JPH0312604A - カラーフィルター上の電極形成法 - Google Patents
カラーフィルター上の電極形成法Info
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- JPH0312604A JPH0312604A JP1147704A JP14770489A JPH0312604A JP H0312604 A JPH0312604 A JP H0312604A JP 1147704 A JP1147704 A JP 1147704A JP 14770489 A JP14770489 A JP 14770489A JP H0312604 A JPH0312604 A JP H0312604A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はコンピュータ一端末などに用いられるカラー液
晶表示素子に関する。
晶表示素子に関する。
［従来の技術］
近年液晶技術の進歩により大型・大容量のカラー表示素
子が製品化されているが、大型になればなる程配線抵抗
や画素容量の影響が太き（画實に影響する。大容量化す
ればする程−画素への割り当て時間が短かくなる為この
傾向がさらに強調される。この為透明電極の低抵抗化が
検討され、厚膜化や組成の調整等が試みられている。そ
れと同時にカラーフィルターを設けたカラー液晶表示素
子に関しては、カラーフィルターとガラス基板の間に透
明電極を設けた方式（以下、下げ方式と略す）が従来取
られていたが、この場合カラーフィルター層の影響で液
晶層に加えられる電界強度が減少する点と電界印加によ
る光量変化の急峻性がそこなわれる点が問題視され、透
明電極をカラフィルタ−の上で液晶層に直接、接する位
置に設ける方式（以下、上付方式と略す）が検討されて
来ている。 （Ｈ，Ｗａｔａｎａｂｅ、ｅｔ、ａｌ、
、Ｓ／Ｄ ’８５ Ｄｉｇｅｓｔ８６ ｆ１９８５１］
、Ｗａｔａｎａｂｅ、ｅｔ、ａｌ、、Ｓ／Ｄ ’８８
Ｄｉｇｅｓｔ４１６ｆ１９８８１ など）この方式では
、カラーフィルターの保護と断線防止の平坦化を兼ねて
カラーフィルター上に保護膜を設け、その上に透明電極
を作り込む方式が取られている。
子が製品化されているが、大型になればなる程配線抵抗
や画素容量の影響が太き（画實に影響する。大容量化す
ればする程−画素への割り当て時間が短かくなる為この
傾向がさらに強調される。この為透明電極の低抵抗化が
検討され、厚膜化や組成の調整等が試みられている。そ
れと同時にカラーフィルターを設けたカラー液晶表示素
子に関しては、カラーフィルターとガラス基板の間に透
明電極を設けた方式（以下、下げ方式と略す）が従来取
られていたが、この場合カラーフィルター層の影響で液
晶層に加えられる電界強度が減少する点と電界印加によ
る光量変化の急峻性がそこなわれる点が問題視され、透
明電極をカラフィルタ−の上で液晶層に直接、接する位
置に設ける方式（以下、上付方式と略す）が検討されて
来ている。 （Ｈ，Ｗａｔａｎａｂｅ、ｅｔ、ａｌ、
、Ｓ／Ｄ ’８５ Ｄｉｇｅｓｔ８６ ｆ１９８５１］
、Ｗａｔａｎａｂｅ、ｅｔ、ａｌ、、Ｓ／Ｄ ’８８
Ｄｉｇｅｓｔ４１６ｆ１９８８１ など）この方式では
、カラーフィルターの保護と断線防止の平坦化を兼ねて
カラーフィルター上に保護膜を設け、その上に透明電極
を作り込む方式が取られている。
〔発明が解決しようとする課題１
しかしながら、上付方式のカラーフィルターでも電極の
低抵抗化が大きな課題である。特に有機膜上にインジウ
ム・スズ合金酸化物の透明電極を形成した場合、ガラス
基板上に直接成膜した場合の２０〜３０％の体積抵抗の
上昇が見られるという問題点を有していた。
低抵抗化が大きな課題である。特に有機膜上にインジウ
ム・スズ合金酸化物の透明電極を形成した場合、ガラス
基板上に直接成膜した場合の２０〜３０％の体積抵抗の
上昇が見られるという問題点を有していた。
そこで、本発明は上記問題点を解決するためになされた
ものであり、その目的とするところは、かかるカラーフ
ィルター基板上の透明導電膜の１氏抗を下げ高画質化す
ることにある。
ものであり、その目的とするところは、かかるカラーフ
ィルター基板上の透明導電膜の１氏抗を下げ高画質化す
ることにある。
［課題を解決するための手段１
本発明のカラーフィルター上の電極形成法は、透明基板
上に形成されたカラーフィルターとその保護膜とからな
るカラーフィルター基板上にフォトリソグラフ工程によ
ってレジスト膜を所望のパターンにて形成したあと無電
解メッキ法により金属膜を付与し、レジスト剥離後残さ
れた金属膜部をおおうようにして透明導電膜を形成する
ことを特徴とする。
上に形成されたカラーフィルターとその保護膜とからな
るカラーフィルター基板上にフォトリソグラフ工程によ
ってレジスト膜を所望のパターンにて形成したあと無電
解メッキ法により金属膜を付与し、レジスト剥離後残さ
れた金属膜部をおおうようにして透明導電膜を形成する
ことを特徴とする。
［実 施 例１
第１図Ａ−Ｅは本発明のカラーフィルター上の電極形成
法を薄膜トランジスタ液晶素子に適用した実施例である
。第１図Ａは、ガラ２、基板１０１とカラーフィルター
１０２及び保護膜１０３とからなるカラーフィルター基
板の断面図を表わし、第１図Ｂは保護膜の上に、塗膜・
プレベーク・露光・現像・ボストベークの一連の工程か
らなるフォトリソグラフ法により）オドレジストをバク
ン形成した状態を示している１本実施例においては１０
１のガラス基板にはパイレックスガラスを、また１０２
のカラーフィルターはレジスト基質に顔料を練り込んだ
ものをフォトプロセスによリパターン化する事により形
成し、保護膜にはボッイミド系の高分子材料を使用した
。フォトレジストにはポジ型のものを使用した。第１図
Ｃは保護膜、フォｉ・レジスト膜上を無電解メッキによ
り被膜した様子を示しており、本実施例では金属パラジ
ウム触媒を用いたニッケルメッキとそのニッケルメッキ
の置換メッキによる金メッキの二層構造のものを採用し
た。第１図りは前記メッキ部を残しレジストを除去した
後の状態を示しており、剥１１ｉ１液は有機系のものを
使用しポリイミド膿及びメッキ膜に影響のないようにし
た。第１図Ｅは前記メッキ膜部をおおうようにもうけら
れた透明電極＋０７をスパッタ法により形成した様子を
示している。第２図は前記カラーフィルターの平面図を
示している。２００Ｘ２００μｍピッチの画素を画素サ
イズ１６０Ｘ １６０μｍ画素間を４０μｍηとした。
法を薄膜トランジスタ液晶素子に適用した実施例である
。第１図Ａは、ガラ２、基板１０１とカラーフィルター
１０２及び保護膜１０３とからなるカラーフィルター基
板の断面図を表わし、第１図Ｂは保護膜の上に、塗膜・
プレベーク・露光・現像・ボストベークの一連の工程か
らなるフォトリソグラフ法により）オドレジストをバク
ン形成した状態を示している１本実施例においては１０
１のガラス基板にはパイレックスガラスを、また１０２
のカラーフィルターはレジスト基質に顔料を練り込んだ
ものをフォトプロセスによリパターン化する事により形
成し、保護膜にはボッイミド系の高分子材料を使用した
。フォトレジストにはポジ型のものを使用した。第１図
Ｃは保護膜、フォｉ・レジスト膜上を無電解メッキによ
り被膜した様子を示しており、本実施例では金属パラジ
ウム触媒を用いたニッケルメッキとそのニッケルメッキ
の置換メッキによる金メッキの二層構造のものを採用し
た。第１図りは前記メッキ部を残しレジストを除去した
後の状態を示しており、剥１１ｉ１液は有機系のものを
使用しポリイミド膿及びメッキ膜に影響のないようにし
た。第１図Ｅは前記メッキ膜部をおおうようにもうけら
れた透明電極＋０７をスパッタ法により形成した様子を
示している。第２図は前記カラーフィルターの平面図を
示している。２００Ｘ２００μｍピッチの画素を画素サ
イズ１６０Ｘ １６０μｍ画素間を４０μｍηとした。
１０２Ｒ，１０２Ｇ、１０２Ｂはそれぞれ赤、緑、青の
画素に相等し１０６はメッキ電極部を示している。メッ
キ部の幅は８０μｍとしブラックマスクを兼ねる構造と
した。メッキ層の厚みは０３μｍで透明電極に用いたイ
ンジウム・スズ合金酸化物のスパック膜の厚みは１００
０人とした。その際の面積抵抗は３Ω／ワとなり抵抗値
を下げる事が出来た。
画素に相等し１０６はメッキ電極部を示している。メッ
キ部の幅は８０μｍとしブラックマスクを兼ねる構造と
した。メッキ層の厚みは０３μｍで透明電極に用いたイ
ンジウム・スズ合金酸化物のスパック膜の厚みは１００
０人とした。その際の面積抵抗は３Ω／ワとなり抵抗値
を下げる事が出来た。
［発明の効果１
本発明によればメッキ法により形成された補助電極によ
り有ｔｉ膜上の電極の抵抗値を低くする事が出来た。
り有ｔｉ膜上の電極の抵抗値を低くする事が出来た。
第１図Ａ−Ｅは本発明に用いたカラーフィルター上の電
極形成法を示した断面図、第２図はその平面図である。 ０１ ０２ ０３ ０４ ０５ ０６ ０７ ガラス基板 カラーフィルター 保護膜 レジスト メッキ膜 金属メッキ部 ・透明導電膜 以上
極形成法を示した断面図、第２図はその平面図である。 ０１ ０２ ０３ ０４ ０５ ０６ ０７ ガラス基板 カラーフィルター 保護膜 レジスト メッキ膜 金属メッキ部 ・透明導電膜 以上
Claims (1)
- 透明基板上に形成されたカラーフィルターとその保護膜
とからなるカラーフィルター基板上にフォトリソグラフ
工程によってレジスト膜を所望のパターンにて形成した
あと無電解メッキ法により金属膜を付与し、レジスト剥
離後残された金属膜部をおおうようにして透明導電膜を
形成したことを特徴とするカラーフィルター上の電極形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147704A JPH0312604A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | カラーフィルター上の電極形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147704A JPH0312604A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | カラーフィルター上の電極形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312604A true JPH0312604A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15436355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147704A Pending JPH0312604A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | カラーフィルター上の電極形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735402A1 (en) * | 1995-03-29 | 1996-10-02 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing a multicolor liquid-crystal display unit |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1147704A patent/JPH0312604A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735402A1 (en) * | 1995-03-29 | 1996-10-02 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing a multicolor liquid-crystal display unit |
| KR100411570B1 (ko) * | 1995-03-29 | 2004-04-28 | 세이코 인스트루먼트 가부시키가이샤 | 다색액정표시장치의제조방법 |
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