０・・・とが交互に形成される。このｐおよ
びｎ形導波領域は例えば５０組程度形成される。また、
各導波領域の光伝搬方向の幅寸法は、伝搬光の波長のｈ
とする０例えば、入射光Ｌｌの波長が９０００人で、１
−ＧａＡｓ層＜３０２）の屈折率が３の場合、上記幅寸
法は７５０人程度となる。この点、従来の１−ＧａＡｓ
層（１）等に比較して幅寸法が大きいので、製法もその
分容易となる。更に、ｐ−ＧａＡｓ１ （３１１）等の
不純物濃度は、ｐ−ＧａＡｓＪｌ （３１１）等の屈折
率とｎ−ＧａＡｓＮＩ（３１２）等の屈折率とが等しく
なる条件、例えば８Ｘ １０１１０ｌ７’程度に設定す
る。不純物としては、ｐ−ＧａＡｓ層（３１１）等には
Ｂｅ、 ｎ−（２ａＡｓ層（３１２）等にはＳｉなどを
用いると良いが、これらに限定されるものではない。
（３０３）は１−ＧａＡｓ層（３０２）上にＭＯＢ成長
法等により形成された１−ＡｔＧａＡｓ層である。そし
て、（４０１）および（４０２）は、選択拡散等の方法
により、光の伝搬方向と直角の方向に所定の間隔を設け
て１−ＧａＡｓ層（３０２）に形成されたｐ形電極領域
およびｎ形電種領域である。ｐ形電極領域（４０１）と
ｎ形電極領域（４０２＞との間隔としては、基本横モー
ドのみが伝搬できる数μｍが適当である。なお、光の入
射面と出射面とには無反射コーティングが施されている
。
法等により形成された１−ＡｔＧａＡｓ層である。そし
て、（４０１）および（４０２）は、選択拡散等の方法
により、光の伝搬方向と直角の方向に所定の間隔を設け
て１−ＧａＡｓ層（３０２）に形成されたｐ形電極領域
およびｎ形電種領域である。ｐ形電極領域（４０１）と
ｎ形電極領域（４０２＞との間隔としては、基本横モー
ドのみが伝搬できる数μｍが適当である。なお、光の入
射面と出射面とには無反射コーティングが施されている
。
次に動作について説明する。先ず、ｐ形電極領域（４０
１）とｎ形電極領域（４０２）との間に電圧を印加せず
バイアスが零の場合には、この光変調器は無反射コーテ
ィングが施されたＧａＡｓｒｒ！Ｊと同じであるので、
入射光Ｌｌはそのまま光変調器を透過し出射光Ｌ２とし
て出力される。即ち、透過率はほぼ１である０次に、ｐ
形電極績域（４０１）とｎ形電極領域（４０２）との間
に電圧を印加してｐ−ＧａＡｓＪＷ （３１１）等に順
方向にバイアスをかけると、ｐ−ＧａＡｓ１ （３１１
）、（３１３）、・・・へは電子注入で電子が注入され
、その結果、いわゆるプラズマ効果によりその屈折率は
１％程度小さくなる。入射光Ｌｌからこの状態の光変調
器を見ると４波長毎に屈折率が変化している媒質、即ち
ブラッグ反射器を見ることになり、入射光Ｌｌの大部分
は反射され出射光Ｌ２の強度は著しく低下する。従って
、バイアスを制御することにより大きな変調効果が得ら
れる訳である。
１）とｎ形電極領域（４０２）との間に電圧を印加せず
バイアスが零の場合には、この光変調器は無反射コーテ
ィングが施されたＧａＡｓｒｒ！Ｊと同じであるので、
入射光Ｌｌはそのまま光変調器を透過し出射光Ｌ２とし
て出力される。即ち、透過率はほぼ１である０次に、ｐ
形電極績域（４０１）とｎ形電極領域（４０２）との間
に電圧を印加してｐ−ＧａＡｓＪＷ （３１１）等に順
方向にバイアスをかけると、ｐ−ＧａＡｓ１ （３１１
）、（３１３）、・・・へは電子注入で電子が注入され
、その結果、いわゆるプラズマ効果によりその屈折率は
１％程度小さくなる。入射光Ｌｌからこの状態の光変調
器を見ると４波長毎に屈折率が変化している媒質、即ち
ブラッグ反射器を見ることになり、入射光Ｌｌの大部分
は反射され出射光Ｌ２の強度は著しく低下する。従って
、バイアスを制御することにより大きな変調効果が得ら
れる訳である。
例えば、電子注入効果によって、 ｐ−ＧａＡｓ層（３
１１）等の屈折率が、３．５９から３．５０にわずか変
化しただけでも、ｐ、ｎ形導波領域の組数が５０組あれ
ば、無バイアス時にｌであった透過率が約０．３とｈ以
下に低減する。
１１）等の屈折率が、３．５９から３．５０にわずか変
化しただけでも、ｐ、ｎ形導波領域の組数が５０組あれ
ば、無バイアス時にｌであった透過率が約０．３とｈ以
下に低減する。
また、逆方向にバイアスをかけた場合には、広がった空
乏層の存在でやはり屈折率が周期的に変化し、順方向バ
イアスの場合と同様の効果が期待できる。
乏層の存在でやはり屈折率が周期的に変化し、順方向バ
イアスの場合と同様の効果が期待できる。
ここで、ブラッグ反射の効果は、入射光Ｌ１の波長の変
動に影響されるが、従来のエキシトンの吸収スペクトル
に比較してその変化特性は一般にゆるやかであり、結果
として波長変動の変調率への影響は抑制される。
動に影響されるが、従来のエキシトンの吸収スペクトル
に比較してその変化特性は一般にゆるやかであり、結果
として波長変動の変調率への影響は抑制される。
なお、上記実施例ではｐ、ｎ形導波領域を５０組設けて
いるが、要求される変調度等により、適宜この組数を増
減してもよい、また、各領域の数は厳密に偶数である必
要はなく奇数となってもよい。
いるが、要求される変調度等により、適宜この組数を増
減してもよい、また、各領域の数は厳密に偶数である必
要はなく奇数となってもよい。
また、上記実施例では、ｐ、ｎ形導波領域の各屈折率を
、バイアスをかけない状態で等しくなるように設定した
が、例えば、一定のノくイアス状態で両者の屈折率が等
しくなるようにしてもよｌ／）。
、バイアスをかけない状態で等しくなるように設定した
が、例えば、一定のノくイアス状態で両者の屈折率が等
しくなるようにしてもよｌ／）。
更に、上記実施例ではｐ−ＧａＡｓＪｌ （３１１）等
の幅寸法を伝搬光の鳩波長としたが、これの整数倍とし
ても同様の効果が期待できる。また、半導体材料として
ＧａＡｓを例に挙げたが、他の材料、例えばＩＴＩＰ、
ＩｎＧａＡｓ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等を適用してもよい。
の幅寸法を伝搬光の鳩波長としたが、これの整数倍とし
ても同様の効果が期待できる。また、半導体材料として
ＧａＡｓを例に挙げたが、他の材料、例えばＩＴＩＰ、
ＩｎＧａＡｓ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等を適用してもよい。
また、ｐおよびｎ形導波領域を、ｐ−ＧａＡｓ層および
ｎ−ＧａＡｓＪｉの組合わせとしたが、屈折率を相互に
等しくできるｐ−ＧａＡｓ層およびｎ−ＡｌＧａＡｓ層
の組合わせで構成するようにしてもよい。
ｎ−ＧａＡｓＪｉの組合わせとしたが、屈折率を相互に
等しくできるｐ−ＧａＡｓ層およびｎ−ＡｌＧａＡｓ層
の組合わせで構成するようにしてもよい。
以上のように、この発明では、所定のｐおよびｎ形導波
領域とｐおよびｎ形電極領域とを形成し、上記各導波領
域へのバイアスを制御してその屈折率を周期的に変化さ
せるようにしたので、いわゆるブラッグ反射の原理で光
変調が行われ、入射光の波長や強度の変動による影響が
小さく、かつ高い変調度が得られる。
領域とｐおよびｎ形電極領域とを形成し、上記各導波領
域へのバイアスを制御してその屈折率を周期的に変化さ
せるようにしたので、いわゆるブラッグ反射の原理で光
変調が行われ、入射光の波長や強度の変動による影響が
小さく、かつ高い変調度が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による光変調器を示す斜視
図、第２図は従来のものを示す斜視図である。 図において、（１００）は半導体基板としての半絶縁性
ＧａＡｓ基板、（３０２）は光導波路である１−ＧａＡ
ｓＪＷ、（３１１） （３１３）・・・はｐ形導波領域
としてのｐ−ＧａＡｓ層、（３１２） （３１４）・・
・はｎ形導波領域としてのｎ−ＧａＡｓ［、（４０１）
はｐ形電極領域、＜４０２１はｎ形電極領域、Ｌｌは入
射光、Ｌ２は出射光である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は従来のものを示す斜視図である。 図において、（１００）は半導体基板としての半絶縁性
ＧａＡｓ基板、（３０２）は光導波路である１−ＧａＡ
ｓＪＷ、（３１１） （３１３）・・・はｐ形導波領域
としてのｐ−ＧａＡｓ層、（３１２） （３１４）・・
・はｎ形導波領域としてのｎ−ＧａＡｓ［、（４０１）
はｐ形電極領域、＜４０２１はｎ形電極領域、Ｌｌは入
射光、Ｌ２は出射光である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 電気光学効果を有する半導体基板に形成された光導波
路内に、光の伝搬方向に沿って交互にｐおよびｎ形導波
領域を１組以上形成しかつその各導波領域の伝搬方向の
幅を伝搬光の１／４波長の整数倍にするとともに、上記
光導波路に接し伝搬方向と直角の方向に所定の間隔を設
けてｐおよびｎ形電極領域を形成し、上記両電極領域間
の電圧を制御して上記各導波領域の屈折率を変化させる
ことにより光変調を行う光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26668889A JPH03127020A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26668889A JPH03127020A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127020A true JPH03127020A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17434316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26668889A Pending JPH03127020A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03127020A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0667126A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長フィルタ及び半導体レーザ |
| JP2009258527A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Hitachi Ltd | 光学素子 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP26668889A patent/JPH03127020A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0667126A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長フィルタ及び半導体レーザ |
| JP2009258527A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Hitachi Ltd | 光学素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7263251B2 (en) | Optical switch having photonic crystal structure | |
| JPH02129616A (ja) | 光変調装置と方法 | |
| JPS6218082A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH02272785A (ja) | 半導体デバイス | |
| US7142342B2 (en) | Electroabsorption modulator | |
| JPH02103021A (ja) | 量子井戸光デバイス | |
| JPH03127020A (ja) | 光変調器 | |
| JP2758472B2 (ja) | 光変調器 | |
| JPH08248363A (ja) | 導波形多重量子井戸光制御素子 | |
| JPH0792517A (ja) | 光周波数変換素子 | |
| JPS6184891A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH01204018A (ja) | 光変調器 | |
| JPS61107781A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0728104A (ja) | 光変調素子 | |
| JPS6017717A (ja) | 半導体光変調素子 | |
| JPS6292490A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS6332979A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04212938A (ja) | 波長変換素子 | |
| JPS63269119A (ja) | 多重量子井戸構造 | |
| EP0397690A4 (en) | Electrooptic modulator | |
| JPH0488687A (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JPH0527273A (ja) | 方向性結合器 | |
| JPH05273609A (ja) | 量子井戸を用いた光吸収制御半導体装置 | |
| JPH05323392A (ja) | 面形多重量子井戸光制御素子 | |
| JPS6358412A (ja) | 光スイツチ |